CN110637377B - 具有检测器二极管和结终端结构的x射线传感器 - Google Patents

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Abstract

提供了一种X射线传感器(21)，具有有源检测器区域，该有源检测器区域包括在传感器的第一侧的多个检测器二极管(22)，并且结终端(23)布置在传感器的第二对侧。通常，这意味着结终端(23)从有源检测器区域所在的顶侧移动到传感器的底侧，允许利用检测器二极管到传感器的最边缘来充分利用顶侧处的有源检测器区域。

Description

具有检测器二极管和结终端结构的X射线传感器
技术领域
所提出的技术总体上涉及X射线应用，例如X射线成像，并且更具体地涉及X射线传感器，也称为X射线检测器，以及相应的X射线检测器系统以及X射线成像系统。
背景技术
诸如X射线成像的射线照相在医学应用和非破坏性测试中已经使用了多年。
通常，X射线成像系统包括X射线源和X射线检测器系统。X射线源发射X射线，X射线穿过待成像的物体或对象，然后由X射线检测器系统记录。由于一些物质比其他物质吸收更大部分的X射线，因此由物体或对象形成图像。X射线检测器可以是不同类型的，包括能量积分检测器和光子计数检测器。
传统的X射线检测器设计通常在顶侧包括由检测器二极管(像素)覆盖的有源检测器区域，例如在衬底是n型高电阻率物质的情况下，呈p型掺杂的条带或矩形或六边形区域的形式。顶侧还包括所谓的结终端区域，其包括所谓的保护。
为了最大灵敏度，检测器的建立PiN二极管结构的所谓漂移区的高电阻n型部分必须完全耗尽电荷。这需要对500-550μm厚的n型区施加至少400伏的电压，而不会在结构中的最大电场的位置处达到结击穿的条件。此外，检测器必须维持显著更高的电压以确保对由于钝化氧化物中的辐射而产生的正表面电荷的容限。已知这增加了表面处的电场并降低了击穿电压。结终端的功能是沿着检测器的表面扩展电场，以便降低电场强度并确保对正氧化物电荷的容限和检测器在辐射下足够长的寿命。
存在应用于PiN二极管和检测器的结终端的两个主要概念。一个是多个浮动场环(MFFR)，第二个是所谓的结终端扩展(JTE)。MFFR使用将施加的反向电压分成包含在围绕阳极(p+像素覆盖区域)的浮环之间的空间中的小部分的原理；JTE使用在耗尽的JTE(带负电荷的受主)中和也在耗尽的n型漂移区(带正电荷的施主)中的掺杂剂电荷之间的电荷中性的原理。这两种技术的特征是它们使用大面积。场减小的真正原理是与物质体中的耗尽区宽度相比加宽表面处的耗尽区宽度。对于所需400V至800V的电压，结终端的宽度在包括保护件的100μm与500μm之间。浮环通常配备有金属板，有助于避免像素二极管边缘处的势垒拥挤。JTE不允许或不需要任何金属板，通常更节省空间。
该保护件是与最外面的p型掺杂环接触的最外面的电极，其具有收集从检测器外部的区域朝向检测器边缘的漏电流的功能。该电极通常接地。
终端的缺点是有源检测器区域的损失。而且，由于许多检测器被组合以覆盖更大的区域，所以每个单独的检测器中的损失区域构成检测器矩阵中的“死”区或盲区，其对所获得的图像的质量具有负面影响。
美国专利4,377,816涉及一种半导体元件，其具有至少一个p-n结并设有区域保护环，用于改善p-n结的抑制行为。区域保护环基本上用作所谓的沟道截断器(场截断)，以防止空间电荷区(电场)到达器件的边缘，从而防止电流泄漏。这表示简单的平面二极管，没有任何结终端并且仅具有防止电场到达器件侧壁表面的保护。
美国专利8,093,624涉及一种雪崩光电二极管，其具有能够使可见光和近红外波长处的填充因子接近100％的器件结构，从而消除了对光学聚焦技术的需要。提供了n型有源区和p型有源区。n型和p型有源区中的第一有源区设置在第一衬底表面处的半导体衬底中。n型和p型有源区中的第二有源区包括：高场区，其在衬底中的第一深度处设置在有源区中的第一有源区下方；中场区，其在衬底中的大于第一深度的第二深度处横向地设置在第一有源区的外侧；以及连接衬底中的高场区和中场区的阶梯区。通过这种配置，光电二极管结构通过基本上抑制绕过器件的高场雪崩区的光电子路径来防止非雪崩光电子收集。提供为p+区的常规沟道截断区位于光电二极管的边缘处。光电二极管还可以包括在阴极外围的常规保护环结构，横向围绕光电二极管阴极，例如以圆形配置。雪崩光电二极管在低电压下工作在雪崩条件(击穿)，并且没有解决终止整个像素二极管阵列的问题。美国专利8,093,624更确切地说涉及单独光电二极管的设计和配置，其中沟道截断器用于分离单独像素二极管。
美国专利9,087,755涉及一种雪崩光电二极管，其包括形成在半导体衬底上的阳极和阴极，其中具有有限延伸的垂直电极与光电二极管的掩埋部件有效电连通。该想法是通过用垂直保护环或场板代替阵列中单个像素二极管之间的横向常规场板和保护环。使用沟槽蚀刻完成各个像素之间的隔离，并且使用沟槽结构的侧壁形成/沉积垂直保护或场板电极。
检测器经设计用于低电压，因为它们不包含浮环或JTE形式的结终端，并且用垂直保护或场板保护各个像素二极管。
发明内容
总体上，本发明的一个目的是提供一种改进的X射线传感器，有时也称为X射线检测器。
具体地，希望提供一种在用于结终端结构的传感器的顶侧处没有有源检测器区域损失的X射线传感器。
本发明的另一个目的是提供一种包括这种X射线传感器的X射线检测器系统。
另一个目的是提供一种包括这种X射线检测器系统的X射线成像系统。
本发明的实施方式满足了这些和其他目的。
本发明的基本思想是将结终端移动到检测器的背面。因此，本发明允许将整个顶部检测器区域用作有源检测器区域。
因此，提供了一种具有有源检测器区域的X射线传感器，该有源检测器区域在传感器的第一侧包括多个检测器二极管，在传感器的第二对侧放置结终端。
如上所述，这通常意味着结终端从有源检测器区域所在的顶侧移动到传感器的背侧，允许利用检测器二极管将顶侧处的有源检测器区域充分利用到传感器的最边缘。
根据相关方面，提供了一种X射线传感器，包括有源检测器区域，该有源检测器区域包括在传感器的第一侧的多个检测器二极管，以及在传感器的第二对侧的公共结终端。第一侧对应于传感器的阳极侧，而具有结终端的第二侧对应于传感器的阴极侧。或者，第一侧对应于传感器的阴极侧，而具有结终端的第二侧对应于传感器的阳极侧。
根据另一方面，提供了一种包括这种X射线传感器的X射线检测器系统。
根据又一方面，提供了一种包括X射线检测器系统的X射线成像系统。
当阅读详细描述时，将理解其他优点。
附图说明
通过参考以下结合附图的描述，可以最好地理解这些实施方式及其进一步的目的和优点，其中：
图1是示出整个X射线成像系统的示例的示意图。
图2是示出X射线成像系统的另一示例的示意图。
图3是示出根据实施方式的X射线传感器的基本示例的示意图。
图4是示出根据实施方式的从上方(顶视图)观察的X射线传感器的示例的示意图。
图5是示出包括结终端结构的标准X射线传感器的顶侧的示例的横截面的示意图。
图6是示出X射线传感器的示例的横截面的示意图，其中结终端在传感器的背面并且传感器边缘的氧化物钝化。
图7是示出图6的X射线传感器的不同部分的电势的示意图。
图8是示出具有构成传感器保护结构的掺杂边缘的X射线传感器的顶侧的示例的横截面的示意图。
图9是示出具有与阴极连接的JTE和与传感器边缘连接的JTE的X射线传感器的底侧的示例的横截面的示意图，该传感器边缘是构成保护结构的掺杂传感器边缘。
图10是示出图9的X射线传感器的不同部分的电势的示意图。
图11是示出具有与阴极连接的JTE和与传感器边缘连接的JTE的X射线传感器的底侧的另一示例的横截面的示意图，该传感器边缘是构成保护结构的掺杂传感器边缘。
图12是示出图11的X射线传感器的不同部分的电势的示意图。
图13是示出与非端接参考结构相比，不同实施方式获得的击穿或阻断电压值的示意图。
具体实施方式
参考图1，从说明性的整个X射线成像系统的简要概述开始可能是有用的。在该非限制性示例中，X射线成像系统100主要包括X射线源10、X射线检测器系统20和相关联的图像处理装置30。通常，X射线检测器系统20经配置用于记录来自X射线源10的辐射，该辐射可能已经由可选的X射线光学器件聚焦并通过物体或对象或其部分。X射线检测器系统20可经由适当的模拟处理和读出电子器件(其可集成在X射线检测器系统20中)连接到图像处理装置30，以使得图像处理装置30能够进行图像处理和/或图像重构。
如图2所示，X射线成像系统100的另一示例包括发射X射线的X射线源10；X射线检测器系统20，其在X射线穿过物体之后检测X射线；模拟处理电路25，其处理来自检测器的原始电信号并将其数字化；数字处理电路40，其可以对测量的数据执行进一步的处理操作，例如应用校正、临时存储或滤波；以及计算机50，其存储所处理的数据并且可以执行进一步的后处理和/或图像重构。
整个检测器可以被认为是X射线检测器系统20，或者与相关联的模拟处理电路25组合的X射线检测器系统20。
包括数字处理电路40和/或计算机50的数字部分可以被认为是数字图像处理系统30，其基于来自X射线检测器的图像数据执行图像重构。因此，图像处理系统30可以被视为计算机50；或者可替换地，可以被视为数字处理电路40和计算机50的组合系统；或者如果数字处理电路进一步专用于图像处理和/或重构，则可以被视为数字处理电路40本身。
通常使用的X射线成像系统的示例是计算机断层摄影(CT)系统，其可以包括产生X射线的扇形或锥形束的X射线源和用于记录透射通过患者或对象的X射线的部分的对向X射线检测器系统。X射线源和检测器系统通常安装在围绕成像对象旋转的机架中。
因此，图2中所示的X射线源10和X射线检测器系统20因此可以布置为CT系统的一部分，例如可安装在CT机架中。
现代的X射线检测器通常需要将入射的X射线转换成电子，这通常通过光子吸收或通过康普顿相互作用发生，并且所得电子通常产生二次可见光，直到其能量损耗并且该光又由光敏物质检测。还存在基于半导体的检测器，并且在这种情况下，由X射线产生的电子根据通过施加的电场收集的电子-空穴对产生电荷。
传统的X射线检测器是能量积分，因此每个检测到的光子对检测到的信号的贡献与其能量成比例，并且在传统的CT中，针对单个能量分布采集测量。因此，由传统CT系统产生的图像具有一定的外观，其中不同的组织和物质显示出在一定范围内的典型值。
光子计数检测器在某些应用中也已成为一种可行的替代方案；目前这些检测器主要在乳房X射线成像术中是商业上可获得的。光子计数检测器具有一项优点，因为原则上可以测量每个X射线的能量，这产生关于物体成分的附加信息。该信息可用于提高图像质量和/或降低辐射剂量。
与能量积分系统相比，光子计数CT具有以下优点。首先，通过在光子计数检测器中将最低能量阈值设置在噪声衬底之上，可以拒绝由能量积分检测器集成到信号中的电子噪声。其次，可以由检测器提取能量信息，这允许通过最佳能量加权来改善对比噪声比，并且还允许所谓的物质基分解，通过该物质基分解可以有效地实现被检查物体或对象中的不同物质和/或成分的识别和量化。第三，可以使用多于两种有利于分解技术(例如K边缘成像)的基础物质，由此定量地确定造影剂(例如碘或钆)的分布。第四，没有检测器余辉，这意味着可以获得高的角分辨率。最后但并非最不重要的，可以通过使用较小的像素尺寸来实现较高的空间分辨率。
用于光子计数X射线检测器的最有前景的物质是碲化镉(CdTe)、碲化镉锌(CZT)和硅(Si)。CdTe和CZT应用于几种光子计数光谱CT项目，以用于临床CT的高能X射线的高吸收效率。然而，由于CdTe/CZT的一些缺点，这些项目进展缓慢。CdTe/CZT具有低的载流子迁移率，这导致严重的脉冲以低于临床实践中遇到的10倍的通量率堆积。减轻该问题的方法之一是减小像素尺寸，而其导致由于电荷共享和K逃逸而增加的光谱失真。而且，CdTe/CZT遭受电荷捕获，这将导致极化，当光子通量达到特定水平以上时，极化导致输出计数率的快速下降。
相反，硅具有较高的电荷载流子迁移率并且没有极化问题。其还具有成熟的制造工艺和相当低的成本的优势。但是硅具有CdTe/CZT不具有的限制。因此，硅传感器必须相当厚，以补偿其低阻止本领。通常，硅传感器需要几厘米的厚度来吸收大部分入射光子，而CdTe/CZT仅需要几毫米。另一方面，硅的长衰减路径也使得可以将检测器分成不同的深度段，这将在下面解释。这进而使得硅基光子计数检测器能够适当地处理CT中的高通量。
当使用简单的半导体物质(例如硅或锗)时，康普顿散射导致许多X射线光子在转换为检测器中的电子-空穴对之前从高能转换为低能。这导致最初处于较高能量的大部分X射线光子产生比预期少得多的电子-空穴对，这又导致大部分光子通量出现在能量分布的低端。为了检测尽可能多的X射线光子，因此需要检测尽可能低的能量。
传统的X射线传感器/检测器设计通常在顶侧包括由检测器二极管(像素)覆盖的有源检测器区域，例如在衬底是n型高电阻率物质的情况下呈p型掺杂的条带或矩形或六边形区域的形式。根据X射线传感器/检测器设计的主要趋势，顶侧还包括所谓的结终端区域。如上所述，发明人已经认识到终端的缺点是有源检测器区域的损失。
本发明的基本思想是将结终端移到检测器的底侧。因此，本发明允许将整个顶部检测器区域用作有源检测器区域。
术语“顶侧”可以与术语“上侧”互换使用，术语“底侧”可以与术语“背侧”或“下侧”互换使用。然而，更一般地，将使用术语“第一侧”和“第二侧”。
图3是示出根据实施方式的X射线传感器的基本示例的示意图。
在该示例中，X射线传感器21具有有源检测器区域，该有源检测器区域包括多个检测器二极管22，其中金属电极27位于传感器的第一侧，并且结终端23位于传感器的第二对侧。
作为第一示例，第一侧对应于传感器的阳极侧，而具有结终端的第二侧对应于传感器的阴极侧。
或者，作为第二示例，第一侧对应于传感器的阴极侧，而具有结终端的第二侧对应于传感器的阳极侧。
从基于第一示例的各种实施方式开始：
作为示例，X射线传感器21可以具有阴极区域25，并且结终端23可以包括在阴极区域附近的第一终端结构，该第一终端结构具有与阴极区域相同的掺杂类型。
例如，结终端23可以包括在传感器边缘附近的相反掺杂类型的第二终端结构。
在特定示例中，阴极区域是n+，并且阴极区域附近的第一终端结构是n型，并且传感器边缘附近的相反掺杂类型的第二终端结构是p型。
在此示例中，检测器二极管22通常为p+二极管。漂移区26通常是本征的(低掺杂或未掺杂)。
作为示例，第一终端结构是n型结终端扩展(JTE)，第二终端结构是p型结终端扩展(JTE)，和/或至少一个配备有场板终端的p型浮环。
可选地，沿着从传感器21的第一侧延伸到传感器21的第二对侧并且围绕有源检测器区域的外围延伸的传感器的区域24是p型掺杂的。
继续基于第二示例的各种实施方式：
作为示例，X射线传感器21可以具有阳极区域25，并且结终端23可以包括在阳极区域附近的第一终端结构，该第一终端结构具有与阳极区域相同的掺杂类型。
例如，结终端23可以包括在传感器边缘附近的相反掺杂类型的第二终端结构。
在特定示例中，阳极区域是p+，且阳极区域附近的第一终端结构是p型，且传感器边缘附近的相反掺杂类型的第二终端结构是n型。
在此示例中，检测器二极管22通常为n+二极管。漂移区通常是本征的(低掺杂或未掺杂)。
作为示例，第一终端结构是p型结终端扩展(JTE)，第二终端结构是n型结终端扩展(JTE)，和/或至少一个配备有场板终端的n型浮环。
可选地，沿着从传感器21的第一侧延伸到传感器21的第二对侧并且围绕有源检测器区域的外围延伸的传感器的区域24是n型掺杂的。
更一般地，对于有源检测器区域位于传感器的第一侧并且结终端位于传感器的第二对侧的任何X射线传感器，掺杂区域24可以可选地设置在传感器边缘，如图3所示。该区域24也可以称为与掺杂区域相邻的侧边缘，并且掺杂区域24通常围绕传感器的整个外围延伸。
例如，可以提供传感器的区域24，其沿着从传感器21的第一侧面到传感器21的第二对侧面的侧面延伸并且围绕有源检测器区域的外围延伸，该边缘区被掺杂以提供与传感器的侧边缘表面的p-n结隔离。掺杂区24还可以将电势和电场从顶侧分布/转移到底侧。
作为示例，掺杂区24可额外地与传感器21的第一侧处的保护电极连接以提供保护结构。由于掺杂区在顶侧和底侧之间延伸，该保护结构有时被称为垂直保护结构或垂直保护环。
通常，结终端可以包括任何合适类型的结终端结构，例如结终端扩展(JTE)和/或一个或多个浮动场环(FFR)。
如本文所述的，有源检测器区域或区可以包括检测器二极管21的阵列，并且结终端可以经配置用于终止整个检测器二极管阵列。
根据另一方面，可以独立于在传感器的底侧上布置结终端的特征来实现在传感器的侧边缘处的掺杂区域。在这种情况下，提供了一种具有有源检测器区域的X射线传感器21，该有源检测器区域包括多个检测器二极管22，其中传感器的沿着传感器21的整个侧边缘延伸并且围绕有源检测器区域外围延伸的区域24被掺杂以提供与传感器的侧边缘表面的p-n结隔离，和/或其中掺杂区域24在传感器的第一侧具有保护电极以提供保护结构。
根据相关方面，提供了一种X射线传感器21，其包括有源检测器区域，该有源检测器区域包括在传感器的第一侧的多个检测器二极管22，以及在传感器的第二对侧的公共结终端23。第一侧对应于传感器的阳极侧，而具有结终端的第二侧对应于传感器的阴极侧。或者，第一侧对应于传感器的阴极侧，而具有结终端的第二侧对应于传感器的阳极侧。结终端23通常为传感器21的多个检测器二极管22所共用，并且可以包括一个或多个终端结构。
根据又一方面，还提供了一种X射线检测器系统20，其包括如本文所述的X射线传感器21。
根据又一方面，还提供一种X射线成像系统100，其包括如本文所述的X射线检测器系统20。
为了更好地理解所提出的技术，可以参考以下非限制性示例实现。
在优选实施方式的情况下，可以通过在检测器底侧的终端的适当设计并且独立于检测器顶侧设计来调整可获得的阻断电压。
图5是示出包括结终端结构的标准X射线传感器的顶侧的示例的横截面的示意图。
在图5的示例中，示出了标准检测器的顶侧具有结终端结构，该结终端结构具有配备有场板的4个浮环(FR)(仅示出了终端结构)。标准终端可以含有多达20个FR环。
图6是示出X射线传感器的示例的横截面的示意图，其中结终端在传感器的背侧并且传感器边缘的氧化物钝化。
可以提供具有靠近阴极区域的n型JTE和靠近检测器边缘配备有场板终端的附加浮环的示例实现。
图6所示的设计被称为实施方式A。
图7是示出图6的X射线传感器的不同部分的电势的示意图。
图8是示出具有构成传感器保护结构的掺杂边缘的X射线传感器的顶侧的示例的横截面的示意图。
作为示例，传感器边缘可以是通过注入和/或扩散所掺杂的p型，从而构成传感器保护件或检测器保护件。
在特定示例中，在传感器边缘处引入p掺杂并将其连接到传感器或检测器的顶侧(阳极)上的保护电极。
图6和图8所示的设计的组合是可能的，并且被称为实施方式B。
图9是示出具有与阴极连接的JTE和与传感器边缘连接的JTE的X射线传感器的底侧的示例的横截面的示意图，该传感器边缘是构成保护结构的掺杂传感器边缘。
在特定示例中，一种实施方案包括接近阴极区域的n型JTE、接近传感器或检测器边缘的p型JTE终端和同时构成传感器检测器保护件的p型掺杂传感器或检测器边缘。
图9所示的设计被称为实施方式C(a)。
图10是示出图9的X射线传感器的不同部分的电势的示意图。
图11是示出具有与阴极连接的JTE和与传感器边缘连接的JTE的X射线传感器的底侧的另一示例的横截面的示意图，所述传感器边缘是构成保护结构的掺杂传感器边缘。
图9所示的设计被称为实施方式C(b)，并且示出了实施方式C的优化可能性。
图12是示出图11的X射线传感器的不同部分的电势的示意图。
可以通过独立于顶侧检测器设计的n型和p型JTE的设计来优化击穿/阻断电压和对表面电荷的灵敏度，这可以从例如图9和图11所示的两个稍微不同的实施方案中理解。
图13是说明与非端接参考结构相比，不同实施方式获得的击穿或阻断电压值的示意图。
更具体地，图13示出了在检测器的氧化物覆盖表面处的击穿电压与正表面电荷的浓度的关系。注意，对于图9和图11中分别示出的底侧JTE(C(a)和C(b))的两种设计，示出了实施方式C的两条曲线。参考结构是非端接结构。假设在传感器的顶表面和底表面以及边缘表面上具有相同质量的理想氧化物/半导体界面，非端接结构在所有表面上被氧化物钝化。
这里公认的是，边缘表面的质量不可能与顶表面的质量一样好，这是由于在处理之后从母晶片切割出各个传感器所必需的切割工艺。各个传感器的边缘易于具有产生漏电流和电荷捕获效应的高浓度缺陷。
这是实施方式C是本发明优选实施方式的主要原因。高压传感器终端和保护件的目的是保护阳极像素二极管。在图4的传统传感器设计中，保护环和浮环或JTE终端的功能通常明显不同并分开。浮环和JTE的功能是控制器件外围和表面处的电场。通常，保护环的功能完全是收集在传感器(像素二极管阵列)外围产生的漏电流。根据本发明的优选实施方式，在保护件是高压终端的组成部分的意义上，这两个功能被集成。该解决方案提供的明显优点是充分利用顶表面用于X射线检测和有效隔离整个边缘表面。在反向偏置时，通过使用传感器边缘处的p掺杂将电场转移到背测或底测。然后将形成p-n结的p掺杂与传感器的低掺杂漂移区同时用作传感器的保护。此外，具有低掺杂漂移区(n型)的传感器的p掺杂边缘区之间的p-n结隔离了产生传感器的不完美表面的整个泄漏与具有高电场的器件(漂移区)的有效体积。当然，导电类型可以颠倒。
作为示例，保护件一直延伸到阴极侧(背侧、底侧)。传感器的高电压终端和电场控制首先在阴极区域和保护结之间的空间的背侧完成。希望通过借助于结终端(JTE)的适当设计在该空间中尽可能均匀地分布电场来做到这一点。为了得到最好的结果，需要保护结的终端和阴极区域的终端。
在特定示例中，将高电压终端移动到背侧，且将像素二极管布置到传感器的最边缘。为此，希望通过在传感器侧壁的整个长度上由p型掺杂形成的p-n结来提供表面隔离。然后通过在连接到p-区的顶表面处提供电极，将p-区用作保护(作为额外特征)。这样做是为了交替地为来自边缘区的电流提供替代路径以控制潜在漏电流。
作为示例，传感器/检测器的阴极和阳极侧可以以平面技术形成。JTE终端和保护接触区域可以例如在反应离子蚀刻备选切割之前通过注入来完成。传感器侧壁掺杂可在将传感器/检测器附接到载体晶片并保护顶表面之后通过角度注入来执行。作为示例，可以在将传感器/检测器从载体分离之后进行掺杂剂的低温活化。
对于本文示出和讨论的所有实施方式，所涉及的元件/区域的导电类型可以颠倒，同时切换阴极和阳极的位置。通常，阴极是n型(n+)，阳极是p型(p+)。
应当理解，本文所述的机制和布置可以以各种方式实现、组合和重新布置。
上述实施方式仅作为示例给出，并且应当理解，所提出的技术不限于此。本领域技术人员应当理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明范围的情况下，可以对实施方式进行各种修改、组合和改变。具体地，在技术上可能的情况下，不同实施方式中的不同部分解决方案可以在其他配置中组合。

Claims (8)

1.一种X射线传感器(21)，具有有源检测器区域，所述有源检测器区域包括在所述X射线传感器的第一侧的多个检测器二极管(22)，其中，在所述X射线传感器的与所述第一侧相对的第二侧放置公共结终端(23)，其中，所述公共结终端是所述多个检测器二极管所共用，其中，所述第一侧对应于所述X射线传感器的阳极侧，并且具有所述公共结终端的所述第二侧对应于所述X射线传感器的阴极侧；并且其中，所述X射线传感器(21)具有阴极区域，并且所述公共结终端(23)包括在所述阴极区域附近的第一终端结构，所述第一终端结构具有与所述阴极区域相同的掺杂类型，并且所述公共结终端(23)包括在所述X射线传感器的边缘附近的相反掺杂类型的第二终端结构，并且其中，所述阴极区域是n+，并且在所述阴极区域附近的所述第一终端结构是n型，并且在所述X射线传感器的边缘附近的所述相反掺杂类型的所述第二终端结构是p型，其中，所述第一终端结构是n型结终端扩展JTE，并且其中，所述第二终端结构是p型结终端扩展JTE和/或配备有场板终端的至少一个p型浮环；或者
其中，所述第一侧对应于所述X射线传感器的阴极侧，并且具有所述公共结终端的所述第二侧对应于所述X射线传感器的阳极侧，并且其中，所述X射线传感器(21)具有阳极区域，并且所述公共结终端(23)包括在所述阳极区域附近的第一终端结构，所述第一终端结构具有与所述阳极区域相同的掺杂类型，并且所述公共结终端(23)包括在所述X射线传感器的边缘附近的相反掺杂类型的第二终端结构，并且其中，所述阳极区域是p+，并且在所述阳极区域附近的所述第一终端结构是p型，并且在所述X射线传感器的边缘附近的所述相反掺杂类型的所述第二终端结构是n型，其中，所述第一终端结构是p型结终端扩展JTE，并且其中，所述第二终端结构是n型结终端扩展JTE和/或至少一个配备有场板终端的n型浮环。
2.根据权利要求1所述的X射线传感器，其中，沿着从所述X射线传感器(21)的所述第一侧延伸到所述X射线传感器(21)的所述第二侧并且围绕所述有源检测器区域的外围延伸的所述X射线传感器的区域(24)是p型掺杂。
3.根据权利要求1或2所述的X射线传感器，其中，所述X射线传感器的沿着从所述X射线传感器(21)的所述第一侧延伸到所述X射线传感器(21)的所述第二侧并且围绕所述有源检测器区域的外围延伸的区域(24)是n型掺杂。
4.根据权利要求1所述的X射线传感器，其中，所述X射线传感器的沿着从所述X射线传感器(21)的所述第一侧延伸到所述X射线传感器(21)的所述第二侧并且围绕所述有源检测器区域的外围延伸的区域(24)被掺杂，以提供与所述X射线传感器的侧边缘表面的p-n结隔离。
5.根据权利要求4所述的X射线传感器，其中，所掺杂的区域(24)在所述X射线传感器(21)的所述第一侧设置有保护电极，以提供保护结构。
6.根据权利要求1或2所述的X射线传感器，其中，所述有源检测器区域包括检测器二极管(22)的阵列，并且所述公共结终端经配置用于终止所述检测器二极管的阵列。
7.一种X射线检测器系统(20)，包括根据权利要求1至6中任一项所述的X射线传感器(21)。
8.一种X射线成像系统(100)，包括根据权利要求7所述的X射线检测器系统(20)。
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