JPS5930715B2 - ２−アルキル−７−置換−２（または３）−セフエム−４−カルボン酸類の製造法 - Google Patents
２−アルキル−７−置換−２（または３）−セフエム−４−カルボン酸類の製造法Info
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- JPS5930715B2 JPS5930715B2 JP3071873A JP3071873A JPS5930715B2 JP S5930715 B2 JPS5930715 B2 JP S5930715B2 JP 3071873 A JP3071873 A JP 3071873A JP 3071873 A JP3071873 A JP 3071873A JP S5930715 B2 JPS5930715 B2 JP S5930715B2
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は２−アルキルー６−置換−２・３一メチレン
ペナムー３−カルボン酸類もしくはそのカルボキシ基に
おけるエステルまたは塩類（Ｉ）にルイス酸を作用させ
て、２−アルキルー７−置換−２（または３）−セフエ
ムー４−カルボン酸類もしくはそのカルボキシ基におけ
るエステルまたは塩類（■）を得ることからなる２−ア
ルキルー７−置換−２（または３）−セフエムー４−カ
ルボン酸類の製造法に関するものである。
ペナムー３−カルボン酸類もしくはそのカルボキシ基に
おけるエステルまたは塩類（Ｉ）にルイス酸を作用させ
て、２−アルキルー７−置換−２（または３）−セフエ
ムー４−カルボン酸類もしくはそのカルボキシ基におけ
るエステルまたは塩類（■）を得ることからなる２−ア
ルキルー７−置換−２（または３）−セフエムー４−カ
ルボン酸類の製造法に関するものである。
この発明の反応を一般式で示せば次の通りである。
Ｒ１□Ｒ２もしくはそのカルボＯＣＯＯＨキシ基におけ
るエス テルまたは塩類 （Ｉ） ↓ルイス酸 ゛”□゛゛キ沼＝和 ＣＯＯＨチルまたは塩類 卸 （式中Ｒ１はアシルアミノ基、Ｒ２はアルキル基、点線
は２または３−セフエムを意味する）この発明の原料物
質（１）は新規物質であり、例えば対応する２−アルキ
ル−２−ハロメチル一６置換ペナム一３−カルボン酸ま
たはそれらのカルボキシ基におけるエステルまたは塩類
に塩基を作用させることにより製造することができる。
るエス テルまたは塩類 （Ｉ） ↓ルイス酸 ゛”□゛゛キ沼＝和 ＣＯＯＨチルまたは塩類 卸 （式中Ｒ１はアシルアミノ基、Ｒ２はアルキル基、点線
は２または３−セフエムを意味する）この発明の原料物
質（１）は新規物質であり、例えば対応する２−アルキ
ル−２−ハロメチル一６置換ペナム一３−カルボン酸ま
たはそれらのカルボキシ基におけるエステルまたは塩類
に塩基を作用させることにより製造することができる。
Ｒ，のアシルアミノ基におけるアシル基としては、脂肪
族アシル、芳香環を含むアシルまたは複素環を含むアシ
ルのすべてを意味する。ここにおいて脂肪族アシルとし
ては飽和もしくは不飽和アルカノイルであつて側鎖を有
しあるいは環状になつてもよく、例えばホルミル、アセ
チル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリ
ル、イソバレリル、ピバロイル、アクリロイル、クロト
ノイル、２−メチルアクリロイル、シクロペンチルカル
ボニル、シクロヘキシルカルボニル、シクロヘプチルカ
ルボニル、サクシニル、シクロペンチルアセチル、シク
ロヘキシルアセチル、シクロヘプチルアセチル、シクロ
ヘキシルプロピオニル、シクロヘプチルプロピオニル、
ジヒドロベンゾイル、２・４・６−シクロヘプタトリエ
ニルアセチル、ジヒドロフエニルアセチル等が挙げられ
、またこれらの飽和もしくは不飽和アルカノイルは酸素
原子または硫黄原子で中断されていてもよく、この様な
基としては、例えばメトキシアセチル、メチルチオアセ
チル、２−プロペニルチオアセチル、シクロヘキシルチ
オアセチル、シクロヘキシルオキシアセチル、ジヒドロ
フエノキシアセチル、ジヒドロフエニルチオアセチル、
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシ
カルボニル、ブトキシカルボニル、第３級ブトキシカル
ボニル、シクロペンチルオキシカルボニル、シクロヘキ
シルオキシカルボニル、ジヒドロフエノキシカルボニル
、シクロヘプチルオキシカルボニル等が挙げられる。
族アシル、芳香環を含むアシルまたは複素環を含むアシ
ルのすべてを意味する。ここにおいて脂肪族アシルとし
ては飽和もしくは不飽和アルカノイルであつて側鎖を有
しあるいは環状になつてもよく、例えばホルミル、アセ
チル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリ
ル、イソバレリル、ピバロイル、アクリロイル、クロト
ノイル、２−メチルアクリロイル、シクロペンチルカル
ボニル、シクロヘキシルカルボニル、シクロヘプチルカ
ルボニル、サクシニル、シクロペンチルアセチル、シク
ロヘキシルアセチル、シクロヘプチルアセチル、シクロ
ヘキシルプロピオニル、シクロヘプチルプロピオニル、
ジヒドロベンゾイル、２・４・６−シクロヘプタトリエ
ニルアセチル、ジヒドロフエニルアセチル等が挙げられ
、またこれらの飽和もしくは不飽和アルカノイルは酸素
原子または硫黄原子で中断されていてもよく、この様な
基としては、例えばメトキシアセチル、メチルチオアセ
チル、２−プロペニルチオアセチル、シクロヘキシルチ
オアセチル、シクロヘキシルオキシアセチル、ジヒドロ
フエノキシアセチル、ジヒドロフエニルチオアセチル、
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシ
カルボニル、ブトキシカルボニル、第３級ブトキシカル
ボニル、シクロペンチルオキシカルボニル、シクロヘキ
シルオキシカルボニル、ジヒドロフエノキシカルボニル
、シクロヘプチルオキシカルボニル等が挙げられる。
また芳香環を含むアシルとしてはベンゾイル、トルオイ
ル、ナフトール、α−メチルナフトール、プタロール、
テトラヒドロナフトール等のアリロイル、ベンゼンスル
ホニル、トシル等のアリールスルホニルおよびフエニル
アセチル、フエニルプロピオニル、フエニルブチリル、
トリルアセチル、キシリルアセチル、ナフチルアセチル
、テトラヒドロナフチルアセチル等のアラルカノイルの
両者を含み、またこのアラルカノイルのアルキル部分の
炭素原子は酸素原子または硫黄原子で置き変えられてい
てもよく、この様な基としては例えばフエノキシアセチ
ル、フエニルチオアセチル、ベンジルオキシカルボニル
、キシリルオキシカルボニル、ナフトキシカルボニル、
フエノキシカルボニル、２−フエノキシプロピオニル、
２−フエノキシブチリル等が挙げられる。さらに複素環
を含むアシルとしては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子
その他のヘテロ原子を少なくとも１個もしくはそれ以上
含む飽和もしくは不飽和複素単環もしくは複素多環残基
、例えばチエニル、ベンゾチエニル、フリル、ピラニル
、５・６−ジヒトロー２Ｈ−ピラニル、イソベンゾフラ
ニル、クロメニル、キサンテニル、２Ｈ−ピロリル、３
Ｈ−ピロリル、ピロリル、イミダゾリル ピラゾリル、
ピリジル、ピリミジニル、ピラジニル、ピリダジニル、
イソインドリル、インドリル、インタゾリル、キノリル
、イソキノリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、オ
キサジアゾリル ピロリジニル ピロリニル、イミダゾ
リジニル、ピペリジニル、ピペラジニル、ジアゾリル、
トリアゾリル、オキサゾリル、チアゾリルチアジアゾリ
ル、テトラゾリル ベンズオキサゾリル、ベンズオキサ
ジアゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾチアジアゾリル
、ベンゾトリアゾリル、ベンズイミダゾリル、シドノニ
ル等の複素環を含む複素環カルボニルおよび前記複素環
もしくは複素環置換オキシもしくは複素環置換チオもし
くは複素環置換アミノもしくはＮ−アルキル複素環置換
アミノ等の基を置換分として有するアセチル、プロピオ
ニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イソバレリ
ル、ピバロイル、アクリロイル、クロトノイル、２−メ
チルアクリロイル等のアルカノイル、例えば１Ｈ（もし
くは２Ｈ）−テトラゾリルアセチル、チエニルアセチル
、チエニルプロピオニル、フリルアセチル、ピペラジニ
ルアセチル、ピロリジニルアセチル、ピロリジニルプロ
ピオニル、チアジアゾリルアセチル、オキサジアゾリル
アセチル、ベンゾチアゾリルアセチル、オキサゾリルア
セチル、ベンズオキサゾリルアセチル等が挙げられ、ま
たこの複素環を置換分として有するアルカノイルのアル
キル部分の炭素原子は酸素原子または硫黄原子で置きか
えられていてもよく、このような基としては、例えばピ
リジルメトキシカルボニル、２−フリルオキシカルボニ
ル８−キノリルオキシカルボニル等が挙げられる。さら
にこれらの脂肪族アシル、芳香環を含むアシルまたは複
素環を含むアシルはその任意の位置に適当な置換分を１
個もしくはそれ以上有していてもよく、この様な置換分
としてはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、１
−プロペニル、２プロペニル、シクロプロピル、シクロ
ペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル等のアルキ
ル、フエニル、キシリル、トリル等のアリール、ベンジ
ル、フエネチル等のアラルキル、アミノ、メルカプト、
ニトロ、アジド、クロル、フルオル、ブロム等のハロゲ
ン、カルボキシ、スルホ、ヒドロキシ、ヒドロキシアミ
ノ、モノ（もしくはジ）メチルアミノ、モノ（もしくは
ジ）エチルアミノ、モノ（もしくはジ）プロピルアミノ
、モノ（もしくはジ）イソプロピルアミノ等のモノ（も
しくはジ）アルキルアミノ基、モノ（もしくはジ）フエ
ニルアミノ、モノ（もしくはジ）トリルアミノ等のモノ
（もしくはジ）アリールアミノ、モノ（もしくはジ）ベ
ンジルアミノ、モノ（もしくはジ）フエネチルアミノ等
のモノ（もしくはジ）アラルキルアミノ、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ等のア
ルコキシ基、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、
イソプロピルチオ、ブチルチオ等のアルキルチオ基等が
挙げられ、さらにこの様な置換分を有する脂肪族アシル
、芳香族を含むアシルまたは複素環を含むアシルとして
は、例えばトリクロロエトキシカルボニル、トリブロモ
エトキシカルボニル、１−シクロプロピルエトキシカル
ボニル、クロロアセチル、２−クロロプロピオニル、ト
リフルオロアセチル、α−アミノフエニルアセチル、カ
ルバモイル、フエニルカルバモイル、α−ヒドロキシフ
エニルアセチル、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル
０−ブロモベンジルオキシカルボニル、０−ニトロベン
ジルオキシカルボニル、ｐ−メトキシベンジルオキシカ
ルボニル、３・４−ジメトキシベンジルオキシカルボニ
ル、ｐ−ヒドロキシフエニルアセチル、２−アミノ−２
−（５・６−ジヒドロ２Ｈ−ピラン一３−イル）アセチ
ル、２−アミノ−２−（ｐ−ヒドロキシフエニル）アセ
チル、２・６−ジメトキシベンゾイル、ｐ−アセトアミ
ドベンゼンスルホニル、３−フエニル一５−メチル−４
−オキサゾリルカルボニル、３−（２−クロロフエニル
）−５−メチル−４−オキサゾリルカルボニル、３−（
２・６−ジクロロフエニル）−５−メチル−４−オキサ
ゾリルカルボニル、３−（２−クロロ−６−フルオロフ
エニル）−５メチル−４−オキサゾリルカルボニル等が
挙げられる。またこの様なアシル基中に遊離のアミノ基
、ヒドロキシ基、メルカプト基、カルボキシ基、スルホ
基等がある場合には、この様なアミノ基、ヒドロキシ基
、メルカプト基、カルボキシ基、スルホ基等が保護基で
保護された場合も本発明の範囲に含まれるものである。
ル、ナフトール、α−メチルナフトール、プタロール、
テトラヒドロナフトール等のアリロイル、ベンゼンスル
ホニル、トシル等のアリールスルホニルおよびフエニル
アセチル、フエニルプロピオニル、フエニルブチリル、
トリルアセチル、キシリルアセチル、ナフチルアセチル
、テトラヒドロナフチルアセチル等のアラルカノイルの
両者を含み、またこのアラルカノイルのアルキル部分の
炭素原子は酸素原子または硫黄原子で置き変えられてい
てもよく、この様な基としては例えばフエノキシアセチ
ル、フエニルチオアセチル、ベンジルオキシカルボニル
、キシリルオキシカルボニル、ナフトキシカルボニル、
フエノキシカルボニル、２−フエノキシプロピオニル、
２−フエノキシブチリル等が挙げられる。さらに複素環
を含むアシルとしては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子
その他のヘテロ原子を少なくとも１個もしくはそれ以上
含む飽和もしくは不飽和複素単環もしくは複素多環残基
、例えばチエニル、ベンゾチエニル、フリル、ピラニル
、５・６−ジヒトロー２Ｈ−ピラニル、イソベンゾフラ
ニル、クロメニル、キサンテニル、２Ｈ−ピロリル、３
Ｈ−ピロリル、ピロリル、イミダゾリル ピラゾリル、
ピリジル、ピリミジニル、ピラジニル、ピリダジニル、
イソインドリル、インドリル、インタゾリル、キノリル
、イソキノリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、オ
キサジアゾリル ピロリジニル ピロリニル、イミダゾ
リジニル、ピペリジニル、ピペラジニル、ジアゾリル、
トリアゾリル、オキサゾリル、チアゾリルチアジアゾリ
ル、テトラゾリル ベンズオキサゾリル、ベンズオキサ
ジアゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾチアジアゾリル
、ベンゾトリアゾリル、ベンズイミダゾリル、シドノニ
ル等の複素環を含む複素環カルボニルおよび前記複素環
もしくは複素環置換オキシもしくは複素環置換チオもし
くは複素環置換アミノもしくはＮ−アルキル複素環置換
アミノ等の基を置換分として有するアセチル、プロピオ
ニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イソバレリ
ル、ピバロイル、アクリロイル、クロトノイル、２−メ
チルアクリロイル等のアルカノイル、例えば１Ｈ（もし
くは２Ｈ）−テトラゾリルアセチル、チエニルアセチル
、チエニルプロピオニル、フリルアセチル、ピペラジニ
ルアセチル、ピロリジニルアセチル、ピロリジニルプロ
ピオニル、チアジアゾリルアセチル、オキサジアゾリル
アセチル、ベンゾチアゾリルアセチル、オキサゾリルア
セチル、ベンズオキサゾリルアセチル等が挙げられ、ま
たこの複素環を置換分として有するアルカノイルのアル
キル部分の炭素原子は酸素原子または硫黄原子で置きか
えられていてもよく、このような基としては、例えばピ
リジルメトキシカルボニル、２−フリルオキシカルボニ
ル８−キノリルオキシカルボニル等が挙げられる。さら
にこれらの脂肪族アシル、芳香環を含むアシルまたは複
素環を含むアシルはその任意の位置に適当な置換分を１
個もしくはそれ以上有していてもよく、この様な置換分
としてはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、１
−プロペニル、２プロペニル、シクロプロピル、シクロ
ペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル等のアルキ
ル、フエニル、キシリル、トリル等のアリール、ベンジ
ル、フエネチル等のアラルキル、アミノ、メルカプト、
ニトロ、アジド、クロル、フルオル、ブロム等のハロゲ
ン、カルボキシ、スルホ、ヒドロキシ、ヒドロキシアミ
ノ、モノ（もしくはジ）メチルアミノ、モノ（もしくは
ジ）エチルアミノ、モノ（もしくはジ）プロピルアミノ
、モノ（もしくはジ）イソプロピルアミノ等のモノ（も
しくはジ）アルキルアミノ基、モノ（もしくはジ）フエ
ニルアミノ、モノ（もしくはジ）トリルアミノ等のモノ
（もしくはジ）アリールアミノ、モノ（もしくはジ）ベ
ンジルアミノ、モノ（もしくはジ）フエネチルアミノ等
のモノ（もしくはジ）アラルキルアミノ、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ等のア
ルコキシ基、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、
イソプロピルチオ、ブチルチオ等のアルキルチオ基等が
挙げられ、さらにこの様な置換分を有する脂肪族アシル
、芳香族を含むアシルまたは複素環を含むアシルとして
は、例えばトリクロロエトキシカルボニル、トリブロモ
エトキシカルボニル、１−シクロプロピルエトキシカル
ボニル、クロロアセチル、２−クロロプロピオニル、ト
リフルオロアセチル、α−アミノフエニルアセチル、カ
ルバモイル、フエニルカルバモイル、α−ヒドロキシフ
エニルアセチル、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル
０−ブロモベンジルオキシカルボニル、０−ニトロベン
ジルオキシカルボニル、ｐ−メトキシベンジルオキシカ
ルボニル、３・４−ジメトキシベンジルオキシカルボニ
ル、ｐ−ヒドロキシフエニルアセチル、２−アミノ−２
−（５・６−ジヒドロ２Ｈ−ピラン一３−イル）アセチ
ル、２−アミノ−２−（ｐ−ヒドロキシフエニル）アセ
チル、２・６−ジメトキシベンゾイル、ｐ−アセトアミ
ドベンゼンスルホニル、３−フエニル一５−メチル−４
−オキサゾリルカルボニル、３−（２−クロロフエニル
）−５−メチル−４−オキサゾリルカルボニル、３−（
２・６−ジクロロフエニル）−５−メチル−４−オキサ
ゾリルカルボニル、３−（２−クロロ−６−フルオロフ
エニル）−５メチル−４−オキサゾリルカルボニル等が
挙げられる。またこの様なアシル基中に遊離のアミノ基
、ヒドロキシ基、メルカプト基、カルボキシ基、スルホ
基等がある場合には、この様なアミノ基、ヒドロキシ基
、メルカプト基、カルボキシ基、スルホ基等が保護基で
保護された場合も本発明の範囲に含まれるものである。
ここにおいてアミノ基の保護基としては通常アミノ保護
基として使用しうるすべての基を含み、例えばトリクロ
ロエトキシカルボニル、トリブロモエトキシカルボニル
、ベンジルオキシカルボニル、ｐ−トルエンスルホニル
、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル、Ｏ−ブロモベ
ンジルオキシカルボニル、Ｏ−ニトロフエニルスルフエ
ニル、クロロアセチル、トリフルオロアセチル、ホルミ
ル、α−ピコリニル、ビニルオキシカルボニル、第３級
ブトキシカルボニル、ｐ−メトキシベンジルオキシカル
ボニル、３・４−ジメトキシベンジルオキシカルボニル
、４−（フエニルアゾ）ベンジルオキシカルボニル、４
−（４−メトキシフエニルアゾ）ベンジルオキシカルボ
ニル、ピリジン１−オキサイド−２−メトキシカルボニ
ル、２ピリジルメトキシカルボニル、２−フリルオキシ
カルボニル、ジフエニルメトキシカルボニル、１・１−
ジメチルプロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボ
ニル、１−シクロプロピルエトキシカルボニル、２−シ
アノ−１・１−ジメチルエトキシカルボニル、プタロー
ル、サクシニル、１−アダマンチルオキシカルボニル、
８−キノリルオキシカルボニル、イソボルニルオキシカ
ルボニル、９−フルオレニルメトキシカルボニル等の脱
離しやすいアシル基が挙げられ、さらに、例えば、トリ
チル、２−ニトロフエニルチオ、２・４−ジニトロフエ
ニルチオ、ベンジリデン、４−ニトロベンジリデン、２
−ヒドロキシベンジリデン、２一ヒドロキシ一５−クロ
ロベンジリデン、２−ヒドロキシ−１−ナフチルメチレ
ン、３−ヒドロキシ−４−ピリジルメチレン、１−メト
キシカルボニル一２−プロピリデン、１−エトキシカル
ボニル−２−プロピリデン、３−エトキシカルボニル−
２−ブチリデン、１−アセチル−２−プロピリデン、１
−ベンゾイル−２−プロピリデン、１−｛Ｎ−（２−メ
トキシフエニル）カルバモイル｝２−プロピリデン、１
−｛Ｎ−（４−メトキシフエニル）カルバモイル｝−２
−プロピリデン、２−エトキシカルボニルシクロヘキシ
リデン、２エトキシカルボニルシクロペンチリデン、２
アセチルシクロヘキシリデン、３・３−ジメチル５−オ
キソシクロヘキシリデン等の脱離しやすい基（これらの
うち例えば１−メトキシカルボニル−２−プロピリデン
は１−メトキシカルボニル１−プロペン−２−イルと表
わされることがあり、また例えば２−エトキシカルボニ
ルシクロヘキシリデンは２−エトキシカルボニル−１−
シクロヘキセニルと表わされることもある）、またジも
しくはトリアルキルシリル等のアシル基以外のアミノ基
の保護基が挙げられ、またヒドロキシ基およびメルカプ
ト基の保護基としては通常ヒドロキシ基およびメルカプ
ト基の保護基として使用し得るすべての基を含み、例え
ばホルミル、アセチル、ベンジルオキシカルボニル、４
−ニトロベンジルオキシカルボニル、４−ブロモベンジ
ルオキシカルボニル、４−メトキシベンジルオキシカル
ボニル、３・４−ジメトキシベンジルオキシカルボニル
、４−（フエニルアゾ）ベンジルオキシカルボニル、４
−（４−メトキシフエニルアゾ）ベンジルオキシカルボ
ニル、第３級ブトキシカルボニル、ｌ・１−ジメチルプ
ロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ジフ
エニルメトキシカルボニル、２−ピリジルメトキシカル
ボニル、２・２・２−トリクロロエトキシカルボニル、
２・２・２−トリブロモエトキシカルボニル、３−ヨー
ドプロポキシカルボニル、２−フルフリルオキシカルボ
ニル、１−アダマンチルオキシカルボニル、１−シクロ
プロピルエトキシカルボニル、３−キノリルオキシカル
ボニル、トリフルオロアセチル等の脱離しやすいアシル
基のほか、ベンジルトリチル、メトキシメチル、２−ニ
トロフエニルチオ、２・４−ジニトロフエニルチオ等の
基が挙げられ、さらにカルボキシ基の保護基としては、
通常のカルボキシ基の保護基として使用し得るすべての
基を含み、例えばそのエステル部分がメチル、エチル、
プロピル、イソプロピル、第３級ブチル、ブチル、ベン
ジル、ジフエニルメチル トリフエニルメチル、ｐ−ニ
トロベンジル、ｐ−メトキシベンジル、ベンゾイルメチ
ル、アセチルメチル、ｐ−ニトロベンゾイルメチル、ｐ
−ブロモベンゾイルメチル、ｐ−メタンスルホニルベン
ゾイルメチル、フタルイミドメチル トリクロロエチル
、トリブロモエチル、１・１−ジメチル−２−プロピニ
ル、アセトキシメチル、プロピオニルオキシメチル、ピ
バロイルオキシメチル １・１ジメチルプロピル、１・
１−ジメチル−２−プロペニル、３−メチル−３−ブテ
ニル、サクシンイミドメチル、１−シクロプロピルエチ
ル、３・５−ジ第３級ブチル−４−ヒドロキシベンジル
、メチルスルフエニルメチル、フエニルスルフエニルメ
チル、メチルチオメチル、フエニルチオメチル、ジメチ
ルアミノメチル、ピリジン−１−オキサイド−２−メチ
ル、キノリン−１−オキサイド２−メチル、メチルスル
フイニルメチル、ジ（ｐ−メトキシフエニノ（ハ）メチ
ル、２−シアノ１・１−ジメチルエチル等であるエステ
ル、さらに特開昭４６−７０７３号公報およびオランダ
国公開公報第７１０５２５９号に記載されている例えば
ジメチルジクロロシランの如きシリル化合物またはドイ
ツ国公開公報第２０６２９２５号に記載されている例え
ば、４塩化チタンの如き非金属化合物でカルボキシ基が
保護されている場合等が例示される。
基として使用しうるすべての基を含み、例えばトリクロ
ロエトキシカルボニル、トリブロモエトキシカルボニル
、ベンジルオキシカルボニル、ｐ−トルエンスルホニル
、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル、Ｏ−ブロモベ
ンジルオキシカルボニル、Ｏ−ニトロフエニルスルフエ
ニル、クロロアセチル、トリフルオロアセチル、ホルミ
ル、α−ピコリニル、ビニルオキシカルボニル、第３級
ブトキシカルボニル、ｐ−メトキシベンジルオキシカル
ボニル、３・４−ジメトキシベンジルオキシカルボニル
、４−（フエニルアゾ）ベンジルオキシカルボニル、４
−（４−メトキシフエニルアゾ）ベンジルオキシカルボ
ニル、ピリジン１−オキサイド−２−メトキシカルボニ
ル、２ピリジルメトキシカルボニル、２−フリルオキシ
カルボニル、ジフエニルメトキシカルボニル、１・１−
ジメチルプロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボ
ニル、１−シクロプロピルエトキシカルボニル、２−シ
アノ−１・１−ジメチルエトキシカルボニル、プタロー
ル、サクシニル、１−アダマンチルオキシカルボニル、
８−キノリルオキシカルボニル、イソボルニルオキシカ
ルボニル、９−フルオレニルメトキシカルボニル等の脱
離しやすいアシル基が挙げられ、さらに、例えば、トリ
チル、２−ニトロフエニルチオ、２・４−ジニトロフエ
ニルチオ、ベンジリデン、４−ニトロベンジリデン、２
−ヒドロキシベンジリデン、２一ヒドロキシ一５−クロ
ロベンジリデン、２−ヒドロキシ−１−ナフチルメチレ
ン、３−ヒドロキシ−４−ピリジルメチレン、１−メト
キシカルボニル一２−プロピリデン、１−エトキシカル
ボニル−２−プロピリデン、３−エトキシカルボニル−
２−ブチリデン、１−アセチル−２−プロピリデン、１
−ベンゾイル−２−プロピリデン、１−｛Ｎ−（２−メ
トキシフエニル）カルバモイル｝２−プロピリデン、１
−｛Ｎ−（４−メトキシフエニル）カルバモイル｝−２
−プロピリデン、２−エトキシカルボニルシクロヘキシ
リデン、２エトキシカルボニルシクロペンチリデン、２
アセチルシクロヘキシリデン、３・３−ジメチル５−オ
キソシクロヘキシリデン等の脱離しやすい基（これらの
うち例えば１−メトキシカルボニル−２−プロピリデン
は１−メトキシカルボニル１−プロペン−２−イルと表
わされることがあり、また例えば２−エトキシカルボニ
ルシクロヘキシリデンは２−エトキシカルボニル−１−
シクロヘキセニルと表わされることもある）、またジも
しくはトリアルキルシリル等のアシル基以外のアミノ基
の保護基が挙げられ、またヒドロキシ基およびメルカプ
ト基の保護基としては通常ヒドロキシ基およびメルカプ
ト基の保護基として使用し得るすべての基を含み、例え
ばホルミル、アセチル、ベンジルオキシカルボニル、４
−ニトロベンジルオキシカルボニル、４−ブロモベンジ
ルオキシカルボニル、４−メトキシベンジルオキシカル
ボニル、３・４−ジメトキシベンジルオキシカルボニル
、４−（フエニルアゾ）ベンジルオキシカルボニル、４
−（４−メトキシフエニルアゾ）ベンジルオキシカルボ
ニル、第３級ブトキシカルボニル、ｌ・１−ジメチルプ
ロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ジフ
エニルメトキシカルボニル、２−ピリジルメトキシカル
ボニル、２・２・２−トリクロロエトキシカルボニル、
２・２・２−トリブロモエトキシカルボニル、３−ヨー
ドプロポキシカルボニル、２−フルフリルオキシカルボ
ニル、１−アダマンチルオキシカルボニル、１−シクロ
プロピルエトキシカルボニル、３−キノリルオキシカル
ボニル、トリフルオロアセチル等の脱離しやすいアシル
基のほか、ベンジルトリチル、メトキシメチル、２−ニ
トロフエニルチオ、２・４−ジニトロフエニルチオ等の
基が挙げられ、さらにカルボキシ基の保護基としては、
通常のカルボキシ基の保護基として使用し得るすべての
基を含み、例えばそのエステル部分がメチル、エチル、
プロピル、イソプロピル、第３級ブチル、ブチル、ベン
ジル、ジフエニルメチル トリフエニルメチル、ｐ−ニ
トロベンジル、ｐ−メトキシベンジル、ベンゾイルメチ
ル、アセチルメチル、ｐ−ニトロベンゾイルメチル、ｐ
−ブロモベンゾイルメチル、ｐ−メタンスルホニルベン
ゾイルメチル、フタルイミドメチル トリクロロエチル
、トリブロモエチル、１・１−ジメチル−２−プロピニ
ル、アセトキシメチル、プロピオニルオキシメチル、ピ
バロイルオキシメチル １・１ジメチルプロピル、１・
１−ジメチル−２−プロペニル、３−メチル−３−ブテ
ニル、サクシンイミドメチル、１−シクロプロピルエチ
ル、３・５−ジ第３級ブチル−４−ヒドロキシベンジル
、メチルスルフエニルメチル、フエニルスルフエニルメ
チル、メチルチオメチル、フエニルチオメチル、ジメチ
ルアミノメチル、ピリジン−１−オキサイド−２−メチ
ル、キノリン−１−オキサイド２−メチル、メチルスル
フイニルメチル、ジ（ｐ−メトキシフエニノ（ハ）メチ
ル、２−シアノ１・１−ジメチルエチル等であるエステ
ル、さらに特開昭４６−７０７３号公報およびオランダ
国公開公報第７１０５２５９号に記載されている例えば
ジメチルジクロロシランの如きシリル化合物またはドイ
ツ国公開公報第２０６２９２５号に記載されている例え
ば、４塩化チタンの如き非金属化合物でカルボキシ基が
保護されている場合等が例示される。
またＲ２におけるアルキル基としては、例えばメチル
エチル、プロピル、ブチル等が挙げられる。
エチル、プロピル、ブチル等が挙げられる。
カルボキシ基におけるエステルとしては活性エステル及
び非活性エステルのすべてを含み、例えば、エステル部
分が、メチル、エチル、プロピルイソプロピル、ブチル
、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、ビ
ニル、１−プロペニル、２−プロペニル １・１−ジメ
チル−２−プロペニル、３−ブテニル、１・１−ジメチ
ル−２プロピニル等の飽和もしくは不飽和アルキル、フ
エニル、キシリル、トリル、ナフチル等のアリール、ベ
ンジル、フエネチル等のアラルキル、また前記飽和もし
くは不飽和アルキルおよびアラルキルのアルキル部分の
炭素原子が硫黄原子、窒素原子、酸素原子またはカルボ
ニル等でおきかえられた、メトキシメチル、エトキシメ
チル、メチルチオエチル、メチルチオメチル、ジメチル
アミノエチル、ジエチルアミノエチル、フエノキシメチ
ル、フエニルチオメチル、メチルスルフエニルメチル、
フエニルスルフエニルメチル、ベンゾイルメチル、トル
オイルメチル等、さらにこれら上記の基が適当な置換分
、例えばシアノ、ニトロ、フルオル、クロル、ブロム等
のハロゲン、メトキシ、エトキシ、プロポキシ等のアル
コキシ、アルカンスルホニル、フエニルアゾ等を１個も
しくはそれ以上有するクロロメチル、プロモメチル、ト
リクロロエチル、シアノメチル、２−シアノ−１・１−
ジメチルエチル、ｐ−ニトロフエニル、２・４・５−ト
リクロロフエニル、２・４・６−トリクロロフエニル、
ペンタクロロフエニル、ｐ−メタンスルホニルフエニル
、４−（フエニルアゾ）フエニル、２．４−ジニトロフ
エニル、ｐ−クロロベンジル、Ｏ−ニトロベンジル、ｐ
−メトキシベンジル、ｐ−ニトロベンジル、３・４・５
−トリメトキシベンジル、ビス（ｐ−メトキシフエニノ
（ハ）メチル、ベンタクロロベンジル、トリクロロベン
ジル、３・５−ジ第３級ブチル−４−ヒドロキシベンジ
ル、ｐ−ニトロフエニルチオメチル、ｐクロロフエニル
チオメチル、ｐ−ニトロベンゾイルメチル、ｐ−クロロ
ベンゾイルメチル等、その他置換もしくは非置換チオア
ルコール、Ｎ−ヒドロキシこはく酸イミド、Ｎ−ヒドロ
キシフタルイミド、テトラヒドロピラノール、１−シク
ロプロピルエタノール、１−フエニル一３−メチル−５
ピラゾロン、３−ヒドロキシピリジン、２−ヒドロキシ
メチルピリジン−１−オキサイド、１ヒドロキシピペリ
ジン、１−ヒドロキシ−２（１Ｈ）ピリドン、ジメチル
ヒドロキシルアミン、ジエチルヒドロキシルアミン、グ
リコールアミド、８ヒドロキシキノリン、オキシム、２
−ヒドロキシメチルキノリン−１−オキサイド、メトキ
シアセチレン、エトキシアセチレン、第３級ブチルエチ
ニルジメチルアミン、第３級ブチルエチニルジエチルア
ミン、エチルエチニルジエチルアミン、２−エチル−５
−（３−スルホフエニル）イソキサゾリウムヒドロキサ
イド分子内塩、１・５・９・９・１０−ペンタクロル一
９・１０−ジヒドロアントラセン、９・９・１０−トリ
クロル−９・１０−ジヒドロアントラセン １・８・９
・１０・１０−ペンタクロル一９・１０−ジヒドロアン
トラセン等の９・１０・１０−トリハロゲノ一９・１０
−ジヒト狛アントラセン誘導体等とのエステルが挙げら
れる。
び非活性エステルのすべてを含み、例えば、エステル部
分が、メチル、エチル、プロピルイソプロピル、ブチル
、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、ビ
ニル、１−プロペニル、２−プロペニル １・１−ジメ
チル−２−プロペニル、３−ブテニル、１・１−ジメチ
ル−２プロピニル等の飽和もしくは不飽和アルキル、フ
エニル、キシリル、トリル、ナフチル等のアリール、ベ
ンジル、フエネチル等のアラルキル、また前記飽和もし
くは不飽和アルキルおよびアラルキルのアルキル部分の
炭素原子が硫黄原子、窒素原子、酸素原子またはカルボ
ニル等でおきかえられた、メトキシメチル、エトキシメ
チル、メチルチオエチル、メチルチオメチル、ジメチル
アミノエチル、ジエチルアミノエチル、フエノキシメチ
ル、フエニルチオメチル、メチルスルフエニルメチル、
フエニルスルフエニルメチル、ベンゾイルメチル、トル
オイルメチル等、さらにこれら上記の基が適当な置換分
、例えばシアノ、ニトロ、フルオル、クロル、ブロム等
のハロゲン、メトキシ、エトキシ、プロポキシ等のアル
コキシ、アルカンスルホニル、フエニルアゾ等を１個も
しくはそれ以上有するクロロメチル、プロモメチル、ト
リクロロエチル、シアノメチル、２−シアノ−１・１−
ジメチルエチル、ｐ−ニトロフエニル、２・４・５−ト
リクロロフエニル、２・４・６−トリクロロフエニル、
ペンタクロロフエニル、ｐ−メタンスルホニルフエニル
、４−（フエニルアゾ）フエニル、２．４−ジニトロフ
エニル、ｐ−クロロベンジル、Ｏ−ニトロベンジル、ｐ
−メトキシベンジル、ｐ−ニトロベンジル、３・４・５
−トリメトキシベンジル、ビス（ｐ−メトキシフエニノ
（ハ）メチル、ベンタクロロベンジル、トリクロロベン
ジル、３・５−ジ第３級ブチル−４−ヒドロキシベンジ
ル、ｐ−ニトロフエニルチオメチル、ｐクロロフエニル
チオメチル、ｐ−ニトロベンゾイルメチル、ｐ−クロロ
ベンゾイルメチル等、その他置換もしくは非置換チオア
ルコール、Ｎ−ヒドロキシこはく酸イミド、Ｎ−ヒドロ
キシフタルイミド、テトラヒドロピラノール、１−シク
ロプロピルエタノール、１−フエニル一３−メチル−５
ピラゾロン、３−ヒドロキシピリジン、２−ヒドロキシ
メチルピリジン−１−オキサイド、１ヒドロキシピペリ
ジン、１−ヒドロキシ−２（１Ｈ）ピリドン、ジメチル
ヒドロキシルアミン、ジエチルヒドロキシルアミン、グ
リコールアミド、８ヒドロキシキノリン、オキシム、２
−ヒドロキシメチルキノリン−１−オキサイド、メトキ
シアセチレン、エトキシアセチレン、第３級ブチルエチ
ニルジメチルアミン、第３級ブチルエチニルジエチルア
ミン、エチルエチニルジエチルアミン、２−エチル−５
−（３−スルホフエニル）イソキサゾリウムヒドロキサ
イド分子内塩、１・５・９・９・１０−ペンタクロル一
９・１０−ジヒドロアントラセン、９・９・１０−トリ
クロル−９・１０−ジヒドロアントラセン １・８・９
・１０・１０−ペンタクロル一９・１０−ジヒドロアン
トラセン等の９・１０・１０−トリハロゲノ一９・１０
−ジヒト狛アントラセン誘導体等とのエステルが挙げら
れる。
この発明の反応で原料物質（１）にルイス酸を作用させ
て化合物（１１）に導く反応は通常溶媒中で行なわれる
。
て化合物（１１）に導く反応は通常溶媒中で行なわれる
。
この反応において使用されるルイス酸としては、例えば
３塩化ほう素、３臭化ほう素、３弗化ほう素等の３ハロ
ゲン化ほう素、４塩化チタン、４臭化チタン等の４ハロ
ゲン化チタン、４塩化ジルコニウム、４臭化ジルコニウ
ム等の４ハロゲン化ジルコニウム、４塩化すず、４臭化
すず等の４ハカゲン化すず、３塩化アンチモン、５塩化
アンチモン等のハロゲン化アンチモン、３塩化ビスマス
、３塩化アルミニウム、３臭化アルミニウム等の３ハロ
ゲン化アルミニウム、２塩化亜鉛、３塩化鉄、トルエン
スルホン酸、ポリ燐酸エステル、硫酸、トリクロロ酢酸
、トリフルオロ酢酸、硫酸亜鉛、硫酸第２鉄が挙げられ
る。
３塩化ほう素、３臭化ほう素、３弗化ほう素等の３ハロ
ゲン化ほう素、４塩化チタン、４臭化チタン等の４ハロ
ゲン化チタン、４塩化ジルコニウム、４臭化ジルコニウ
ム等の４ハロゲン化ジルコニウム、４塩化すず、４臭化
すず等の４ハカゲン化すず、３塩化アンチモン、５塩化
アンチモン等のハロゲン化アンチモン、３塩化ビスマス
、３塩化アルミニウム、３臭化アルミニウム等の３ハロ
ゲン化アルミニウム、２塩化亜鉛、３塩化鉄、トルエン
スルホン酸、ポリ燐酸エステル、硫酸、トリクロロ酢酸
、トリフルオロ酢酸、硫酸亜鉛、硫酸第２鉄が挙げられ
る。
またこの反応で使用される溶媒としては例えばジクロロ
メタン、クロロホルム、ベンゼン、テトラヒドロフラン
、２硫化炭素等が挙げられるが、その他のこの反応に悪
影響を与えない溶媒はいずれも使用することができる。
メタン、クロロホルム、ベンゼン、テトラヒドロフラン
、２硫化炭素等が挙げられるが、その他のこの反応に悪
影響を与えない溶媒はいずれも使用することができる。
この反応の温度は特に限定されないが、通常冷却下ない
し、室温程度の緩和な条件下で充分進行する場合が多い
。
し、室温程度の緩和な条件下で充分進行する場合が多い
。
この反応において、生成する（Ｉ［）の２−セフエム体
及び３−セフエム体のうち、３セフエム体には、２位に
おける立体異性体が存在し、その二者が同時に得られる
場合があるが、いずれの化合物もこの発明の範囲に含ま
れるものであり、また両者は必要に応じて、再結晶等の
常法により夫々を単離することができる。またこの反応
において、反応中もしくは反応の後処理中にカルボキシ
基がそのエステルまたは塩類に転じる場合、カルボキシ
基におけるエステルまたは塩類が別のエステルまたは塩
類もしくは遊離のカルボキシ基に転じる場合、アミノ基
の保護基が脱離する場合等はすべてこの発明の範囲に包
含される。この発明の反応により生成する化合物（１１
）は新規物質であ゛フ、抗菌活性を有し、医薬として有
用であり、また他の抗菌性物質を製造する中間体として
も有用である。次にこの発明を実施例により説明する。
及び３−セフエム体のうち、３セフエム体には、２位に
おける立体異性体が存在し、その二者が同時に得られる
場合があるが、いずれの化合物もこの発明の範囲に含ま
れるものであり、また両者は必要に応じて、再結晶等の
常法により夫々を単離することができる。またこの反応
において、反応中もしくは反応の後処理中にカルボキシ
基がそのエステルまたは塩類に転じる場合、カルボキシ
基におけるエステルまたは塩類が別のエステルまたは塩
類もしくは遊離のカルボキシ基に転じる場合、アミノ基
の保護基が脱離する場合等はすべてこの発明の範囲に包
含される。この発明の反応により生成する化合物（１１
）は新規物質であ゛フ、抗菌活性を有し、医薬として有
用であり、また他の抗菌性物質を製造する中間体として
も有用である。次にこの発明を実施例により説明する。
実施例 Ａ−１
２−メチル−２・３−メチレン−６−（２−フエニルア
セトアミド）ペナム一３−カルボン酸の２・２・２−ト
リクロロエチルエステル４．６ｙを乾燥ジクロルメタン
３０ｍ１に溶解し、−１０℃に冷却下この溶液に臭化ア
ルミニウム３４′ｉｌを乾燥ジクロルメタン２０ｍ１に
溶解した溶液を、約１０分間かかつて滴下する。
セトアミド）ペナム一３−カルボン酸の２・２・２−ト
リクロロエチルエステル４．６ｙを乾燥ジクロルメタン
３０ｍ１に溶解し、−１０℃に冷却下この溶液に臭化ア
ルミニウム３４′ｉｌを乾燥ジクロルメタン２０ｍ１に
溶解した溶液を、約１０分間かかつて滴下する。
滴下後、反応温度を室温にもどし、４．５時間攪拌した
のち、反応液を２％塩酸３０ｍ１で３回、ついで飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液の
順に洗浄する。ついでこれを硫酸マグネシウムで乾燥後
、溶媒を留去し、得られる残渣をエーテルで洗浄後、沢
取すると２−メチルーJヨ黶i２−フエニルアセトアミド
）−３−セフエム一４−カルボン酸の２・２・２−トリ
クロロエチルエステル３．３ｙ（７２％）を得る。本品
をエタノールから再結晶するとＭｐｌ７５〜１７８℃と
なる。
のち、反応液を２％塩酸３０ｍ１で３回、ついで飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液の
順に洗浄する。ついでこれを硫酸マグネシウムで乾燥後
、溶媒を留去し、得られる残渣をエーテルで洗浄後、沢
取すると２−メチルーJヨ黶i２−フエニルアセトアミド
）−３−セフエム一４−カルボン酸の２・２・２−トリ
クロロエチルエステル３．３ｙ（７２％）を得る。本品
をエタノールから再結晶するとＭｐｌ７５〜１７８℃と
なる。
赤外線吸収スペクトル（ヌジヨール）
３２５０、１７９０、１７４０Ｊ６６０礪＝１核磁気共
鳴吸収スペクトル（ＣＤＣｌ３、τ）８．５４（３Ｈ，
．ｄ，．Ｊ−７．５Ｈｚ）６．４０（２Ｈ．ｓ）６．３
８（１Ｈ．．ｍ） ５．１７（２Ｈ．ｓ） ５．０８（１Ｈ，．ｄ，．Ｊ−４．５Ｈｚ）４０６（１
Ｈ．ｄ／Ｄ．Ｊ−４．５、９Ｈｚ）３．５４（１Ｈ，．
ｄ，．Ｊ−９Ｈｚ）３３４（１Ｈ，．ｄ．Ｊ＝６Ｈｚ） ２．７０（５Ｈ，．ｓ） 実施例 Ａ−２ ２−メチル−２・３−メチレン−６−｛２（１Ｈ−テト
ラゾール−１−イル）アセトアミド｝ペナム一３−カル
ボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル０．４
６７を乾燥ジクロルメタン１０ｍ１に懸濁し、氷冷下、
臭化アルミニウム０．４７を乾燥ジクロルメタン５ｍ１
に溶解した溶液を滴下し、室温で４時間攪拌する。
鳴吸収スペクトル（ＣＤＣｌ３、τ）８．５４（３Ｈ，
．ｄ，．Ｊ−７．５Ｈｚ）６．４０（２Ｈ．ｓ）６．３
８（１Ｈ．．ｍ） ５．１７（２Ｈ．ｓ） ５．０８（１Ｈ，．ｄ，．Ｊ−４．５Ｈｚ）４０６（１
Ｈ．ｄ／Ｄ．Ｊ−４．５、９Ｈｚ）３．５４（１Ｈ，．
ｄ，．Ｊ−９Ｈｚ）３３４（１Ｈ，．ｄ．Ｊ＝６Ｈｚ） ２．７０（５Ｈ，．ｓ） 実施例 Ａ−２ ２−メチル−２・３−メチレン−６−｛２（１Ｈ−テト
ラゾール−１−イル）アセトアミド｝ペナム一３−カル
ボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル０．４
６７を乾燥ジクロルメタン１０ｍ１に懸濁し、氷冷下、
臭化アルミニウム０．４７を乾燥ジクロルメタン５ｍ１
に溶解した溶液を滴下し、室温で４時間攪拌する。
反応後、反応液を２％塩酸で３回、飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液ついで飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、
硫酸マグネシウムで乾燥する。乾燥後、溶媒を留去し、
得られる残渣をエタノールで結晶化するとＭｐｌ６８〜
１７０℃の２−メチルーJヨ黶o２（１Ｈ−テトラゾール
−１−イル）アセトアミド｝３−セフエム一４−カルボ
ン酸の２・２・２トリクロロエチルエステル０．２４Ｖ
（５０％）を得る。
ウム水溶液ついで飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、
硫酸マグネシウムで乾燥する。乾燥後、溶媒を留去し、
得られる残渣をエタノールで結晶化するとＭｐｌ６８〜
１７０℃の２−メチルーJヨ黶o２（１Ｈ−テトラゾール
−１−イル）アセトアミド｝３−セフエム一４−カルボ
ン酸の２・２・２トリクロロエチルエステル０．２４Ｖ
（５０％）を得る。
赤外線吸収スペクトル（臭化カリウム錠）１７８５、１
７４０．１７００（１７７１−１元素分析 Ｃｌ３Ｈｌ
３Ｎ６Ｏ４ＳＣｌ３計算値 Ｃ３４，２６、Ｈ２．８７
、Ｎｌ８．４４実験値 Ｃ３４．２９、Ｈ２．６２、Ｎ
ｌ８．３ｌ実施例 Ａ−３２−メチル−２・３−メチレ
ン−６−（２−フエニルアセトアミド）ペナム一３−カ
ルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル０．
４６ｙを乾燥ジクロルメタン５ｍ１に溶解し、この溶液
に４塩化チタン０．１９７を加え、２．５時間攪拌する
。
７４０．１７００（１７７１−１元素分析 Ｃｌ３Ｈｌ
３Ｎ６Ｏ４ＳＣｌ３計算値 Ｃ３４，２６、Ｈ２．８７
、Ｎｌ８．４４実験値 Ｃ３４．２９、Ｈ２．６２、Ｎ
ｌ８．３ｌ実施例 Ａ−３２−メチル−２・３−メチレ
ン−６−（２−フエニルアセトアミド）ペナム一３−カ
ルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル０．
４６ｙを乾燥ジクロルメタン５ｍ１に溶解し、この溶液
に４塩化チタン０．１９７を加え、２．５時間攪拌する
。
反応後、反応液を２％塩酸で３回、飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液の順に洗浄し、
硫酸マグネシウムで乾燥する。乾燥後、溶媒を留去して
得られる残渣（０．４３ｙ）をシリカゲル１０７を用い
てクロロホルムを展開溶媒としてカラムクロマトグラフ
イ一に付し精製するとＭｐｌ３６〜１３７℃の２−メチ
ルー７（２−フエニルアセトアミド）−２−セフエム４
−カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル
０．１７を得る。赤外線吸収スペクトル（ヌジヨール） ３２５０、１７６０、１７４０１１６５０ＣＴｒＬ−１
核磁気共鳴吸収スペクトル（ＣＤＣｌ３、τ）８．０６
（３Ｈ，．ｔ）６．３８（２Ｈ．ｓ） ５．２６（２Ｈ，．ｓ） ５．００（１Ｈｓｍ） ４８２（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝４．５Ｈｚ） ４３０（１Ｈ．ｄｄ，．Ｊ−４，５、９Ｈｚ）４４１（
１Ｈ，．ｍ）３，６５（１Ｈ．ｄ．Ｊ−９Ｈｚ） ２．６６（５Ｈ，．ｓ） 元素分析 Ｃｌ８Ｈｌ７Ｎ２Ｏ４ＳＣｌ３計算値 Ｃ４
６．６ｌ、Ｈ３．７Ｏ，．Ｎ６．Ｏ４、Ｓ６．９ｌ、Ｃ
ｌ２２．９４実験値 Ｃ４６．４６、Ｈ３．６ｌ、Ｎ５
．９６、Ｓ６．９５、Ｃｌ２２．９７実施例 Ａ−４ ２−メチル−２・３−メチレン−６−（２−フエニルア
セトアミド）ペナム一３−カルボン酸の２・２・２−ト
リクロロエチルエステル９．２ｙを乾燥ジクロルメタン
１００ｍ１に溶解し、この溶液に氷冷下塩化アルミニウ
ム２．６６ｙを２度に分けて加えたのち、室温で７時間
攪拌する。
ウム水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液の順に洗浄し、
硫酸マグネシウムで乾燥する。乾燥後、溶媒を留去して
得られる残渣（０．４３ｙ）をシリカゲル１０７を用い
てクロロホルムを展開溶媒としてカラムクロマトグラフ
イ一に付し精製するとＭｐｌ３６〜１３７℃の２−メチ
ルー７（２−フエニルアセトアミド）−２−セフエム４
−カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル
０．１７を得る。赤外線吸収スペクトル（ヌジヨール） ３２５０、１７６０、１７４０１１６５０ＣＴｒＬ−１
核磁気共鳴吸収スペクトル（ＣＤＣｌ３、τ）８．０６
（３Ｈ，．ｔ）６．３８（２Ｈ．ｓ） ５．２６（２Ｈ，．ｓ） ５．００（１Ｈｓｍ） ４８２（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝４．５Ｈｚ） ４３０（１Ｈ．ｄｄ，．Ｊ−４，５、９Ｈｚ）４４１（
１Ｈ，．ｍ）３，６５（１Ｈ．ｄ．Ｊ−９Ｈｚ） ２．６６（５Ｈ，．ｓ） 元素分析 Ｃｌ８Ｈｌ７Ｎ２Ｏ４ＳＣｌ３計算値 Ｃ４
６．６ｌ、Ｈ３．７Ｏ，．Ｎ６．Ｏ４、Ｓ６．９ｌ、Ｃ
ｌ２２．９４実験値 Ｃ４６．４６、Ｈ３．６ｌ、Ｎ５
．９６、Ｓ６．９５、Ｃｌ２２．９７実施例 Ａ−４ ２−メチル−２・３−メチレン−６−（２−フエニルア
セトアミド）ペナム一３−カルボン酸の２・２・２−ト
リクロロエチルエステル９．２ｙを乾燥ジクロルメタン
１００ｍ１に溶解し、この溶液に氷冷下塩化アルミニウ
ム２．６６ｙを２度に分けて加えたのち、室温で７時間
攪拌する。
反応後、反応液を２％塩酸で３回、飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液の順に洗浄し、
硫酸マグネシウムで乾燥する。乾燥後、溶媒を留去し、
得られる残渣をシリカゲル２００ｙを用いて、クロロホ
ルムを展開溶媒としてカラムクロマトグラフイ一に付し
精製するとＭｐｌ７５〜１７８℃の２−メチルーJヨ黶
i２−フエニルアセトアミド）−３−セフエム一４−カ
ルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル２．
４ｙ（２５％）を得る。赤外線吸収スペクトル（ヌジヨ
ール） ３２５０、１７９０１１７４０１１６６０ＣＴＩＩ−１
核磁気共鳴吸収スペクトル（ＣＤＣｌ３、τ）８．５４
（３Ｈ，．ｄ，．Ｊ−７．５Ｈｚ）６．４０（２Ｈ．ｓ
）６．３８（１Ｈ，．ｍ） ５．１７（２Ｈ，．ｓ） ５．０８（１Ｈ，．ｄ．Ｊ＝４．５Ｈｚ）４０６（１Ｈ
，．ｄｄ，．Ｊ＝４，５、９Ｈｚ）３５４（１Ｈ．ｄ．
Ｊ−９Ｈｚ）３．３４（１Ｈ，．ｄ．．Ｊ＝６Ｈｚ） ２．７０（５Ｈ，．ｓ） 元素分析 Ｃｌ８Ｈｌ７Ｎ２Ｏ４ＳＣｌ３計算値 Ｃ４
６．６ｌ、Ｈ３．７Ｏ、Ｎ６．Ｏ４、Ｓ６．９ｌ実験値
Ｃ４６．７ｌ．Ｈ３７Ｏ、Ｎ６．ｌ２、Ｓ６．９８実
施例 Ａ−５ 臭化アルミニウム０．５ｔを乾燥ジクロルメタン１０ｍ
１に溶解し、−１５〜−１２゜Ｃに冷却下、この溶液に
２−メチル−２・３−メチレン−６（ベンジルオキシカ
ルボキサミド）ペナム一３カルボン酸の２・２・２−ト
リクロロエチルエステル０．５８７を乾燥ジクロルメタ
ン１０ｍ１に溶解した溶液を滴下し、同温度で２０分間
撹拌後、室温で１．５時間攪拌する。
ウム水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液の順に洗浄し、
硫酸マグネシウムで乾燥する。乾燥後、溶媒を留去し、
得られる残渣をシリカゲル２００ｙを用いて、クロロホ
ルムを展開溶媒としてカラムクロマトグラフイ一に付し
精製するとＭｐｌ７５〜１７８℃の２−メチルーJヨ黶
i２−フエニルアセトアミド）−３−セフエム一４−カ
ルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル２．
４ｙ（２５％）を得る。赤外線吸収スペクトル（ヌジヨ
ール） ３２５０、１７９０１１７４０１１６６０ＣＴＩＩ−１
核磁気共鳴吸収スペクトル（ＣＤＣｌ３、τ）８．５４
（３Ｈ，．ｄ，．Ｊ−７．５Ｈｚ）６．４０（２Ｈ．ｓ
）６．３８（１Ｈ，．ｍ） ５．１７（２Ｈ，．ｓ） ５．０８（１Ｈ，．ｄ．Ｊ＝４．５Ｈｚ）４０６（１Ｈ
，．ｄｄ，．Ｊ＝４，５、９Ｈｚ）３５４（１Ｈ．ｄ．
Ｊ−９Ｈｚ）３．３４（１Ｈ，．ｄ．．Ｊ＝６Ｈｚ） ２．７０（５Ｈ，．ｓ） 元素分析 Ｃｌ８Ｈｌ７Ｎ２Ｏ４ＳＣｌ３計算値 Ｃ４
６．６ｌ、Ｈ３．７Ｏ、Ｎ６．Ｏ４、Ｓ６．９ｌ実験値
Ｃ４６．７ｌ．Ｈ３７Ｏ、Ｎ６．ｌ２、Ｓ６．９８実
施例 Ａ−５ 臭化アルミニウム０．５ｔを乾燥ジクロルメタン１０ｍ
１に溶解し、−１５〜−１２゜Ｃに冷却下、この溶液に
２−メチル−２・３−メチレン−６（ベンジルオキシカ
ルボキサミド）ペナム一３カルボン酸の２・２・２−ト
リクロロエチルエステル０．５８７を乾燥ジクロルメタ
ン１０ｍ１に溶解した溶液を滴下し、同温度で２０分間
撹拌後、室温で１．５時間攪拌する。
反応後、反応液を５％塩酸、水、５％炭酸水素ナトリウ
ム水溶液、水の順に洗浄し、乾燥後、溶媒を留去すると
油分を得る。この油分をエタノールに溶解し、放冷した
後析出する結晶を沢取し乾燥するとＭｐｌ４３〜１４４
℃の２−メチルーJメ[ベンジルオキシカルボキサミド一
３−セフエム一４−カルボン酸の２・２・２−トリクロ
ロエチルエステルを得る。赤外線吸収スペクトル（ヌジ
ヨール） ３３４０１１７９７、１７３３、１７２１、１６３００
１ｒＬ−１核磁気共鳴吸収スペクトル（Ｄ６−ジメチル
スルホキシド、τ）８．５０（３Ｈ，．ｄ，．Ｊ−７Ｈ
ｚ） ６．０８（１Ｈ．．ｍ） ４．９３（２Ｈ．．ｓ） ４８５（２Ｈ．．ｓ） ４，８５（１Ｈ，．ｄ，．Ｊ−４Ｈｚ） ４３０（１Ｈ．ｄ／Ｄ．Ｊ−４８Ｈｚ） ３．２３（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝６Ｈｚ） ２．６２（５Ｈ，．ｓ） 実施例 Ａ−６ 臭化アルミニウム２．８７を乾燥ジクロルメタン２０ｍ
１に溶解し、−１５℃に冷却下、この溶液に２−メチル
−２・３−メチレン−６−｛２−（３クロロフエニル）
アセトアミド｝ペナム一３カルボン酸の２・２・２−ト
リクロロエチルエステル３。
ム水溶液、水の順に洗浄し、乾燥後、溶媒を留去すると
油分を得る。この油分をエタノールに溶解し、放冷した
後析出する結晶を沢取し乾燥するとＭｐｌ４３〜１４４
℃の２−メチルーJメ[ベンジルオキシカルボキサミド一
３−セフエム一４−カルボン酸の２・２・２−トリクロ
ロエチルエステルを得る。赤外線吸収スペクトル（ヌジ
ヨール） ３３４０１１７９７、１７３３、１７２１、１６３００
１ｒＬ−１核磁気共鳴吸収スペクトル（Ｄ６−ジメチル
スルホキシド、τ）８．５０（３Ｈ，．ｄ，．Ｊ−７Ｈ
ｚ） ６．０８（１Ｈ．．ｍ） ４．９３（２Ｈ．．ｓ） ４８５（２Ｈ．．ｓ） ４，８５（１Ｈ，．ｄ，．Ｊ−４Ｈｚ） ４３０（１Ｈ．ｄ／Ｄ．Ｊ−４８Ｈｚ） ３．２３（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝６Ｈｚ） ２．６２（５Ｈ，．ｓ） 実施例 Ａ−６ 臭化アルミニウム２．８７を乾燥ジクロルメタン２０ｍ
１に溶解し、−１５℃に冷却下、この溶液に２−メチル
−２・３−メチレン−６−｛２−（３クロロフエニル）
アセトアミド｝ペナム一３カルボン酸の２・２・２−ト
リクロロエチルエステル３。
４７を乾燥ジクロルメタン５．０ｍ１に溶解した溶液を
滴下し、のち室温で３時間攪拌する。
滴下し、のち室温で３時間攪拌する。
反応後、反応液を５％塩酸、水、５％炭酸水素ナトリウ
ム水溶液ついで水の順に洗浄し、乾燥する。乾燥後、溶
媒を留去して得られる油分をエーテルから結晶化すると
Ｍｐｌ４４〜１４５．５℃（分解）の２−メチルーJヨ
黶o２−（３−クロロフエニル）アセトアミド｝−３−
セフエム一４−カルボン酸の２・２・２−トリクロロエ
チルエステル２．９７を得る。赤外線吸収スペクトル（
ヌジヨール） ３２８０１７７９１７３０１６６７１６２６ｃＴｎ−１
核磁気共鳴吸収スペクトル（ＣＤＣｌ３、τ）８．５２
（３Ｈ．．ｄ．．Ｊ＝７Ｈｚ）６．４０（２Ｈ，．ｓ） ６．３３（１Ｈ．．ｍ） ５．１３（２Ｈ，．ｓ） ５．０５（１Ｈ，．ｄ．Ｊ−４Ｈｚ） ４．０５（１Ｈ，．ｄ／Ｄ．Ｊ−４、８Ｈｚ）３，３２
（１Ｈ，．ｄ，．Ｊ−６Ｈｚ）２．７７（５Ｈ，．ｍ） 実施例 Ａ−７ 臭化アルミニウム２．１４７を乾燥ジクロルメタン１０
ｍ１に溶解し、−１５℃に冷却下、この溶液に２−メチ
ル−２・３−メチレン−６−｛２−（２−チエニル）ア
セトアミド｝ペナム一３−カルボン酸の２・２・２−ト
リクロロエチルエステル１．７４７を乾燥ジクロルメタ
ン２０ｍ１に溶解した溶液を滴下したのち、室温で４時
間攪拌する。
ム水溶液ついで水の順に洗浄し、乾燥する。乾燥後、溶
媒を留去して得られる油分をエーテルから結晶化すると
Ｍｐｌ４４〜１４５．５℃（分解）の２−メチルーJヨ
黶o２−（３−クロロフエニル）アセトアミド｝−３−
セフエム一４−カルボン酸の２・２・２−トリクロロエ
チルエステル２．９７を得る。赤外線吸収スペクトル（
ヌジヨール） ３２８０１７７９１７３０１６６７１６２６ｃＴｎ−１
核磁気共鳴吸収スペクトル（ＣＤＣｌ３、τ）８．５２
（３Ｈ．．ｄ．．Ｊ＝７Ｈｚ）６．４０（２Ｈ，．ｓ） ６．３３（１Ｈ．．ｍ） ５．１３（２Ｈ，．ｓ） ５．０５（１Ｈ，．ｄ．Ｊ−４Ｈｚ） ４．０５（１Ｈ，．ｄ／Ｄ．Ｊ−４、８Ｈｚ）３，３２
（１Ｈ，．ｄ，．Ｊ−６Ｈｚ）２．７７（５Ｈ，．ｍ） 実施例 Ａ−７ 臭化アルミニウム２．１４７を乾燥ジクロルメタン１０
ｍ１に溶解し、−１５℃に冷却下、この溶液に２−メチ
ル−２・３−メチレン−６−｛２−（２−チエニル）ア
セトアミド｝ペナム一３−カルボン酸の２・２・２−ト
リクロロエチルエステル１．７４７を乾燥ジクロルメタ
ン２０ｍ１に溶解した溶液を滴下したのち、室温で４時
間攪拌する。
反応後、反応液は５％塩酸、水、５％炭酸水素ナトリウ
ム水溶液、水の順に洗浄し、乾燥する。乾燥後、溶媒を
留去して得られる粉末をエタノールから再結晶するとＭ
ｐｌ６ｌ〜１６２℃（分解）の２−メチルーJヨ黶o２−
（２−チエニル）アセトアミド｝−３−セフエム一４−
カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル１
．４６７を得る。赤外線吸収スペクトル（ヌジヨール） ３３００１１７９５、１７４８、１６７５、１６３０ｃ
ｍ−１核磁気共鳴吸収スペクトル（ＣＤＣｌ３、τ）８
．５０（３Ｈ．．ｄ．．Ｊ＝７Ｈｚ）６．２６（１Ｈ．
．ｍ） ６．１５（２Ｈ．．ｓ） ５．１２（２Ｈ，．ｓ） ５．０２（１Ｈ．．ｄ，．Ｊ−４Ｈｚ） ４．０５（１Ｈ．ｄ／Ｄ．Ｊ＝４８Ｈｚ）３．２９（１
Ｈ．ｄ．Ｊ−６Ｈｚ） ３．０３〜２．６７（３Ｈ，．ｍ） 実施例 Ａ−８ ２−メチル−２・３−メチレン−６−｛２（１・２・５
−チアジアゾール一３−イル）アセトアミド｝ペナム一
３−カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステ
ル１６．５７を乾燥ジクロルメタン１００ｍ１に溶解し
、この溶液を臭化アルミニウム１７．５７を乾燥ジクロ
ルメタン１００ｍ１に溶解した溶液に反応温度が−１０
℃以上にならないよう注意しながら徐々に滴下する。
ム水溶液、水の順に洗浄し、乾燥する。乾燥後、溶媒を
留去して得られる粉末をエタノールから再結晶するとＭ
ｐｌ６ｌ〜１６２℃（分解）の２−メチルーJヨ黶o２−
（２−チエニル）アセトアミド｝−３−セフエム一４−
カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル１
．４６７を得る。赤外線吸収スペクトル（ヌジヨール） ３３００１１７９５、１７４８、１６７５、１６３０ｃ
ｍ−１核磁気共鳴吸収スペクトル（ＣＤＣｌ３、τ）８
．５０（３Ｈ．．ｄ．．Ｊ＝７Ｈｚ）６．２６（１Ｈ．
．ｍ） ６．１５（２Ｈ．．ｓ） ５．１２（２Ｈ，．ｓ） ５．０２（１Ｈ．．ｄ，．Ｊ−４Ｈｚ） ４．０５（１Ｈ．ｄ／Ｄ．Ｊ＝４８Ｈｚ）３．２９（１
Ｈ．ｄ．Ｊ−６Ｈｚ） ３．０３〜２．６７（３Ｈ，．ｍ） 実施例 Ａ−８ ２−メチル−２・３−メチレン−６−｛２（１・２・５
−チアジアゾール一３−イル）アセトアミド｝ペナム一
３−カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステ
ル１６．５７を乾燥ジクロルメタン１００ｍ１に溶解し
、この溶液を臭化アルミニウム１７．５７を乾燥ジクロ
ルメタン１００ｍ１に溶解した溶液に反応温度が−１０
℃以上にならないよう注意しながら徐々に滴下する。
滴下後、０℃以下で２時間撹拌後、室温でさらに２時間
攪拌する。反応後、反応液を２％塩酸１００ｍ１で２回
、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和塩化ナトリウム
水溶液で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。乾
燥後、溶媒を留去するとＭｐｌ８Ｏ〜１８５℃（分解）
、粉末状の２−メチルJヨ黶o２−（１・２・５−チアジ
アゾール一３−イル）アセトアミド｝−３−セフエム一
４−カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステ
ル１３．２７（８０％）を得る。赤外線吸収スペクトル
（ヌジヨール） ３５００１１７８７、１７４５、１６８０、１６３４０
１ＴＬ−１核磁気共鳴吸収スペクトル（ＣＤＣｌ３、τ
）８．４９（３Ｈ，．ｄ，．Ｊ−７Ｈｚ）６．２５（１
Ｈ．．ｍ） ５．９７（２Ｈ，．Ｓ） ５．１０（２Ｈ．．ｓ） ５．０１（１Ｈ．ｄ．Ｊ−５Ｈｚ） ４．０２（１Ｈ．ｄｄ．Ｊ＝９．５、５Ｈｚ）３，２８
（１Ｈ，．ｄ．．Ｊ−６Ｈｚ）２．４２（１Ｈ，．ｄ．
．Ｊ−９．５Ｈｚ）１．５７（１Ｈ．ｓ）実施例 Ａ−
９ 臭化アルミニウム２．３２７を乾燥ジクロルメタン２３
ｍ１に溶解し、−１０℃に冷却下この溶液に２−メチル
−２・３−メチレン−６−（２−フエノキシアセトアミ
ド）ペナム一３−カルボン酸のメチルエステル２．１７
を乾燥ジクロルメタン１１ｍ１に溶解した液を８分間で
滴下したのち、徐々に温度を上げ、室温にもどして４．
４時間攪拌する。
攪拌する。反応後、反応液を２％塩酸１００ｍ１で２回
、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和塩化ナトリウム
水溶液で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。乾
燥後、溶媒を留去するとＭｐｌ８Ｏ〜１８５℃（分解）
、粉末状の２−メチルJヨ黶o２−（１・２・５−チアジ
アゾール一３−イル）アセトアミド｝−３−セフエム一
４−カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステ
ル１３．２７（８０％）を得る。赤外線吸収スペクトル
（ヌジヨール） ３５００１１７８７、１７４５、１６８０、１６３４０
１ＴＬ−１核磁気共鳴吸収スペクトル（ＣＤＣｌ３、τ
）８．４９（３Ｈ，．ｄ，．Ｊ−７Ｈｚ）６．２５（１
Ｈ．．ｍ） ５．９７（２Ｈ，．Ｓ） ５．１０（２Ｈ．．ｓ） ５．０１（１Ｈ．ｄ．Ｊ−５Ｈｚ） ４．０２（１Ｈ．ｄｄ．Ｊ＝９．５、５Ｈｚ）３，２８
（１Ｈ，．ｄ．．Ｊ−６Ｈｚ）２．４２（１Ｈ，．ｄ．
．Ｊ−９．５Ｈｚ）１．５７（１Ｈ．ｓ）実施例 Ａ−
９ 臭化アルミニウム２．３２７を乾燥ジクロルメタン２３
ｍ１に溶解し、−１０℃に冷却下この溶液に２−メチル
−２・３−メチレン−６−（２−フエノキシアセトアミ
ド）ペナム一３−カルボン酸のメチルエステル２．１７
を乾燥ジクロルメタン１１ｍ１に溶解した液を８分間で
滴下したのち、徐々に温度を上げ、室温にもどして４．
４時間攪拌する。
反応後、反応液を氷水１５０ｍ１中に注入し、ジクロル
メタン層を分取後水層をクロロホルムで１回抽出する。
ジクロルメタン抽出液とクロロホルム抽出液を合し、水
、２％塩酸、水、希炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順
に洗浄し硫酸マグネシウムで乾燥する。乾燥後、溶媒を
留去し、得られる黄色油分をシリカゲル１５７を用いて
クロロホルムを展開溶媒としてカラムクロマトグラフイ
一に付し精製すると橙色油分の２−メチルーJヨ黶i２フ
エノキシアセトアミド）−３−セフエム一４カルボン酸
のメチルエステル０．７ｙを得る。赤外線吸収スペクト
ル（クロロホルム）３４００、１７８５、１７２６、１
６８９ＣＴｒＬ−１核磁気共鳴吸収スペクトル（ＣＤＣ
ｌ３、τ）８．５７（３Ｈ．ｄ．Ｊ−７Ｈｚ）６．４０
（１Ｈ，．ｍ） ６．２７（３Ｈ．ｓ） ５．５７（２Ｈ，．ｓ） ５．１５（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝５Ｈｚ） ４．１３（１Ｈ．ｄｄ．Ｊ−９．５Ｈｚ）３．５８（１
Ｈ．ｄ．Ｊ＝６Ｈｚ） ３．４〜２．７（５Ｈ．ｍ） ２．５３（１Ｈ．ｄ．Ｊ−９Ｈｚ） 実施例 Ａ−１０ 臭化アルミニウム１．１６７を乾燥ジクロルメタン１２
ｍ１に溶解し、−１０℃に冷却下この溶液に２−メチル
−２・３−メチレン−６−（２−フエノキシアセトアミ
ド）ペナム一３−カルボン酸の２・２・２−トリクロロ
エチルエステル１．３９７を乾燥ジクロルメタン７ｍｌ
に溶解した溶液を１０分間で滴下したのち、徐々に温度
を上げ、室温にもどして４時間攪拌する。
メタン層を分取後水層をクロロホルムで１回抽出する。
ジクロルメタン抽出液とクロロホルム抽出液を合し、水
、２％塩酸、水、希炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順
に洗浄し硫酸マグネシウムで乾燥する。乾燥後、溶媒を
留去し、得られる黄色油分をシリカゲル１５７を用いて
クロロホルムを展開溶媒としてカラムクロマトグラフイ
一に付し精製すると橙色油分の２−メチルーJヨ黶i２フ
エノキシアセトアミド）−３−セフエム一４カルボン酸
のメチルエステル０．７ｙを得る。赤外線吸収スペクト
ル（クロロホルム）３４００、１７８５、１７２６、１
６８９ＣＴｒＬ−１核磁気共鳴吸収スペクトル（ＣＤＣ
ｌ３、τ）８．５７（３Ｈ．ｄ．Ｊ−７Ｈｚ）６．４０
（１Ｈ，．ｍ） ６．２７（３Ｈ．ｓ） ５．５７（２Ｈ，．ｓ） ５．１５（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝５Ｈｚ） ４．１３（１Ｈ．ｄｄ．Ｊ−９．５Ｈｚ）３．５８（１
Ｈ．ｄ．Ｊ＝６Ｈｚ） ３．４〜２．７（５Ｈ．ｍ） ２．５３（１Ｈ．ｄ．Ｊ−９Ｈｚ） 実施例 Ａ−１０ 臭化アルミニウム１．１６７を乾燥ジクロルメタン１２
ｍ１に溶解し、−１０℃に冷却下この溶液に２−メチル
−２・３−メチレン−６−（２−フエノキシアセトアミ
ド）ペナム一３−カルボン酸の２・２・２−トリクロロ
エチルエステル１．３９７を乾燥ジクロルメタン７ｍｌ
に溶解した溶液を１０分間で滴下したのち、徐々に温度
を上げ、室温にもどして４時間攪拌する。
反応後、反応液を氷水７０ｍ１に注入し、ジクロルメタ
ン層を分取し水層をクロロホルムで１回抽出し、ジクロ
ルメタン層と合し、これを水、２％の塩酸、水、希炭酸
水素ナトリウム水溶液、水で順次洗浄し、硫酸マグネシ
ウムで乾燥する。乾燥後、溶媒を留去し、得られる淡褐
色油分（１．２ｆ７）にエーテルと少量のイソプロピル
エーテルを加え、結晶化し、これを沢取してイソプロピ
ルエーテルで洗浄する。この結晶をベンゼンリイソプロ
ピルエーテル（１：３）の混液から再結晶すると無色粒
状晶としてＭｐｌｌ８〜１２０℃の２−メチルーJヨ黶
i２−フエノキシアセトアミド）−３−セフエム一４−
カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル０
．９７（６４．７％）を得る。赤外線吸収スペクトル（
ヌジヨール） ３３００、１８０３、１７４６、１６８７？−１核磁気
共鳴吸収スペクトル（ＣＤＣｌ３、τ）８．５２（３Ｈ
，．ｄ，．Ｊ−７Ｈｚ）６．３３（１Ｈ，．ｍ） ５．５３（２Ｈ，．ｓ） ５．２０（２Ｈ．ｓ） ５．０８（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝４５Ｈｚ） ４，０５（１Ｈ．．ｄｄ，．Ｊ−９、４５Ｈｚ）３．４
０（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝６Ｈｚ）３．３〜２．７（５Ｈ，．
ｍ） ２．５８（１Ｈ，．ｄ．Ｊ−９Ｈｚ） 元素分析 Ｃ，８Ｈｌ７Ｎ２Ｏ５ＳＣｌ３計算値 Ｃ４
５．Ｏ６、Ｈ３．５７、Ｎ５．８４、Ｓ６．６８、ＣＩ
２２．ｌ７実験値 Ｃ４５．３６、Ｈ３．４８、Ｎ５．
７２、Ｓ６．７８、Ｃｌ２２，２９実施例 Ａ−１１ ２−メチル−２・３−メチレン−６−（２−フエニルア
セトアミド）ペナム一３−カルボン酸の２・２・２−ト
リクロロエチルエステル０．９２ｙを乾燥ジクロルメタ
ン５ｍ１に溶かした溶液を、３臭化アルミニウム０．８
Ｖを乾燥ジクロルメタン１０ｍ１に溶かした溶液に−１
０℃に冷却下に約５分間を要して滴下した後、室温で２
時間撹拌する。
ン層を分取し水層をクロロホルムで１回抽出し、ジクロ
ルメタン層と合し、これを水、２％の塩酸、水、希炭酸
水素ナトリウム水溶液、水で順次洗浄し、硫酸マグネシ
ウムで乾燥する。乾燥後、溶媒を留去し、得られる淡褐
色油分（１．２ｆ７）にエーテルと少量のイソプロピル
エーテルを加え、結晶化し、これを沢取してイソプロピ
ルエーテルで洗浄する。この結晶をベンゼンリイソプロ
ピルエーテル（１：３）の混液から再結晶すると無色粒
状晶としてＭｐｌｌ８〜１２０℃の２−メチルーJヨ黶
i２−フエノキシアセトアミド）−３−セフエム一４−
カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル０
．９７（６４．７％）を得る。赤外線吸収スペクトル（
ヌジヨール） ３３００、１８０３、１７４６、１６８７？−１核磁気
共鳴吸収スペクトル（ＣＤＣｌ３、τ）８．５２（３Ｈ
，．ｄ，．Ｊ−７Ｈｚ）６．３３（１Ｈ，．ｍ） ５．５３（２Ｈ，．ｓ） ５．２０（２Ｈ．ｓ） ５．０８（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝４５Ｈｚ） ４，０５（１Ｈ．．ｄｄ，．Ｊ−９、４５Ｈｚ）３．４
０（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝６Ｈｚ）３．３〜２．７（５Ｈ，．
ｍ） ２．５８（１Ｈ，．ｄ．Ｊ−９Ｈｚ） 元素分析 Ｃ，８Ｈｌ７Ｎ２Ｏ５ＳＣｌ３計算値 Ｃ４
５．Ｏ６、Ｈ３．５７、Ｎ５．８４、Ｓ６．６８、ＣＩ
２２．ｌ７実験値 Ｃ４５．３６、Ｈ３．４８、Ｎ５．
７２、Ｓ６．７８、Ｃｌ２２，２９実施例 Ａ−１１ ２−メチル−２・３−メチレン−６−（２−フエニルア
セトアミド）ペナム一３−カルボン酸の２・２・２−ト
リクロロエチルエステル０．９２ｙを乾燥ジクロルメタ
ン５ｍ１に溶かした溶液を、３臭化アルミニウム０．８
Ｖを乾燥ジクロルメタン１０ｍ１に溶かした溶液に−１
０℃に冷却下に約５分間を要して滴下した後、室温で２
時間撹拌する。
反応終了後反応液を２％塩酸、炭酸水素ナトリウム水溶
液、ついで飽和塩化ナトリウム水溶液の順に洗浄し、硫
酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を減圧下に留去する。
残留する結晶をエーテルで洗浄した後乾燥するとＭｐｌ
７５〜１７８℃の２メチルーJヨ黶i２−フエニルアセト
アミド）−３−セフエム一４−カルボン酸の２・２・２
−トリクロロエチルエステル０．７４７を得る。またエ
ーテル洗浄液を濃縮し、残留物をシリカゲル・カラムク
ロマトグラフイ一に付して精製すると、上記において得
られたＭｐｌ７５〜１７８゜Ｃの２−メチルーJヨ黶i２
−フエニルアセトアミド）−３−セフエム一４−カルボ
ン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステルの２位に
おける立体異性体であるＭｐｌｌ８〜１２０℃の２−メ
チルーJヨ黶i２−フエニルアセトアミド）−３−セフエ
ム一４−カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエ
ステル０．０５７およびＭｐｌ３６〜１３７℃の２−メ
チルーJヨ黶i２−フエニルアセトアミド）−２−セフエ
ム一４−カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエ
ステル０．０５７を得る。
液、ついで飽和塩化ナトリウム水溶液の順に洗浄し、硫
酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を減圧下に留去する。
残留する結晶をエーテルで洗浄した後乾燥するとＭｐｌ
７５〜１７８℃の２メチルーJヨ黶i２−フエニルアセト
アミド）−３−セフエム一４−カルボン酸の２・２・２
−トリクロロエチルエステル０．７４７を得る。またエ
ーテル洗浄液を濃縮し、残留物をシリカゲル・カラムク
ロマトグラフイ一に付して精製すると、上記において得
られたＭｐｌ７５〜１７８゜Ｃの２−メチルーJヨ黶i２
−フエニルアセトアミド）−３−セフエム一４−カルボ
ン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステルの２位に
おける立体異性体であるＭｐｌｌ８〜１２０℃の２−メ
チルーJヨ黶i２−フエニルアセトアミド）−３−セフエ
ム一４−カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエ
ステル０．０５７およびＭｐｌ３６〜１３７℃の２−メ
チルーJヨ黶i２−フエニルアセトアミド）−２−セフエ
ム一４−カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエ
ステル０．０５７を得る。
上記で得られたＭｐｌｌ８〜１２０℃の２−メチルーJ
ヨ黶i２−フエニルアセトアミド）−３セフエム一４−
カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステルを
ベンゼンから再結晶するとＭｐｌ２Ｏ〜１２３℃となる
。
ヨ黶i２−フエニルアセトアミド）−３セフエム一４−
カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステルを
ベンゼンから再結晶するとＭｐｌ２Ｏ〜１２３℃となる
。
赤外線吸収スペクトル（ヌジヨール）
３２５０、１７７５、１７４５、１６６０ＣＩｒＬ−１
核磁気共鳴吸収スペークトル（ＣＤＣｌ３、τ）８．５
０（３Ｈ．ｄ．Ｊ−８Ｈｚ）６．３７（２Ｈ．ｓ） ６．１２（１Ｈ．．ｍ） ５．１９、５．０５（２Ｈ．ＡＢｑ．Ｊ−１３Ｈｚ）４
．８９（１Ｈ．ｄ．Ｊ−５Ｈｚ）４．１５（１Ｈ，．ｄ
／Ｄ．Ｊ−５Ｈｚ、９Ｈｚ）３．６２（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝
９Ｈｚ）３５９（１Ｈ．．ｄ，．Ｊ−２Ｈｚ） ２．７０（５Ｈ，．ｓ） 実施例 Ａ−１２ ２−メチル−２・３−メチレン−６−（２−フエニルア
セトアミド）ペナム一３−カルボン酸０．６６７を２硫
化炭素７０ｍ１にけんだくした液に、３臭化アルミニウ
ム１．７７を２硫化炭素４０ｍ１に溶かした溶液を室温
攪拌下に滴下した後同温度で２０時間攪拌する。
核磁気共鳴吸収スペークトル（ＣＤＣｌ３、τ）８．５
０（３Ｈ．ｄ．Ｊ−８Ｈｚ）６．３７（２Ｈ．ｓ） ６．１２（１Ｈ．．ｍ） ５．１９、５．０５（２Ｈ．ＡＢｑ．Ｊ−１３Ｈｚ）４
．８９（１Ｈ．ｄ．Ｊ−５Ｈｚ）４．１５（１Ｈ，．ｄ
／Ｄ．Ｊ−５Ｈｚ、９Ｈｚ）３．６２（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝
９Ｈｚ）３５９（１Ｈ．．ｄ，．Ｊ−２Ｈｚ） ２．７０（５Ｈ，．ｓ） 実施例 Ａ−１２ ２−メチル−２・３−メチレン−６−（２−フエニルア
セトアミド）ペナム一３−カルボン酸０．６６７を２硫
化炭素７０ｍ１にけんだくした液に、３臭化アルミニウ
ム１．７７を２硫化炭素４０ｍ１に溶かした溶液を室温
攪拌下に滴下した後同温度で２０時間攪拌する。
反応終了後反応液を５％塩酸２００ｍ１に注ぎ、塩酸層
を分取した後酢酸エチルで抽出する、抽出液を水洗し、
乾燥した後溶媒を留去する。残留物をアセトニトリルか
ら再結晶するとＭｐｌＯ９℃（分解）の２−メチルーJ
ヨ■■ ４−カルボン酸０．３３７を得る。
を分取した後酢酸エチルで抽出する、抽出液を水洗し、
乾燥した後溶媒を留去する。残留物をアセトニトリルか
ら再結晶するとＭｐｌＯ９℃（分解）の２−メチルーJ
ヨ■■ ４−カルボン酸０．３３７を得る。
赤外線吸収スペクトル（ヌジヨール）３２５０１１７７
５、１７２０、１６５０循「１核磁気共鳴吸収スペクト
ル（ＣＤ３ＯＤ、τ）８．５２（３Ｈ．ｄ．Ｊ＝７４５
Ｈｚ）６．４０（２Ｈ．ｓ） ６．２０（１Ｈ，．ｍ） ５．００（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝４．５Ｈｚ） ４．１８（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝４．５Ｈｚ） ３，３４（１Ｈ，．ｄ．Ｊ＝６Ｈｚ） ２．７２（５Ｈ．ｓ） （１） ２−メチルーJヨ黶oＮ−（１−シクロプロピル
エトキシ）カルボニルフエニルグリシル｝アミノ−３−
セフエム一４−カルボン酸（Ｍｐｌ６８〜１６９℃）（
２） ２−メチルーJヨ黶o２−（１Ｈ−テトラゾール−
１−イル）アセトアミド｝−３−セフエム４−カルボン
酸｛Ｍｐ２Ｏ２〜２０３℃（分解）｝（３） ２−メチ
ルーJヨ黶o２−（２−チエニル）アセトアミド｝−３−
セフエム一４−カルボン酸｛Ｍｐｌ７５℃（分解）｝（
４） ２−メチルーJメ[ベンジルオキシカルボキサミド
一３−セフエム一４−カルボン酸｛Ｍｐｌ６７〜１６９
℃（分解）｝（５） ２−メチルーJヨ黶i２−フエニル
チオアセトアミド）−３−セフエム一４−カルボン酸｛
Ｍｐｌ６８〜１７「Ｃ（分解）｝ ３） ２−メチルーJヨ黶o２−（３−クロロフエニル）
アセトアミド｝−３−セフエム一４−カルボン酸｛Ｍｐ
ｌ７３〜１７４℃（分解）｝１） ２−メチルーJヨ黶
o３−（Ｎ一第３級ブトキシカルボニルアミノ）−３−
（２−チエニル）プロピオンアミド｝−３−セフエム一
４−カルボン酸｛Ｍｐｌ６７〜１７０℃（分解）｝３）
２−メチルーJヨ黶i２−シアノアセトアミド）−３−
セフエム一４−カルボン酸（Ｍｐｌ６２〜１６６℃）｝
） ２−メチルーJヨ黶i３−フエニルウレイド）３−セ
フエム一４−カルボン酸（Ｍｐｌ４８〜１５ＦＣ）０）
２−メチルーJヨ黶o２−（１・３・４−チアジアゾー
ル一２−イルチオ）アセトアミド｝３−セフエム一４−
カルボン酸（Ｍｐｌ９７〜１９９℃）Ｄ２−メチルーJ
ヨ黶oＮ−第３級ブトキシカルボニル一２−チエニルグ
リシル｝アミノ−３セフエム一４−カルボン酸（粉末）
赤外線吸収スペクトル（ヌジヨール） ３３００、１７８９、１７２５、１７１０、１６９０１
１６７８ｃＴｎ−１２） ２−メチルーJヨ黶o２−（５
−メチル−１・３・４−チアジアゾール一２−イルオキ
シ）アセトアミド｝−３−セフエム一４−カルボン酸（
Ｍｐｌｌ３〜１１６℃）３） ２−メチルーJヨ黶o３−
（２−クロロフエニル）−５−メチル−イソオキサゾー
ル−４−イル｝カルボキサミド一３−セフエム一４−カ
ルボン酸（Ｍｐ２Ｏ２〜２０３゜Ｃ）４） ２−メチル
ーJヨ黶i２−メチルチオアセトアミド）−３−セフエム
一４−カルボン酸｛Ｍｐｌ８ｌ〜１８３℃（分解）｝５
） ２−メチルーJヨ黶i２−アリル（Ａｌｌｙｌ）チオ
アセトアミド）−３−セフエム一４−カルボン酸（Ｍｐ
ｌ２ｌ〜１２３℃）６） ２−メチルーJヨ黶i２−ホル
ミルオキシ−２一フエニルアセトアミド）−３−セフエ
ム一４一カルボン酸（粉末）赤外線吸収スペクトル（ヌ
ジヨール） ３２８０、１７８７、１７２０、１６７８ｃｍ７） ２
−メチルーJヨ黶i１−シクロプロピルエトキシ）カルボ
キサミド一 ３ −セフエム一 ４ −カルボン酸｛Ｍ
ｐｌ５８．５〜１６０℃（分解）｝Ｑ梯 ２−メチル−
７ −｛ Ｎ −（１−シクロプロピルエトキシ）カ
ルボニルフエニルグリシル｝アミノ− ３ −セフエム
一 ４ −カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチル
エステル（Ｍｐｌ６５〜１６７．５℃）α１２−メチル
− ７ ＝（ ２ −フエニルチオアセトアミド）−
３ −セフエム一 ４ −カルボン酸の２・２・２＝ト
リクロロエチルエステル（Ｍｐｌ４Ｏ〜１４２℃）（２
Ｃｊ２−メチル− ７ −｛ ３ −（ Ｎ −第３級
ブトキシカルボニルアミノ）− ３ −（ ２ −チエ
ニル）プロピオンアミド｝−３−セフエム一 ４ −カ
ルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル（Ｍ
ｐｌ８８〜１９２℃）（２Ｄ２−メチル− ７ −（
２ −シアノアセトアミド）− ３ −セフエム一 ４
−カルボン酸の２・２・２＝トリクロロエチルエステ
ル｛Ｍｐｌ６Ｏ〜１６５℃（分解）｝（四 ２−メチル
− ７ −（ ３ −フエニルウレイド）−３−セフエ
ム一４−カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエ
ステル（Ｍｐｌ７２〜１７４℃）（２』 ２−メチルー
Jヨ黶o２−（１・ ３ ・ ４−チアジアゾール一 ２
−イルチオ）アセトアミド｝−３〜セフエム一 ４
−カルボン酸の２・２・２一トリクロロエチルエステル
｛Ｍｐｌ３Ｏ〜１４０℃（分解）｝（２』 ２−メチル
ーJヨ黶iＮ−第３級ブトキシカルボニル一 ２ −チエ
ニルグリシル）アミノ− ３ ーセフエム一 ４ −カ
ルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル（粉
末）赤外線吸収スペクトル（ヌジヨール）３３２０、１
７９０）１７４０、１７１０）１６９０、１６８０、１
６３２ｃＴｎ−１（２ω ２−メチル− ７ −｛ ２
−（ ５ −メチル−１ ・３・４−チアジアゾール
一 ２ −イルオキシ）アセトアミド｝− ３ −セフ
エム一 ４ −カルボン酸の２・２・２−トリクロロエ
チルエステル（無晶形）赤外線吸収スペクトル（クロロ
ホルム）３４２０）１７９０、１７４０）１７００、１
６３５ｃｍ−１ （２６） ２ −メチルーJヨ黶o３−（２−クロロフエ
ニル）− ５ −メチルイソオキサゾール− ４ −イ
ル｝カルボキサミド一 ３ −セフエム一 ４ −カル
ボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル（無晶
形）赤外線吸収スペクトル（ヌジヨール）
５、１７２０、１６５０循「１核磁気共鳴吸収スペクト
ル（ＣＤ３ＯＤ、τ）８．５２（３Ｈ．ｄ．Ｊ＝７４５
Ｈｚ）６．４０（２Ｈ．ｓ） ６．２０（１Ｈ，．ｍ） ５．００（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝４．５Ｈｚ） ４．１８（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝４．５Ｈｚ） ３，３４（１Ｈ，．ｄ．Ｊ＝６Ｈｚ） ２．７２（５Ｈ．ｓ） （１） ２−メチルーJヨ黶oＮ−（１−シクロプロピル
エトキシ）カルボニルフエニルグリシル｝アミノ−３−
セフエム一４−カルボン酸（Ｍｐｌ６８〜１６９℃）（
２） ２−メチルーJヨ黶o２−（１Ｈ−テトラゾール−
１−イル）アセトアミド｝−３−セフエム４−カルボン
酸｛Ｍｐ２Ｏ２〜２０３℃（分解）｝（３） ２−メチ
ルーJヨ黶o２−（２−チエニル）アセトアミド｝−３−
セフエム一４−カルボン酸｛Ｍｐｌ７５℃（分解）｝（
４） ２−メチルーJメ[ベンジルオキシカルボキサミド
一３−セフエム一４−カルボン酸｛Ｍｐｌ６７〜１６９
℃（分解）｝（５） ２−メチルーJヨ黶i２−フエニル
チオアセトアミド）−３−セフエム一４−カルボン酸｛
Ｍｐｌ６８〜１７「Ｃ（分解）｝ ３） ２−メチルーJヨ黶o２−（３−クロロフエニル）
アセトアミド｝−３−セフエム一４−カルボン酸｛Ｍｐ
ｌ７３〜１７４℃（分解）｝１） ２−メチルーJヨ黶
o３−（Ｎ一第３級ブトキシカルボニルアミノ）−３−
（２−チエニル）プロピオンアミド｝−３−セフエム一
４−カルボン酸｛Ｍｐｌ６７〜１７０℃（分解）｝３）
２−メチルーJヨ黶i２−シアノアセトアミド）−３−
セフエム一４−カルボン酸（Ｍｐｌ６２〜１６６℃）｝
） ２−メチルーJヨ黶i３−フエニルウレイド）３−セ
フエム一４−カルボン酸（Ｍｐｌ４８〜１５ＦＣ）０）
２−メチルーJヨ黶o２−（１・３・４−チアジアゾー
ル一２−イルチオ）アセトアミド｝３−セフエム一４−
カルボン酸（Ｍｐｌ９７〜１９９℃）Ｄ２−メチルーJ
ヨ黶oＮ−第３級ブトキシカルボニル一２−チエニルグ
リシル｝アミノ−３セフエム一４−カルボン酸（粉末）
赤外線吸収スペクトル（ヌジヨール） ３３００、１７８９、１７２５、１７１０、１６９０１
１６７８ｃＴｎ−１２） ２−メチルーJヨ黶o２−（５
−メチル−１・３・４−チアジアゾール一２−イルオキ
シ）アセトアミド｝−３−セフエム一４−カルボン酸（
Ｍｐｌｌ３〜１１６℃）３） ２−メチルーJヨ黶o３−
（２−クロロフエニル）−５−メチル−イソオキサゾー
ル−４−イル｝カルボキサミド一３−セフエム一４−カ
ルボン酸（Ｍｐ２Ｏ２〜２０３゜Ｃ）４） ２−メチル
ーJヨ黶i２−メチルチオアセトアミド）−３−セフエム
一４−カルボン酸｛Ｍｐｌ８ｌ〜１８３℃（分解）｝５
） ２−メチルーJヨ黶i２−アリル（Ａｌｌｙｌ）チオ
アセトアミド）−３−セフエム一４−カルボン酸（Ｍｐ
ｌ２ｌ〜１２３℃）６） ２−メチルーJヨ黶i２−ホル
ミルオキシ−２一フエニルアセトアミド）−３−セフエ
ム一４一カルボン酸（粉末）赤外線吸収スペクトル（ヌ
ジヨール） ３２８０、１７８７、１７２０、１６７８ｃｍ７） ２
−メチルーJヨ黶i１−シクロプロピルエトキシ）カルボ
キサミド一 ３ −セフエム一 ４ −カルボン酸｛Ｍ
ｐｌ５８．５〜１６０℃（分解）｝Ｑ梯 ２−メチル−
７ −｛ Ｎ −（１−シクロプロピルエトキシ）カ
ルボニルフエニルグリシル｝アミノ− ３ −セフエム
一 ４ −カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチル
エステル（Ｍｐｌ６５〜１６７．５℃）α１２−メチル
− ７ ＝（ ２ −フエニルチオアセトアミド）−
３ −セフエム一 ４ −カルボン酸の２・２・２＝ト
リクロロエチルエステル（Ｍｐｌ４Ｏ〜１４２℃）（２
Ｃｊ２−メチル− ７ −｛ ３ −（ Ｎ −第３級
ブトキシカルボニルアミノ）− ３ −（ ２ −チエ
ニル）プロピオンアミド｝−３−セフエム一 ４ −カ
ルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル（Ｍ
ｐｌ８８〜１９２℃）（２Ｄ２−メチル− ７ −（
２ −シアノアセトアミド）− ３ −セフエム一 ４
−カルボン酸の２・２・２＝トリクロロエチルエステ
ル｛Ｍｐｌ６Ｏ〜１６５℃（分解）｝（四 ２−メチル
− ７ −（ ３ −フエニルウレイド）−３−セフエ
ム一４−カルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエ
ステル（Ｍｐｌ７２〜１７４℃）（２』 ２−メチルー
Jヨ黶o２−（１・ ３ ・ ４−チアジアゾール一 ２
−イルチオ）アセトアミド｝−３〜セフエム一 ４
−カルボン酸の２・２・２一トリクロロエチルエステル
｛Ｍｐｌ３Ｏ〜１４０℃（分解）｝（２』 ２−メチル
ーJヨ黶iＮ−第３級ブトキシカルボニル一 ２ −チエ
ニルグリシル）アミノ− ３ ーセフエム一 ４ −カ
ルボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル（粉
末）赤外線吸収スペクトル（ヌジヨール）３３２０、１
７９０）１７４０、１７１０）１６９０、１６８０、１
６３２ｃＴｎ−１（２ω ２−メチル− ７ −｛ ２
−（ ５ −メチル−１ ・３・４−チアジアゾール
一 ２ −イルオキシ）アセトアミド｝− ３ −セフ
エム一 ４ −カルボン酸の２・２・２−トリクロロエ
チルエステル（無晶形）赤外線吸収スペクトル（クロロ
ホルム）３４２０）１７９０、１７４０）１７００、１
６３５ｃｍ−１ （２６） ２ −メチルーJヨ黶o３−（２−クロロフエ
ニル）− ５ −メチルイソオキサゾール− ４ −イ
ル｝カルボキサミド一 ３ −セフエム一 ４ −カル
ボン酸の２・２・２−トリクロロエチルエステル（無晶
形）赤外線吸収スペクトル（ヌジヨール）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ もしくはカルボキシ基におけるエステルまたは塩類（式
中Ｒ＿１はアシルアミノ基、Ｒ＿２はアルキル基をそれ
ぞれ意味する）で示される２−アルキル−６−置換−２
・３−メチレンペナム−３−カルボン酸類もしくはその
カルボキシ基におけるエステルまたは塩類にルイス酸を
作用させて、一般式▲数式、化学式、表等があります▼ もしくはカルボキシ基におけるエステルまたは塩類（式
中Ｒ＿１およびＲ＿２は前と同じ意味、点線は２または
３−セフエムを意味する）で示される２−アルキル−７
−置換−２（または３）−セフエム−４−カルボン酸類
もしくはそのカルボキシ基におけるエステルまたは塩類
を得ることを特徴とする２−アルキル−７−置換−２（
または３）セフエム−４−カルボン酸類の製造法。
Priority Applications (33)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3071873A JPS5930715B2 (ja) | 1973-03-15 | 1973-03-15 | ２−アルキル−７−置換−２（または３）−セフエム−４−カルボン酸類の製造法 |
| AR252770A AR208283A1 (es) | 1973-03-15 | 1974-01-01 | Un procedimiento para la preparacion de derivados de acido 2-alquil-2-o 3-fefem-4-carboxilico |
| AR257159A AR207341A1 (es) | 1973-03-15 | 1974-01-01 | Un procedimiento para la preparacion de derivados de acido 2-alquil-2 o 3-cefem-4-carboxilico |
| HUFU324A HU167602B (ja) | 1973-03-15 | 1974-03-11 | |
| SE7403302A SE428802B (sv) | 1973-03-15 | 1974-03-12 | Forfarande for framstellning av cefalosporinderivat |
| OA55150A OA04690A (fr) | 1973-03-15 | 1974-03-13 | Procédés de préparation de dérivés d'acide alkyl inférieur - 2 ou 3 -cephem-4-carboxylique, nouveaux produits ainsi obtenus et leur utilisation comme produits à activité antimicrobienne. |
| BE141963A BE812250A (fr) | 1973-03-15 | 1974-03-13 | Procedes de preparation de derives d'acide alkyl inferieur-2 ou3-cephem-4-carboxylique |
| CH1033477A CH602755A5 (ja) | 1973-03-15 | 1974-03-14 | |
| IE547/74A IE39343B1 (en) | 1973-03-15 | 1974-03-14 | 2-lower alkyl-2-or 3 cephem 4-carboxylic acid derivatives and processes for preparation thereof |
| CH359374A CH596221A5 (ja) | 1973-03-15 | 1974-03-14 | |
| ES74424290A ES424290A1 (es) | 1973-03-15 | 1974-03-14 | Un procedimiento para la preparacion de nuevos derivados deacido 2-alquil (inferior)-2 o 3-cefem-4-carboxilico. |
| CH1033277A CH602756A5 (en) | 1973-03-15 | 1974-03-14 | 2-Alkyl-2(or 3)-cephem-4-carboxylic acid derivs |
| ZA19741698D ZA7401698D (en) | 1973-03-15 | 1974-03-14 | 2-lower alkyl-2 or 3-cephen-4-carboxylic acid derivatives and processes fir preparation thereof |
| NL7403442A NL7403442A (ja) | 1973-03-15 | 1974-03-14 | |
| FR7408678A FR2221124B1 (ja) | 1973-03-15 | 1974-03-14 | |
| AT212274A AT329750B (de) | 1973-03-15 | 1974-03-14 | Verfahren zur herstellung von neuen 2-nied. alkyl-2- oder -3-cephem-4-carbonsaurederivaten |
| AU66734/74A AU487614B2 (en) | 1973-03-15 | 1974-03-15 | 2-lower alkyl-2 or 3-cephem-4-carboxylic acid derivatives and processes for preparation thereof |
| SU742018552A SU664567A3 (ru) | 1973-03-15 | 1974-03-15 | Способ получени производных 2-низший алкил-2-или 3-цефем-4-карбоновой кислоты или их солей |
| CS189674A CS187411B2 (en) | 1973-03-15 | 1974-03-15 | Process for preparing derivatives of 2-alkyl-2/or3/-cephem-4-carboxylic acid |
| DE2412513A DE2412513C2 (de) | 1973-03-15 | 1974-03-15 | 2-Methyl-2- oder -3-cephem-4-carbonsäurederivate, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung bei der Bekämpfung bakterieller Infektionen |
| GB1196474A GB1469876A (en) | 1973-03-15 | 1974-03-18 | 2-lower alkyl-2-or 3-cephem-4-carboxylic acid derivatives and process for preparation thereof |
| IT2088274A IT1058283B (it) | 1973-03-15 | 1974-04-08 | Derivati di acidi 2 infertiore al chil 2 oppure3oefem 4 carbossilici e procedimento per la loro preparazione |
| AR257158A AR203060A1 (es) | 1973-03-15 | 1974-12-30 | Procedimiento para la preparacion de derivados de acido 2-alquil-2 o 3-cefem-4-carboxilico |
| AR257160A AR208533A1 (es) | 1973-03-15 | 1974-12-30 | Un procedimiento para la preparacion de derivados de acido 2-aluqil-2 o 3-cefem-4-carboxilico |
| AR257161A AR208534A1 (es) | 1973-03-15 | 1974-12-30 | Un procedimiento para la preparacion de derivados de acido 2-alquil-2 o 3-cefem-4-carboxilico |
| NO751338A NO751338L (ja) | 1973-03-15 | 1975-04-15 | |
| AT404975A AT334526B (de) | 1973-03-15 | 1975-05-27 | Verfahren zur herstellung von neuen 2-nied. alkyl-2- oder -3-cephem-4-carbonsaurederivaten |
| US05/640,910 US4113940A (en) | 1973-03-15 | 1975-12-15 | 7-amino 2-lower alkyl-2 or 3-cephem-4-carboxylic acid derivatives and processes for preparation thereof |
| ES446130A ES446130A1 (es) | 1973-03-15 | 1976-03-16 | Un procedimiento para la preparacion de nuevos derivados de acido 2-alquil (inferior)-2 o 3-cefem-4-carboxilico. |
| SE7613500A SE434402B (sv) | 1973-03-15 | 1976-12-01 | Forfarande for framstellning av nya cefalosporinderivat |
| US05/915,872 US4308380A (en) | 1973-03-15 | 1978-06-15 | 2-Lower alkyl-2 or 3-cephem-4-carboxylic acid derivatives |
| FI803205A FI803205A (fi) | 1973-03-15 | 1980-10-09 | Foerfarande foer framstaellning av antimikroba 2-laegre alkyl-2 eller 3-kefem-4-karboxylsyraderivat och deras ogiftiga salter |
| US06/213,359 US4385176A (en) | 1973-03-15 | 1980-12-05 | Process for preparation of 2-lower alkyl-2 or 3-cephem-4-carboxylic acid derivatives |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3071873A JPS5930715B2 (ja) | 1973-03-15 | 1973-03-15 | ２−アルキル−７−置換−２（または３）−セフエム−４−カルボン酸類の製造法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5200284A Division JPS59186991A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | ２−アルキル−７−置換−２（または３）−セフエム−４−カルボン酸類の製法 |
| JP5200184A Division JPS59186990A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | ２−アルキル−７−置換−２（または３）−セフエム−４−カルボン酸類の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS49116088A JPS49116088A (ja) | 1974-11-06 |
| JPS5930715B2 true JPS5930715B2 (ja) | 1984-07-28 |
Family
ID=12311414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3071873A Expired JPS5930715B2 (ja) | 1973-03-15 | 1973-03-15 | ２−アルキル−７−置換−２（または３）−セフエム−４−カルボン酸類の製造法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5930715B2 (ja) |
| AT (1) | AT329750B (ja) |
| CS (1) | CS187411B2 (ja) |
| ES (1) | ES446130A1 (ja) |
| IT (1) | IT1058283B (ja) |
| SU (1) | SU664567A3 (ja) |
| ZA (1) | ZA7401698D (ja) |
-
1973
- 1973-03-15 JP JP3071873A patent/JPS5930715B2/ja not_active Expired
-
1974
- 1974-03-14 AT AT212274A patent/AT329750B/de not_active IP Right Cessation
- 1974-03-14 ZA ZA19741698D patent/ZA7401698D/xx unknown
- 1974-03-15 SU SU742018552A patent/SU664567A3/ru active
- 1974-03-15 CS CS189674A patent/CS187411B2/cs unknown
- 1974-04-08 IT IT2088274A patent/IT1058283B/it active
-
1976
- 1976-03-16 ES ES446130A patent/ES446130A1/es not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1058283B (it) | 1982-04-10 |
| ZA7401698D (en) | 1975-01-29 |
| CS187411B2 (en) | 1979-01-31 |
| SU664567A3 (ru) | 1979-05-25 |
| ES446130A1 (es) | 1977-06-16 |
| ATA212274A (de) | 1975-08-15 |
| AT329750B (de) | 1975-08-15 |
| JPS49116088A (ja) | 1974-11-06 |
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