JPS5833235B2 - ３− アルキル −３− セフエム −４− カルボンサンルイオセイゾウスルホウホウ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は一般式 （式中Ｒ１は窒素原子および硫黄原子含有複素環チオ基
、Ｒ２はアルキル基、Ｒ３はアミノ基またはアシルアミ
ノ基をそれぞれ意味する） で示される２−オキソ−４−置換チオ−ニーアゼチジン
酢酸類もしくはそのカルボキシ基における誘導体を極性
溶媒中で放置するかまたは加熱して一般式 （式中Ｒ２およびＲ３は前と同じ意味） で示される３−アルキル−３−セフェム−４−カルボン
酸類もしくはそのカルボキシ基における誘導体を得るこ
とからなる３−アルキル−３−セフェム−４−カルボン
酸類な製造する方法に関するものである。

この発明の目的物質、３−アルキル−３−セフェム−４
−カルボン酸類間もしくはそのカルボキシ基における誘
導体は、新規物質および公知物質の両者を含み、公知物
質の中で例えば、７−（２−フェノキシアセトアミド）
−３−メチル−３セフェム−４−カルボン酸は、テトラ
ヘドロン・レターズ、第２１巻（１９７０年）、第１７
７９頁、その他多数の文献に記載されていて公知である
。

この発明者等は、この発明の目的物質の製造法について
種々の検討を重ねた結果、２−オキソ４−置換チオー１
−アゼチジン酢酸類（Ｉ）もしくはそのカルボキシ基に
おける誘導体を極性溶媒中で放置するかまたは加熱する
ことにより、目的物質を製造する全く新規な製造法を見
い出し、この発明を完成した。

従来、この発明における様に、アゼチジン核の３位に窒
素原子および硫黄原子含有複素環チオ基置換チオ基を有
する化合物から３セフエム骨格を有する化合物を製造す
ることが可能であるとは、この発明が完成されるまでは
、全（予測できなかったものである。

この発明の原料物質、２−オキソ−４＝置換チオ−１−
アゼチジン酢酸類（Ｉ）もしくはそのカルボキシ基にお
ける誘導体は、例えば対応するペナム−３−カルボン酸
類もしくはそのカルボキシ基における誘導体に対応する
ジスルフィド化剤を作用させることにより製造すること
ができる。

この発明の上記式の定義に圃・て、Ｒ１における窒素原
子および硫黄原子含有複素環チオ基としては、例剋ｆベ
ンツチアゾリルチオ、チアゾリルチオ、チアジアゾリル
チオ、チアトリアゾリノ吋オ等が挙げられる。

またＲ２ におけるアルキル基としては、例えばメチル
、エチル、プロピル等が挙げられる。

またＲ３カアシルアミノ基である場合のアシルアミノ基
におけるアシル基としては脂肪族アシル、芳香環を含む
アシルまたは複素環を含むアシルのすべてを意味する。

ここで脂肪族アシルとしては飽和もし、くは不飽和アル
カノイルであって側鎖を有しあるいは環状になっていて
もよく、例えばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブ
チリル、インブチリル、バレリル、インバレリル、ヒバ
ロイル、アクリロイル、クロトノイル、２−メチルアク
リロイル、シクロペンチルカルボニル、シクロヘキシル
カルボニル、シクロへブチルカルボニル、シクロペンチ
ルアセチル、シクロヘキシルアセチル、シクロへブチル
アセチル、シクロヘキシルプロピオニル、シクロヘキシ
ルプロピオニル、ジヒドロベンソイル、２・４・６−シ
クロヘブタトリエニルアセチル、ジヒドロフェニルアセ
チル、サクシニル等が挙げられ、またこれらの飽和もし
くは不飽和アルカノイルは酸素原子または硫黄原子で中
断されていてもよく、この様な基としては、例えばメト
キシアセチル、メチルチオアセチル、２−プロペニルチ
オアセチル、シクロヘキシルチオアセチル、シクロヘキ
シルオキシアセチル、ジヒドロフェノキシアセチル、ジ
ヒドロフェニルチオアセチル、シクロペンチルオキシカ
ルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、ジヒドロ
フェノキシカルボニル、シクロヘプチルオキシカルボニ
ル等が挙げられる。

また芳香環を含むアシルとしてはベンゾイル、トルオイ
ル、ナフトイル、α−メチルナフトイル、フタロイル、
テトラヒドロナフトイル等のアロイルおヨヒフェニルア
セチル、フェニルプロピオニル、フェニルブチリル、ト
リルアセチル、キシリルアセチル、ナフチルアセチル、
テトラヒドロナフチルアセチル等のアラルカッイルの両
者を含み、またこのアラルカッイルのアルキル部分の炭
素原子は酸素原子または硫黄原子で置き換えられていて
もよく、この様な基としては例えばフェノキシアセチル
、フェニルチオアセチル、ベンジルオキシカルボニル、
キシリルオキシカルボニル、ナフトキシカルボニル、フ
ェノキシカルボニル、２−フェノキシプロピオニル、２
−フェノキシブチリル等が挙げられる。

さらに複素環を含むアシルとしては、酸素原子、硫黄原
子、窒素原子その他のへテロ原子を少なくとも１個もし
くはそれ以上含む飽和もしくは不飽和複素単環もしくは
複素多環残基、例えばチェニル、ベンゾチェニル、フリ
ル、ヒラニル、５・６−シヒドロー２Ｈ−ピラニル、イ
ソベンゾフラニル、クロメニル、キサンテニル、２Ｈ−
ピロリル、３Ｈ−ピロリル、ピロリル、イミダゾリル、
ピラゾリル、ピリジル、ピリミジニル、ピラジニル、ピ
リダジニル、イソインドリル、インドリル、イソキノリ
ル、キノリル、イソキノリル、イソキサゾリル、インチ
アゾリル、オキサジアゾリル、ピロリジニル、ピロリニ
ル、イミダゾリジニル、ピペリジニル、ピペラジニル、
ジアゾリル、トリアゾリル、オキサシリル、チアゾリル
、チアジアゾリル、テトラゾリル、ベンズオキサシリル
、ベンズオキサジアゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾ
チアジアゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンズイミダゾ
リル、シトノニル等の複素環を含む複素環カルボニルお
よび前記複素環もしくは複素環置換オキシもしくは複素
環置換チオもしくは複素環置換アミノもしくはＮ−アル
キル複素環置換アミノ等の基を置換分として有するアセ
チル、プロピオニル、ブチリル、インブチリル、バレリ
ル、インバレリル、ピバロイル、アクリロイル、クロト
ノイル、２−メチルアクリロイル等のアルカノイル、例
えばＩＨ（もしくは２Ｈ）−テトラゾリルアセチル、チ
ェニルアセチル、チェニルプロピオニル、フリルアセチ
ル、ピペラジニルアセチル、ピロリジニルアセチル、ピ
ロリジニルプロピオニル、ペンツチアゾリルアセチル、
オキサシリルアセチル、ベンズオキサシリルアセチル等
が挙げられ、またこの複素環を置換分として有するアル
カノイルのアルキル部分の炭素原子は酸素原子または硫
黄原子で置きかえられていてもよく、この様な基として
は、例えばピリジルメトキシカルボニル、２−フリルオ
キシカルボニル、８−キノリルオキシカルボニル等が挙
げられる。

さらにこれらの脂肪族アシル、芳香環を含むアシルまた
は複素環を含むアシルはその任意の位置に適当な置換分
を１個もしくはそれ以上有していてもよく、この様な置
ｒ分としてはメチル、エチル、フロビル、イソプロピル
、１−プロペニル、２−プロペニル、シクロプロピル、
シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル等の
アルキル、フェニル、キシリル、トリル等のアリール、
ベンジル、フェネチル等のアラルキル、アミノ、メルカ
プト、ニトロ、アジド、クロル、フルオル、ブロム等の
ハロゲン、カルボキシ、スルホ、ヒドロキシ、ヒドロキ
シアミノ、モノ（もしくはジ）メチルアミン、モノ（も
しくはジ）エチルアミノ、モノ（もしくはジ）プロピル
アミノ、モノ（もしくはジ）イソプロピルアミノ等のモ
ノ（もしくはジ）アルキルアミノ基、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、インプロポキシ、ブトキシ等のアルコ
キシ基、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソ
プロピルチオ、ブチルチオ等のアルキルチオ基等が挙げ
られ、さらにこの様な置換分を有する脂肪族アシル、芳
香族を含むアシルまたは複素環を含むアシルとしては、
例工ばトリクロロエトキシカルボニル、トリブロモエト
キシカルボニル、１−シクロプロピルエトキシカルボニ
ル、クロロアセチル、２−クロロプロピオニル、トリフ
ルオロアセチル、α−アミノフェニルアセチル、α−ヒ
ドロキシフェニルアセチル、ｐ−ニトロベンジルオキシ
カルボニル、０−７”ロモベンジルオキシカルボニル、
０−ニトロベンジルオキシカルボニル、ｐ−メトキシベ
ンジルオキシカルボニル、３・４−ジメトキシベンジル
オキシカルボニル、ｐ−ヒドロキシフェニルアセチル、
２−アミノ−２−（５・６−シヒドロー２Ｈ−ピラン−
３−イル）アセチル、２−アミノ−２−（ｐ−ヒドロキ
シフェニル）アセチル、２・６−シメトキシベンゾイル
、３−フェニル−５−メチル−４−オキサシリルカルボ
ニル、３−（２−クロロフェニル）−５−メチル−４−
オキサシリルカルボニル、３−（２・６−ジクロロフェ
ニル）−５−メチル−４−オキサシリルカルボニル、３
−（２−クロロ−６−フルオロフェニル）５−メチル−
４−オキサシリルカルボニル等が挙げられる。

またこの様なアシル基中に遊離のアミノ基、ヒドロキシ
基、メルカプト基、カルボキン基、スルホ基等がある場
合には、この様なアミ７基、ヒドロキシ基、メルカプト
基、カルボキシ基、スルホ基等が保護基で保護された場
合も本発明の範囲に含まれるものである。

ここにおいてアミノ基の保護基としては通常アミン保護
基として使用しうるすべての基を含み、例えばトリクロ
ロエトキシカルボニル、イリプロモエトキシカルボニル
、ベンジルオキシカルボニル、ｐ−） ＩＪエンスルホ
ニル、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル、０−７”
ロモベンジルオキ７カルホニル、Ｏ−ニトロフェニルス
ルフェニル、クロロアセチル、トリフルオロアセチル、
ホルミル、ビニルオキシカルボニル、第３級ブトキシカ
ルボニル、ｐ−メトキシベンジルオキシカルボニル、３
・４−ジメトキシベンジルオキシカルボニル、４−（フ
ェニルアゾ）ベンジルオキシカルボニル、４−（４−メ
トキシフェニルアゾ）ベンジルオキシカルボニル、ピリ
ジン−１−オキサイド２−メトキシカルボニル、２−ピ
リジルメトキシカルボニル、２−フリルオキシカルボニ
ル、ジフェニルメトキシカルボニル、１・１−ジメチル
プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、■
−シクロプロピルエトキシカルボニル、２シアノートｌ
−ジメチルエトキシカルボニル、フタロイル、サクシニ
ル、１−アダマンチルオキシカルボニル、８−キノリル
オキシカルボニル、インボルニルオキシカルボニル等の
脱離しゃすいアシル基が挙げられ、さらに、例えば、ト
リチル、２−ニトロフェニルチオ、２・４−ジニトロフ
ェニルチオ、ベンジリチン、４−ニトロベンジリチン、
２−ヒドロキシベンジリデン、２−ヒドロキシ−５−ク
ロロベンジリチン、２−ヒドロキシ１−ナフチルメチル
、３−ヒドロキシ−４−ピリジルメチレン、１−メトキ
シカルボニル−２−プロピリデン、１−エトキシカルボ
ニル−２−プロピリチン、３−エトキシカルボニル−２
−ブチリデン、ｌ−アセチル−２−プロピリデン、■−
ベンゾイルー２−グロピリデン、１−（Ｎ−（２メトキ
シフエニル）カルバモイル）−２−プロピリチン、１−
（Ｎ−（４−メトキシフェニル）カルバモイル）−２−
プロピリチン、２−エトキシカルボニルシクロへキシリ
チン、２−エトキシカルボニルシクロペンチリデン、２
−アセチルシクロへキシリデン、３・３−ジメチル−５
−オキソシクロへキシリデン等の脱離しやすい基（これ
らのうち例えば１−メトキシカルボニル−２−プロピリ
デンは１−メトキシカルボニル−１−プロペン−２−イ
ルと表わされることがあり、また例えば２−エトキシカ
ルボニルシクロへキシリデンは２−エトキシカルボニル
−１−シクロヘキセニルと表わされることもある）、ま
たジもしくはトリアルキルシリル等のアシル基以外のア
ミノ基の保護基が挙げられ、またヒドロキシ基およびメ
ルカプト基の保護基としては通常ヒドロキシ基およびメ
ルカプト基の保護基として使用し得るすべての基を含み
、例えばホルミル、アセチル、ベンジルオキシカルボニ
ル、４−ニトロベンジルオキシカルボニル、４−ブロモ
ベンジルオキシカルボニル、４−メトキシベンジルオキ
シカルボニル、３・４−ジメトキシベンジルオキシカル
ボニル、４−（フェニルアゾ）ベンジルオキシカルボニ
ル、４−（４−メトキシフェニルアゾ）ベンジルオキシ
カルボニル、第３級ブトキシカルボニル、■・１−ジメ
チルグロポキシカルボニル、インプロポキシカルボニル
、ジフェニルメトキシカルボニル、２−ピリジルメトキ
シカルボニル、２・２・２ｌ−ＩＪクロロエトキシカル
ボニル、２・２・２−トリブロモエトキシカルボニル、
３−ヨートフロポキシカルボニル、２−フルフリルオキ
シカルボニル、１−アダマンチルオキシカルボニル、１
−シクロプロピルエトキシカルボニル、３−キノリルオ
キシカルボニル、トリフルオロアセチル等の脱離しゃす
いアシル基のほか、ベンジル、トリチル、メトキシメチ
ル、２−ニトロフェニルチオ、２・４−ジニトロフェニ
ルチオ等の基が挙げられ、さらにカルボキシ基の保護基
としては、通常のカルボキシ基の保護基として使用し得
るすべての基を含み、例えばそのエステル部分がメチル
、エチル、プロピル、イソプロピル、第３級ブチル、ブ
チル、ベンジル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチ
ル、ｐ−ニトロベンジル、ｐ−メトキシベンジル、ベン
ゾイルメチル、アセチルメチル、 ニトロ− ベンゾイルメチル、ｐ−ブロモベンゾイルメチル、ｐ−
メタンスルホニルベンゾイルメチル、フタルイミドメチ
ル、トリクロロエチル、トリクロロエチル、■・１−ジ
メチル−２−プロピニル、アセトキシメチル、プロピオ
ニルオキシメチル、ピバロイルオキシメチル、１−１−
ジメチルプロピル、１・１−ジメチル−２−プロペニル
、３−メチル−３−ブテニル、サクシンイミドメチル、
■＝シクロプロピルエチル、３・５−ジ第３級ブチルー
４−ヒドロキシベンジル、メチルスルフェニルメチル、
フェニルスルフェニルメチル、メチルチオメチル、フェ
ニルチオメチル、ジメチルアミンメチル、ピリジン−１
−オキサイド−２−メチル、キノリン−１−オキサイド
−２−メチル、メチルスルフィニルメチル、ジ（ｐ−メ
トキシフェニル）メチル、２−シアノ−１−１−ジメチ
ルエチル等であるエステル、さらに特開昭４６−７０７
３号公報およびオランダ国公開公報第７１０５２５９号
に記載されている例えばジメチルジクロロシランの如き
シリル化合物またはドイツ国公開公報第２０６２９２５
号に記載されている例えば、４塩化チタンの如き非金属
化合物でカルボキシ基が保護されている場合等が例示さ
れる。

また、カルボキシ基における誘導体としては、前記アシ
ル基中におけるカルボキシ基の保護基の所で例示された
様なシリル化合物または非金属化合物とカルボン酸との
反応によって誘導される誘導体を含めて、例えば次の様
なカルボキシ基における誘導体を例示することができる
。

（イ）エステル：ここにおいてエステルとしては活性エ
ステル及び非活性エステルのすべてを含み、例えば、エ
ステル部分が、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、第３級ブチル、シクロヘキシル、シクロヘ
プチル、ビニル、■プロペニル、２−７”ロペニル、１
・１−ジメチル−２−プロペニル、３−ブテニ／Ｌ／、
１・■−ジメチルー２−プロピニル等の飽和もしくは不
飽和アルキル、フェニル、キシリル、トリル、ナフチル
等のアリール、ベンジル、フェネチル等のアラルキル、
また前記飽和もしくは不飽和アルキルおよびアラルキル
のアルキル部分の炭素原子が硫黄原子、窒素原子、酸素
原子またはカルボニル等がおきかえられた、メトキシメ
チル、エトキシメチル、メチルチオエチル、メチルチオ
メチル、ジメチルアミノエチル、ジエチルアミノエチル
、フェノキシメチル、フェニルチオメチル、メチルスル
フェニルメチル、フェニルスルフェニルメチル、ベンゾ
イルメチル、トルオイルメチル等、さらにこれら上記の
基が適当な置換弁、例えばシアノ、ニトロ、フルオル、
クロル、ブロム等のハロゲン、メトキシ、工ｌ・キシ、
ゾロポキシ等のアルコキシ、アルカンスルホニル、フェ
ニルアゾ等を１個もしくハそれ以上有するクロロメチル
、ブロモメチル、トリクロロエチル、シアノメチル、２
−シアノ１−１−シｙｔ−ｙ−ルエチル、ｐ−ニトロフ
ェニル、２・４・５−トリクロロフェニル、２・４・６
トリクロロフエニル、ペンタクロロフェニル、ｐ−）タ
ンスルホニルフェニル、４−（フェニルアゾ）フェニル
、２・４−ジニトロフェニル、ｐｌクロロンジル、Ｏ−
ニトロベンシル、ｐ−メトキシベンジル、 ニトロ
ベンジル、３・− ４・５−トリメトキシベンジル、ビス（ｐ−メトキシフ
ェニル）メチル、ペンタクロロベンジル、トリクロロベ
ンジル、３・５− シ第３ 級フチルー４−ヒドロキシ
ベンジル、ｐ−ニトロフェニルチオメチル、ｐ−クロロ
フェニルチオメチル、ｐ−ニトロベンゾイルメチル、ｐ
−クロロベンゾイルメチル等、その他置換もしくは非置
換チオアルコール、Ｎ−ヒドロキシこはく酸イミド、Ｎ
−ヒドロキシフタルイミド、テトラヒドロビラノール、
１−シクロプロピルエタノール、■−フェニルー３−メ
チルー５−ヒラソロン、３−ヒドロキシキリン、２−ヒ
ドロキシメチルピリジン−１−オキサイド、■−ヒドロ
キシピペリジン、■−ヒドロキシー２（ＩＨ）−ピリド
ン、ジメチルヒドロキシルアミン、ジエチルヒドロキシ
ルアミン、グリコールアミド、８−ヒドロキシキノリン
、アセトキシム、２−ヒドロキシメチルキノリン−１−
オキサイド等とのエステルまたはカルボキシ基とメトキ
シアセチレン、エトキシアセチレン、第３級ブチルエチ
ニルジメチルアミン、第３級ブチルエチニルジェチニル
アミン、エチルエチニルジエチルアミン、２−エチル−
５−（３−スルホフェニル）インキサゾリウムヒドロキ
サイド分子内塩、１・５・９・９・ＩＯ−ペンタクロル
−９・１０−ジヒドロアントラセン、９・９・１〇−ト
リクロル−９・ｌＯ−ジヒドロアントラセン、１・８・
９・１０ −１０−ペンタクロル−９・１０−ジヒドロ
アントラセン等の９・１０・１０−）リハロゲノ−９・
１０−ジヒドロアントラセン誘導体等とのエステル。

（ロ）アミド：ここにおいてアミドとしては、酸アミド
、Ｎ−置換酸アミド、Ｎ−Ｎ−ジ置換酸アミドのすべて
を含み、例えばＮ−メチル酸アミド、Ｎ−エチル酸アミ
ド等のＮ−アルキル酸アミド、Ｎ−フェニル酸アミド、
Ｎ−Ｎ−ジメチル酸アミド、Ｎ−Ｎ−ジエチル酸アミド
、Ｎ−エチル−Ｎ−メチル酸アミド等のＮ−Ｎ−ジアル
キル酸アミド、イミダゾール、４−置換イミダゾール等
との酸アミドが挙げられる−８この発明の反応は２−オ
キソ−４−置換チオ−ｌ−アゼデカ酢酸類（Ｉ）もしく
はそのカルボキシ基における誘導体を極性溶媒中で放置
するかまたは加熱して３−アルキル−３−セフェム−４
−カルボン酸類（ＩＩＪもしくはそのカルボキシ基にお
ける誘導体に導く。

この反応で使用される極性溶媒としては、例えばホルム
アミド、ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド
、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリックト
リアミド、水、メタノール、エタノール、プロパツール
等のアルコール、ジメチルスルホキシド等が挙げられる
。

なお、この反応の条件によってはこの発明の目的物質と
ともに、原料物質の一般式におけるした化合物が生成す
ることがあるが目的物質は副生成物を常法により除去す
ることにより容易に得ることができる。

この発明の目的物質、３−アルキル−３−セフェム−４
−カルボン酸類もしくはそのカルボキシ基における誘導
体は抗菌活性を有し医薬として有用でありまた他の抗菌
性物質を製造する合成中間体として有用である。

次にこの発明を実施例によって説明する。

実施例 １ ２−オキソ−３−（２−フェニルアセトアミド）−４−
（ベンゾチアゾール−２−イル）ジチオα−インプロペ
ニル−１−アゼチジン酢酸（１）２・２・２−トリクロ
ロエチルエステル０．６４Ｓ”＆ジメチルホルムアミド
１Ｏｒｎｌに溶解し、室温で７２時間放置する。

反応後、反応液を水１００ｍ１に加え、酢酸エチｙＶＱ
抽出したのち抽出液は水洗、乾燥する。

乾燥後、溶媒を留去し、得られた油分を２０２のシリカ
ゲルを用いてクロロホルムを展開溶媒としてカラムクロ
マトグラフィーに付し、精製するとｍｐ１６１〜１６２
℃の３−メチル−７−（２−フェニルアセトアミド）−
３−セフェム−４−カルボン酸の２・２・２−トリクロ
ロエチルエステルの結晶１６０ｒｒＬｌを得る。

本品は赤外線吸収スペクトルおよび核磁気共鳴吸収スペ
クトルにより標品と同定した。

実施例 ２ ２−オキソ−３−（２−フェニルアセトアミド）−４−
（ベンゾチアゾール−２−イル）ジチオα−インプロペ
ニル−１−アゼチジン酢酸の２・２・２− ） ＩＪ
クロロエチルエステル０．６３ｔをジメチルスルホキシ
ド２０ｒｒＬｌに溶解し、６０℃で６時間反応する。

反応後、反応液を１５０ｒｒＬｌの水に加え、酢酸エチ
ルで抽出したのち抽出液は水洗し、乾燥する。

乾燥後、溶媒を留去し、得られた油分を２５１のシリカ
ゲルを用いたクロロホルムを展開溶媒としてカラムクロ
マトグラフィーに付し、精製するとｍｐ１６１〜１６２
℃の３−メチル−７−（２−フェニルアセトアミド）−
３−セフェム−４−カルボン酸の２・２・２−ト）クロ
ロエチルエステル（イ）結晶１９０ｄを得る。

本品は赤外線吸収スペクトルおよび核磁気共鳴吸収スペ
クトルにより標品と同定した。

同様にして次の化合物を得る。

（１）３−メチル−７−（２−フェノキシアセトアミド
）−３−セフェム−４−カルボン酸のメチルエステル、
１１１ｐ １２４〜１２５℃。

（２）３−メチル−７−（２−フェノキシアセトアミド
）−３−セフェム−４−カルボン酸、ｍ９１７２〜１７
５℃。

（３）３−メチル−７−（Ｎ−（２・２・２−トリクロ
ロエトキシ）カルボニルフェニルグリシル）アミノ−３
−セフェム−４−カルボン酸の２・２・２− トリク
ロロエチルエステル、ｍｐ９９〜１００．５℃。

（４，） ３−メチル−７−（２−フェノキシアセト
アミド）−３−セフェム−４−カルボン酸の２・２・２
− トリクロロエチルエステル、ｍｐＨ１〜１１３℃
。

（５） ３−メチル−７−（２−フェニルアセトアミ
ド）−３−セフェム−４−カルボン酸の１−シクロプロ
ピルエチルエステル、ｍｐＨ１〜１１３℃。

（６）３−メチル−７−（２−（シトノン−３−イル）
アセトアミド）−３−セフェム−４−カルボン酸の２・
２・２−＊’）クロロエチルエステル、ｍｐ １１６〜
１１９℃（分解）。

（７）３−メチル−７−（２−（ｐ−ヒドロキシフェニ
ル）−２−（１−シクロプロピルエトキシ）カルボニル
アミノアセトアミド）−３−セフェム−４−カルボン酸
の２・２・２−トリクロロエチルエステル、 赤外線吸収スペクトル（液膜法） ３３００．１７７５．１７４０，１６７５ｃｒＩＬ＝ｉ
。

（８）３−メチル−７−（２−（２−チェニル）アセト
アミド）−３−セフェム−４−カルボン酸の２・２・２
−トリクロロエチルエステル、ｍ９１５１〜１５２℃。

（９）３−メチル−７−（２−フェニルアセトアミド）
−３−セフェム−４−カルボン酸の３・５−ジ第３級ブ
チルー４−ヒドロキシベンジルエステル、 赤外線吸収スペクトル １７８０．１７３０．１６６５ｃＩｒＬ ’。

α０）３−メチル−７−（Ｎ−（１−シクロプロピルエ
トキシ）カルボニルフェニルグリシル）アミノ−３−セ
フェム−４−カルボン酸の２・２゜２−トリクロロエチ
ルエステル、ｍｐ１３０〜１３５℃。

α１）３−メチル−７−（２−シアノアセトアミド）−
３−セフェム−４−カルボン酸の２・・２・２− ）
ＩＪ クロロエチルエステル、ｍｐ１５４〜１５９℃（
分解）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １一般式 （式中、Ｒ１は窒素原子および硫黄原子含有複素環チオ
   基、Ｒ２はアルキル基、Ｒ３はアミノ基またはアシルア
   ミノ基をそれぞれ意味する） で示される２−オキソ−４−置換チオー１−アゼチジン
   酢酸類もしくはそのカルボキシ基における誘導体を極性
   溶媒中で放置するかまたは加熱して一般式 （式中Ｒ２およびＲ３は前と同じ意味） で示される３−アルキル−３−セフェム−４−カルホン
   酸類もしくはそのカルボキシ基におけル誘導体を得るこ
   とを特徴とする３−アルキル−３セフェム−４−カルボ
   ン酸類を製造する方法。