RU2316848C1 - Микроканальный лавинный фотодиод - Google Patents
Микроканальный лавинный фотодиод Download PDFInfo
- Publication number
- RU2316848C1 RU2316848C1 RU2006118960/28A RU2006118960A RU2316848C1 RU 2316848 C1 RU2316848 C1 RU 2316848C1 RU 2006118960/28 A RU2006118960/28 A RU 2006118960/28A RU 2006118960 A RU2006118960 A RU 2006118960A RU 2316848 C1 RU2316848 C1 RU 2316848C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor layers
- semiconductor
- regions
- substrate
- solid
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005658 nuclear physics Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003325 tomography Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Изобретение может быть использовано для регистрации сверхслабых импульсов света, вплоть до единичных фотонов, а также гамма-квантов и заряженных частиц в составе устройств медицинской гамма-томографии, радиационного мониторинга и ядерно-физических экспериментов. Предложенный лавинный фотодиод содержит подложку и полупроводниковые слои с разными электрофизическими свойствами, имеющие общие границы раздела как между собой, так и с подложкой. Кроме того, лавинный фотодиод содержит, по крайней мере, одну двумерную матрицу отдельных твердотельных областей, окруженных полупроводниковым материалом одного типа проводимости. Твердотельные области располагают между двумя дополнительными полупроводниковыми слоями, имеющими повышенную проводимость по отношению к полупроводниковым слоям, с которыми они имеют общие границы раздела. Благодаря этому улучшается стабильность амплитуды фотоотклика и увеличивается чувствительность лавинного фотодиода в видимой и ультрафиолетовой областях спектра. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Описание изобретения
Изобретение относится к полупроводниковым фоточувствительным приборам, конкретно к полупроводниковым лавинным фотодиодам с внутренним усилием сигнала. Предложенный микроканальный лавинный фотодиод может быть использован для регистрации сверхслабых импульсов света, вплоть до единичных фотонов, а также гамма-квантов и зараженных частиц в составе устройств медицинской гамма-томографии, радиационного мониторинга и ядерно-физических экспериментов.
Известно устройство /1/, включающее полупроводниковую подложку, матрицу полупроводниковых областей противоположного подложке типа проводимости, отделенных от полевого полупрозрачного электрода буферным-резистивным слоем с определенной проводимостью. Лавинное усиление фотоэлектронов осуществляется на границах подложки с полупроводниковыми областями. При этом лавинный ток стекает к полупрозрачному электроду через резистивный слой, расположенный над этими областями. Недостатком устройства является низкий квантовый выход в видимой и ультрафиолетовой областях спектра ввиду низкой прозрачности как буферного слоя, так и высоколегированных полупроводниковых областей. Кроме того, фотоэлектроны, образованные между полупроводниковыми областями, не имеют возможности усиливаться, что приводит к понижению чувствительности устройства.
Известно устройство /2/, включающее полупроводниковую подложку n-типа проводимости и эпитаксиальный слой p-типа проводимости, отделенный от подложки резистивным и диэлектрическим слоями. Внутри диэлектрического слоя сформированы отдельно стоящие полупроводниковые области n-типа проводимости, имеющие выход с одной стороны на резистивный слой, а с противоположной стороны на эпитаксиальный слой. Высоколегированные области n-типа проводимости обеспечивают локализацию лавинного процесса в p-n-переходах, отделенных друг от друга областями диэлектрического слоя. Фоточувствительным слоем, в котором создаются фотоэлектроны, является эпитаксиальный слой, выращенный на поверхности инородных материалов - диэлектрических и резистивных слоев. Поэтому основными недостатками устройства являются сложность технологии изготовления таких эпитаксиальных слоев и высокий уровень темнового тока, приводящего к ухудшению чувствительности и отношения сигнал/шум устройства.
Известно также устройство /3/, взятое за прототип, включающее полупроводниковую подложку и полупроводниковый слой, образующий с подложкой p-n переход. На поверхности подложки содержится матрица отдельных полупроводниковых областей с повышенной проводимостью по отношению к подложке. Полупроводниковые области используются в прототипе с целью создания отдельных лавинных областей (микроканалов), обеспечивающих усиление сигнала. Недостатком устройства является присутствие, а также образование при эксплуатации локальных неуправляемых микропробоев в приграничной зоне полупроводниковых областей, где производится усиление фотоэлектронов. Дело в том, что полупроводниковые области расположены непосредственно на границе раздела p-n перехода, образованного на границе раздела подложка-полупроводниковый слой. Поэтому полупроводниковые области имеют зарядовую и токовую связь между собой или через электронейтральную часть полупроводникового слоя, или же через подложку в зависимости от их типа проводимости. То есть в устройстве не осуществляется локальное ограничение тока в отдельных областях, где происходит лавинный процесс. Одна или несколько областей с пониженным потенциалом пробоя не позволяют поднять напряжения на приборе с целью достижения высокого уровня лавинного процесса на всей площади устройства. Таким образом, в устройстве ограничен коэффициент усиления лавинного процесса, являющийся показателем уровня чувствительности лавинного фотодиода.
Предложенное изобретение направлено на улучшение стабильности амплитуды сигнала и увеличение чувствительности лавинного фотодиода в видимой и ультрафиолетовой областях спектра. Для достижения этих технических результатов в лавинном фотодиоде, включающем полупроводниковую подложку и полупроводниковые слои с разными электрофизическими параметрами, формируют, по крайней мере, одну матрицу, состоящую из отдельных твердотельных областей с повышенной проводимостью, окруженных со всех сторон полупроводниковым материалом одного типа проводимости. Твердотельные области расположены между двумя дополнительными полупроводниковыми слоями, имеющими повышенную проводимость по отношению к полупроводниковым слоям, с которыми они имеют общую границу раздела. При этом, по крайней мере, один из дополнительных полупроводниковых слоев с повышенной проводимостью не имеет общей границы раздела с твердотельными областями. Полупроводниковые области располагают вдоль общей границы раздела полупроводниковых слоев.
В зависимости от варианта исполнения устройства твердотельные области с повышенной проводимостью формируют из одинакового с полупроводниковыми слоями материала, но с разными типами проводимости, из узкозонного полупроводника по отношению к материалу полупроводниковых слоев, а также из металлического материала. Это приводит к образованию в устройстве, соответственно, либо чередующихся p-n-переходов, или гетеропереходов, или же переходов металл-полупроводник в направлении, перпендикулярном к плоскости подложки.
В результате этого в устройстве образуется, по крайней мере, одна двумерная матрица отдельных потенциальных ям, расположенных между дополнительными полупроводниковыми слоями с повышенной проводимостью. Формирование двух и более матриц отдельных твердотельных областей с повышенной проводимостью приводит к большему улучшению чувствительности и стабильности амплитуды сигнала устройства.
Изобретение иллюстрируется чертежом, на котором показаны поперечные сечения микроканального лавинного фотодиода с одним (А) и двумя (С) матрицами твердотельных областей, расположенных между дополнительными полупроводниковыми слоями с повышенной проводимостью. Устройство изготавливают на базе полупроводниковой подложки 1, например, кремния n-типа проводимости с удельным сопротивлением 1 Ом·см. Сначала в рабочей области полупроводниковой подложки формируют первый дополнительный полупроводниковый слой 2 n-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,1 Ом·см путем локального диффузионного легирования фосфором. Затем на поверхности подложки путем молекулярной эпитаксии выращивают кремниевый полупроводниковый слой 3 p-типа проводимости с удельным сопротивлением в интервале 1-100 Ом·см, образующий p-n-переход с первым дополнительным полупроводниковым слоем. Твердотельные области с повышенной проводимостью 4 формируют путем ионного легирования полупроводникового слоя атомами фосфора. Дозу легирования выбирают в интервале 5-100 мкКл·см-2. После отжига дефектов при температуре 900°С внутри полупроводникового слоя образуются области - островки n-типа проводимости с удельным сопротивлением около 0,01 Ом·см, окруженные со всех сторон полупроводниковым материалом p-типа проводимости с удельным сопротивлением в интервале 1-100 Ом·см. Затем путем ионного легирования бором на поверхности полупроводникового слоя 3 формируют второй дополнительный полупроводниковый слой 5 с удельным сопротивлением около 0,01 Ом·см. Это приводит к образованию в объеме устройства чередующихся p-n-переходов в направлении 6, перпендикулярном к плоскости подложки, причем чередующиеся p-n-переходы расположены между двумя дополнительными полупроводниковыми слоями с повышенной проводимостью.
В зависимости от варианта исполнения устройства твердотельные области с повышенной проводимостью формируют также из германиевых или титановых кластеров, окруженных кремниевым материалом. Для того чтобы образовалиь германиевые или титановые кластеры в объеме полупроводникового слоя из кремния дозу легирования германием или титаном выбирают выше 1000 мкКл·см-2. При этом в устройстве образуются, соответственно, или чередующиеся гетеропереходы, или же переходы металл-полупроводник в направлении, перпендикулярном к плоскости подложки.
Поперечные размеры твердотельных областей и зазор между ними определяются специальным фотошаблоном, с помощью которого вскрывают окна в фоторезисте либо в специальной маске для локального легирования полупроводникового слоя. Энергию ионов при легировании выбирают в зависимости от необходимой глубины залегания внедряемых атомов. Затем изготавливают известные элементы устройства, такие как охранные кольца или глубокие канавки вокруг рабочей площади, а также контактные электроды.
В отличие от прототипа в предлагаемом устройстве лавинное усиление фототока происходит только в границах твердотельных областей с полупроводниковыми слоями, представляющих собой независимые каналы умножения носителей заряда, совпадающие направлением 6. Это происходит благодаря тому, что области чередующихся потенциальных барьеров в направлении 6 окружены областями p-n-перехода, расположенными в направлении 7. В рабочем режиме к верхнему электроду полупроводникового слоя прикладывается напряжение полярностью, соответствующей обеднению полупроводниковой подложки от основных носителей заряда. При этом средний переход в канале умножения смещается в прямом направлении, а два внешних перехода - в противоположном направлении. Области p-n-перехода, расположенные между каналами умножения, также смещаются в противоположном направлении. При этом первый дополнительный полупроводниковый слой с повышенной проводимостью ограничивает распространение электрического поля в подложку, тем самым он обеспечивает уменьшение темнового генерационного тока и достижение лавинного процесса только в рабочей области устройства. Второй дополнительный полупроводниковый слой с повышенной проводимостью ограничивает электрическое поле с внешней стороны и обеспечивает однородность потенциала вдоль фоточувствительной поверхности устройства. В результате этого достигается такая форма распределения потенциала внутри устройства, которая способствует сбору фотоэлектронов, образованных в верхнем фоточувствительном полупроводниковом слое, к потенциальным микроямам, образованным твердотельными областями. Усиление фотоэлектронов производится в первом сверху переходе канала умножения, а следующий переход, смещенный в прямом направлении, выполняет роль потенциальной ямы глубиной около 0,5-1 В, в которой собираются умноженные электроны. Накопление электронов в упомянутой потенциальной яме за время нескольких наносекунд приводит к резкому понижению электрического поля в лавинной области (т.е. в приграничной области первого перехода), и в результате этого лавинный процесс в данном канале умножения прекращается. Затем за время нескольких десятков наносекунд после окончания лавинного процесса накопленные электроны уходят в подложку благодаря достаточной утечке третьего перехода. Таким образом, лавинное усиление фотоэлектронов осуществляется в независимых каналах умножения, не имеющих зарядовой связи между собой. Благодаря этому улучшается стабильность работы и увеличивается чувствительность лавинного фотодиода.
Источники информации
1. Гасанов А.Г. и др. Патент РФ №1702831 от 27 июня 1997 года. Заявка 4747595/25 от 11 октября 1989 года (аналог).
2. Antich P.P. et al. US Patent #5844291 from December 1, 1998, Class: H 01 L 31/107; H01L 31/06. Application #771207 from December 10, 1996 (аналог).
3. Садыгов З.Я. Патент России №2102821 от 20 января 1998 года, кл. H01L 31/06. Заявка №96119670 от 10 октября 1996 года (прототип).
Claims (4)
1. Лавинный фотодиод, содержащий подложку и полупроводниковые слои с разными электрофизическими свойствами, имеющие общие границы раздела как между собой, так и с подложкой, отличающийся тем, что в устройстве содержится, по крайней мере, одна матрица, состоящей из отдельных твердотельных областей с повышенной проводимостью, окруженных полупроводниковым материалом одного типа проводимости, причем твердотельные области расположены между двумя дополнительными полупроводниковыми слоями, имеющими повышенную проводимость по отношению к полупроводниковым слоям, с которыми они имеют общие границы раздела.
2. Лавинный фотодиод по п.1, отличающийся тем, что твердотельные области сделаны из одинакового материала с окружающими их полупроводниковыми слоями, но с противоположным по отношению к ним типом проводимости.
3. Лавинный фотодиод по п.1, отличающийся тем, что твердотельные области сделаны из полупроводника с узкой запрещенной зоной по отношению к полупроводниковым слоям, с которыми они имеют общие границы раздела.
4. Лавинный фотодиод по п.1, отличающийся тем, что твердотельные области сделаны из металлического материала.
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006118960/28A RU2316848C1 (ru) | 2006-06-01 | 2006-06-01 | Микроканальный лавинный фотодиод |
| KR1020087032265A KR101301897B1 (ko) | 2006-06-01 | 2007-05-31 | 마이크로채널 애벌란시 포토다이오드 |
| JP2009513088A JP5320610B2 (ja) | 2006-06-01 | 2007-05-31 | マイクロチャネル・アバランシェ・フォトダイオード（変形物） |
| CN2007800249205A CN101675532B (zh) | 2006-06-01 | 2007-05-31 | 微通道雪崩光电二极管 |
| AU2007268338A AU2007268338A1 (en) | 2006-06-01 | 2007-05-31 | Microchannel avalanche photodiode |
| CA2654034A CA2654034C (en) | 2006-06-01 | 2007-05-31 | Microchannel avalanche photodiode |
| PCT/RU2007/000287 WO2007139451A1 (fr) | 2006-06-01 | 2007-05-31 | Photodiode avalanche à microcanaux |
| EP07794024.5A EP2026386A4 (en) | 2006-06-01 | 2007-05-31 | AVALANCHE PHOTODIODE WITH MICROCANALS |
| JP2013034806A JP5666636B2 (ja) | 2006-06-01 | 2013-02-25 | マイクロチャネル・アバランシェ・フォトダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006118960/28A RU2316848C1 (ru) | 2006-06-01 | 2006-06-01 | Микроканальный лавинный фотодиод |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2316848C1 true RU2316848C1 (ru) | 2008-02-10 |
Family
ID=38778871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006118960/28A RU2316848C1 (ru) | 2006-06-01 | 2006-06-01 | Микроканальный лавинный фотодиод |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2026386A4 (ru) |
| JP (2) | JP5320610B2 (ru) |
| KR (1) | KR101301897B1 (ru) |
| CN (1) | CN101675532B (ru) |
| AU (1) | AU2007268338A1 (ru) |
| CA (1) | CA2654034C (ru) |
| RU (1) | RU2316848C1 (ru) |
| WO (1) | WO2007139451A1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2528107C1 (ru) * | 2013-04-16 | 2014-09-10 | Зираддин Ягуб оглы Садыгов | Полупроводниковый лавинный детектор |
| RU2814514C1 (ru) * | 2023-09-22 | 2024-02-29 | Объединенный Институт Ядерных Исследований (Оияи) | Полупроводниковый лавинный детектор |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2731665C1 (ru) * | 2019-03-12 | 2020-09-07 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Детектор Фотонный Аналоговый" (Ооо "Дефан") | Лавинный фотодетектор (варианты) и способ его изготовления (варианты) |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US771207A (en) | 1897-11-19 | 1904-09-27 | Gisbert Kapp | Apparatus for registering the supply of electricity. |
| JPH077844B2 (ja) * | 1981-11-30 | 1995-01-30 | 財団法人半導体研究振興会 | 静電誘導型半導体光電変換装置 |
| US4700209A (en) * | 1985-10-30 | 1987-10-13 | Rca Inc. | Avalanche photodiode and a method of making same |
| JPS63122285A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Tokuzo Sukegawa | 半導体受光素子用材料 |
| SU1702831A1 (ru) | 1989-10-11 | 1997-06-27 | Институт ядерных исследований АН СССР | Лавинный фотоприемник |
| JPH0774385A (ja) * | 1993-09-03 | 1995-03-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 静電誘導型アバランシェフォトダイオード |
| RU2105388C1 (ru) * | 1996-04-10 | 1998-02-20 | Виктор Михайлович Горловин | Лавинный фотоприемник |
| RU2102821C1 (ru) * | 1996-10-10 | 1998-01-20 | Зираддин Ягуб-оглы Садыгов | Лавинный фотодиод |
| US5844291A (en) | 1996-12-20 | 1998-12-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Wide wavelength range high efficiency avalanche light detector with negative feedback |
| RU2142175C1 (ru) * | 1998-09-18 | 1999-11-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Центр перспективных технологий и аппаратуры" | Лавинный фотоприемник |
| JP2001007381A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光電変換膜とその作製方法 |
| JP2001077400A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-23 | Tokai Rika Co Ltd | 半導体フォトデバイス |
| KR100375829B1 (ko) * | 2000-12-19 | 2003-03-15 | 한국전자통신연구원 | 아발란치 광 검출기 |
| JP2002252367A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 高感度光電変換装置 |
| JP4195556B2 (ja) * | 2001-08-07 | 2008-12-10 | 日本放送協会 | 光電変換膜作製方法、光電変換膜作製装置及び撮像素子 |
| KR100463416B1 (ko) * | 2002-09-05 | 2004-12-23 | 한국전자통신연구원 | 아발란치 포토트랜지스터 |
| JP2004200308A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光電変換膜の作製方法および固体撮像素子 |
| RU2294035C2 (ru) * | 2005-03-24 | 2007-02-20 | Зираддин Ягуб-оглы Садыгов | Лавинный фотодиод |
| JP5401203B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2014-01-29 | 株式会社日立製作所 | 半導体受光装置及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-06-01 RU RU2006118960/28A patent/RU2316848C1/ru active
-
2007
- 2007-05-31 KR KR1020087032265A patent/KR101301897B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-31 EP EP07794024.5A patent/EP2026386A4/en not_active Withdrawn
- 2007-05-31 CN CN2007800249205A patent/CN101675532B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-05-31 WO PCT/RU2007/000287 patent/WO2007139451A1/ru active Application Filing
- 2007-05-31 JP JP2009513088A patent/JP5320610B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-05-31 AU AU2007268338A patent/AU2007268338A1/en not_active Abandoned
- 2007-05-31 CA CA2654034A patent/CA2654034C/en active Active
-
2013
- 2013-02-25 JP JP2013034806A patent/JP5666636B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2528107C1 (ru) * | 2013-04-16 | 2014-09-10 | Зираддин Ягуб оглы Садыгов | Полупроводниковый лавинный детектор |
| RU2814514C1 (ru) * | 2023-09-22 | 2024-02-29 | Объединенный Институт Ядерных Исследований (Оияи) | Полупроводниковый лавинный детектор |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101675532A (zh) | 2010-03-17 |
| AU2007268338A1 (en) | 2007-12-06 |
| EP2026386A1 (en) | 2009-02-18 |
| EP2026386A4 (en) | 2013-07-31 |
| KR20100093143A (ko) | 2010-08-25 |
| CN101675532B (zh) | 2012-11-14 |
| KR101301897B1 (ko) | 2013-08-29 |
| JP2009539245A (ja) | 2009-11-12 |
| WO2007139451A1 (fr) | 2007-12-06 |
| JP5666636B2 (ja) | 2015-02-12 |
| JP5320610B2 (ja) | 2013-10-23 |
| JP2013138240A (ja) | 2013-07-11 |
| CA2654034A1 (en) | 2007-12-06 |
| CA2654034C (en) | 2016-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101143346B1 (ko) | 변형 내부 게이트 구조를 갖는 반도체 방사선 검출기 | |
| EP1840967B1 (en) | Photodiode array | |
| JP5523317B2 (ja) | アバランシェフォトダイオード及びアバランシェ照射検出器 | |
| CN110637377B (zh) | 具有检测器二极管和结终端结构的x射线传感器 | |
| JP2015084392A (ja) | 光検出器 | |
| US9087936B2 (en) | Semiconductor photomultiplier device | |
| TW201824569A (zh) | 具有降低暗計數率之單光子雪崩光電二極體探測器的裝置和方法 | |
| US20140159180A1 (en) | Semiconductor resistor structure and semiconductor photomultiplier device | |
| US9257588B2 (en) | Microchannel avalanche photodiode (variants) | |
| RU2316848C1 (ru) | Микроканальный лавинный фотодиод | |
| RU2294035C2 (ru) | Лавинный фотодиод | |
| US11710798B2 (en) | Selenium photomultiplier and method for fabrication thereof | |
| RU2770147C1 (ru) | Микропиксельный лавинный фотодиод | |
| RU2212733C1 (ru) | Полупроводниковый микроканальный детектор с внутренним усилением сигнала | |
| EP3055887B1 (en) | Multi-pixel avalanche photodiode | |
| RU2528107C1 (ru) | Полупроводниковый лавинный детектор | |
| US9105788B2 (en) | Silicon photoelectric multiplier | |
| AU2013260752B2 (en) | Microchannel avalanche photodiode | |
| KR101091205B1 (ko) | 암전류가 감소된 실리콘 광전자 증배관 | |
| RU2650417C1 (ru) | Полупроводниковый лавинный фотоприемник | |
| Zhao et al. | Development of a back-contact, scalable silicon photomultiplier array for PET |