JPH077844B2 - 静電誘導型半導体光電変換装置 - Google Patents
静電誘導型半導体光電変換装置Info
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- JPH077844B2 JPH077844B2 JP56192417A JP19241781A JPH077844B2 JP H077844 B2 JPH077844 B2 JP H077844B2 JP 56192417 A JP56192417 A JP 56192417A JP 19241781 A JP19241781 A JP 19241781A JP H077844 B2 JPH077844 B2 JP H077844B2
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- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置に関し、特に静電誘導型半導体光
電変換装置に関する。
電変換装置に関する。
従来半導体光電変換装置としては、光伝導性光検出器、
フォトダイオード、フォトトランジスタ等が知られてい
る。フォトトランジスタは従来のバイポーラトランジス
タと同様の構造を有し、光によって生じたキャリアをト
ランジスタのベース領域に蓄積してエミッタ電流を制御
している。
フォトダイオード、フォトトランジスタ等が知られてい
る。フォトトランジスタは従来のバイポーラトランジス
タと同様の構造を有し、光によって生じたキャリアをト
ランジスタのベース領域に蓄積してエミッタ電流を制御
している。
従来のバイポーラ型フォトトランジスタは、感度が悪
く、感度を増すために受光面を大きくすると、ますます
周波数特性が悪くなるという重大な欠点を有している。
（例えば特公昭50-38531号）そのために例えば、光通信
用の検出器としては、もっぱらフォトトランジスタでは
なくてｐ−ｉ−ｎフォトダイオード、あるいは雑音の大
きいアバランシェダイオードが使用されている。各種物
理測定用の検出器として、感度が高いものとしては、光
電子増倍管が使用されているが、通常1000V以上の高電
圧を必要とし、又寿命が短いという大きな欠点を有して
いる。
く、感度を増すために受光面を大きくすると、ますます
周波数特性が悪くなるという重大な欠点を有している。
（例えば特公昭50-38531号）そのために例えば、光通信
用の検出器としては、もっぱらフォトトランジスタでは
なくてｐ−ｉ−ｎフォトダイオード、あるいは雑音の大
きいアバランシェダイオードが使用されている。各種物
理測定用の検出器として、感度が高いものとしては、光
電子増倍管が使用されているが、通常1000V以上の高電
圧を必要とし、又寿命が短いという大きな欠点を有して
いる。
バイポーラ型フォトトランジスタの場合には主電流に寄
与するキャリアが電子と正孔の２種類あるため、少数キ
ャリアの蓄積効果が生じ、応答速度が速くならず数10MH
z程度までである。
与するキャリアが電子と正孔の２種類あるため、少数キ
ャリアの蓄積効果が生じ、応答速度が速くならず数10MH
z程度までである。
本発明の目的は、従来のフォトトランジスタよりも、高
速、高感度な静電誘導型トランジスタによる静電誘導型
半導体光電変換装置を提供することにある。
速、高感度な静電誘導型トランジスタによる静電誘導型
半導体光電変換装置を提供することにある。
本発明者が提案した不飽和型電流電圧特性を示す静電誘
導トランジスタ（特許第968336号）は種々の発展をとげ
ている。更に本発明と類似の半導体光電変換装置は本発
明者により特公昭62-50992号（特許第1444883号）によ
り提案されている。
導トランジスタ（特許第968336号）は種々の発展をとげ
ている。更に本発明と類似の半導体光電変換装置は本発
明者により特公昭62-50992号（特許第1444883号）によ
り提案されている。
本発明の静電誘導型半導体光電変換装置は、これまで提
案されたものより、更に高感度、高速な静電誘導型半導
体光電変換装置である。
案されたものより、更に高感度、高速な静電誘導型半導
体光電変換装置である。
以下、図面を参照して本発明を説明する。
第１図は特公昭62-50992号（特許第1444883号）におい
て提案した半導体光電変換装置の１つであり、接合ゲー
ト型の静電誘導トランジスタを用いてドレインよりチャ
ンネルへ光を照射している例である。
て提案した半導体光電変換装置の１つであり、接合ゲー
ト型の静電誘導トランジスタを用いてドレインよりチャ
ンネルへ光を照射している例である。
１はn+基板、２、４、はチャンネルの高抵抗なn-層、３
はゲートのp+領域、５はドレインのn+層、15はドレイン
電極、11はソース電極である。
はゲートのp+領域、５はドレインのn+層、15はドレイン
電極、11はソース電極である。
既に本発明者によって明らかにされているように、この
チャンネルの不純物密度、３のp+ゲートの形状、間隔を
変化させることにより静電誘導トランジスタ（以下SIT
と称す）の特性は変化しうる。
チャンネルの不純物密度、３のp+ゲートの形状、間隔を
変化させることにより静電誘導トランジスタ（以下SIT
と称す）の特性は変化しうる。
従来の実施例はゲート領域がチャンネル中に埋込まれて
いるために、正孔がゲートに到達するまでに時間がかか
るという欠点がある。また埋込型のゲートの場合には、
ゲート・ソース間の静電容量、ゲート・ドレイン間の静
電容量が大きく、周波数特性が悪くなるという欠点があ
る。
いるために、正孔がゲートに到達するまでに時間がかか
るという欠点がある。また埋込型のゲートの場合には、
ゲート・ソース間の静電容量、ゲート・ドレイン間の静
電容量が大きく、周波数特性が悪くなるという欠点があ
る。
これに対し、本発明の静電誘導型半導体光電変換装置は
このような従来の装置の欠点は全くない。
このような従来の装置の欠点は全くない。
第２図（イ）は本発明の静電誘導型半導体光電変換装置
一実施例の断面図である。
一実施例の断面図である。
n+Si基板20上にn-型エピタキシャル層21を30μｍ程成長
させる。その上に熱酸化法によりSiO2を形成し、さらに
ゲートとなるべき領域22をフォトレジストマスクを使っ
て、開孔し、そこにボロンの選択拡散によって、p+のゲ
ート領域を部分的に形成する。次に隣り合うゲート領域
の中央にn+層のソース領域23を、ゲートと同じく選択拡
散法によって形成する。次にAlを真空蒸着して両面につ
け、表面のゲート、ソース領域上以外はマスクを用い
て、選択エッチングにより除去してゲート電極24、ソー
ス電極25を形成する。n+基板の裏面全面はドレイン電極
26となる。図中のｈνはｈνというエネルギーをもつ入
射光を示している。
させる。その上に熱酸化法によりSiO2を形成し、さらに
ゲートとなるべき領域22をフォトレジストマスクを使っ
て、開孔し、そこにボロンの選択拡散によって、p+のゲ
ート領域を部分的に形成する。次に隣り合うゲート領域
の中央にn+層のソース領域23を、ゲートと同じく選択拡
散法によって形成する。次にAlを真空蒸着して両面につ
け、表面のゲート、ソース領域上以外はマスクを用い
て、選択エッチングにより除去してゲート電極24、ソー
ス電極25を形成する。n+基板の裏面全面はドレイン電極
26となる。図中のｈνはｈνというエネルギーをもつ入
射光を示している。
第２図（ロ）は、（イ）の静電誘導型半導体光電変換装
置の上面図である。ゲート電極は線状になっており、片
方の端を共通にして、ワイヤリングのための領域30とし
ている。ソースも同様にして金属配線をして、ワイヤリ
ングのための領域31を設けている。ゲート・ソースの形
成はSITで周知のように、ゲートを網目状に形成するこ
ともできる。第２図（イ）に示したトランジスタがSIT
として動作するには、チャンネルのｎ層の不純物密度を
例えば1016cm-3以下、p+ゲート領域の不純物密度をおお
よそ1017〜1021cm-3、n+のソース、ドレイン領域の不純
物密度をおおよそ1017〜1021cm-3とする。
置の上面図である。ゲート電極は線状になっており、片
方の端を共通にして、ワイヤリングのための領域30とし
ている。ソースも同様にして金属配線をして、ワイヤリ
ングのための領域31を設けている。ゲート・ソースの形
成はSITで周知のように、ゲートを網目状に形成するこ
ともできる。第２図（イ）に示したトランジスタがSIT
として動作するには、チャンネルのｎ層の不純物密度を
例えば1016cm-3以下、p+ゲート領域の不純物密度をおお
よそ1017〜1021cm-3、n+のソース、ドレイン領域の不純
物密度をおおよそ1017〜1021cm-3とする。
チャンネル層は印加電圧、光感度等を決定する領域であ
る。入射光が吸収される領域の大部分が空乏層化し、入
射光によって生成した正孔の大部分がゲート領域に到達
できるものが望ましく、本発明の場合、従来の埋込型の
SITを使った静電誘導型半導体光電変換装置よりもゲー
ト領域が表面にあるので著しく正孔のゲートへの蓄積効
果は高くなる。
る。入射光が吸収される領域の大部分が空乏層化し、入
射光によって生成した正孔の大部分がゲート領域に到達
できるものが望ましく、本発明の場合、従来の埋込型の
SITを使った静電誘導型半導体光電変換装置よりもゲー
ト領域が表面にあるので著しく正孔のゲートへの蓄積効
果は高くなる。
SITの場合に、０ゲートバイアス状態であまり電流が流
れないようにするには、p+型ゲートメッシュ領域の間隔
は、pn接合の拡散電位による空乏層が互いに重なり合い
チャンネル中に十分電位障壁を形成するように選ぶ。例
えばチャンネルを形成するn-型層の不純物密度が１×10
14cm-3の場合ゲート領域の不純物密度1018cm-3以上、メ
ッシュ間隔は約５μｍ以下に選ぶ。n+型基板にはあまり
制限はないが、例えば不純物密度1018〜1020cm-3のもの
を用いる。出力電圧のダイナミック・レンジを広くとる
ためには、n-型層21の不純物密度を下げ印加電圧を高く
することもよい。検出すべき光の波長が長くなり吸収係
数が低くなる場合、n-型層21の厚さはより厚くできる。
れないようにするには、p+型ゲートメッシュ領域の間隔
は、pn接合の拡散電位による空乏層が互いに重なり合い
チャンネル中に十分電位障壁を形成するように選ぶ。例
えばチャンネルを形成するn-型層の不純物密度が１×10
14cm-3の場合ゲート領域の不純物密度1018cm-3以上、メ
ッシュ間隔は約５μｍ以下に選ぶ。n+型基板にはあまり
制限はないが、例えば不純物密度1018〜1020cm-3のもの
を用いる。出力電圧のダイナミック・レンジを広くとる
ためには、n-型層21の不純物密度を下げ印加電圧を高く
することもよい。検出すべき光の波長が長くなり吸収係
数が低くなる場合、n-型層21の厚さはより厚くできる。
ゲート・ソース間の電圧が０のときでもよく電流が流れ
るためには、ゲートとゲートの間隔を広くとりチャンネ
ルが全領域空乏化しないようにすると良い。
るためには、ゲートとゲートの間隔を広くとりチャンネ
ルが全領域空乏化しないようにすると良い。
第３図（イ）〜（ヘ）は本発明の静電誘導型半導体光電
変換装置の動作を示す一実施例であり、ゲート・ソース
間にバイアス電源がないフローティングゲートとした場
合である。
変換装置の動作を示す一実施例であり、ゲート・ソース
間にバイアス電源がないフローティングゲートとした場
合である。
Q1は本発明の半導体装置、VDSはドレイン・ソース電圧
源、RLは負荷抵抗である。Q1にはｈνというエネルギー
をもつ光が照射されている。Ｉ−Ｖ特性は第３図（ロ）
のように光量が０のときに電流が流れず、光量がg1、
g2、g3、g4と増すとドレイン電流が流れ、負荷抵抗にV
outという光に対応した出力電圧が生じる。この動作は
入射光に励起され、電子、正孔対が生じ、正孔はゲート
のp+領域に集まり正に帯電し、ゲート・ソース間に順方
向電圧が生じ、ソース・ドレイン間電流が流れることに
よっている。
源、RLは負荷抵抗である。Q1にはｈνというエネルギー
をもつ光が照射されている。Ｉ−Ｖ特性は第３図（ロ）
のように光量が０のときに電流が流れず、光量がg1、
g2、g3、g4と増すとドレイン電流が流れ、負荷抵抗にV
outという光に対応した出力電圧が生じる。この動作は
入射光に励起され、電子、正孔対が生じ、正孔はゲート
のp+領域に集まり正に帯電し、ゲート・ソース間に順方
向電圧が生じ、ソース・ドレイン間電流が流れることに
よっている。
第３図（ハ）、（ホ）はそれぞれ、ゲート・ソース間に
順方向電圧源、逆方向電圧源をゲート抵抗RGを介したと
きの本発明の静電誘導型半導体光電変換変換装置の一実
施例である。VGSはゲート・ソース間の電圧源、RGはゲ
ート抵抗で０から任意の抵抗値を選定するために設けら
れている。
順方向電圧源、逆方向電圧源をゲート抵抗RGを介したと
きの本発明の静電誘導型半導体光電変換変換装置の一実
施例である。VGSはゲート・ソース間の電圧源、RGはゲ
ート抵抗で０から任意の抵抗値を選定するために設けら
れている。
第３図（ハ）のゲート・ソース電圧が順方向の場合であ
ってノーマリオフ型のSITQ2でも良い。動作原理はゲー
ト近傍のチャンネルに照射された光ｈνによって励起さ
れた電子・正孔対がゲート・ソース間に流れることによ
って、チャンネル中の最も電子に対して電位障壁の高い
真性ゲート点の電位が低下して、ソース領域からドレイ
ンへ電子が急激に流れる。第３図（ニ）に示すように光
量が０からg1〜g4へ増大することによってドレイン電流
は増して、光に対しての増幅が行われる。このときにゲ
ート抵抗RGを変化させることによって感度の調節をする
ことができる。
ってノーマリオフ型のSITQ2でも良い。動作原理はゲー
ト近傍のチャンネルに照射された光ｈνによって励起さ
れた電子・正孔対がゲート・ソース間に流れることによ
って、チャンネル中の最も電子に対して電位障壁の高い
真性ゲート点の電位が低下して、ソース領域からドレイ
ンへ電子が急激に流れる。第３図（ニ）に示すように光
量が０からg1〜g4へ増大することによってドレイン電流
は増して、光に対しての増幅が行われる。このときにゲ
ート抵抗RGを変化させることによって感度の調節をする
ことができる。
第３図（ホ）はゲート・ソースを逆方向バイアスにした
本発明の静電誘導型半導体光電変換装置である。この目
的にはノーマリオン型のSITQ3でも良い。ゲートバイア
スを深くしておいてドレイン電流が流れないようにして
おいて、ｈνというエネルギーをもつ光が照射されるこ
とによってチャンネルに励起された電子・正孔対のう
ち、正孔は直ちにゲート電極へ引き寄せられてゲート電
流が流れ、そのゲート電流によってゲート抵抗RGに生ず
る電圧降下はゲート・ソース間の電圧を正方向に振り込
むことによって急激にドレイン電流は増大して光に対し
て増幅をする。第３図（ヘ）のＩ−Ｖ特性は光量が０よ
りg1〜g6まで増大するときの様子を示している。ドレイ
ン電圧をVD1、VD2、VD3と変化させることによって、光
感度特性を変化させることも可能である。
本発明の静電誘導型半導体光電変換装置である。この目
的にはノーマリオン型のSITQ3でも良い。ゲートバイア
スを深くしておいてドレイン電流が流れないようにして
おいて、ｈνというエネルギーをもつ光が照射されるこ
とによってチャンネルに励起された電子・正孔対のう
ち、正孔は直ちにゲート電極へ引き寄せられてゲート電
流が流れ、そのゲート電流によってゲート抵抗RGに生ず
る電圧降下はゲート・ソース間の電圧を正方向に振り込
むことによって急激にドレイン電流は増大して光に対し
て増幅をする。第３図（ヘ）のＩ−Ｖ特性は光量が０よ
りg1〜g6まで増大するときの様子を示している。ドレイ
ン電圧をVD1、VD2、VD3と変化させることによって、光
感度特性を変化させることも可能である。
静電誘導トランジスタでは、ゲートからチャンネルへ空
乏層ができ、その空乏層の生じさせ方によって、ノーマ
リオフ、ノーマリオン型のＩ−Ｖ特性を得ることができ
る。それはゲートの間隔、ゲートの厚さ、チャンネルの
不純物密度を制御することによって自由に所望のＩ−Ｖ
特性を実現できる。第３図（イ）〜（ヘ）の動作特性は
本発明の静電誘導型半導体光電変換装置の使用目的に応
じて選定できる。
乏層ができ、その空乏層の生じさせ方によって、ノーマ
リオフ、ノーマリオン型のＩ−Ｖ特性を得ることができ
る。それはゲートの間隔、ゲートの厚さ、チャンネルの
不純物密度を制御することによって自由に所望のＩ−Ｖ
特性を実現できる。第３図（イ）〜（ヘ）の動作特性は
本発明の静電誘導型半導体光電変換装置の使用目的に応
じて選定できる。
第３図（イ）〜（ヘ）の動作はQ1〜Q3がｎチャンネルの
SITとして説明してきたが、ｐチャンネルのSITでも同様
の半導体光電変換装置が実現できるのは勿論である。SI
Tの場合ゲート電圧によってドレイン電流は指数関数的
に増えるので、非常に大きな光増幅度を得ることができ
る。そのために本発明の半導体光電変換装置は従来のバ
イポーラ型のフォトトランジスタでは得られない、1000
倍以上の増幅度も容易に得られる。又SITのp+ゲート領
域の抵抗は小さいので、外部に接続したゲート抵抗RGに
よって、動作特性を大幅に可変できる。またゲート領域
の容量を減少させることにより、応答速度を早くするこ
とができ、RGの値により感度が調整できる。またSITで
は比較的高抵抗領域をチャンネル領域として有している
ため暗電流雑音を小さくできるという利点がある。
SITとして説明してきたが、ｐチャンネルのSITでも同様
の半導体光電変換装置が実現できるのは勿論である。SI
Tの場合ゲート電圧によってドレイン電流は指数関数的
に増えるので、非常に大きな光増幅度を得ることができ
る。そのために本発明の半導体光電変換装置は従来のバ
イポーラ型のフォトトランジスタでは得られない、1000
倍以上の増幅度も容易に得られる。又SITのp+ゲート領
域の抵抗は小さいので、外部に接続したゲート抵抗RGに
よって、動作特性を大幅に可変できる。またゲート領域
の容量を減少させることにより、応答速度を早くするこ
とができ、RGの値により感度が調整できる。またSITで
は比較的高抵抗領域をチャンネル領域として有している
ため暗電流雑音を小さくできるという利点がある。
第３図に示すドレイン電圧源VDSを変化させることによ
って負荷曲線を変化させることができる。ドレイン電圧
源を変化させれば、非常に強い光から微弱光まで限られ
たドレイン電流範囲で測定することができる。ドレイン
電圧を増加することによって感度を上げることができる
のは飽和型特性を示すフォトトランジスタには見られな
い特徴である。寸法をそれ程小さくしなくてもSITのfT
は容易に1GHzまでのものが得られることと、周波数特性
は面積には依存しないもので、非常に高感度、高速な静
電誘導型半導体光電変換装置が得られ、通常のバイポー
ラトランジスタのフォトトランジスタではできない非常
に優れた特徴を有している。
って負荷曲線を変化させることができる。ドレイン電圧
源を変化させれば、非常に強い光から微弱光まで限られ
たドレイン電流範囲で測定することができる。ドレイン
電圧を増加することによって感度を上げることができる
のは飽和型特性を示すフォトトランジスタには見られな
い特徴である。寸法をそれ程小さくしなくてもSITのfT
は容易に1GHzまでのものが得られることと、周波数特性
は面積には依存しないもので、非常に高感度、高速な静
電誘導型半導体光電変換装置が得られ、通常のバイポー
ラトランジスタのフォトトランジスタではできない非常
に優れた特徴を有している。
第４図は第２図の実施例と同じ平面ゲート型SITの構造
を有するSITにおいて得られた入力光電力と光感度及び
光増幅度の関係であり、ゲート抵抗RGは20kΩ、200k
Ω、2MΩとパラメータを振ってある。ゲート抵抗RGが2M
Ωのときには104（μA/μＷ）以上の光感度がある。
を有するSITにおいて得られた入力光電力と光感度及び
光増幅度の関係であり、ゲート抵抗RGは20kΩ、200k
Ω、2MΩとパラメータを振ってある。ゲート抵抗RGが2M
Ωのときには104（μA/μＷ）以上の光感度がある。
従来のバイポーラトランジスタによるフォトトランジス
タでは数nWの光入力で通常の報告データでも102程度で
あり、また光入力光強度が小さくなるに従って急激に減
少するという特徴があるが、SITの場合には第４図に示
した測定結果に示される如く、入力光電力が数nW程度で
も出力感度が入力光電力に対してかなり平坦な特性が得
られており、優位性は明らかである。
タでは数nWの光入力で通常の報告データでも102程度で
あり、また光入力光強度が小さくなるに従って急激に減
少するという特徴があるが、SITの場合には第４図に示
した測定結果に示される如く、入力光電力が数nW程度で
も出力感度が入力光電力に対してかなり平坦な特性が得
られており、優位性は明らかである。
第５図は本発明の別の実施例である。
この例は、応答速度を良くするために、切り込みゲート
構造を有している。Siのn+基板20上にn-の高抵抗層21を
エピタキシャル成長により形成し、SiO2の選択エッチン
グ後、ゲートとなるべき領域をプラズマエッチングない
しは化学エッチングによりn-高抵抗層21に凹部を形成す
る。次にボロンの選択拡散により高不純物密度なp+領域
22を形成後、リン又は砒素を、n-高抵抗層の上面の所定
の位置に選択拡散をしてソース領域となる高不純物密度
のn+領域23を形成する。Alを両面に真空蒸着した後に表
面部分は選択エッチングによって、ゲート電極24、ソー
ス電極部25のみAlを残す。裏面はドレイン電極26とな
る。
構造を有している。Siのn+基板20上にn-の高抵抗層21を
エピタキシャル成長により形成し、SiO2の選択エッチン
グ後、ゲートとなるべき領域をプラズマエッチングない
しは化学エッチングによりn-高抵抗層21に凹部を形成す
る。次にボロンの選択拡散により高不純物密度なp+領域
22を形成後、リン又は砒素を、n-高抵抗層の上面の所定
の位置に選択拡散をしてソース領域となる高不純物密度
のn+領域23を形成する。Alを両面に真空蒸着した後に表
面部分は選択エッチングによって、ゲート電極24、ソー
ス電極部25のみAlを残す。裏面はドレイン電極26とな
る。
この構造の静電誘導型半導体光電変換装置は今まで説明
してきた本発明の実施例のものよりも、チャンネルによ
く光が照射し、受光面積が増すことと、ゲート、ソース
間の静電容量が減少し、周波数特性が良くなる利点を有
している。
してきた本発明の実施例のものよりも、チャンネルによ
く光が照射し、受光面積が増すことと、ゲート、ソース
間の静電容量が減少し、周波数特性が良くなる利点を有
している。
第６図は本発明の別の実施例である。
記号は第５図と対応している。p+ゲート領域はn-の高抵
抗層21をn+基板20に達するまで切り込んだ側壁に形成し
ている。p+ゲート領域は例えば、第５図で説明したp+ゲ
ート領域を形成した後に、プラズマエッチングあるいは
化学エッチングでn+基板20に達するまで選択エッチング
をすることにより形成する。次に例えばSiO2、Si3N4等
の絶縁物33をp+ゲート領域のドレイン側まで堆積する。
両面にAlを真空蒸着して、ソース電極24、ゲート電極2
5、ドレイン電極26を形成する。
抗層21をn+基板20に達するまで切り込んだ側壁に形成し
ている。p+ゲート領域は例えば、第５図で説明したp+ゲ
ート領域を形成した後に、プラズマエッチングあるいは
化学エッチングでn+基板20に達するまで選択エッチング
をすることにより形成する。次に例えばSiO2、Si3N4等
の絶縁物33をp+ゲート領域のドレイン側まで堆積する。
両面にAlを真空蒸着して、ソース電極24、ゲート電極2
5、ドレイン電極26を形成する。
この構造の静電誘導型半導体光電変換装置は第２図の実
施例に示すものよりも更に、ゲート・ドレイン間の静電
容量が減少し、周波数特性が良くなる利点を有してい
る。
施例に示すものよりも更に、ゲート・ドレイン間の静電
容量が減少し、周波数特性が良くなる利点を有してい
る。
第７図及び第８図は本発明の別の実施例である。
この例は、窓部42を有するキャップ41とステム40よりな
る外周器に、本発明の静電誘導型半導体光電変換装置44
を組み込んだものである。45はゲートのピン、46はソー
スのピンで、ステム40がドレインとなる。45、46はそれ
ぞれステム40とは絶縁されていて、静電誘導型半導体光
電変換装置のゲート電極とソース電極は金線あるいはAl
線44でゲートのピン45、ソースのピン46と接続されてい
る。窓部はガラス、石英ガラス、透明な樹脂、サファイ
ア等を用い、入射光によって選択されるものである。窓
部は第８図のように、レンズ構造としても良い。47はレ
ンズ上の窓材で、図示するよう入射する光を本発明の静
電誘導型半導体光電変換装置の動作層に集光させる働き
をしている。
る外周器に、本発明の静電誘導型半導体光電変換装置44
を組み込んだものである。45はゲートのピン、46はソー
スのピンで、ステム40がドレインとなる。45、46はそれ
ぞれステム40とは絶縁されていて、静電誘導型半導体光
電変換装置のゲート電極とソース電極は金線あるいはAl
線44でゲートのピン45、ソースのピン46と接続されてい
る。窓部はガラス、石英ガラス、透明な樹脂、サファイ
ア等を用い、入射光によって選択されるものである。窓
部は第８図のように、レンズ構造としても良い。47はレ
ンズ上の窓材で、図示するよう入射する光を本発明の静
電誘導型半導体光電変換装置の動作層に集光させる働き
をしている。
外周器は、上述のような金属製のものでなくても、窓部
を有していれば、樹脂封じ等、通常のフォトダイオー
ド、フォトトランジスタ等に使われているものでも良
い。
を有していれば、樹脂封じ等、通常のフォトダイオー
ド、フォトトランジスタ等に使われているものでも良
い。
本発明の別の実施例を第９図に示す。第９図（イ）は本
発明の静電誘導型半導体光電変換装置を光蓄積セルとす
る場合の原理図で、静電誘導トランジスタのゲートにコ
ンデンサを接続したものである。ここで半導体装置は第
２図〜第８図に説明してきた静電誘導型半導体光電変換
装置が使える。光が照射されてチャンネル中に生成した
キャリアがゲート近傍に集まり、静電容量を充電するこ
とによって光信号の蓄積がされる。第９図（ロ）は実施
例である。例えばSiのn+基板60上に高抵抗なn-（真性半
導体でもよい）層61を気相成長法により形成し、SiO2膜
により選択拡散を行って、高不純物密度のp+領域のゲー
ト62、及び高不純物密度のソースとなるべき領域63を形
成する。65はゲート上のコンデンサを形成する物質でSi
O2、Si3N4等の誘導体であり、66はAl等の金属電極であ
る。67、68はそれぞれソース及びドレインの金属電極で
ある。67、68は第９図（イ）のようにドレイン、ソース
としても良い。64は表面保護膜のSiO2膜である。第９図
（ハ）はコンデンサを接続したゲート62とコンデンサを
接続しないゲート（以下フローティングゲートと呼ぶ）
70を有する実施例である。62、70は同一の拡散工程で形
成することができる。フローティングゲートは、金属配
線をして適当なバイアスを加えてもよいし、ソースと同
電位にしてもよい。以上はソース、又はドレインをn+基
板とした場合であるが、次にｐ基板を用いての実施例を
第９図（ニ）、（ホ）に示す。第９図（ニ）において、
71はボロンドープの１×1016cm-3程度のｐ基板に、As拡
散でドレイン領域72を形成する。その上に高抵抗なn
-（真性半導体層でもよい）層61を気相成長法により形
成する。埋込みドレイン領域72を表面に配線するため
に、n+層73を選択拡散法によって形成する。以下第９図
（ロ）と同一工程によってゲート、ソースは形成でき
る。ドレイン電極68、ゲート電極66、ソース電極67、基
板電極74はAlによって形成する。第９図（ホ）は第９図
（ニ）の実施例の１つのセルを分離するための一実施例
で、拡散分離を行ったものである。75のｐ層ないしp+層
は分離領域である。素子の構造は第９図（ニ）の実施例
と同じである。分離はｐ−ｎ接合分離だけでなく、酸化
物分離でも良い。
発明の静電誘導型半導体光電変換装置を光蓄積セルとす
る場合の原理図で、静電誘導トランジスタのゲートにコ
ンデンサを接続したものである。ここで半導体装置は第
２図〜第８図に説明してきた静電誘導型半導体光電変換
装置が使える。光が照射されてチャンネル中に生成した
キャリアがゲート近傍に集まり、静電容量を充電するこ
とによって光信号の蓄積がされる。第９図（ロ）は実施
例である。例えばSiのn+基板60上に高抵抗なn-（真性半
導体でもよい）層61を気相成長法により形成し、SiO2膜
により選択拡散を行って、高不純物密度のp+領域のゲー
ト62、及び高不純物密度のソースとなるべき領域63を形
成する。65はゲート上のコンデンサを形成する物質でSi
O2、Si3N4等の誘導体であり、66はAl等の金属電極であ
る。67、68はそれぞれソース及びドレインの金属電極で
ある。67、68は第９図（イ）のようにドレイン、ソース
としても良い。64は表面保護膜のSiO2膜である。第９図
（ハ）はコンデンサを接続したゲート62とコンデンサを
接続しないゲート（以下フローティングゲートと呼ぶ）
70を有する実施例である。62、70は同一の拡散工程で形
成することができる。フローティングゲートは、金属配
線をして適当なバイアスを加えてもよいし、ソースと同
電位にしてもよい。以上はソース、又はドレインをn+基
板とした場合であるが、次にｐ基板を用いての実施例を
第９図（ニ）、（ホ）に示す。第９図（ニ）において、
71はボロンドープの１×1016cm-3程度のｐ基板に、As拡
散でドレイン領域72を形成する。その上に高抵抗なn
-（真性半導体層でもよい）層61を気相成長法により形
成する。埋込みドレイン領域72を表面に配線するため
に、n+層73を選択拡散法によって形成する。以下第９図
（ロ）と同一工程によってゲート、ソースは形成でき
る。ドレイン電極68、ゲート電極66、ソース電極67、基
板電極74はAlによって形成する。第９図（ホ）は第９図
（ニ）の実施例の１つのセルを分離するための一実施例
で、拡散分離を行ったものである。75のｐ層ないしp+層
は分離領域である。素子の構造は第９図（ニ）の実施例
と同じである。分離はｐ−ｎ接合分離だけでなく、酸化
物分離でも良い。
以上第９図（イ）〜（ホ）に示す実施例はｈνというエ
ネルギーをもつ光の信号をゲート領域のコンデンサに蓄
積することができる。ソースとドレインは実施例に述べ
たものと逆にしても良いことは勿論である。
ネルギーをもつ光の信号をゲート領域のコンデンサに蓄
積することができる。ソースとドレインは実施例に述べ
たものと逆にしても良いことは勿論である。
第10図（イ）〜（ニ）は本発明の別の実施例で、第10図
（イ）はソースに光信号を蓄積するコンデンサ、第10図
（ロ）はドレインに光信号を蓄積するコンデンサを接続
した一例である。
（イ）はソースに光信号を蓄積するコンデンサ、第10図
（ロ）はドレインに光信号を蓄積するコンデンサを接続
した一例である。
実施例の符号は第９図と対応している。第10図（ハ）は
n+のソース領域63にコンデンサを接続したもので、75は
シリコン多結晶、76は酸化膜、67はAlの電極である。7
5、76、67によりコンデンサが形成されている。ゲート
のp+層62には金属電極66を形成している。
n+のソース領域63にコンデンサを接続したもので、75は
シリコン多結晶、76は酸化膜、67はAlの電極である。7
5、76、67によりコンデンサが形成されている。ゲート
のp+層62には金属電極66を形成している。
第10図（ニ）はｐ基板上に第10図（ロ）に示すドレイン
に接続されるコンデンサを設けた一実施例である。75は
シリコン多結晶、76は酸化膜、68はドレイン電極であ
り、75、76、68によりコンデンサが形成されている。
に接続されるコンデンサを設けた一実施例である。75は
シリコン多結晶、76は酸化膜、68はドレイン電極であ
り、75、76、68によりコンデンサが形成されている。
第10図（ハ）、（ニ）において、ソースとドレインは逆
になっても良い。コンデンサを形成する物質はシリコン
の酸化膜に限らずSi3N4膜、Al2O3膜等でも良い。
になっても良い。コンデンサを形成する物質はシリコン
の酸化膜に限らずSi3N4膜、Al2O3膜等でも良い。
本発明の別の実施例を第11図（イ）〜（ニ）に示す。第
11図（イ）は静電誘導トランジスタのゲートにコンデン
サと抵抗を並列に接続したもの、第11図（ロ）は同じく
ゲートにコンデンサと抵抗を直列したもので、それぞれ
光信号をコンデンサと抵抗の時定数で決まる時間だけ蓄
積しようとする例である。
11図（イ）は静電誘導トランジスタのゲートにコンデン
サと抵抗を並列に接続したもの、第11図（ロ）は同じく
ゲートにコンデンサと抵抗を直列したもので、それぞれ
光信号をコンデンサと抵抗の時定数で決まる時間だけ蓄
積しようとする例である。
第11図（ハ）はゲートにコンデンサと抵抗を並列に接続
した一実施例である。
した一実施例である。
77は例えばボロンをドープしたシリコン多結晶による抵
抗、78はSiO2等の誘導体薄膜で、66は金属電極である。
77、78、66によりコンデンサと抵抗がゲート領域62に接
続される。
抗、78はSiO2等の誘導体薄膜で、66は金属電極である。
77、78、66によりコンデンサと抵抗がゲート領域62に接
続される。
第11図（ニ）は第11図（ロ）に対応する本発明の別の実
施例で、80はボロンドープされたシリコン多結晶で抵抗
として働き、81はSiO2等の誘導体薄膜、66は金属電極で
ある。80、81、66によりゲート領域62に直列に接続され
る抵抗とコンデンサが形成される。
施例で、80はボロンドープされたシリコン多結晶で抵抗
として働き、81はSiO2等の誘導体薄膜、66は金属電極で
ある。80、81、66によりゲート領域62に直列に接続され
る抵抗とコンデンサが形成される。
抵抗とコンデンサは上記のものに限らず、リンドープの
多結晶、ｐ−ｎ接合、Si3N4膜、Al2O3膜等によっても形
成できる。
多結晶、ｐ−ｎ接合、Si3N4膜、Al2O3膜等によっても形
成できる。
第12図（イ）、（ロ）は本発明の別の実施例で、ゲート
をフローティングした一例である。
をフローティングした一例である。
第12図（イ）は第９図（ロ）の実施例において、ゲート
に金属配線等をしていないものである。第12図（ロ）は
第９図（ニ）の実施例においてゲート金属配線等をして
いないものである。
に金属配線等をしていないものである。第12図（ロ）は
第９図（ニ）の実施例においてゲート金属配線等をして
いないものである。
第13図（イ）、（ロ）は本発明の別の実施例である。
第13図（イ）は第９図の実施例の本発明の静電誘導型半
導体光電変換装置の接続方法を示す実施例である。Q20
はゲートにコンデンサが接続された本発明の静電誘導型
半導体光電変換装置である。二次元に配列された静電誘
導型半導体光電変換装置のゲートをb1、b2、…、ソース
をa1、a1、…、ドレインをc1、c2、…と接続している。
例えば第９図（ロ）の静電誘導トランジスタの場合には
n+基板をドレインあるいはソースとしているから、ドレ
インあるいはソースは共通線としてよい。基板側がドレ
インとすればソースとゲートの配線を基板の表面側で行
えば良い。第13図（ロ）は第13図（イ）においてのソー
スとドレインを逆にしたものの実施例である。この実施
例においては、ｈνというエネルギーを有する光が照射
されると、二次元に配置されたセルによって光電極変換
が行われることになる。この静電誘導型半導体光電変換
装置はセルが１個の静電誘導トランジスタで構成されて
いることと、光増幅率が大きいので、ダイオードとCC
D、あるいはダイオードとMOSトランジスタによる光セン
サに比較して感度が良く、構造が簡単であるという非常
に優れた特性を有する。ゲートに光信号を蓄積する時間
は、おおよそ１秒位は十分に保持できる。
導体光電変換装置の接続方法を示す実施例である。Q20
はゲートにコンデンサが接続された本発明の静電誘導型
半導体光電変換装置である。二次元に配列された静電誘
導型半導体光電変換装置のゲートをb1、b2、…、ソース
をa1、a1、…、ドレインをc1、c2、…と接続している。
例えば第９図（ロ）の静電誘導トランジスタの場合には
n+基板をドレインあるいはソースとしているから、ドレ
インあるいはソースは共通線としてよい。基板側がドレ
インとすればソースとゲートの配線を基板の表面側で行
えば良い。第13図（ロ）は第13図（イ）においてのソー
スとドレインを逆にしたものの実施例である。この実施
例においては、ｈνというエネルギーを有する光が照射
されると、二次元に配置されたセルによって光電極変換
が行われることになる。この静電誘導型半導体光電変換
装置はセルが１個の静電誘導トランジスタで構成されて
いることと、光増幅率が大きいので、ダイオードとCC
D、あるいはダイオードとMOSトランジスタによる光セン
サに比較して感度が良く、構造が簡単であるという非常
に優れた特性を有する。ゲートに光信号を蓄積する時間
は、おおよそ１秒位は十分に保持できる。
第14図（イ）はソースにコンデンサ、（ロ）はドレイン
にコンデンサを接続した本発明の静電誘導型半導体光電
変換装置の別の実施例である。Q21は第10図に示した実
施例の半導体装置である。
にコンデンサを接続した本発明の静電誘導型半導体光電
変換装置の別の実施例である。Q21は第10図に示した実
施例の半導体装置である。
二次元の配線には、絶縁物を介した二層配線、片方の電
極はポリシリコン、他方はAlによる金属配線など、従来
のランダムアクセスメモリセルなどで知られている技術
によって行うことができる。
極はポリシリコン、他方はAlによる金属配線など、従来
のランダムアクセスメモリセルなどで知られている技術
によって行うことができる。
第13図、第14図にはゲート、ソース、あるいはドレイン
にコンデンサを接続した本発明の静電誘導型半導体光電
変換装置を示したが、第11図に示した静電誘導型半導体
光電変換装置、あるいは第９図乃至第13図に示したもの
を組み合わせて一つのセルとしても良い。
にコンデンサを接続した本発明の静電誘導型半導体光電
変換装置を示したが、第11図に示した静電誘導型半導体
光電変換装置、あるいは第９図乃至第13図に示したもの
を組み合わせて一つのセルとしても良い。
以上に述べた実施例のうち、ゲートをフローティングに
すると光照射によってチャンネル中に生じた少数キャリ
アは逆導電型のゲート領域に蓄積されている。ゲート領
域を浮遊構造にしておくと、蓄積した電荷はリーク抵抗
を介して消去するだけなので、応答速度が遅くなる。
すると光照射によってチャンネル中に生じた少数キャリ
アは逆導電型のゲート領域に蓄積されている。ゲート領
域を浮遊構造にしておくと、蓄積した電荷はリーク抵抗
を介して消去するだけなので、応答速度が遅くなる。
蓄積した電荷を積極的に逃がすにはゲート領域とソース
領域との間に導電路を接続すればよい。抵抗を接続した
場合はゲート領域の容量と抵抗との値によって応答速度
が決まる。この抵抗は同一半導体チップ内に拡散等によ
って形成することができる。
領域との間に導電路を接続すればよい。抵抗を接続した
場合はゲート領域の容量と抵抗との値によって応答速度
が決まる。この抵抗は同一半導体チップ内に拡散等によ
って形成することができる。
導電路としてスイッチ手段を接続すると、スイッチング
の断続周波数で応答速度が決まる。この場合、スイッチ
手段がオフの期間は電荷が蓄積し続けるので応答速度が
遅くても感度を上げたい場合はスイッチ手段のオフの期
間を長くすればよい。スイッチ手段をトランジスタ等で
形成し、同一半導体チップ上に集積化してもよいし、メ
カニカルチョッパ等で形成し外付けしてもよい。
の断続周波数で応答速度が決まる。この場合、スイッチ
手段がオフの期間は電荷が蓄積し続けるので応答速度が
遅くても感度を上げたい場合はスイッチ手段のオフの期
間を長くすればよい。スイッチ手段をトランジスタ等で
形成し、同一半導体チップ上に集積化してもよいし、メ
カニカルチョッパ等で形成し外付けしてもよい。
受光部の構造は、上記実施例の構造に限らない。
例えば、受光面を形成する場所はドレイン側でもソース
側でも、動作状態において活性領域に十分光を導入でき
る場所であればそれ以外の場所でも構わない。
側でも、動作状態において活性領域に十分光を導入でき
る場所であればそれ以外の場所でも構わない。
上記実施例のように受光面側に電極が配置される時の電
極構造も図示の如きものに限らない。電極をストライプ
あるいはメッシュ形状にしてもよいし、受光面全面に透
明電極を設けてもよい。
極構造も図示の如きものに限らない。電極をストライプ
あるいはメッシュ形状にしてもよいし、受光面全面に透
明電極を設けてもよい。
本発明の静電誘導型半導体光電変換装置をカラー用にす
るためには、本発明の静電誘導型半導体光電変換装置の
各実施例において光の照射される領域上に、有機フィル
タを張り付けたり、本発明者等により特公昭63-48234号
（特許第1515714号）に提案されている。SiO2膜、SiN3
膜等の多層膜を形成することによって、実施することが
できる。
るためには、本発明の静電誘導型半導体光電変換装置の
各実施例において光の照射される領域上に、有機フィル
タを張り付けたり、本発明者等により特公昭63-48234号
（特許第1515714号）に提案されている。SiO2膜、SiN3
膜等の多層膜を形成することによって、実施することが
できる。
素子の製造方法としては拡散のかわりにイオン注入法、
絶縁膜を作るためのCVD法、プラズマエッチング法、陽
極酸化法、スパッタ法による膜形成等周知の半導体製造
方法を用いることができる。
絶縁膜を作るためのCVD法、プラズマエッチング法、陽
極酸化法、スパッタ法による膜形成等周知の半導体製造
方法を用いることができる。
半導体材料もSiに限らず、より長波長の光測定には狭い
禁制帯幅を有する半導体（例えばGe、Po1-xSnxTe（Ｓ、
Se）、Hg1-xCdxTe、InSb等）を用いればよいし、より短
波長の光測定には広い禁制帯幅の半導体（例えばGaAs、
GaP等）を用いることもできるし、導電型をすべて逆に
しても構わない。
禁制帯幅を有する半導体（例えばGe、Po1-xSnxTe（Ｓ、
Se）、Hg1-xCdxTe、InSb等）を用いればよいし、より短
波長の光測定には広い禁制帯幅の半導体（例えばGaAs、
GaP等）を用いることもできるし、導電型をすべて逆に
しても構わない。
本発明の静電誘導型半導体光電変換装置は、静電誘導ト
ランジスタを光検出器として用い、入射光強度を電気信
号として取り出すものである。
ランジスタを光検出器として用い、入射光強度を電気信
号として取り出すものである。
本発明の静電誘導型半導体光電変換装置は、低雑音で光
感度が非常に高い利点を有しており、工業的価値の非常
に高いものである。
感度が非常に高い利点を有しており、工業的価値の非常
に高いものである。
第１図は従来の光検出素子の断面図、第２図（イ）は本
発明の実施例を示す光検出素子の断面図、（ロ）はその
上面図、第３図（イ）乃至（ヘ）は本発明の静電誘導型
半導体光電変換素子の動作図と光が入射したときのドレ
インの電流電圧特性、第４図は本発明実施例の静電誘導
型半導体光電変換素子の入力光電力に対する光感度特
性、第５図及び第６図は本発明の他の実施例の断面図、
第７図及び第８図は本発明の静電誘導型半導体光電変換
素子の外囲器に光を照射させる実施例、第９図（イ）乃
至（ホ）はゲートにコンデンサを接続した本発明の静電
誘導型半導体光電変換装置の実施例、第10図（イ）乃至
（ニ）はドレインあるいはソースにコンデンサを接続し
た本発明の静電誘導型半導体光電変換装置の実施例、第
11図（イ）乃至（ニ）はゲートに抵抗とコンデンサを接
続した本発明の静電誘導型半導体光電変換装置の実施
例、第12図（イ）及び（ロ）はゲートをフローティング
にした本発明の静電誘導型半導体光電変換装置の実施
例、第13図及び第14図は第９図及び第10図に示した本発
明の静電誘導型半導体光電変換装置の構成を示す実施例
である。１、23、63、93…ソース領域、３、22、53、6
2、70、95…ゲート領域、５、20、60、72、73、90…ド
レイン領域、２、４、21、51、54、61、91…高抵抗なn-
層ないしは真性半導体領域、11、16、25、32、67、96…
ソース電極、17、24、30、56、66……ゲート電極、15、
26、68、97……ドレイン電極、64、65、76、78、81…絶
縁層、77、80…多結晶層
発明の実施例を示す光検出素子の断面図、（ロ）はその
上面図、第３図（イ）乃至（ヘ）は本発明の静電誘導型
半導体光電変換素子の動作図と光が入射したときのドレ
インの電流電圧特性、第４図は本発明実施例の静電誘導
型半導体光電変換素子の入力光電力に対する光感度特
性、第５図及び第６図は本発明の他の実施例の断面図、
第７図及び第８図は本発明の静電誘導型半導体光電変換
素子の外囲器に光を照射させる実施例、第９図（イ）乃
至（ホ）はゲートにコンデンサを接続した本発明の静電
誘導型半導体光電変換装置の実施例、第10図（イ）乃至
（ニ）はドレインあるいはソースにコンデンサを接続し
た本発明の静電誘導型半導体光電変換装置の実施例、第
11図（イ）乃至（ニ）はゲートに抵抗とコンデンサを接
続した本発明の静電誘導型半導体光電変換装置の実施
例、第12図（イ）及び（ロ）はゲートをフローティング
にした本発明の静電誘導型半導体光電変換装置の実施
例、第13図及び第14図は第９図及び第10図に示した本発
明の静電誘導型半導体光電変換装置の構成を示す実施例
である。１、23、63、93…ソース領域、３、22、53、6
2、70、95…ゲート領域、５、20、60、72、73、90…ド
レイン領域、２、４、21、51、54、61、91…高抵抗なn-
層ないしは真性半導体領域、11、16、25、32、67、96…
ソース電極、17、24、30、56、66……ゲート電極、15、
26、68、97……ドレイン電極、64、65、76、78、81…絶
縁層、77、80…多結晶層
Claims (2)
- 【請求項１】ｎ型の低不純物密度ないしは真性半導体の
チャンネル領域と、チャンネル領域に接して表面側に設
けられる主電流を流すためのｎ型の高不純物密度領域か
らなるソース領域とソース電極、チャンネル領域に接し
てソース領域と同導電型のドレイン領域となる半導体領
域及びドレイン電極、前記チャンネルを塞がない形状の
ｐ型の高不純物密度領域からなるゲート領域とを有し、
ゲート領域の一部乃至全部がゲート電極として表面に露
出していて、前記チャンネル領域の所定の部分は光を受
けるための受光領域をなし、前記チャンネルはほぼ空乏
層化され前記チャンネル領域内のゲート領域近傍が光照
射されることによりソース、チャンネル部に生じたキャ
リアのうち、ゲートと同導電型のキャリアをゲートに集
める作用により、前記ゲート領域近傍のチャンネルに形
成される電位障壁を制御することによりソース・ドレイ
ン間に光照射量に応じたドレイン電流を流すことを特徴
とする静電誘導型半導体光電変換装置。 - 【請求項２】ゲートもしくは２つの主電極領域であるソ
ース、ドレインの少なくとも１つにコンデンサもしくは
コンデンサと抵抗を直列あるいは並列に接続したことを
特徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の静電誘導型
半導体光電変換装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192417A JPH077844B2 (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 静電誘導型半導体光電変換装置 |
| EP82903476A EP0094973B1 (en) | 1981-11-30 | 1982-11-30 | Semiconductor photoelectric converter |
| PCT/JP1982/000457 WO1983002037A1 (en) | 1981-11-30 | 1982-11-30 | Semiconductor photoelectric converter |
| DE8282903476T DE3280267D1 (de) | 1981-11-30 | 1982-11-30 | Halbleiterumwandler photoelektrischer. |
| US06/522,307 US4608587A (en) | 1981-11-30 | 1983-07-29 | Semiconductor optoelectro transducer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192417A JPH077844B2 (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 静電誘導型半導体光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893386A JPS5893386A (ja) | 1983-06-03 |
| JPH077844B2 true JPH077844B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=16290968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56192417A Expired - Lifetime JPH077844B2 (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 静電誘導型半導体光電変換装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4608587A (ja) |
| EP (1) | EP0094973B1 (ja) |
| JP (1) | JPH077844B2 (ja) |
| DE (1) | DE3280267D1 (ja) |
| WO (1) | WO1983002037A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943581A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-10 | Junichi Nishizawa | 半導体光電変換装置 |
| JPS59107578A (ja) * | 1982-12-11 | 1984-06-21 | Junichi Nishizawa | 半導体光電変換装置 |
| JPH0779159B2 (ja) * | 1984-03-22 | 1995-08-23 | 潤一 西澤 | 光トリガ・光クエンチ可能なサイリスタ装置 |
| JPH07120765B2 (ja) * | 1985-12-20 | 1995-12-20 | キヤノン株式会社 | センサ装置、光導電型センサの駆動方法及び駆動装置 |
| US6407512B1 (en) * | 1999-11-19 | 2002-06-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Flashing device of an automatic light-regulation type |
| DE102005007358B4 (de) * | 2005-02-17 | 2008-05-08 | Austriamicrosystems Ag | Lichtempfindliches Bauelement |
| RU2316848C1 (ru) * | 2006-06-01 | 2008-02-10 | Садыгов Зираддин Якуб-оглы | Микроканальный лавинный фотодиод |
| JP5401203B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2014-01-29 | 株式会社日立製作所 | 半導体受光装置及びその製造方法 |
| US8963274B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-02-24 | Sensors Unlimited, Inc. | Epitaxial structure for vertically integrated charge transfer gate technology in optoelectronic materials |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3366802A (en) * | 1965-04-06 | 1968-01-30 | Fairchild Camera Instr Co | Field effect transistor photosensitive modulator |
| GB1444541A (en) * | 1972-09-22 | 1976-08-04 | Mullard Ltd | Radiation sensitive solid state devices |
| GB1444543A (en) * | 1972-09-22 | 1976-08-04 | Mullard Ltd | Solid state image display and/or conversion device |
| JPS5038531A (ja) * | 1973-08-07 | 1975-04-10 | ||
| JPS5061194A (ja) * | 1973-09-27 | 1975-05-26 | ||
| JPS5368178A (en) * | 1976-11-30 | 1978-06-17 | Handotai Kenkyu Shinkokai | Fet transistor |
| US4284997A (en) * | 1977-07-07 | 1981-08-18 | Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai | Static induction transistor and its applied devices |
| JPS6020910B2 (ja) * | 1977-07-07 | 1985-05-24 | 財団法人半導体研究振興会 | 静電誘導トランジスタ及び半導体集積回路 |
| JPS5449086A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-18 | Sharp Corp | Field effect semiconductor device |
| JPS5513924A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-31 | Semiconductor Res Found | Semiconductor photoelectronic conversion device |
| US4427990A (en) * | 1978-07-14 | 1984-01-24 | Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai | Semiconductor photo-electric converter with insulated gate over p-n charge storage region |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56192417A patent/JPH077844B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-11-30 EP EP82903476A patent/EP0094973B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-11-30 DE DE8282903476T patent/DE3280267D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1982-11-30 WO PCT/JP1982/000457 patent/WO1983002037A1/ja active IP Right Grant
-
1983
- 1983-07-29 US US06/522,307 patent/US4608587A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0094973A1 (en) | 1983-11-30 |
| JPS5893386A (ja) | 1983-06-03 |
| WO1983002037A1 (en) | 1983-06-09 |
| EP0094973A4 (en) | 1986-01-07 |
| EP0094973B1 (en) | 1990-11-07 |
| US4608587A (en) | 1986-08-26 |
| DE3280267D1 (de) | 1990-12-13 |
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