JPS5941877A - フオトトランジスタ - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフォトトランジスタに係り、特に高速で高感度
な半導体装置に関する。従来のバイポーラ構造のｐ−ｎ
−ｐないしはｎ−ｐｎ 構造のフォトトランジスタは、
ベース抵抗が大きく、又コレクタ・ベース容量、エミッ
タ・ベース容量が大きい為に、感度が悪く。
な半導体装置に関する。従来のバイポーラ構造のｐ−ｎ
−ｐないしはｎ−ｐｎ 構造のフォトトランジスタは、
ベース抵抗が大きく、又コレクタ・ベース容量、エミッ
タ・ベース容量が大きい為に、感度が悪く。
又高速でないという欠点を有している。
第１図は従来のバイポーラフォトトランジスタの一例で
あり、４はエミッタ電極、１はエミッタ領域、５はベー
ス電極、２はベース領域、６はコレクタ電極、３はコレ
クタ領域である。１ｏは先入力を示している。ベース電
極５はフローティングにする場合もある。
あり、４はエミッタ電極、１はエミッタ領域、５はベー
ス電極、２はベース領域、６はコレクタ電極、３はコレ
クタ領域である。１ｏは先入力を示している。ベース電
極５はフローティングにする場合もある。
７はＳ ｔ Ｏｘ膜等の絶縁物である。
この例に示される様にバイポーラフォトトランジスタは
、ベース領域２の部分において引き出し抵抗Ｒ２がベー
スｆＶ谷が低いこと及び幅が狭いことにより大きく、か
つその他の抵抗分もあるのでこれらの抵抗分を含め抵抗
値が非常に大きいものである。
、ベース領域２の部分において引き出し抵抗Ｒ２がベー
スｆＶ谷が低いこと及び幅が狭いことにより大きく、か
つその他の抵抗分もあるのでこれらの抵抗分を含め抵抗
値が非常に大きいものである。
ｎ−ｐ−ｎ構造のフォトトランジスタの電子電流密度△
Ｉｎの全電流密度に対する比つまり電流増幅率△１．／
Ｉは次式で与えられる。
Ｉｎの全電流密度に対する比つまり電流増幅率△１．／
Ｉは次式で与えられる。
ここてり、、、Ｄ、は電子、正孔の拡散係数、Ｌｐは正
孔の拡散長、Ｗｔはベース厚み、ｎ、はエミッタの不純
物密度、 Ｐｈはベースの不純物密度である。
孔の拡散長、Ｗｔはベース厚み、ｎ、はエミッタの不純
物密度、 Ｐｈはベースの不純物密度である。
（１）式はちょうどエミッタ接合の注入比重。
／■Ｐであり、注入率の大きいトランジスタ程電流増幅
率が太き（なるということである電流増幅率を高めるた
めには、エミ・ンタの不純物密度を高くシ、ベースの不
純物密度を低くすること、ベースの厚みを薄くすること
が考えられるが、ベースの不純物密度を下げ、ベースの
厚みを薄くすることは、ベース抵抗が大きくなり）第１
・トランジスタとして望ましくない。
率が太き（なるということである電流増幅率を高めるた
めには、エミ・ンタの不純物密度を高くシ、ベースの不
純物密度を低くすること、ベースの厚みを薄くすること
が考えられるが、ベースの不純物密度を下げ、ベースの
厚みを薄くすることは、ベース抵抗が大きくなり）第１
・トランジスタとして望ましくない。
次にフォトトランジスタの動作速度を考えてみると、立
上り、立下りの時定数は概路次ここで＋φ、６はベース
・エミッタ間の拡散電位である。時定数はＬｐ／Ｄ、を
小さくすれば小さくなるが、（１）式より電流増幅率は
低下する。ベースの厚みＷｂを小さくすると時定数は小
さくなり、電流増幅率は増大する。十φ、ｂはベースと
エミッタの不純物密度で決まる拡散電位で小さくすれば
時定数は小さくなる。
上り、立下りの時定数は概路次ここで＋φ、６はベース
・エミッタ間の拡散電位である。時定数はＬｐ／Ｄ、を
小さくすれば小さくなるが、（１）式より電流増幅率は
低下する。ベースの厚みＷｂを小さくすると時定数は小
さくなり、電流増幅率は増大する。十φ、ｂはベースと
エミッタの不純物密度で決まる拡散電位で小さくすれば
時定数は小さくなる。
＋φ、ｂはｎｌまたはＰｂを小さくすれば小さくなるが
、電流増幅率が小さくならないためには、 Ｐ６を小さ
くすれば良い。
、電流増幅率が小さくならないためには、 Ｐ６を小さ
くすれば良い。
以上のことから従来のバイポーラトランジスタのフォト
トランジスタは、電流増幅度を大きくして速度を早くす
るためには結局ベース厚みＷｈを薄くして、ベースの不
純物密度を下げるしかない。しかしこれは前述のよう１
こ、ベース抵抗を増し、性能の限界値が存在し、極めて
不満足な結果しか得られない。現在光検出の素子として
は、ｐ−１ｚ−ｎフォトダイオード、アバランシェフォ
トダイオード等が良く用いられているが、二端子のダイ
オードでは１次段とのアイソレーションがよくない等の
欠点がある。又アバランシェフォトダイオードは比較的
高電圧（数十Ｖ）を要し、また雑音が大きいという大き
な欠点をも有している。
トランジスタは、電流増幅度を大きくして速度を早くす
るためには結局ベース厚みＷｈを薄くして、ベースの不
純物密度を下げるしかない。しかしこれは前述のよう１
こ、ベース抵抗を増し、性能の限界値が存在し、極めて
不満足な結果しか得られない。現在光検出の素子として
は、ｐ−１ｚ−ｎフォトダイオード、アバランシェフォ
トダイオード等が良く用いられているが、二端子のダイ
オードでは１次段とのアイソレーションがよくない等の
欠点がある。又アバランシェフォトダイオードは比較的
高電圧（数十Ｖ）を要し、また雑音が大きいという大き
な欠点をも有している。
本発明の目的は、叙上の従来のバイポーラのフォトトラ
ンジスタの欠点をなくした新規な高感度で高速なフォト
トランジスタを提供することにある。
ンジスタの欠点をなくした新規な高感度で高速なフォト
トランジスタを提供することにある。
以下本発明を図面を参照して詳細に説明をする。高感度
、高速なフォトトランジスタを得るためには、ベース抵
抗を減らすと共に。
、高速なフォトトランジスタを得るためには、ベース抵
抗を減らすと共に。
ベースまわりの容量を減らす必要がある。
本発明ではベース抵抗を減少させる為に。
ベース不純物密度を全体に均一ではなく所要のある領域
に限って多量にするとベース抵抗を非常に小さくできる
事を利用するものである。ベースの不純物密度の低い領
域はエミッタからの少数キャリアが流入し易いようにす
る。これは前述のベースの不純物密度の高い領域はエミ
ッタとの拡散電位φ、ｂか前述のベース領域の不純物密
度の低い領域とエミッタする。前記の二つにわかれたベ
ース領域は互に電気的に接続されていることになり、実
効的なベース抵抗は減少する。
に限って多量にするとベース抵抗を非常に小さくできる
事を利用するものである。ベースの不純物密度の低い領
域はエミッタからの少数キャリアが流入し易いようにす
る。これは前述のベースの不純物密度の高い領域はエミ
ッタとの拡散電位φ、ｂか前述のベース領域の不純物密
度の低い領域とエミッタする。前記の二つにわかれたベ
ース領域は互に電気的に接続されていることになり、実
効的なベース抵抗は減少する。
光が照射されると、生成した電子・正孔対のうち正孔は
不純物密度の高いベース領域に蓄積され、電子は不純物
密度の低いベース領域を通過してコレクタのｎ領域へ流
れる。正孔はベース領域で、不純物密度の高い領域を正
に充電させ、ベース・エミッタ間の拡散電位φａｂを△
Ｖ６ｂだけ下げるからエミッタから多くの自由電子がベ
ース領域の不純物密度の低い方へ流れこみ易くなり、（
１）式から明らかなように、光による電流増幅率は通常
のパイボーラフＡ１〜トランジスタよりも非常に大きく
なる。
不純物密度の高いベース領域に蓄積され、電子は不純物
密度の低いベース領域を通過してコレクタのｎ領域へ流
れる。正孔はベース領域で、不純物密度の高い領域を正
に充電させ、ベース・エミッタ間の拡散電位φａｂを△
Ｖ６ｂだけ下げるからエミッタから多くの自由電子がベ
ース領域の不純物密度の低い方へ流れこみ易くなり、（
１）式から明らかなように、光による電流増幅率は通常
のパイボーラフＡ１〜トランジスタよりも非常に大きく
なる。
第２ 図＋ａｌは本発明のフォトトランジスタの半導体
装置の一実施例である。まず構造について説明すると、
１１はｎ型の高不純物密度のエミッタ領域、１２はｎ型
の比較的低不純物密度なエミッタ領域、１３はｎ型の比
較的低不純物密度なコレクタ領域、１４はｎ型の高不純
物密度なコレクタ領域、１５はエミッタ電極、１７はコ
レクタ電極、１８は表面保護膜で８１０２等の絶縁膜で
ある。
装置の一実施例である。まず構造について説明すると、
１１はｎ型の高不純物密度のエミッタ領域、１２はｎ型
の比較的低不純物密度なエミッタ領域、１３はｎ型の比
較的低不純物密度なコレクタ領域、１４はｎ型の高不純
物密度なコレクタ領域、１５はエミッタ電極、１７はコ
レクタ電極、１８は表面保護膜で８１０２等の絶縁膜で
ある。
１６はベース電極である。ベース領域はエミッタとコレ
クタの間の領域で、ｐ型の高不純物密度な領域２０とｐ
型紙不純物密度な領域２１よりなり、かつ高不純物密度
領域２０の幾何学的形状は低不純物密度領域２１よりも
大きく形成している。
クタの間の領域で、ｐ型の高不純物密度な領域２０とｐ
型紙不純物密度な領域２１よりなり、かつ高不純物密度
領域２０の幾何学的形状は低不純物密度領域２１よりも
大きく形成している。
動作について説明すると、このよう１こベース領域を形
成することによって、前述したように光入力１０が照射
されたとき、正孔は高−ス領域２１を通して行なわれる
ことにより光に対する電流増幅率は大きくなり、又高不
純物密度なベース領域２０によりベース抵抗は単に低不
純物密度なベース領域２１て形成されているよりも非常
に小さくなるので、スイッチング時間も非常ｔこ短くな
るという特徴を有する。更にエミッタｅベース間、ベー
ス・コレクタ間に比較的低不純物密度な領域をそう人し
、ていることから、エミッタ・ベース間容量、及びベー
ス・コレクタ間の容量が減少するので、スイッチング特
性が更に向上することに寄与している。
成することによって、前述したように光入力１０が照射
されたとき、正孔は高−ス領域２１を通して行なわれる
ことにより光に対する電流増幅率は大きくなり、又高不
純物密度なベース領域２０によりベース抵抗は単に低不
純物密度なベース領域２１て形成されているよりも非常
に小さくなるので、スイッチング時間も非常ｔこ短くな
るという特徴を有する。更にエミッタｅベース間、ベー
ス・コレクタ間に比較的低不純物密度な領域をそう人し
、ていることから、エミッタ・ベース間容量、及びベー
ス・コレクタ間の容量が減少するので、スイッチング特
性が更に向上することに寄与している。
以上の説明から本発明のフォトトランジスタはベース抵
抗が減少すること、エミッタからの注入効率が高いこと
、ベース・エミッタ間容量及びベース・コレクタ間の容
ｎ１が小さいことから、高感度で高速なフォトトランジ
スタを実現できる。
抗が減少すること、エミッタからの注入効率が高いこと
、ベース・エミッタ間容量及びベース・コレクタ間の容
ｎ１が小さいことから、高感度で高速なフォトトランジ
スタを実現できる。
第２図ｔｂ＋乃至（（１）は別の実施例でベースの形状
を変えたものである。第２図ｆｂｌはベース・エミッタ
接合は平らで、ベース・コレクタ接１゜金側ヘベースの
ｐ＋領領域突出させている。第２図＋ＣＩは、第２図（
＋））とは逆にベースのｐ４領域をエミッタ側へ突出さ
せている。第２図ｆｄｌはベースの厚みを均一にした実
施例である。
を変えたものである。第２図ｆｂｌはベース・エミッタ
接合は平らで、ベース・コレクタ接１゜金側ヘベースの
ｐ＋領領域突出させている。第２図＋ＣＩは、第２図（
＋））とは逆にベースのｐ４領域をエミッタ側へ突出さ
せている。第２図ｆｄｌはベースの厚みを均一にした実
施例である。
第２図（ａｌに示すフォトトランジスタは次のようにし
て製造される。Ｓｉのｎ゛基板１×ｅ−３ １０ｃｍシ１．Ｊ：、）上に、５ｉｃｔ！ｔ とＨ２ガ
スによは算つ竺シ り気相成長法により、１３の高抵抗なｎ−眉を１０μｎ
２エピタキシヤル成長させる。次にＳ型の高抵抗層Ｘ２
を３μｍ程度成長させる。
て製造される。Ｓｉのｎ゛基板１×ｅ−３ １０ｃｍシ１．Ｊ：、）上に、５ｉｃｔ！ｔ とＨ２ガ
スによは算つ竺シ り気相成長法により、１３の高抵抗なｎ−眉を１０μｎ
２エピタキシヤル成長させる。次にＳ型の高抵抗層Ｘ２
を３μｍ程度成長させる。
エピタキ／ヤル成長時に不純物密度の低いｐ率
層は形成される。Ｓ ｘ Ｏｚ膜による選択拡散法−ス
のｐ３領域まで化学エツチングを施してｐｌのベース領
域を露出させる。酸化をして、ベース、エミッタの電極
領域をマスク法により露出させ、高真空中でＡ／を両面
に蒸着する。表面はＡＪの選択エツチングを施すことに
より、エミッタｖベース電極を形成する。裏面はコレク
タ電極となる。
のｐ３領域まで化学エツチングを施してｐｌのベース領
域を露出させる。酸化をして、ベース、エミッタの電極
領域をマスク法により露出させ、高真空中でＡ／を両面
に蒸着する。表面はＡＪの選択エツチングを施すことに
より、エミッタｖベース電極を形成する。裏面はコレク
タ電極となる。
ベースのｐ＋領領域エミッタのｎ＋領領域格子歪が生じ
ないように格子歪みを緩和する為に第■族の７元素を添
加する方法を採用することが望ましい。キャリアの寿命
が短いと、エミッタからコレクタへの到達率か落ちるの
で。
ないように格子歪みを緩和する為に第■族の７元素を添
加する方法を採用することが望ましい。キャリアの寿命
が短いと、エミッタからコレクタへの到達率か落ちるの
で。
キラーとなる重金属の混入は、極力防ぐ必要があり、製
造工程の最終段階で１重金属のゲッタリングを施した方
が良い。ベースのｐへ形成は、イオン注入法あるいはボ
ロンドープの多結晶シリコンを拡散源とする方法等にょ
り実理てきる。
造工程の最終段階で１重金属のゲッタリングを施した方
が良い。ベースのｐへ形成は、イオン注入法あるいはボ
ロンドープの多結晶シリコンを拡散源とする方法等にょ
り実理てきる。
第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の更に別の実施例である
。エミッタからの注入効率を高める為にベースの低不純
物密度領域を高抵抗なｐ−領域、２４，２５．２６はそ
れぞれエミッタ、ベース、コレクタ電極である。ベース
抵抗を下げる為にベース電極は各々配線している。
。エミッタからの注入効率を高める為にベースの低不純
物密度領域を高抵抗なｐ−領域、２４，２５．２６はそ
れぞれエミッタ、ベース、コレクタ電極である。ベース
抵抗を下げる為にベース電極は各々配線している。
第３図（ｂ）は、ベース壷エミッタ間のブレーク電圧の
向上、エミッタ・ベース間の容量の減少、及び光の照射
面積を増すために、ベースの高不純物密度なｐＪＪｊ域
まで堀下げた構造の実施例である。ｐ＋のベース領域ま
での堀下げは、化学エツチング、結晶の異方性を利用し
た化学エツチング、Ｓｉの窒化膜と酸化膜による方法、
あるいはプラズマエツチング等の方法により形成できる
。
向上、エミッタ・ベース間の容量の減少、及び光の照射
面積を増すために、ベースの高不純物密度なｐＪＪｊ域
まで堀下げた構造の実施例である。ｐ＋のベース領域ま
での堀下げは、化学エツチング、結晶の異方性を利用し
た化学エツチング、Ｓｉの窒化膜と酸化膜による方法、
あるいはプラズマエツチング等の方法により形成できる
。
フォトトランジスタを多数個並べたフォトトランジスタ
の上面図であって、ベース、エミッタの電極を櫛形の配
線パターンとした実施例である。
の上面図であって、ベース、エミッタの電極を櫛形の配
線パターンとした実施例である。
第４図ｆａｔ、ｆｂｌは本発明のフォトトランジスタの
使用法を示す実施例である。＋ａｌはエミッタ接地、（
ｂ）はベース接地の例である。
使用法を示す実施例である。＋ａｌはエミッタ接地、（
ｂ）はベース接地の例である。
３０は本発明の第２図乃至は第３図に示すフォトトラン
ジスタ、３１はベース電極に接続された可変の外部ベー
ス抵抗、３２はベース・エミッタ電源、３３はコレクタ
の負荷抵抗ＲＬ、３４はコレクタ・エミッタ電源、３５
は出力端子、１ｏは光入力を示している。
ジスタ、３１はベース電極に接続された可変の外部ベー
ス抵抗、３２はベース・エミッタ電源、３３はコレクタ
の負荷抵抗ＲＬ、３４はコレクタ・エミッタ電源、３５
は出力端子、１ｏは光入力を示している。
本発明のフォトトランジスタはベース抵抗を極力下げる
構造を有している為に、ベース電極に接続されたベース
可変抵抗３１により、非常に広範囲にわたって、実効的
なベース抵抗を調節できることによって、光検出回路の
要求に応じて、ベース可変抵抗３１を設定できるという
従来のバイポーラフォトトランジスタにはない特徴を有
している。第４図（ｂｌは第４図（Ｑｌのエミッタ接地
に対して、ベース接地とした場合の本発明の実施例であ
る。
構造を有している為に、ベース電極に接続されたベース
可変抵抗３１により、非常に広範囲にわたって、実効的
なベース抵抗を調節できることによって、光検出回路の
要求に応じて、ベース可変抵抗３１を設定できるという
従来のバイポーラフォトトランジスタにはない特徴を有
している。第４図（ｂｌは第４図（Ｑｌのエミッタ接地
に対して、ベース接地とした場合の本発明の実施例であ
る。
第５図ｔａ＋ 、 ｆｂｌ 、 ｉｃｌはそれぞれ、ベ
ース、エミッタ、コレクタ電極にコンデンサを接続した
本発明のフォトトランジスタの実施例を示す。フォトト
ランジスタ３０の各電極にコンデンサ４１．．４２．４
３を接続することにより１本発明のフォトトランジスタ
は光入力１０による光信号を、各電極に接続されたコン
デンサに蓄積することができる。このような機能を有す
る第５図に示す実施例のフォトトランジスタは、１トラ
ンジスタ／１ピクセル方式の光情報のランダムアクセス
イメージセンサ、光情報の記憶機能を有する各種のイメ
ージセンサに応用できることになるのはいうまでもない
。
ース、エミッタ、コレクタ電極にコンデンサを接続した
本発明のフォトトランジスタの実施例を示す。フォトト
ランジスタ３０の各電極にコンデンサ４１．．４２．４
３を接続することにより１本発明のフォトトランジスタ
は光入力１０による光信号を、各電極に接続されたコン
デンサに蓄積することができる。このような機能を有す
る第５図に示す実施例のフォトトランジスタは、１トラ
ンジスタ／１ピクセル方式の光情報のランダムアクセス
イメージセンサ、光情報の記憶機能を有する各種のイメ
ージセンサに応用できることになるのはいうまでもない
。
第６ 図ｆａｔ 、 ＋１）ｌは１本発明のフォトトラ
ンジスタのベースにコンデンサ４１と抵抗５１を接続し
た本発明の一実例である。ベースのコンデンサによるＣ
Ｒ時定数により、フォトトランジスタとしての機能は拡
大する。
ンジスタのベースにコンデンサ４１と抵抗５１を接続し
た本発明の一実例である。ベースのコンデンサによるＣ
Ｒ時定数により、フォトトランジスタとしての機能は拡
大する。
第７図伸）乃至ｆｄｌは更にエミッタ、コレクタにＣ−
２時定数を有する実施例である。
２時定数を有する実施例である。
本発明のフォトトランジスタは反対導電型のｐ” −ｐ
−−ｎ＋−ｎ−−ｐ＋にもできることは勿論である。
−−ｎ＋−ｎ−−ｐ＋にもできることは勿論である。
本発明のフォトトランジスタは材料は８１に限らずＧｅ
、ないしはＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体であるＧ ａ
Ａ ｓ 、 Ｇ ａ Ｐ 、 Ａ 、ｅ Ａ ｓ 、
Ｉｎｐあるいはそれらの混晶であるＧ ａ ＋−ｘ
Ａ ＬＡｓ等でも良いし、 ｎ−Ｖｌ族の化合物半導体
であっても良い。
、ないしはＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体であるＧ ａ
Ａ ｓ 、 Ｇ ａ Ｐ 、 Ａ 、ｅ Ａ ｓ 、
Ｉｎｐあるいはそれらの混晶であるＧ ａ ＋−ｘ
Ａ ＬＡｓ等でも良いし、 ｎ−Ｖｌ族の化合物半導体
であっても良い。
本発明の目的とするところは、ベース抵抗を極力下げて
、エミッタがらベースを通過して、コレクタへの注入効
率を増したことを特徴とするフォトトランジスタであっ
て、従来のバイポーラフォトトランジスタにはない新規
なバイポーラフォトトランジスタを提供し、有用なもの
である。
、エミッタがらベースを通過して、コレクタへの注入効
率を増したことを特徴とするフォトトランジスタであっ
て、従来のバイポーラフォトトランジスタにはない新規
なバイポーラフォトトランジスタを提供し、有用なもの
である。
第１図は従来型バイポーラフォトトランジスタの断面概
略図、第２図ｆａｔ乃至（ｄｌはベースの構造を種々番
こ変えた本発明実施例の断面構造図、第３図（ａｌ乃至
ｔＣ）は本発明の別な実施例、第４図（ａ）及びｆｂｌ
はエミッタ接地及びベース接地による本発明の実施例の
動作回路例、第５図（ａｌ乃至ｆｃｌはベース、エミッ
タ、コレクタにコンデンサをつけた本発明光トランジス
タ実施例の動（′１回路例、第６図ｆａ＋及びｆｂｌは
ベース電極に外部からコンデンサと抵抗の直列及び並列
回路を接続して機能を増大させた動作回路例、第７図＋
ａ＋乃至ｆｄ＋はエミッタ及びコレクタに外部から抵抗
とコンデンサの直列乃至は並列回路を接続した動作回路
例である。 第１ 図 １θ ＜−６−’） つ２つ ／θ ＜Ｃ） ０ 第２窃
略図、第２図ｆａｔ乃至（ｄｌはベースの構造を種々番
こ変えた本発明実施例の断面構造図、第３図（ａｌ乃至
ｔＣ）は本発明の別な実施例、第４図（ａ）及びｆｂｌ
はエミッタ接地及びベース接地による本発明の実施例の
動作回路例、第５図（ａｌ乃至ｆｃｌはベース、エミッ
タ、コレクタにコンデンサをつけた本発明光トランジス
タ実施例の動（′１回路例、第６図ｆａ＋及びｆｂｌは
ベース電極に外部からコンデンサと抵抗の直列及び並列
回路を接続して機能を増大させた動作回路例、第７図＋
ａ＋乃至ｆｄ＋はエミッタ及びコレクタに外部から抵抗
とコンデンサの直列乃至は並列回路を接続した動作回路
例である。 第１ 図 １θ ＜−６−’） つ２つ ／θ ＜Ｃ） ０ 第２窃
Claims (1)
- （１） エミッタ、コレクタ、ベースよりなるトラン
ジスタにおいて、ベース部分の不純物−密度に不均一を
つけ、該ベースの不純物密度の大きなところに少数キャ
リアを蓄積させ、該ベースの不純物密度の小さいところ
は多数キャリアか抜は易いよう１こして１両者の電圧が
互いに結合せしめてなることを特徴としたフォトトラン
ジスタ。 ′（２） ベース近傍のエミッタ、
コレクタ側の低不純物な領域の伝導型が反転している前
記特許請求の範囲第一項記載のフォトトランジスタ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57151950A JPS5941877A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | フオトトランジスタ |
| DE8383902822T DE3381666D1 (en) | 1982-08-31 | 1983-08-31 | Phototransistor. |
| PCT/JP1983/000290 WO1984001055A1 (en) | 1982-08-31 | 1983-08-31 | Phototransistor |
| EP83902822A EP0116652B1 (en) | 1982-08-31 | 1983-08-31 | Phototransistor |
| US06/903,890 US4720735A (en) | 1982-08-31 | 1983-08-31 | Phototransistor having a non-homogeneously base region |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57151950A JPS5941877A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | フオトトランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5941877A true JPS5941877A (ja) | 1984-03-08 |
| JPH0381312B2 JPH0381312B2 (ja) | 1991-12-27 |
Family
ID=15529742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57151950A Granted JPS5941877A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | フオトトランジスタ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4720735A (ja) |
| EP (1) | EP0116652B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5941877A (ja) |
| DE (1) | DE3381666D1 (ja) |
| WO (1) | WO1984001055A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008016535A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Opnext Japan Inc | 面入射型受光素子および光受信モジュール |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IES20010616A2 (en) * | 2001-06-28 | 2002-05-15 | Nat Microelectronics Res Ct | Microelectronic device and method of its manufacture |
| CN108039363A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-05-15 | 电子科技大学 | 光驱动SiC/GaN基半导体器件及其制作工艺 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5732437A (en) * | 1980-08-06 | 1982-02-22 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Mirror unit of camera |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3409812A (en) * | 1965-11-12 | 1968-11-05 | Hughes Aircraft Co | Space-charge-limited current triode device |
| US3532945A (en) * | 1967-08-30 | 1970-10-06 | Fairchild Camera Instr Co | Semiconductor devices having a low capacitance junction |
| FR2050630A5 (ja) * | 1969-06-19 | 1971-04-02 | V Elektrotekhni | |
| JPS526076B1 (ja) * | 1971-04-28 | 1977-02-18 | ||
| GB1502165A (en) * | 1974-04-10 | 1978-02-22 | Sony Corp | Semiconductor devices |
| US4086610A (en) * | 1974-06-28 | 1978-04-25 | Motorola, Inc. | High reliability epi-base radiation hardened power transistor |
| FR2299727A1 (fr) * | 1975-01-28 | 1976-08-27 | Alsthom Cgee | Thyristor a caracteristiques de commutation ameliorees |
| JPS5273A (en) * | 1975-06-20 | 1977-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Washing machine |
| US4178190A (en) * | 1975-06-30 | 1979-12-11 | Rca Corporation | Method of making a bipolar transistor with high-low emitter impurity concentration |
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| JPS53124086A (en) * | 1975-10-21 | 1978-10-30 | Semiconductor Res Found | Semiconductor device |
| US4047217A (en) * | 1976-04-12 | 1977-09-06 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | High-gain, high-voltage transistor for linear integrated circuits |
| DE2728845A1 (de) * | 1977-06-27 | 1979-01-18 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen eines hochfrequenztransistors |
| US4151540A (en) * | 1977-12-08 | 1979-04-24 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | High beta, high frequency transistor structure |
| US4427990A (en) * | 1978-07-14 | 1984-01-24 | Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai | Semiconductor photo-electric converter with insulated gate over p-n charge storage region |
| JPS55128870A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-06 | Semiconductor Res Found | Electrostatic induction thyristor and semiconductor device |
| US4295058A (en) * | 1979-06-07 | 1981-10-13 | Eaton Corporation | Radiant energy activated semiconductor switch |
| JPS5685848A (en) * | 1979-12-15 | 1981-07-13 | Toshiba Corp | Manufacture of bipolar integrated circuit |
| JPS5946103B2 (ja) * | 1980-03-10 | 1984-11-10 | 日本電信電話株式会社 | トランジスタ |
| US4381953A (en) * | 1980-03-24 | 1983-05-03 | International Business Machines Corporation | Polysilicon-base self-aligned bipolar transistor process |
| JPS5895877A (ja) * | 1981-12-01 | 1983-06-07 | Semiconductor Res Found | 半導体光電変換装置 |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP57151950A patent/JPS5941877A/ja active Granted
-
1983
- 1983-08-31 US US06/903,890 patent/US4720735A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-08-31 EP EP83902822A patent/EP0116652B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-08-31 WO PCT/JP1983/000290 patent/WO1984001055A1/ja active IP Right Grant
- 1983-08-31 DE DE8383902822T patent/DE3381666D1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5732437A (en) * | 1980-08-06 | 1982-02-22 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Mirror unit of camera |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008016535A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Opnext Japan Inc | 面入射型受光素子および光受信モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0381312B2 (ja) | 1991-12-27 |
| US4720735A (en) | 1988-01-19 |
| EP0116652A4 (en) | 1986-09-04 |
| EP0116652A1 (en) | 1984-08-29 |
| EP0116652B1 (en) | 1990-06-13 |
| DE3381666D1 (en) | 1990-07-19 |
| WO1984001055A1 (en) | 1984-03-15 |
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