JPS59186991A - 2−アルキル−7−置換−2(または3)−セフエム−4−カルボン酸類の製法 - Google Patents
2−アルキル−7−置換−2(または3)−セフエム−4−カルボン酸類の製法Info
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- JPS59186991A JPS59186991A JP5200284A JP5200284A JPS59186991A JP S59186991 A JPS59186991 A JP S59186991A JP 5200284 A JP5200284 A JP 5200284A JP 5200284 A JP5200284 A JP 5200284A JP S59186991 A JPS59186991 A JP S59186991A
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- carboxylic acid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は2−アルキル−7−置換−2(または3)−
セフェム−4−カルボン酸類のカルボキシ基におけるエ
ステル(Ila)を脱離反応に付して、2−アルキル−
7−置換−2(または3)−セフェム−4−カルボン酸
類(Il’a) を得ることからなる2−アルキル−
7−置換−2(または3)−セフェム−4−カルボン酸
類の製法に関するものである。
セフェム−4−カルボン酸類のカルボキシ基におけるエ
ステル(Ila)を脱離反応に付して、2−アルキル−
7−置換−2(または3)−セフェム−4−カルボン酸
類(Il’a) を得ることからなる2−アルキル−
7−置換−2(または3)−セフェム−4−カルボン酸
類の製法に関するものである。
この発明の反応を一般式で示せば次の通りである。
のカルボキシ基に
おけるエステル
(R5)
(式中R7はアミ7基またはアシルアミノ基、R2は↑
アルキル基、Xは−8−または−S−1点線は2または
3−セフェムをそれぞれ意味する)この発明の原料物質
(Ila)は新規物質であり、例えば次の反応で製造す
ることができる。
3−セフェムをそれぞれ意味する)この発明の原料物質
(Ila)は新規物質であり、例えば次の反応で製造す
ることができる。
のカルボキシ基に
おけるエステル
のカルボキシ基に
おけるエステル
(Ila)
(式中R1、R2、Xおよび点線は前々同じ意味)さら
に、原料物質(Ila )の製造に使用される物質(I
a)も新規物質であり、例えば対応する2−アルキル−
2−ハロメチル−6−置換ペナム−3−カルボン酸もし
くはその1−オキサイドのカルボキシ基におけるエステ
ルに塩基を作用させることにより製造することができる
。
に、原料物質(Ila )の製造に使用される物質(I
a)も新規物質であり、例えば対応する2−アルキル−
2−ハロメチル−6−置換ペナム−3−カルボン酸もし
くはその1−オキサイドのカルボキシ基におけるエステ
ルに塩基を作用させることにより製造することができる
。
R5のアシルアミノ基におけるアシル基としては、脂肪
族アシノペ芳香環を含むアシルまたは複素環を含むアシ
ルのすべてを意味する。
族アシノペ芳香環を含むアシルまたは複素環を含むアシ
ルのすべてを意味する。
ここにおいて脂肪族アシルとしては飽和もしくは不飽和
アルカノイルであって側鎖を有しあるいは環状になって
もよく、例えばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブ
チリル、インブチリル、バレリル、イソバレリル、ピバ
ロイノへアクリロイル、タロトノイル、2−メチルアク
リロイル、シクロペンチルカルボニル、シクロへキシル
カルボニル、シクロへブチルカルボニル、サクシニル、
シクロペンチルアセチル、シクロへキシルアセチル、シ
クロへブチルアセチル、シクロへキシルブー 4 − ロビオニル、シクロへブチルプロピオニル、ジヒドロベ
ンゾイル、2,4.6−シクロへブタトリエニルアセチ
ル、ジヒドロフェニルアセチル等が挙ケられ、またこれ
らの飽和もしくは不飽和アルカノイルは酸素原子または
硫黄原子で中断されていてもよく、この様な基さしては
、例えばメトキシアセチル、メチルチオアセチル、2−
プロペニルチオアセチル、シクロへキシルチオアセチル
、シクロへキシルオキシアセチル、ジヒドロフェノキシ
アセチル、ジヒドロフェニルチオアセチル、メトキシカ
ルボニル シカルボニル、ブトキシカルボニル、第3級ブトキシカ
ルボニル、シクロペンチルオキシカルボニル、シクロヘ
キシルオキシカルボニル、ジヒドロフェノキシカルボニ
ル、シクロへブチルオキシカルボニル等が挙げられる。
アルカノイルであって側鎖を有しあるいは環状になって
もよく、例えばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブ
チリル、インブチリル、バレリル、イソバレリル、ピバ
ロイノへアクリロイル、タロトノイル、2−メチルアク
リロイル、シクロペンチルカルボニル、シクロへキシル
カルボニル、シクロへブチルカルボニル、サクシニル、
シクロペンチルアセチル、シクロへキシルアセチル、シ
クロへブチルアセチル、シクロへキシルブー 4 − ロビオニル、シクロへブチルプロピオニル、ジヒドロベ
ンゾイル、2,4.6−シクロへブタトリエニルアセチ
ル、ジヒドロフェニルアセチル等が挙ケられ、またこれ
らの飽和もしくは不飽和アルカノイルは酸素原子または
硫黄原子で中断されていてもよく、この様な基さしては
、例えばメトキシアセチル、メチルチオアセチル、2−
プロペニルチオアセチル、シクロへキシルチオアセチル
、シクロへキシルオキシアセチル、ジヒドロフェノキシ
アセチル、ジヒドロフェニルチオアセチル、メトキシカ
ルボニル シカルボニル、ブトキシカルボニル、第3級ブトキシカ
ルボニル、シクロペンチルオキシカルボニル、シクロヘ
キシルオキシカルボニル、ジヒドロフェノキシカルボニ
ル、シクロへブチルオキシカルボニル等が挙げられる。
また芳香環を含むアシルとしてはベンゾイル、トルオイ
ル、ナフトイル、α−メチルナフトイル、フタロイル、
テトラヒドロナフトイル等のアリロイル、ベンセ゛ンス
ルホニル、トシル等のアリールスルホニルおよびフェニ
ルアセチル、フェニルプロピオニル、フェニルブチリル
、トリルアセチル、キシリルアセチル、ナフチルアセチ
ル、テトラヒドロナフチルアセチル等のアラルカッイル
の両者を含み、まだこのアラルカッイルのアルキル部分
の炭素原子は酸素原子または硫黄原子で置き変えられて
いてもよく、この様な基としては例えばフェノキシアセ
チル、フェニルチオアセチル、ベンジルオキシカルボニ
ル、キシリルオキシカルボニル、ナフトキシカルボニル
、フェノキシカルボニル、2−フエノキシプロビオニノ
へ 2−フェノキシブチリル等が挙げられる。さらに複
素環を含むアシルとしては、酸素原子、硫,黄原子、窒
素原子その他のへテロ原子を少なくとも1個もしくはそ
れ以上含む飽和もしくは不飽和複素単環もしくは複素多
環残基、例えばチェニル、ベンゾチェニル、フリル、ピ
ラニル、5I6−シヒドロー2H−ピラニル、インベン
ゾフラニル、タロメニル、キサンテニル、2H−ピロリ
/l/、3H−ピロリル、ピロリル、イミダゾリル、ピ
ラゾリル、ピリジル、ピリミジニル、ビラジニル、ピリ
ダジニル、イソインドリル、インドリル、イミダゾリル
、キノリル、イソキノリル、インキサゾリル、インチア
ゾリル、オキサジアゾリル、ピロリジニル、ピロリニル
、イミダゾリジニル、ピペリジニル、ピペラジニル、ジ
アゾリル、トリアゾリル、オキサシリル、チアゾリル、
チアジアゾリル、テトラゾリル、ペンズオキサゾリノへ
ベンズオキサジアゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾチ
アジアゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンズイミダゾリ
ル、シトノニル等の複素環を含む複素環カルボニルおよ
び前記複素環もしくは複素環置換オキシもしくは複素環
置換チオもしくは複素環置換アミノもしくはN−アルキ
ル複素環置換アミン等の基を置換分として有するアセチ
ル、プロピオニル、ブチリル、インブチリル、バレリル
、インバレリル、ピパロイル、アクリロイノへ タロト
ノイル、2−メチルアクリロイル等のアルカノイル、例
えばIH(もしくは2H)−テトラゾリルアセチル、チ
ェニルアセチル、チェニルプロピオニル、フリルアセチ
ル、ピペラジニルアセチル、ピペラジニルアセチル、ピ
ロリジニルプロピオニル、チアジアゾリルアセチル、オ
キサジアゾリルアヤチル、ペンゾチアゾリルアセチノベ
オキサゾリルアセチル、ベンズオキサシリルアセチル等
が挙げられ、寸たこの複素環を置換分として有するアル
カノイルのアルキル部分の炭素原子は酸素原子捷たけ硫
黄原子で置きかえられていてもよく、この様な基として
は、例えばピリジルメトキシカルボニル、2−フリルオ
キシカルボニル、8−キノリルオキシカルボニル等が挙
げられる。さらにこれらの脂肪族アシル、芳香環を含む
アシルまたは複素環を含むアシルはその任意の位置に適
当な置換分を1個もしくはそれ以上有していてもよく、
この様な置換分としてはメチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、1−プロペニル、2−プロペニル、シクロ
プロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへ
ブチル等のアルキル、フェニル、キシリノベ トリル等
のアリーノへベンジル、フェネチル等のアラルキル、ア
ミノ、メルカプト、ニトロ、アシド、クロル、フルオル
、ブロム等のハロゲン、カルボキシ、スルホ、ヒドロキ
シ、ヒドロキシアミノ、モノ(もしくはジ)メチルアミ
ノ、モノ(もしくはジ)エチルアミノ、モノ(もしくは
ジ)プロピルアミン、モノ(もしくはジ)イソプロピル
アミン等のモノ(もしくはジ)アルキルアミ7基、モノ
(もしくはジ)フェニルアミノ、モノ(もしくはジ)ト
リルアミム等のモノ(もしくはジ)アリールアミノ、モ
ノ(もしくはジ)ベンジルアミノ、モノ(もしくはジ)
フェネチルアミ7等のモノ(もしくはジ)アラルキルア
ミノ、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキ
シ、ブトキシ等のアルコキシ基、メチルチオ、エチルチ
オ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ等の
アルキルチオ基等が挙げられ、さらにこの様な置換分を
有する脂肪族アシル、芳香族を含むアシルまたは複素環
を含むアシルとしては、例えばトリクロロエトキシカル
ボニル、トリブロモエトキシカルボニル、1−シクロプ
ロピルエトキシ力ルポニル、タロロアセチル、2−クロ
ロプロピオニル、トリフルオロアセチノへα−アミンフ
ェニルアセチル、カルバモイル、フェニルカルバモイル
、α−ヒドロキシフェニルアセチル、p−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル、0−ブロモベンジルオキシカルボ
ニル、0−ニトロベンジルオキシカルボニル、p−メト
キシベンジルオキシカルボニル、3.4−ジメトキシベ
ンジルオキシカルボニル、p−ヒドロキシフェニルアセ
チル、2−アミノ−2−(5,6−シヒドロー2H−ピ
ラン−3−イル)アセチル、2−アミノ−2−(p−ヒ
ドロキシフェニル)アセチル、2.6−シメトキシベン
ゾイJL/、 p−アセトアミドベンゼンスルホニル
、3−フェニル−5−メチル−4−オキサシリルカルボ
ニル、3−(2−クロロフェニル) −5= l チル
−4−オキサシリルカルボニル3−(2.6−ジクロロ
フェニル)−5−メチル−4−オキサシリルカルボニル
、3−(2−クロロ−6−フルオロフェニル)−5−メ
チル−4−オキサシリルカルボニル等が挙げられる。
ル、ナフトイル、α−メチルナフトイル、フタロイル、
テトラヒドロナフトイル等のアリロイル、ベンセ゛ンス
ルホニル、トシル等のアリールスルホニルおよびフェニ
ルアセチル、フェニルプロピオニル、フェニルブチリル
、トリルアセチル、キシリルアセチル、ナフチルアセチ
ル、テトラヒドロナフチルアセチル等のアラルカッイル
の両者を含み、まだこのアラルカッイルのアルキル部分
の炭素原子は酸素原子または硫黄原子で置き変えられて
いてもよく、この様な基としては例えばフェノキシアセ
チル、フェニルチオアセチル、ベンジルオキシカルボニ
ル、キシリルオキシカルボニル、ナフトキシカルボニル
、フェノキシカルボニル、2−フエノキシプロビオニノ
へ 2−フェノキシブチリル等が挙げられる。さらに複
素環を含むアシルとしては、酸素原子、硫,黄原子、窒
素原子その他のへテロ原子を少なくとも1個もしくはそ
れ以上含む飽和もしくは不飽和複素単環もしくは複素多
環残基、例えばチェニル、ベンゾチェニル、フリル、ピ
ラニル、5I6−シヒドロー2H−ピラニル、インベン
ゾフラニル、タロメニル、キサンテニル、2H−ピロリ
/l/、3H−ピロリル、ピロリル、イミダゾリル、ピ
ラゾリル、ピリジル、ピリミジニル、ビラジニル、ピリ
ダジニル、イソインドリル、インドリル、イミダゾリル
、キノリル、イソキノリル、インキサゾリル、インチア
ゾリル、オキサジアゾリル、ピロリジニル、ピロリニル
、イミダゾリジニル、ピペリジニル、ピペラジニル、ジ
アゾリル、トリアゾリル、オキサシリル、チアゾリル、
チアジアゾリル、テトラゾリル、ペンズオキサゾリノへ
ベンズオキサジアゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾチ
アジアゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンズイミダゾリ
ル、シトノニル等の複素環を含む複素環カルボニルおよ
び前記複素環もしくは複素環置換オキシもしくは複素環
置換チオもしくは複素環置換アミノもしくはN−アルキ
ル複素環置換アミン等の基を置換分として有するアセチ
ル、プロピオニル、ブチリル、インブチリル、バレリル
、インバレリル、ピパロイル、アクリロイノへ タロト
ノイル、2−メチルアクリロイル等のアルカノイル、例
えばIH(もしくは2H)−テトラゾリルアセチル、チ
ェニルアセチル、チェニルプロピオニル、フリルアセチ
ル、ピペラジニルアセチル、ピペラジニルアセチル、ピ
ロリジニルプロピオニル、チアジアゾリルアセチル、オ
キサジアゾリルアヤチル、ペンゾチアゾリルアセチノベ
オキサゾリルアセチル、ベンズオキサシリルアセチル等
が挙げられ、寸たこの複素環を置換分として有するアル
カノイルのアルキル部分の炭素原子は酸素原子捷たけ硫
黄原子で置きかえられていてもよく、この様な基として
は、例えばピリジルメトキシカルボニル、2−フリルオ
キシカルボニル、8−キノリルオキシカルボニル等が挙
げられる。さらにこれらの脂肪族アシル、芳香環を含む
アシルまたは複素環を含むアシルはその任意の位置に適
当な置換分を1個もしくはそれ以上有していてもよく、
この様な置換分としてはメチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、1−プロペニル、2−プロペニル、シクロ
プロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへ
ブチル等のアルキル、フェニル、キシリノベ トリル等
のアリーノへベンジル、フェネチル等のアラルキル、ア
ミノ、メルカプト、ニトロ、アシド、クロル、フルオル
、ブロム等のハロゲン、カルボキシ、スルホ、ヒドロキ
シ、ヒドロキシアミノ、モノ(もしくはジ)メチルアミ
ノ、モノ(もしくはジ)エチルアミノ、モノ(もしくは
ジ)プロピルアミン、モノ(もしくはジ)イソプロピル
アミン等のモノ(もしくはジ)アルキルアミ7基、モノ
(もしくはジ)フェニルアミノ、モノ(もしくはジ)ト
リルアミム等のモノ(もしくはジ)アリールアミノ、モ
ノ(もしくはジ)ベンジルアミノ、モノ(もしくはジ)
フェネチルアミ7等のモノ(もしくはジ)アラルキルア
ミノ、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキ
シ、ブトキシ等のアルコキシ基、メチルチオ、エチルチ
オ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ等の
アルキルチオ基等が挙げられ、さらにこの様な置換分を
有する脂肪族アシル、芳香族を含むアシルまたは複素環
を含むアシルとしては、例えばトリクロロエトキシカル
ボニル、トリブロモエトキシカルボニル、1−シクロプ
ロピルエトキシ力ルポニル、タロロアセチル、2−クロ
ロプロピオニル、トリフルオロアセチノへα−アミンフ
ェニルアセチル、カルバモイル、フェニルカルバモイル
、α−ヒドロキシフェニルアセチル、p−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル、0−ブロモベンジルオキシカルボ
ニル、0−ニトロベンジルオキシカルボニル、p−メト
キシベンジルオキシカルボニル、3.4−ジメトキシベ
ンジルオキシカルボニル、p−ヒドロキシフェニルアセ
チル、2−アミノ−2−(5,6−シヒドロー2H−ピ
ラン−3−イル)アセチル、2−アミノ−2−(p−ヒ
ドロキシフェニル)アセチル、2.6−シメトキシベン
ゾイJL/、 p−アセトアミドベンゼンスルホニル
、3−フェニル−5−メチル−4−オキサシリルカルボ
ニル、3−(2−クロロフェニル) −5= l チル
−4−オキサシリルカルボニル3−(2.6−ジクロロ
フェニル)−5−メチル−4−オキサシリルカルボニル
、3−(2−クロロ−6−フルオロフェニル)−5−メ
チル−4−オキサシリルカルボニル等が挙げられる。
捷だこの様なアシル基中に遊離のアミン基、ヒドロキシ
基、メルカプト基、カルボキシ基、スルホ基等がある場
合には、この様なアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト
基、カルボキシ基、スルホ基等が保護基で保護された場
合も本発明の範囲に含まれるものである。
基、メルカプト基、カルボキシ基、スルホ基等がある場
合には、この様なアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト
基、カルボキシ基、スルホ基等が保護基で保護された場
合も本発明の範囲に含まれるものである。
ここにおいてアミン基の保護基としては通常アミン保護
基として使用しうるすべての基を含み、例えばトリクロ
ロエトキシ−カルボニル、トリブロモエトキシカルボニ
ル、ベンジルオキシカルボニル、p−トルエンスルホニ
/L/、p−ニトロベンジルオキシカルボニル、0−ブ
ロモベンジルオキシカルボニル、0−ニトロフェニルス
ルフェニル、タロロアセチル、トリフルオロアセチル、
ホルミル、α−ピコリニル、ビニルオキシカルボニル、
第3級ブトキシカルボニル ルオキシカルボニル、314−ジメトキシベンジルオキ
シ力ルポニノに,4−(フェニルアゾ)ベンジルオキシ
カルボニル、4−(4−メトキシフェニルアゾ)ベンジ
ルオキシカルボニル、ピリジン−1−オキサイド−2−
メトキシカルボニル、2−ピリジルメトキシ力ルボニル
、2−フリルオキシカルボニル、シフェニルメトキシ力
ルポ二ノへ1。
基として使用しうるすべての基を含み、例えばトリクロ
ロエトキシ−カルボニル、トリブロモエトキシカルボニ
ル、ベンジルオキシカルボニル、p−トルエンスルホニ
/L/、p−ニトロベンジルオキシカルボニル、0−ブ
ロモベンジルオキシカルボニル、0−ニトロフェニルス
ルフェニル、タロロアセチル、トリフルオロアセチル、
ホルミル、α−ピコリニル、ビニルオキシカルボニル、
第3級ブトキシカルボニル ルオキシカルボニル、314−ジメトキシベンジルオキ
シ力ルポニノに,4−(フェニルアゾ)ベンジルオキシ
カルボニル、4−(4−メトキシフェニルアゾ)ベンジ
ルオキシカルボニル、ピリジン−1−オキサイド−2−
メトキシカルボニル、2−ピリジルメトキシ力ルボニル
、2−フリルオキシカルボニル、シフェニルメトキシ力
ルポ二ノへ1。
l−ジメチルプロポキシカルボニル、インプロポキシカ
ルボニル、1−シクロプロピルエトキシカルボニル、2
−シアノ−1,1−ジメチルエトキシカルボニル、フタ
ロイル、サクシニル、1−アダマンチルオキシカルボニ
ル、8−キノリルオキシカルボニル、インボルニルオキ
シカルボニル、9−フルオレニルメトキシ力ルポニル等
の脱離しゃすいアシル基が挙げられ、さらに、例えば、
トリチル、2−ニトロフェニルチオ、214−ジニトロ
フェニルチオ、ベンジリデン、4−ニトロベンジリデン
、2−ヒドロキシベンジリデン、2−ヒドロキシ−5−
タロロペンジリデン、2−ヒドロキシ−1−ナフチルメ
チレン、3−ヒドロキシ−4−ピリジルメチレン、1−
メトキシカルボニル−2−プロピリデン、1−エトキシ
カルボニル−2−フロビリデン、3−エトキシカルボニ
ル−2−ブチリデン、1−アセチル−2−プロピリチン
、1−ベンゾイル−2−プロピリデン、1−(N−(2
−メ)キシフェニル)カルバモイル)−2−プロピリデ
ン、1−(N−(4−メトキシフェニル)カルバモイル
) −2−7”ロヒリテン、2−エトキシカルボニルシ
クロへキシリテ゛ン、2−エトキシカルボニルシクロペ
ンチリテン、2−アセチルシクロヘキシリチン、3,3
−ジメチル−5−オキソシクロへキシリデン等の脱離し
やすい基(こレラのうち例えば1−メトキシカルボニル
−プロピリデンは1−メトキシカルボニル−1−プロペ
ン−2−イルと表わされることがあり、また例tば2−
エトキシカルボニルシクロへキシリチンは2−エトキシ
カルボニル−1−シクロへキー1ニルと表わされること
もある)、またジもしくはトリアルキルシリル等のアシ
ル基以外のアミノ基の保護基が挙げられ、またヒドロキ
シ基およびメルカプト基の保護基としては通常ヒドロキ
シ基およびメルカプト基の保護基として使用し得るすべ
ての基を含み、例えばホルミル、アセチル、ベンジルオ
キシカルボニル、4−ニトロベンジルオキシカルボニル
、4−ブロモベンジルオキシカルボニル、4−メトキシ
ベンジルオキシカルボニル、3、4−ジメトキシベンジ
ルオキシカルボニル、4−(フェニルアゾ)ベンジルオ
キシカルボニル、4−(4−メトキシフェニルアゾ)ベ
ンジルオキシカルボニル、第3級ブトキシカルボニル、
I+1ージメチルプロポキシカルポニル、インプロポキ
シカルボニル、ジフェニルメトキシカルボニル、2−ピ
リジルメトキシカルボニル、2,2.2−トリブロモエ
トキシカルボニル、2, 2. 2 F !J フリ
ルオキシカルボニル、3−ヨiドプ口ボキシ力ルポニル
、2−フルフリルオキシカルボニル、1−アダマンチル
オキシカルボニル、1−シクロプロピルエトキシカルボ
ニル、3−キノリルオキシカルボニル、トリフルオロア
セチル等の脱MLやすいアシル基のほか、ペンジノベ
トリチル、メトキシメチル、2−ニトロフェニルチオ、
2,4−ジニトロフェニルチオ等の基が挙げられ、さら
にカルボキシ基の保護基としては、通常のカルボキシ基
の保護基として使用し得るすべての基を含み、例えばそ
のエステル部分がメチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、第3級ブチル、ブチル、ベンジル、ジフェニルメ
チル、トリフェニルメチル、p−ニトロベンジル、p−
メトキシベンジル、ベンゾイルメチル、アセチルメチノ
ペ p−ニトロベンゾイルメチル、p−ブロモベンゾイ
ルメチル、p−メタンスルホニルベンゾイルメチル、フ
タルイミドメチル、トリクロロエチル、トリブロモエチ
ル、】、1−ジメチル−2−プロピニル、アセトキシメ
チル、プロピオニルオキシメチル、ピパロイルオキシメ
チル、1,1−ジメチルプロピル、1゜l−ジメチル−
2−7”ロペニル、3−メチル−3−ブテニル、サクシ
ンイミドメチノへ 1−シクロプロピルエチル、3.5
−ジ第3級ブチルー4−ヒドロキシベンジル、メチルス
ルフェニルメチル、フェニルスルフェニルメチル、メチ
ルチオメチル、フェニルチオメチノペジメチルアミノメ
チル、ピリジン−1−オキサイド−2−メチル、キノリ
ン−1−オキサイド−2−メチル、メチルスルフィニル
メチル、ジ(p−メトキシフェニル)メチル、2−シア
ノ−1,1−ジメチルエチル等であるエステル、さらに
特開昭46−7073号公報および= 15− オランダ国公開公報第7105259号に記載されてい
る例えばジメチルジクロロシランの如きシリル化合物ま
たはドイツ国公開公報第2062925号に記載されて
いる例えば、4塩化チタンの如き非金属化合物でカルボ
キシ基が保護されている場合等が例示される。
ルボニル、1−シクロプロピルエトキシカルボニル、2
−シアノ−1,1−ジメチルエトキシカルボニル、フタ
ロイル、サクシニル、1−アダマンチルオキシカルボニ
ル、8−キノリルオキシカルボニル、インボルニルオキ
シカルボニル、9−フルオレニルメトキシ力ルポニル等
の脱離しゃすいアシル基が挙げられ、さらに、例えば、
トリチル、2−ニトロフェニルチオ、214−ジニトロ
フェニルチオ、ベンジリデン、4−ニトロベンジリデン
、2−ヒドロキシベンジリデン、2−ヒドロキシ−5−
タロロペンジリデン、2−ヒドロキシ−1−ナフチルメ
チレン、3−ヒドロキシ−4−ピリジルメチレン、1−
メトキシカルボニル−2−プロピリデン、1−エトキシ
カルボニル−2−フロビリデン、3−エトキシカルボニ
ル−2−ブチリデン、1−アセチル−2−プロピリチン
、1−ベンゾイル−2−プロピリデン、1−(N−(2
−メ)キシフェニル)カルバモイル)−2−プロピリデ
ン、1−(N−(4−メトキシフェニル)カルバモイル
) −2−7”ロヒリテン、2−エトキシカルボニルシ
クロへキシリテ゛ン、2−エトキシカルボニルシクロペ
ンチリテン、2−アセチルシクロヘキシリチン、3,3
−ジメチル−5−オキソシクロへキシリデン等の脱離し
やすい基(こレラのうち例えば1−メトキシカルボニル
−プロピリデンは1−メトキシカルボニル−1−プロペ
ン−2−イルと表わされることがあり、また例tば2−
エトキシカルボニルシクロへキシリチンは2−エトキシ
カルボニル−1−シクロへキー1ニルと表わされること
もある)、またジもしくはトリアルキルシリル等のアシ
ル基以外のアミノ基の保護基が挙げられ、またヒドロキ
シ基およびメルカプト基の保護基としては通常ヒドロキ
シ基およびメルカプト基の保護基として使用し得るすべ
ての基を含み、例えばホルミル、アセチル、ベンジルオ
キシカルボニル、4−ニトロベンジルオキシカルボニル
、4−ブロモベンジルオキシカルボニル、4−メトキシ
ベンジルオキシカルボニル、3、4−ジメトキシベンジ
ルオキシカルボニル、4−(フェニルアゾ)ベンジルオ
キシカルボニル、4−(4−メトキシフェニルアゾ)ベ
ンジルオキシカルボニル、第3級ブトキシカルボニル、
I+1ージメチルプロポキシカルポニル、インプロポキ
シカルボニル、ジフェニルメトキシカルボニル、2−ピ
リジルメトキシカルボニル、2,2.2−トリブロモエ
トキシカルボニル、2, 2. 2 F !J フリ
ルオキシカルボニル、3−ヨiドプ口ボキシ力ルポニル
、2−フルフリルオキシカルボニル、1−アダマンチル
オキシカルボニル、1−シクロプロピルエトキシカルボ
ニル、3−キノリルオキシカルボニル、トリフルオロア
セチル等の脱MLやすいアシル基のほか、ペンジノベ
トリチル、メトキシメチル、2−ニトロフェニルチオ、
2,4−ジニトロフェニルチオ等の基が挙げられ、さら
にカルボキシ基の保護基としては、通常のカルボキシ基
の保護基として使用し得るすべての基を含み、例えばそ
のエステル部分がメチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、第3級ブチル、ブチル、ベンジル、ジフェニルメ
チル、トリフェニルメチル、p−ニトロベンジル、p−
メトキシベンジル、ベンゾイルメチル、アセチルメチノ
ペ p−ニトロベンゾイルメチル、p−ブロモベンゾイ
ルメチル、p−メタンスルホニルベンゾイルメチル、フ
タルイミドメチル、トリクロロエチル、トリブロモエチ
ル、】、1−ジメチル−2−プロピニル、アセトキシメ
チル、プロピオニルオキシメチル、ピパロイルオキシメ
チル、1,1−ジメチルプロピル、1゜l−ジメチル−
2−7”ロペニル、3−メチル−3−ブテニル、サクシ
ンイミドメチノへ 1−シクロプロピルエチル、3.5
−ジ第3級ブチルー4−ヒドロキシベンジル、メチルス
ルフェニルメチル、フェニルスルフェニルメチル、メチ
ルチオメチル、フェニルチオメチノペジメチルアミノメ
チル、ピリジン−1−オキサイド−2−メチル、キノリ
ン−1−オキサイド−2−メチル、メチルスルフィニル
メチル、ジ(p−メトキシフェニル)メチル、2−シア
ノ−1,1−ジメチルエチル等であるエステル、さらに
特開昭46−7073号公報および= 15− オランダ国公開公報第7105259号に記載されてい
る例えばジメチルジクロロシランの如きシリル化合物ま
たはドイツ国公開公報第2062925号に記載されて
いる例えば、4塩化チタンの如き非金属化合物でカルボ
キシ基が保護されている場合等が例示される。
捷たR2におけるアルキル基としては、例えばメチル、
エチル、プロピル、ブチル等が挙げられる。
エチル、プロピル、ブチル等が挙げられる。
カルボキシ基におけるエステルとしては活性エステル及
び非活性エステルのすべてを含み、例えば、エステル部
分が、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、プチ
ノペ第3級グチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、
ビニル、1−プロペニル、2−7”ロペニル、1,1−
ジメチル−2−プロペニル、3−−エチニル、l、1−
ジメチル−2−プロピニル等の飽和もしくは不飽和アル
キル、フェニル、キシリル、トリル、ナフチル等のアリ
ール、ベンジル、フェネチル等のアラルキル、また前記
飽和もしくは不飽和アルキルおよびアラルキルのアルキ
ル部分の炭素原子が硫黄原子、窒素原子、=16− 酸素原子まだはカルボニル等でおきかえられた、メトキ
シメチル、エトキシメチル、メチルチオエチル、メチル
チオメチル、ジメチルアミノエチル、ジエチルアミノエ
チル、フェノキシメチル、フェニルチオメチル、メチル
スルフェニルメチル、フェニルスルフェニルメチル、ベ
ンゾイルメチル、トルオイルメチル等、さらにこれら上
記の基が適当な置換分、例えばシアノ、ニトロ、フルオ
ル、クロル、ブロム等のハロゲン、メトキシ、エトキシ
、プロポキシ等のアルコキシ、アルカンスルホニル、フ
ェニルアゾ等を1個もしくはそれ以上有するクロロメチ
ル、ブロモメチル、トリクロロエチル、シアノメチル、
2−シアノ−1,1−ジメチルエチル、p−ニトロフェ
ニル、2,4.5− ) ジクロロフェニル、2,4.
6− ト1,1 クロロフェニル、ペンタクロロフェニ
ル、p−メタンスルホニルフェニル、4−(フェニルア
ゾ)フェニル、2.4−ジニトロフェニル、p−クロロ
ベンジル、0−ニトロベンジル、p−メトキシベンジル
、p−ニトロベンジル、3,4.5−)リメトキシベン
ジル、ビス(p−メトキシフェニル)メチル、ペンタク
ロロベンジル、トリクロロベンジル、3,5−ジ第3級
フチルー4−ヒドロキシベンジル、p−ニトロフェニル
チオメチル、p−クロロフェニルチオメチル、p−ニト
ロベンゾイルメチル、p−クロロベンゾイルメチル等、
その他置換もしくは非置換チオアルコール、N−ヒドロ
キシこはく酸イミド、N−ヒドロキシフタルイミド、テ
トラヒドロビラノール、1−シクロプロピルエタノール
、1−フェニル−3−メチル−5−ヒラゾロン、3−ヒ
ドロキシピリジン、2−ヒドロキシメチルピリジン−1
−オキサイド、1−ヒドロキシピペリジン、1−ヒドロ
キシ−2(IH)−ピリドン、ジメチルヒドロキシルア
ミン、ジエチルヒドロキシルアミン、グリコールアミド
、8−ヒドロキシキノリン、オキシム、2−ヒドロキシ
メチルキノリン−1−オキサイド、メトキシアセチレン
、エトキシアセチレン、第3級ブチルエチニルジメチル
アミン、第3級ブチルエチニルジエチルアミン、エチル
エチニルジエチルアミン、2−エチル−5−(3−スル
ホフェニル)イソキサゾリクムヒドロキサイド分子内塩
、1.5.9.9.10−ペンタクロル−9゜10−ジ
ヒドロアシドラセン、9,9.10−) 1) クロル
−9,10−ジヒドロアントラセン、1.8.9.10
.10−ペンタクロル−9,10−ジヒドロアシドラセ
ン等の9゜10.10−トリハロゲノ−9,10−ジヒ
ドロアントラセン誘導体等とのエステルが挙げられる。
び非活性エステルのすべてを含み、例えば、エステル部
分が、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、プチ
ノペ第3級グチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、
ビニル、1−プロペニル、2−7”ロペニル、1,1−
ジメチル−2−プロペニル、3−−エチニル、l、1−
ジメチル−2−プロピニル等の飽和もしくは不飽和アル
キル、フェニル、キシリル、トリル、ナフチル等のアリ
ール、ベンジル、フェネチル等のアラルキル、また前記
飽和もしくは不飽和アルキルおよびアラルキルのアルキ
ル部分の炭素原子が硫黄原子、窒素原子、=16− 酸素原子まだはカルボニル等でおきかえられた、メトキ
シメチル、エトキシメチル、メチルチオエチル、メチル
チオメチル、ジメチルアミノエチル、ジエチルアミノエ
チル、フェノキシメチル、フェニルチオメチル、メチル
スルフェニルメチル、フェニルスルフェニルメチル、ベ
ンゾイルメチル、トルオイルメチル等、さらにこれら上
記の基が適当な置換分、例えばシアノ、ニトロ、フルオ
ル、クロル、ブロム等のハロゲン、メトキシ、エトキシ
、プロポキシ等のアルコキシ、アルカンスルホニル、フ
ェニルアゾ等を1個もしくはそれ以上有するクロロメチ
ル、ブロモメチル、トリクロロエチル、シアノメチル、
2−シアノ−1,1−ジメチルエチル、p−ニトロフェ
ニル、2,4.5− ) ジクロロフェニル、2,4.
6− ト1,1 クロロフェニル、ペンタクロロフェニ
ル、p−メタンスルホニルフェニル、4−(フェニルア
ゾ)フェニル、2.4−ジニトロフェニル、p−クロロ
ベンジル、0−ニトロベンジル、p−メトキシベンジル
、p−ニトロベンジル、3,4.5−)リメトキシベン
ジル、ビス(p−メトキシフェニル)メチル、ペンタク
ロロベンジル、トリクロロベンジル、3,5−ジ第3級
フチルー4−ヒドロキシベンジル、p−ニトロフェニル
チオメチル、p−クロロフェニルチオメチル、p−ニト
ロベンゾイルメチル、p−クロロベンゾイルメチル等、
その他置換もしくは非置換チオアルコール、N−ヒドロ
キシこはく酸イミド、N−ヒドロキシフタルイミド、テ
トラヒドロビラノール、1−シクロプロピルエタノール
、1−フェニル−3−メチル−5−ヒラゾロン、3−ヒ
ドロキシピリジン、2−ヒドロキシメチルピリジン−1
−オキサイド、1−ヒドロキシピペリジン、1−ヒドロ
キシ−2(IH)−ピリドン、ジメチルヒドロキシルア
ミン、ジエチルヒドロキシルアミン、グリコールアミド
、8−ヒドロキシキノリン、オキシム、2−ヒドロキシ
メチルキノリン−1−オキサイド、メトキシアセチレン
、エトキシアセチレン、第3級ブチルエチニルジメチル
アミン、第3級ブチルエチニルジエチルアミン、エチル
エチニルジエチルアミン、2−エチル−5−(3−スル
ホフェニル)イソキサゾリクムヒドロキサイド分子内塩
、1.5.9.9.10−ペンタクロル−9゜10−ジ
ヒドロアシドラセン、9,9.10−) 1) クロル
−9,10−ジヒドロアントラセン、1.8.9.10
.10−ペンタクロル−9,10−ジヒドロアシドラセ
ン等の9゜10.10−トリハロゲノ−9,10−ジヒ
ドロアントラセン誘導体等とのエステルが挙げられる。
化合物(Ha)を脱離反応に付して化合物(Il’a)
に導く工程における脱離反応は、カルボキシ基における
エステルをカルボキシ基に導く還元、加水分解等のすべ
ての脱離方法が適用できる。例えばカルボキシ基におけ
るエステルが活性エステルである場合には、通常の加水
分解条件下ではもちろん、水と接触させるだけの緩和な
加水分解条件で反応が進行する場合が多く、またカルボ
キシ基におけるエステルが2−ヨードエチルエステル、
2,2.2−トリクロロエチルエステル、ベンジルエス
テルなどのときには還元による方法が、またカルボキシ
基におけるエステルが4−メトキシベンジルエステル、
t−−エチルエステル、t−ペンチルエステル、トリチ
ルエステル、ジフェニルメチルエステル、ビス(メトキ
シフェニル)メチルエステル、3.4−ジメトキシベン
ジルエステル、(1−シクロプロピル)エチルエステル
などのときには酸による方法が、さらにカルボキシ基に
おけるエステルがエチニルエステル、4−ヒドロキシ−
3,5−ジ(t−ブチル)ベンジルエステルなどのとき
には無水塩基性触媒による方法がそれぞれ採用される。
に導く工程における脱離反応は、カルボキシ基における
エステルをカルボキシ基に導く還元、加水分解等のすべ
ての脱離方法が適用できる。例えばカルボキシ基におけ
るエステルが活性エステルである場合には、通常の加水
分解条件下ではもちろん、水と接触させるだけの緩和な
加水分解条件で反応が進行する場合が多く、またカルボ
キシ基におけるエステルが2−ヨードエチルエステル、
2,2.2−トリクロロエチルエステル、ベンジルエス
テルなどのときには還元による方法が、またカルボキシ
基におけるエステルが4−メトキシベンジルエステル、
t−−エチルエステル、t−ペンチルエステル、トリチ
ルエステル、ジフェニルメチルエステル、ビス(メトキ
シフェニル)メチルエステル、3.4−ジメトキシベン
ジルエステル、(1−シクロプロピル)エチルエステル
などのときには酸による方法が、さらにカルボキシ基に
おけるエステルがエチニルエステル、4−ヒドロキシ−
3,5−ジ(t−ブチル)ベンジルエステルなどのとき
には無水塩基性触媒による方法がそれぞれ採用される。
ここで、還元による方法としてはすす、亜鉛、亜鉛アマ
ルガム等の余りあるいはCrCl2、Cr(OAC)2
等のクロム塩と弗酸、酢酸などの酸とを用いる方法およ
び接触還元による方法がその代表例としてあげられる。
ルガム等の余りあるいはCrCl2、Cr(OAC)2
等のクロム塩と弗酸、酢酸などの酸とを用いる方法およ
び接触還元による方法がその代表例としてあげられる。
ここで接触還元の触媒としてはたとえば白金線、白金海
綿、白金黒、酸化白金、コロイド白金等の白金触媒、パ
ラジウム海綿、パラジウム黒、酸化パラジウム、パラジ
ウム硫酸バリウム、パラジウム炭酸パリクム、バラジク
ム炭素、パラジウムシリカゲル、コロイドパラジウム等
のパラジウム触媒、還元エステル、酸化ニッケル、ラネ
ーニッケル、漆原ニッケル等があげられる。
綿、白金黒、酸化白金、コロイド白金等の白金触媒、パ
ラジウム海綿、パラジウム黒、酸化パラジウム、パラジ
ウム硫酸バリウム、パラジウム炭酸パリクム、バラジク
ム炭素、パラジウムシリカゲル、コロイドパラジウム等
のパラジウム触媒、還元エステル、酸化ニッケル、ラネ
ーニッケル、漆原ニッケル等があげられる。
壕だ、酸による方法の際に使用される酸としては弗酸、
トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等のトリハロ酢酸、
塩酸、弗化水素酸、p−)ルエンスルホン酸、トリフル
オロメタンスルホン酸、塩酸・酢酸混合酸などが例示さ
れる。
トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等のトリハロ酢酸、
塩酸、弗化水素酸、p−)ルエンスルホン酸、トリフル
オロメタンスルホン酸、塩酸・酢酸混合酸などが例示さ
れる。
さらに無水塩基性触媒による方法の際に使用される塩基
性触媒としてはチオフェノールのナトリウム塩、リチウ
ムジメチル銅[(CH3)2 LiCu ]などが例示
される。
性触媒としてはチオフェノールのナトリウム塩、リチウ
ムジメチル銅[(CH3)2 LiCu ]などが例示
される。
脱離反応は、水で処理する場合、反応に酸などの液体の
試剤を使用するときには特に他の溶媒を必要としないが
、その他の場合には、例えばジメチルホルムアミド、ジ
クロロメタン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ア
セトン、メタノール、エタノール等のこの反応に悪影響
を与えないものはいずれも使用することができる。
試剤を使用するときには特に他の溶媒を必要としないが
、その他の場合には、例えばジメチルホルムアミド、ジ
クロロメタン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ア
セトン、メタノール、エタノール等のこの反応に悪影響
を与えないものはいずれも使用することができる。
脱離反応の温度は特に限定されず、化合物(Ila)、
試剤等の種類に応じて適宜選択される。この脱離反応に
おいて、反応中もしくは反応の後処理中に分子内に置換
分として存在するカルボキシ基におけるエステルが同時
にカルボキシ基に転じる場合、ヒドロキシ基、メルカプ
ト基、アミ7基等の保護基が同時に脱離する場合等はす
べてこの発明の範囲に包含される。
試剤等の種類に応じて適宜選択される。この脱離反応に
おいて、反応中もしくは反応の後処理中に分子内に置換
分として存在するカルボキシ基におけるエステルが同時
にカルボキシ基に転じる場合、ヒドロキシ基、メルカプ
ト基、アミ7基等の保護基が同時に脱離する場合等はす
べてこの発明の範囲に包含される。
まだ化合物(Il’a)を得るこの反応において、化合
物(Ila) (!:して、2−セフェム体、3−セフ
ェム体および3−セフェム体の2位における立体異性体
等を単独で、あるいは混合物の状態で使用した場合のい
ずれにおいても、それらが反応中あるいは後処理中に転
位した化合物(Il’a)が得られる場合があるが、い
ずれの場合もこの発明の範囲に包含される。またこれら
の異性体が混在して生成する場合には必要に応じて再結
晶等の常法により夫々を単離してもよい。
物(Ila) (!:して、2−セフェム体、3−セフ
ェム体および3−セフェム体の2位における立体異性体
等を単独で、あるいは混合物の状態で使用した場合のい
ずれにおいても、それらが反応中あるいは後処理中に転
位した化合物(Il’a)が得られる場合があるが、い
ずれの場合もこの発明の範囲に包含される。またこれら
の異性体が混在して生成する場合には必要に応じて再結
晶等の常法により夫々を単離してもよい。
この発明の反応により生成する化合物(Il’a)は新
規物質であり、抗菌活性を有し、医薬として有用であり
、また他の抗菌性物質を製造する中間体としても有用で
ある。
規物質であり、抗菌活性を有し、医薬として有用であり
、また他の抗菌性物質を製造する中間体としても有用で
ある。
次にこの発明を実施例により説明する。
実施例1
2−メチル−7−(N−(1−シクロプロピルエトキシ
)カルボニルフェニルグリシル)アミノ−3−セフェム
−4−カルボン酸の2.2.2−)リクロロエチルエス
テル2.95 yを無水ジメチルホルムアミド1.2.
5 meおよび酢酸3.75 meの混液に溶解し、5
℃に冷却撹拌下、この溶液に亜鉛末3.0yを加え、1
.5時間撹拌する。反応後、亜鉛末を沢去し、亜鉛末を
ジメチルホルムアミド2meで洗浄したのち、混液と洗
液を合わせ、この溶液を酢酸エチル50me、木水50
meおよび10係塩酸3meの混液に注ぎ抽出する。
)カルボニルフェニルグリシル)アミノ−3−セフェム
−4−カルボン酸の2.2.2−)リクロロエチルエス
テル2.95 yを無水ジメチルホルムアミド1.2.
5 meおよび酢酸3.75 meの混液に溶解し、5
℃に冷却撹拌下、この溶液に亜鉛末3.0yを加え、1
.5時間撹拌する。反応後、亜鉛末を沢去し、亜鉛末を
ジメチルホルムアミド2meで洗浄したのち、混液と洗
液を合わせ、この溶液を酢酸エチル50me、木水50
meおよび10係塩酸3meの混液に注ぎ抽出する。
水層はさらに酢酸エチル20 meで抽出後、抽出液を
合わせたのち、水20 meで3回ついで飽和塩化ナト
リウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。
合わせたのち、水20 meで3回ついで飽和塩化ナト
リウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。
乾燥後、溶媒を留去し、得られる残渣をエーテルで洗浄
した後乾燥するとmp168〜169℃の2−メチル−
7−(N−(1−シクロプロピルエトキシ)カルボニル
フェニルグリシル)アミノ−3−セフェム−4−カルボ
ン酸の無色結晶2.01 y(87チ)を得る。
した後乾燥するとmp168〜169℃の2−メチル−
7−(N−(1−シクロプロピルエトキシ)カルボニル
フェニルグリシル)アミノ−3−セフェム−4−カルボ
ン酸の無色結晶2.01 y(87チ)を得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
3270、 1770. 1720. 1685. 1
660cm ’核磁気共鳴吸収スペクトル(d6−シメ
チルスルホキサイド、τ)9.94〜9.00(5H,
m)、 8.78(3H,d、J=7Hz)。
660cm ’核磁気共鳴吸収スペクトル(d6−シメ
チルスルホキサイド、τ)9.94〜9.00(5H,
m)、 8.78(3H,d、J=7Hz)。
8.65(3H,d、J=7.5Hz)、 6.24
(IH,m)。
(IH,m)。
5.72(LH,m)、 4.5’7(IH,d、J
=8.5Hz)。
=8.5Hz)。
4.19(IH,dd、J−4,5Hz、9Hz)。
3.47(IH,d、J=6Hz)、 2.63(5
H,m)実施例2 2−メチル−7−(2−(IH−テトラゾール−1−イ
ル)アセトアミド)−3−セフェム−4−カルボン酸の
2,2,2−トリクロロエチルエステル2.0yを無水
ジメチルホルムアミド10 meおよび酢酸3meの混
液に溶解し、水冷撹拌下この溶液に亜鉛末2.4y−を
加え、同温度で1.5時間撹拌する。反応後、亜鉛末を
許去し、P液を酢酸エチル5 Cj me、氷水および
10%塩酸5meの混液に注ぎ抽出する。水層は、さら
に酢酸エチル10 meで抽出し、抽出液を合わせたの
ち、水で2回洗浄し、硫酸マグネジレムで乾燥する。乾
燥後、溶媒を留去して得られる残渣に少量のエーテルを
加え、結晶化するとmp202〜203°C(分解)の
2−メチル−7−(2−(IH−テトラゾール−1−イ
ル)アセトアミ)’)−3−セフェム−4−カルボン酸
の無色結晶0.97 y(68%)を得る。
H,m)実施例2 2−メチル−7−(2−(IH−テトラゾール−1−イ
ル)アセトアミド)−3−セフェム−4−カルボン酸の
2,2,2−トリクロロエチルエステル2.0yを無水
ジメチルホルムアミド10 meおよび酢酸3meの混
液に溶解し、水冷撹拌下この溶液に亜鉛末2.4y−を
加え、同温度で1.5時間撹拌する。反応後、亜鉛末を
許去し、P液を酢酸エチル5 Cj me、氷水および
10%塩酸5meの混液に注ぎ抽出する。水層は、さら
に酢酸エチル10 meで抽出し、抽出液を合わせたの
ち、水で2回洗浄し、硫酸マグネジレムで乾燥する。乾
燥後、溶媒を留去して得られる残渣に少量のエーテルを
加え、結晶化するとmp202〜203°C(分解)の
2−メチル−7−(2−(IH−テトラゾール−1−イ
ル)アセトアミ)’)−3−セフェム−4−カルボン酸
の無色結晶0.97 y(68%)を得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
1785、 1760. 1680cm’核磁気共鳴吸
収スペクトル(D20+NaHCO3,τ)8.64(
3H,d、 7Hz)、 5.30(IH,m)。
収スペクトル(D20+NaHCO3,τ)8.64(
3H,d、 7Hz)、 5.30(IH,m)。
5.02(IH,d、 4.5Hz)、 4.59(
2H,s)。
2H,s)。
4.32(IH,d、 4.5Hz)、 3.75(
IH,d、 6Hz)。
IH,d、 6Hz)。
0.97(IH,s)
実施例3
2−メチル−7−(2−(2−チェニル)アセトアミド
)−3−セフェム−4−カルボン酸の2゜2、2− )
リクロロエチルエステル1.8yを無水ジメチルホルム
アミド10 meに溶解し、水冷撹拌下、この溶液に酢
酸3meついで亜鉛末2.4yを加え、同温度で1時間
撹拌する。反応後、亜鉛末をF去し、P液を5%塩酸5
0 meおよび酢酸エチル4゜meの混液に注ぎ、抽出
したのち酢酸エチル層は水洗後、乾燥する。乾燥後、溶
媒を留去し、残渣をエーテルに溶解後、放置し、析出す
る結晶を沢取し、乾燥するとmp175℃(分解)の2
−メチル−7−(2,−(2−チェニル)アセトアミド
)−3−セフェム−4−カルボン酸1.2yをmる。
)−3−セフェム−4−カルボン酸の2゜2、2− )
リクロロエチルエステル1.8yを無水ジメチルホルム
アミド10 meに溶解し、水冷撹拌下、この溶液に酢
酸3meついで亜鉛末2.4yを加え、同温度で1時間
撹拌する。反応後、亜鉛末をF去し、P液を5%塩酸5
0 meおよび酢酸エチル4゜meの混液に注ぎ、抽出
したのち酢酸エチル層は水洗後、乾燥する。乾燥後、溶
媒を留去し、残渣をエーテルに溶解後、放置し、析出す
る結晶を沢取し、乾燥するとmp175℃(分解)の2
−メチル−7−(2,−(2−チェニル)アセトアミド
)−3−セフェム−4−カルボン酸1.2yをmる。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
3290、 1790. 1760. 1690. 1
630σ−1核磁気共鳴吸収スペクトル(CD30D、
τ)8.58(3H,d、 J=7Hz)、 6.5
7(2H,s)。
630σ−1核磁気共鳴吸収スペクトル(CD30D、
τ)8.58(3H,d、 J=7Hz)、 6.5
7(2H,s)。
6.50(IH,m)、 5.28(LH+d+J=
4Hz)。
4Hz)。
4.47(IH,d、 J=4Hz)、 3.78(
IH,d、 J=6Hz)。
IH,d、 J=6Hz)。
3、30(3B’、、 m)
実施例4
2−メチル−7−ベンジルオキジカルボキサミド−3−
セフェム−4−カルボン酸の2.2.2− トリクロロ
エチルエステル1.9yを無水ジメチルホルムアミド1
0 meに溶解し、水冷撹拌下、この溶液に酢酸3m1
ついで亜鉛末2.4yを加え、同温度で1時間撹拌する
。反応後、亜鉛末を沢去し、P液は5頒塩酸50 me
および酢酸エチル40meの混液に注ぎ、抽出し、抽出
液は水洗後、乾燥する。
セフェム−4−カルボン酸の2.2.2− トリクロロ
エチルエステル1.9yを無水ジメチルホルムアミド1
0 meに溶解し、水冷撹拌下、この溶液に酢酸3m1
ついで亜鉛末2.4yを加え、同温度で1時間撹拌する
。反応後、亜鉛末を沢去し、P液は5頒塩酸50 me
および酢酸エチル40meの混液に注ぎ、抽出し、抽出
液は水洗後、乾燥する。
乾燥後、溶媒を留去し、残渣にエーテルを加えて結晶化
するとmp167〜169℃(分解)の2−メチル−7
−ベンジルオキジカルボキサミド−3−セフェム−4−
カルボン!i?D無色結晶1.132を得る。
するとmp167〜169℃(分解)の2−メチル−7
−ベンジルオキジカルボキサミド−3−セフェム−4−
カルボン!i?D無色結晶1.132を得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
3310、 1780. 1730. 1695. 1
632σ−1核磁気共鳴吸収スペクトル(a6−シメチ
ルスルホキサイド、τ)8.65(3H,d、J=7H
z)、 6.33(IH,m)。
632σ−1核磁気共鳴吸収スペクトル(a6−シメチ
ルスルホキサイド、τ)8.65(3H,d、J=7H
z)、 6.33(IH,m)。
5.15(IH,d、J=4Hz)、 5.07(2
H,s)。
H,s)。
4.57(IHldd、J=4,8H2)、3.72(
IH2d、J−6H2)。
IH2d、J−6H2)。
2.95(5H,s)、 1.95(IH,d、J=
8Hz)実施例5 2−メチル−7−(2−フェニルチオアセトアミド)−
3−セフェム−4−カルボン酸の2.2.2−トリクロ
ロエチルエステル2.7942を無水ジメチルホルムア
ミド15 meに溶解し、水冷撹拌下この溶液に酢酸4
.5 meついで亜鉛末3.6yを加え、同温度で2時
間撹拌する。反応後、亜鉛末を瀘去し、P液を5%塩酸
75 meおよび酢酸エチル50meの混液に注ぎ、抽
出したのち水洗、乾燥する。
8Hz)実施例5 2−メチル−7−(2−フェニルチオアセトアミド)−
3−セフェム−4−カルボン酸の2.2.2−トリクロ
ロエチルエステル2.7942を無水ジメチルホルムア
ミド15 meに溶解し、水冷撹拌下この溶液に酢酸4
.5 meついで亜鉛末3.6yを加え、同温度で2時
間撹拌する。反応後、亜鉛末を瀘去し、P液を5%塩酸
75 meおよび酢酸エチル50meの混液に注ぎ、抽
出したのち水洗、乾燥する。
乾燥後、溶媒を留去し、残渣にエーテルを加えて結晶化
するとmp168〜171℃(分解)の2−メチル−7
−(2−フェニルチオアセトアミド)−3−セフェム−
4−カルボン酸の無色結晶2.。
するとmp168〜171℃(分解)の2−メチル−7
−(2−フェニルチオアセトアミド)−3−セフェム−
4−カルボン酸の無色結晶2.。
yを得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
3290、 1770. 1725. 1669. 1
632cm−1核磁気共鳴吸収スペクトル(CD30D
、τ)8.58(3H,d、 J=7Hz)、 6.
42(2H,s)。
632cm−1核磁気共鳴吸収スペクトル(CD30D
、τ)8.58(3H,d、 J=7Hz)、 6.
42(2H,s)。
6.37(LH,m)、 5.15(LH,d、J=
4Hz)。
4Hz)。
4.37(IH,d、 J=4Hz)、 3.57(
IH,d、 J=6Hz)。
IH,d、 J=6Hz)。
2.93(5H,m)
実施例6
2−メチル−7−(2−(3−クロロフェニル)アセト
アミl’)−3−セフェム−4−カルボン酸(D 2.
2.2− ) IJ クロロエチルエステル2.6 y
を無水ジメチルホルムアミド30 meに溶解し、水冷
撹拌下この溶液に酢酸4.1 meついで亜鉛末3.4
yを加え、同温度で1.5時間撹拌する。反応後、亜鉛
末を炉去し、P液を5%塩酸150 meおよび酢酸エ
チル75 meの混液に注ぎ、抽出したのち抽出液は水
洗し、乾燥する。乾燥後、溶媒を留去し、残渣にアセト
ニ) IJルを加え結晶化し、許取したのち結晶をエー
テルで洗浄し、乾燥するとmp173〜174℃(分解
)の2−メチル−7−(2−(3−クロロフェニル)ア
セトアミド)−3−セフェム−4−カルボン酸の無色結
晶1.4yを得る。
アミl’)−3−セフェム−4−カルボン酸(D 2.
2.2− ) IJ クロロエチルエステル2.6 y
を無水ジメチルホルムアミド30 meに溶解し、水冷
撹拌下この溶液に酢酸4.1 meついで亜鉛末3.4
yを加え、同温度で1.5時間撹拌する。反応後、亜鉛
末を炉去し、P液を5%塩酸150 meおよび酢酸エ
チル75 meの混液に注ぎ、抽出したのち抽出液は水
洗し、乾燥する。乾燥後、溶媒を留去し、残渣にアセト
ニ) IJルを加え結晶化し、許取したのち結晶をエー
テルで洗浄し、乾燥するとmp173〜174℃(分解
)の2−メチル−7−(2−(3−クロロフェニル)ア
セトアミド)−3−セフェム−4−カルボン酸の無色結
晶1.4yを得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
3290、 1778. 1725. 1655. 1
634cIn。
634cIn。
核磁気共鳴吸収スペクトル(CD30D、τ)8.53
(3H,d、 J=7Hz)、 6.38(2H,s
)。
(3H,d、 J=7Hz)、 6.38(2H,s
)。
6.30(IH,m)、 4.90(IH,d、 J
=4Hz)。
=4Hz)。
4.17(IH,d、 J=4Hz)、 3.37(
IH,d、 J=6Hz)。
IH,d、 J=6Hz)。
2.70(4H,m)
実施例7
2−メチル−7−(3−(N−第3級ブトキシカルボニ
ルアミノ)−3−(2−チェニル)フロピオンアミド)
−3−セフェム−4−カルボン酸の2.2.2− )
IJククロエチルエステル0.54yを無水ジメチルホ
ルムアミド3meおよび酢酸1meの混液に溶解し、0
〜5℃に冷却下、この溶液に亜鉛末0.6yを加え2時
間撹拌する。反応後、亜鉛末をE去し、P液を酢酸エチ
ル50 meおよび5%塩酸30meの混液に注ぎ、抽
出する。抽出液は飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、乾燥後溶媒を留去するとmp167〜17
0°C(分解)の2−メチル−7−(3−(N−第3級
ブトキシカルボニルアミノ)−3−(2−チェニル)プ
ロピオンアミド)−3−セフェム−4−カルボン酸0.
365y(86%)を得る。
ルアミノ)−3−(2−チェニル)フロピオンアミド)
−3−セフェム−4−カルボン酸の2.2.2− )
IJククロエチルエステル0.54yを無水ジメチルホ
ルムアミド3meおよび酢酸1meの混液に溶解し、0
〜5℃に冷却下、この溶液に亜鉛末0.6yを加え2時
間撹拌する。反応後、亜鉛末をE去し、P液を酢酸エチ
ル50 meおよび5%塩酸30meの混液に注ぎ、抽
出する。抽出液は飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、乾燥後溶媒を留去するとmp167〜17
0°C(分解)の2−メチル−7−(3−(N−第3級
ブトキシカルボニルアミノ)−3−(2−チェニル)プ
ロピオンアミド)−3−セフェム−4−カルボン酸0.
365y(86%)を得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
3320、 1780. 1710. 1680. 1
655cm”実施例8 2−メチル−7−(2−シアノアセトアミド)−3−セ
フェム−4−カルボン酸の2.2.2− )リクロロエ
チルエステル3.2yを無水ジメチルホルムアミド15
meに溶解し、水冷撹拌下この溶液に酢酸4meつい
で亜鉛末3yを加え、同温度で1時間撹拌する。反応後
、反応液に酢酸エチル100meを加え、不溶物を瀘去
したのち、溶液は塩化ナトリウムで飽和した5係塩酸で
洗浄し、ついで飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で抽出す
る。水層は10%塩酸で酸性としたのち酢酸エチルで抽
出し、抽出液は飽和塩化す) IJクム水溶液で洗浄後
、硫酸マグネシウムで乾燥する。乾燥後、溶媒を留去し
て得られる結晶性残渣を酢酸エチル・ベンゼンの混液か
ら再結晶するJmp162〜166℃の2−メチル−7
−(2−シアノアセトアミド)=3−セフェム−4−カ
ルボン酸2.3y(90%)を得る。
655cm”実施例8 2−メチル−7−(2−シアノアセトアミド)−3−セ
フェム−4−カルボン酸の2.2.2− )リクロロエ
チルエステル3.2yを無水ジメチルホルムアミド15
meに溶解し、水冷撹拌下この溶液に酢酸4meつい
で亜鉛末3yを加え、同温度で1時間撹拌する。反応後
、反応液に酢酸エチル100meを加え、不溶物を瀘去
したのち、溶液は塩化ナトリウムで飽和した5係塩酸で
洗浄し、ついで飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で抽出す
る。水層は10%塩酸で酸性としたのち酢酸エチルで抽
出し、抽出液は飽和塩化す) IJクム水溶液で洗浄後
、硫酸マグネシウムで乾燥する。乾燥後、溶媒を留去し
て得られる結晶性残渣を酢酸エチル・ベンゼンの混液か
ら再結晶するJmp162〜166℃の2−メチル−7
−(2−シアノアセトアミド)=3−セフェム−4−カ
ルボン酸2.3y(90%)を得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
3300、 2250. 1780. 1710. 1
672w ’核磁気共鳴吸収スペクトル(D20+Na
HCO3,τ)8.52(3H,d、 J−7Hz)、
6.2(IH,m)。
672w ’核磁気共鳴吸収スペクトル(D20+Na
HCO3,τ)8.52(3H,d、 J−7Hz)、
6.2(IH,m)。
4.87(IH,d、 J=5Hz)、 4.21(
LH,d、 J=5Hz)。
LH,d、 J=5Hz)。
3.60(IH,d、 J=6Hz)
紫外吸収スペクトル(pH6,4りん酸緩衝液)λma
x 251m、4 (E=205)実施例9 2−メチル−7−(3−フェニルウレイド)−3−セフ
ェム−4−カルボン酸の2.2.2− )リクロロエチ
ルエステル4.1 yを無水ジメチルホルムアミド30
meに溶解し、水冷撹拌下この溶液に酢酸8meつい
で亜鉛末62を加え、水冷下1時間ついで室温で3.5
時間撹拌する。反応後、反応液に10係塩酸および酢酸
エチルを加え、不溶物を沢去したのち、涙液の酢酸エチ
ル層を分離し、炭酸水素ナトリウム水溶液で抽出する。
x 251m、4 (E=205)実施例9 2−メチル−7−(3−フェニルウレイド)−3−セフ
ェム−4−カルボン酸の2.2.2− )リクロロエチ
ルエステル4.1 yを無水ジメチルホルムアミド30
meに溶解し、水冷撹拌下この溶液に酢酸8meつい
で亜鉛末62を加え、水冷下1時間ついで室温で3.5
時間撹拌する。反応後、反応液に10係塩酸および酢酸
エチルを加え、不溶物を沢去したのち、涙液の酢酸エチ
ル層を分離し、炭酸水素ナトリウム水溶液で抽出する。
水層を10%塩酸で酸性としたのち、酢酸エチルで抽出
し、硫酸マグネシウムで乾燥する。乾燥後、溶媒を留去
し、残渣にエーテルを加えて結晶化するとmp148〜
151℃の2−メチル−7−(3−−yエニルクレイド
)−3−セフェム−4−カルボン酸1.0yを得る。
し、硫酸マグネシウムで乾燥する。乾燥後、溶媒を留去
し、残渣にエーテルを加えて結晶化するとmp148〜
151℃の2−メチル−7−(3−−yエニルクレイド
)−3−セフェム−4−カルボン酸1.0yを得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
3300、 1780. 1713cIn’核磁気共鳴
吸収スペクトル(d6−シメチルスルホキサイド、τ)
8.56(3H,d、J=7Hz)、 6.15(L
H,m)。
吸収スペクトル(d6−シメチルスルホキサイド、τ)
8.56(3H,d、J=7Hz)、 6.15(L
H,m)。
4.90(IH,d、J=5Hz)、4.16(IH,
dd、J=5.8Hz)。
dd、J=5.8Hz)。
3.42(IH,d、J=6Hz)、 2.06(I
H,d、J=8Hz)紫外吸収スペクトル λmax 239m/’ (E=176)実施例10 2−メチル−7−(2−(1,3,4−チアジアゾール
−2−イルチオ)アセトアミド)−3−セフェム−4−
カルボン酸の2.2.2− )リクロロエチルエステル
4.65 yを無水ジメチルホルムアミド30加eに溶
解し、水冷撹拌下この溶液に酢酸8meついで亜鉛末6
yを加え、同温度で1時間撹拌する。反応後、反応液に
酢酸エチル150 meを加えて不溶物を戸去し、P液
は塩化ナトリウムで飽和した5%塩酸で洗浄後、炭酸水
素す) IJクム水溶液で抽出する。抽出液は10%塩
酸で酸性としたのち酢酸エチルで抽出し、酢酸エチル層
は飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥する。乾燥後、溶媒を留去し、残渣を酢酸エチ
ル・ベンゼンの混液から再結晶するとmp197〜19
9℃の2−メチル−7−(2−(1゜3.4−チアジア
ゾール−2−イルチオ)アセトアミド)−3−セフェム
−4−カルボン酸1.5 /7(44,5チ)を得る。
H,d、J=8Hz)紫外吸収スペクトル λmax 239m/’ (E=176)実施例10 2−メチル−7−(2−(1,3,4−チアジアゾール
−2−イルチオ)アセトアミド)−3−セフェム−4−
カルボン酸の2.2.2− )リクロロエチルエステル
4.65 yを無水ジメチルホルムアミド30加eに溶
解し、水冷撹拌下この溶液に酢酸8meついで亜鉛末6
yを加え、同温度で1時間撹拌する。反応後、反応液に
酢酸エチル150 meを加えて不溶物を戸去し、P液
は塩化ナトリウムで飽和した5%塩酸で洗浄後、炭酸水
素す) IJクム水溶液で抽出する。抽出液は10%塩
酸で酸性としたのち酢酸エチルで抽出し、酢酸エチル層
は飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥する。乾燥後、溶媒を留去し、残渣を酢酸エチ
ル・ベンゼンの混液から再結晶するとmp197〜19
9℃の2−メチル−7−(2−(1゜3.4−チアジア
ゾール−2−イルチオ)アセトアミド)−3−セフェム
−4−カルボン酸1.5 /7(44,5チ)を得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
3300、 3100. 2600. 1780. 1
710. 1670゜1638、 1540c1n−1 核磁気共鳴吸収スペクトル(D2o+NaHco3.τ
)8.57(3H,d、J=7Hz)、 6.2(I
H,’m)。
710. 1670゜1638、 1540c1n−1 核磁気共鳴吸収スペクトル(D2o+NaHco3.τ
)8.57(3H,d、J=7Hz)、 6.2(I
H,’m)。
4.95(IH,d、 J=4.5Hz)、 4.2
5(LH,d、 J=4.5Hz)。
5(LH,d、 J=4.5Hz)。
3.63(IH,d、 J=5.5Hz)、 0.5
7(IH,s)紫外吸収スペクトル(pH46,4りん
酸緩衝液)λmax 258m71(E=271 )実
施例11 2−メチル−7−(N〜第第3ブブトキシ力ルポ: /
l/−2−チェニルグリシル)アミノ−3−セフェム−
4−カルボン酸の2.2.2−トリクロロエチルエステ
ル1.52yを無水ジメチルホルムアミド10m1’に
溶解し、水冷撹拌下この溶液に酢酸1.6meついで亜
鉛末1.2yを加え、同温度で1時間撹拌する。反応後
、亜鉛末を戸去し、P液を水冷しだ2〜3%塩酸および
酢酸エチルの混液に注ぎ抽出する。抽出液は水洗後、炭
酸水素ナトリウム水溶液で抽出し、不溶物を濾過したの
ち、抽出液にp過残渣を加え、ついで5%硫酸および酢
酸エチルを加えて酸性とし、酢酸エチルで抽出する。抽
出液は水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥し、乾燥後、溶
媒を減圧下に留去したのち、残渣にイソプロピルエーテ
ルを加えて粉砕し、沢取した後乾燥すると無晶形の2−
メチル−7−(N−第3級ブトキシカルボニル−2−チ
ェニルグリシル)アミノ−3−セフェム−4−カルボン
酸o、7yを得る。
7(IH,s)紫外吸収スペクトル(pH46,4りん
酸緩衝液)λmax 258m71(E=271 )実
施例11 2−メチル−7−(N〜第第3ブブトキシ力ルポ: /
l/−2−チェニルグリシル)アミノ−3−セフェム−
4−カルボン酸の2.2.2−トリクロロエチルエステ
ル1.52yを無水ジメチルホルムアミド10m1’に
溶解し、水冷撹拌下この溶液に酢酸1.6meついで亜
鉛末1.2yを加え、同温度で1時間撹拌する。反応後
、亜鉛末を戸去し、P液を水冷しだ2〜3%塩酸および
酢酸エチルの混液に注ぎ抽出する。抽出液は水洗後、炭
酸水素ナトリウム水溶液で抽出し、不溶物を濾過したの
ち、抽出液にp過残渣を加え、ついで5%硫酸および酢
酸エチルを加えて酸性とし、酢酸エチルで抽出する。抽
出液は水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥し、乾燥後、溶
媒を減圧下に留去したのち、残渣にイソプロピルエーテ
ルを加えて粉砕し、沢取した後乾燥すると無晶形の2−
メチル−7−(N−第3級ブトキシカルボニル−2−チ
ェニルグリシル)アミノ−3−セフェム−4−カルボン
酸o、7yを得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
3300、 1789. 1725. 1710. 1
690. 1678cr++’実施例12 2−メチル−7−(2−(5−メチル−1,3,4−チ
アジアゾール−2−イルオキシ)アセトアミド)−3−
セフェム−4−カルボン酸の2.2.2−トリクロロエ
チルエステル6、60 yを無水ジメチルホルムアミド
40 meに溶解し、水冷下この溶液に酢酸8meつい
で亜鉛末6yを加え、1.5時間撹判する。反応後、亜
鉛末を沢取し、これをジメチルホルムアミドで洗浄した
のち、混液と洗液を合わせ、水冷した酢酸エチルと2〜
3%塩酸の混液中に注き抽出する。抽出液は炭酸水素す
IIJクム水溶液で抽出後、塩酸で酸性とし酢酸エチル
で抽出し、一方、水層は塩化ナトリウムを飽和したのち
酢酸エチル80 meで4回抽出し、両酢酸エチル抽出
液を合わせる。硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に溶
媒を留去し、残渣にエーテルを加えて結晶化するとmp
H3〜116℃の2−メチル−7−(2−(5−メチル
−1,3,4−チアジアゾール−2−イルオキシ)アセ
トアミド)−3−セフェム−4−カルボン酸のジメチル
ホルムアミド付加物2.0y(36%)を得る。
690. 1678cr++’実施例12 2−メチル−7−(2−(5−メチル−1,3,4−チ
アジアゾール−2−イルオキシ)アセトアミド)−3−
セフェム−4−カルボン酸の2.2.2−トリクロロエ
チルエステル6、60 yを無水ジメチルホルムアミド
40 meに溶解し、水冷下この溶液に酢酸8meつい
で亜鉛末6yを加え、1.5時間撹判する。反応後、亜
鉛末を沢取し、これをジメチルホルムアミドで洗浄した
のち、混液と洗液を合わせ、水冷した酢酸エチルと2〜
3%塩酸の混液中に注き抽出する。抽出液は炭酸水素す
IIJクム水溶液で抽出後、塩酸で酸性とし酢酸エチル
で抽出し、一方、水層は塩化ナトリウムを飽和したのち
酢酸エチル80 meで4回抽出し、両酢酸エチル抽出
液を合わせる。硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に溶
媒を留去し、残渣にエーテルを加えて結晶化するとmp
H3〜116℃の2−メチル−7−(2−(5−メチル
−1,3,4−チアジアゾール−2−イルオキシ)アセ
トアミド)−3−セフェム−4−カルボン酸のジメチル
ホルムアミド付加物2.0y(36%)を得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
3300、 1775. 1705. 1680. 、
1630cm−1核磁気共鳴吸収スペクトル(d6−シ
メチルスルホキサイド、τ)8.57(3H,d、J=
7.5Hz)、 7.43(3H,s)。
1630cm−1核磁気共鳴吸収スペクトル(d6−シ
メチルスルホキサイド、τ)8.57(3H,d、J=
7.5Hz)、 7.43(3H,s)。
7.39〜5.9(IH,m)、5.0(2H,s)。
4.93(IH,d、 J=5.0Hz)、 4.2
0(IH,dd、 J=5.8Hz)。
0(IH,dd、 J=5.8Hz)。
3.44(IH,d、J=5.5Hz)実施例13
2−メチル−7−(3−(2−クロロフェニル)−5−
メチル−イソオキサゾール−4−イル)カルボキサミド
−3−セフェム−4−カルボン酸の2、2.2−トIJ
クロロエチルエステル0.6ytl水ジメチルホルム
アミド5mt’および酢酸0.8 meの混液に溶解し
、水冷撹拌下この溶液に亜鉛末0.6yを加え、同温度
で40分間撹拌する。反応後、亜鉛末を沢取し、これを
ジメチルホルムアミドで洗浄したのちp液および洗液を
合わせ、水冷した酢酸エチルおよび2〜3チ塩酸に加え
酢酸エチルで抽出する。抽出液を炭酸水素ナトリクム水
溶液で抽出し、水層を10%硫酸で酸性としたのち酢酸
エチルで抽出し、水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥する
。乾燥後、減圧下に溶媒を留去して得られる油分にエー
テルを加えて結晶化し、P取扱、エーテルで洗浄すると
mp202〜203℃の2−メチル−7−(3−(2−
クロロフェニル)−5−メチル−イソオキサゾール−4
−イル)カルボキサミド−3−セフェム−4−カルボン
酸0.2 y(43,5%)を得る。
メチル−イソオキサゾール−4−イル)カルボキサミド
−3−セフェム−4−カルボン酸の2、2.2−トIJ
クロロエチルエステル0.6ytl水ジメチルホルム
アミド5mt’および酢酸0.8 meの混液に溶解し
、水冷撹拌下この溶液に亜鉛末0.6yを加え、同温度
で40分間撹拌する。反応後、亜鉛末を沢取し、これを
ジメチルホルムアミドで洗浄したのちp液および洗液を
合わせ、水冷した酢酸エチルおよび2〜3チ塩酸に加え
酢酸エチルで抽出する。抽出液を炭酸水素ナトリクム水
溶液で抽出し、水層を10%硫酸で酸性としたのち酢酸
エチルで抽出し、水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥する
。乾燥後、減圧下に溶媒を留去して得られる油分にエー
テルを加えて結晶化し、P取扱、エーテルで洗浄すると
mp202〜203℃の2−メチル−7−(3−(2−
クロロフェニル)−5−メチル−イソオキサゾール−4
−イル)カルボキサミド−3−セフェム−4−カルボン
酸0.2 y(43,5%)を得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
1790、 1740. 1705. 1675鍋−1
核磁気共鳴吸収スペクトル(d6−シメチルスルホキサ
イド、τ)8.57(3H,d、J=7Hz)、 7
゜30(3H,s)。
核磁気共鳴吸収スペクトル(d6−シメチルスルホキサ
イド、τ)8.57(3H,d、J=7Hz)、 7
゜30(3H,s)。
6.14(IH,m)、 4.90(IH,d、J=
5.0Hz)。
5.0Hz)。
4.08(IH,dd、J=5.0,8.0Hz)、’
3.42(IH,d、J=6Hz)、 2.45(4
H,m)、 0.92(IH,d、J=8Hz)元素
分析:C79H16N305SCI!計算値 C52,
59,H3,72,N9.68. S 7.39. C
I!8.17実験値 C52,50,H3,72,N9
.67、 S7.39. C18,11実施例14 2−メチル−7−(2−メチルチオアセトアミド)−3
−セフェム−4−カルボン酸の2.2.2−トリクロら
エチルエステル0.489、氷酢酸0148rneおよ
び亜鉛末o、4syを無水ジメチルホルムアミド5me
に加え、水冷下1時間撹拌する。反応後、亜鉛末を洲去
し、P液は3%塩酸lOmeおよび酢酸エチル10m1
!の混液に注ぎ、抽出したのち、水層はさらに酢酸エチ
ル10meで3回抽出し、酢酸エチル層を合わせる。合
わせた抽出液は飽和塩化す) IJウム水溶液で洗浄後
、硫1酸マグネシクムで乾燥し、乾燥後、減圧下に〆媒
を留去する。得られた残液にエーテルを加えて結晶化し
、これを戸数し、エーテルで洗浄するとmp181〜1
83’C(分解)の2−メチル−7−(2−メチルチオ
アセトアミI”)−3−セフェム−4−カルボン酸0.
29y(87%)を得る。
3.42(IH,d、J=6Hz)、 2.45(4
H,m)、 0.92(IH,d、J=8Hz)元素
分析:C79H16N305SCI!計算値 C52,
59,H3,72,N9.68. S 7.39. C
I!8.17実験値 C52,50,H3,72,N9
.67、 S7.39. C18,11実施例14 2−メチル−7−(2−メチルチオアセトアミド)−3
−セフェム−4−カルボン酸の2.2.2−トリクロら
エチルエステル0.489、氷酢酸0148rneおよ
び亜鉛末o、4syを無水ジメチルホルムアミド5me
に加え、水冷下1時間撹拌する。反応後、亜鉛末を洲去
し、P液は3%塩酸lOmeおよび酢酸エチル10m1
!の混液に注ぎ、抽出したのち、水層はさらに酢酸エチ
ル10meで3回抽出し、酢酸エチル層を合わせる。合
わせた抽出液は飽和塩化す) IJウム水溶液で洗浄後
、硫1酸マグネシクムで乾燥し、乾燥後、減圧下に〆媒
を留去する。得られた残液にエーテルを加えて結晶化し
、これを戸数し、エーテルで洗浄するとmp181〜1
83’C(分解)の2−メチル−7−(2−メチルチオ
アセトアミI”)−3−セフェム−4−カルボン酸0.
29y(87%)を得る。
赤外ma収スペクトル(ヌジョール)
3280、 1772. 1720. 1657cm−
1核磁気共鳴吸収スペクトル(d6−シメチルスルホキ
サイド、τ)8.55(3H,d、、J=7Hz)、
7.89(3H,s)。
1核磁気共鳴吸収スペクトル(d6−シメチルスルホキ
サイド、τ)8.55(3H,d、、J=7Hz)、
7.89(3H,s)。
6.81(2)(、s)、 6.15(IH,m)、
4.90(IH,d。
4.90(IH,d。
J=5Hz)、 4.21(IH+dd+J=5.9
Hz)。
Hz)。
3.42(IH,d、J=6Hz)、 1.15(L
H,broad d、J−9Hz)元素分析: C1
1H14N204S2計算値 C43,70,H4,6
7、H9,26,S21.20実験値 C43,59,
H4,63,N 9.22. S 21.38実施例1
5 2−メチル−7−(2−アリル(allyl)チオアセ
トアミ)’)−3−セフェム−4−カルボン酸の2.2
.2−トIJクロロエチルエステル5.55yヲfi水
ジメチルホルムアミド55.5 meに溶解し、この溶
液に亜鉛末5.55 yを加え、ついで水冷撹拌下、酢
酸5.5 meを滴下し、1時間撹拌する。反応後、亜
鉛末を戸数し、亜鉛末を酢酸エチルで洗浄後、洗液とF
液を合わせ、この溶液を5係塩酸250meおよび酢酸
エチル100 meの混液に注ぎ、抽出する。水層はさ
らに酢酸エチルで2回抽出し、酢酸エチル層を合わせ酢
酸エチル層を飽和塩化ナトリクム水溶液で洗浄後、硫酸
マグネシウムで乾燥する。乾燥後、減圧下に溶媒を留去
し、残留する酢酸エチルの隼か40 meぐらいの時点
で結晶を炉腹し、イソプロピルエーテルで洗浄した後乾
燥するとmp121〜125°Cの2−メヂルー7−(
2−アリル(allyl)チオアセトアミド)−3−セ
フェム−4−カルボン酸の無色結晶3.69 /ilを
得る。さらにP液を濃縮し、得られた結晶をイソプロピ
ルエーテルで洗浄した後乾燥すると、2−メチル−7−
(2−アリル(allyl)チオアセトアミド)−3−
セフェム−4−カルボン酸0.75 yを得る。
H,broad d、J−9Hz)元素分析: C1
1H14N204S2計算値 C43,70,H4,6
7、H9,26,S21.20実験値 C43,59,
H4,63,N 9.22. S 21.38実施例1
5 2−メチル−7−(2−アリル(allyl)チオアセ
トアミ)’)−3−セフェム−4−カルボン酸の2.2
.2−トIJクロロエチルエステル5.55yヲfi水
ジメチルホルムアミド55.5 meに溶解し、この溶
液に亜鉛末5.55 yを加え、ついで水冷撹拌下、酢
酸5.5 meを滴下し、1時間撹拌する。反応後、亜
鉛末を戸数し、亜鉛末を酢酸エチルで洗浄後、洗液とF
液を合わせ、この溶液を5係塩酸250meおよび酢酸
エチル100 meの混液に注ぎ、抽出する。水層はさ
らに酢酸エチルで2回抽出し、酢酸エチル層を合わせ酢
酸エチル層を飽和塩化ナトリクム水溶液で洗浄後、硫酸
マグネシウムで乾燥する。乾燥後、減圧下に溶媒を留去
し、残留する酢酸エチルの隼か40 meぐらいの時点
で結晶を炉腹し、イソプロピルエーテルで洗浄した後乾
燥するとmp121〜125°Cの2−メヂルー7−(
2−アリル(allyl)チオアセトアミド)−3−セ
フェム−4−カルボン酸の無色結晶3.69 /ilを
得る。さらにP液を濃縮し、得られた結晶をイソプロピ
ルエーテルで洗浄した後乾燥すると、2−メチル−7−
(2−アリル(allyl)チオアセトアミド)−3−
セフェム−4−カルボン酸0.75 yを得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
3300、 17?0. 1710. 1650. 1
620. 1525cm”核磁気共ql吸収スペクトル
(CDC13,τ)8.48(3H,d、 J=7Hz
)、 6.78(2H,d、 J=6Hz)。
620. 1525cm”核磁気共ql吸収スペクトル
(CDC13,τ)8.48(3H,d、 J=7Hz
)、 6.78(2H,d、 J=6Hz)。
6.74(2H,s)、 6.57〜6.15(IH
,m)。
,m)。
4.99(LH,d、J=5Hz)、4.73(2H,
d、J=2Hz)。
d、J=2Hz)。
4.5〜3.9(2H,m)、3.33(IH,d、J
=6Hz)。
=6Hz)。
2.40(IH,d、 J=9Hz)、 −1,2,
7(IH,s)実施例16 2−メチル−7−(2−ホルミルオキシ−2−7エニル
アセトアミ)’ )−3−セフェム−4−カルボン酸の
2.2.2− トリクロロエチルエステル1.58y、
亜鉛末1.5yおよび氷酢酸1.5m11!を無水ジメ
チルホルムアミド15 meに加え、水冷下1時間撹拌
する。、反応後、亜鉛末をF去し、涙液を5%塩酸30
meおよび酢酸エチル30meの混液中に注ぎ、抽出す
る。水層はさらに酢酸エチル30meで2回抽出後、酢
酸エチル層を合わせ、5%塩酸、水で洗浄後、硫酸マグ
ネシウムで乾燥する。
7(IH,s)実施例16 2−メチル−7−(2−ホルミルオキシ−2−7エニル
アセトアミ)’ )−3−セフェム−4−カルボン酸の
2.2.2− トリクロロエチルエステル1.58y、
亜鉛末1.5yおよび氷酢酸1.5m11!を無水ジメ
チルホルムアミド15 meに加え、水冷下1時間撹拌
する。、反応後、亜鉛末をF去し、涙液を5%塩酸30
meおよび酢酸エチル30meの混液中に注ぎ、抽出す
る。水層はさらに酢酸エチル30meで2回抽出後、酢
酸エチル層を合わせ、5%塩酸、水で洗浄後、硫酸マグ
ネシウムで乾燥する。
乾燥後、溶媒を減圧下に留去し、残渣にイソプロピルエ
ーテルを加えて粉砕し、瀘取した後乾燥すると、無晶形
の2−メチル−7−(2−ホルミルオキシ−2−フェニ
ルアセトアミド)−3−セフェム−4−カルボン酸1.
0y(72%)をmる。
ーテルを加えて粉砕し、瀘取した後乾燥すると、無晶形
の2−メチル−7−(2−ホルミルオキシ−2−フェニ
ルアセトアミド)−3−セフェム−4−カルボン酸1.
0y(72%)をmる。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
3280、 1787. 1’;’20. 1678c
+++−1核磁気共鳴吸収スペクトル(d6−シメチル
スルホキサイド、τ)8.68(3H,d、J=7Hz
)、6.9〜5.9 (IH,m)。
+++−1核磁気共鳴吸収スペクトル(d6−シメチル
スルホキサイド、τ)8.68(3H,d、J=7Hz
)、6.9〜5.9 (IH,m)。
5.04(IH,d、J=5Hz)、 4.40〜4
.10(1B、m)。
.10(1B、m)。
3.88(IH,d、J=11(z)、 3.48(
IH,d、J=6Hz)。
IH,d、J=6Hz)。
2.8〜2.3(5H,m)、 1.67(IH,d
、J=IHz)。
、J=IHz)。
0.63(IH,broad d、 J=9Hz)実
施例17 2−メチル−7−(1−シクロプロピルエトキシ)カル
ボキサミド−3−セフェム−4−カルポン酸の2.2.
2−トリクロロエチルエステル0.922を水冷下にジ
メチルホルムアミド5meおよび酢酸1.5ml!の混
液に溶解しだ液に亜鉛末12yを加え、同温度で1.5
時間撹拌する。反応後、亜鉛末を戸去し、亜鉛末をジメ
チルホルムアミド2meで洗浄する。ジメチルホルムア
ミド層ヲ酢酸エチル30me、水30 meおよび10
%塩酸2meの混液に注ぎ抽出する。ジメチルホルムア
ミド層はさらに酢酸エチル10 meで抽出する。酢酸
エチル抽出液を合し、水、飽和塩化ナトリクム水溶液の
順で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を留去
する。残留物を少量のエーテルを用いて粉末化すると、
rrpl 58.5〜1600C(分解)の2−メチル
−7−(1−シクロプロピルエトキシ)カルボキサミド
−3−セフェム−4−カルボン酸0.45yを得る。
施例17 2−メチル−7−(1−シクロプロピルエトキシ)カル
ボキサミド−3−セフェム−4−カルポン酸の2.2.
2−トリクロロエチルエステル0.922を水冷下にジ
メチルホルムアミド5meおよび酢酸1.5ml!の混
液に溶解しだ液に亜鉛末12yを加え、同温度で1.5
時間撹拌する。反応後、亜鉛末を戸去し、亜鉛末をジメ
チルホルムアミド2meで洗浄する。ジメチルホルムア
ミド層ヲ酢酸エチル30me、水30 meおよび10
%塩酸2meの混液に注ぎ抽出する。ジメチルホルムア
ミド層はさらに酢酸エチル10 meで抽出する。酢酸
エチル抽出液を合し、水、飽和塩化ナトリクム水溶液の
順で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を留去
する。残留物を少量のエーテルを用いて粉末化すると、
rrpl 58.5〜1600C(分解)の2−メチル
−7−(1−シクロプロピルエトキシ)カルボキサミド
−3−セフェム−4−カルボン酸0.45yを得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
3250、 1790. 1720. 1670cm−
1核磁気共鳴吸収スペクトル(d6−ア中トン、τ)9
.94〜9.00(5H,m)、 8.74(3H,
d、J=6Hz)。
1核磁気共鳴吸収スペクトル(d6−ア中トン、τ)9
.94〜9.00(5H,m)、 8.74(3H,
d、J=6Hz)。
8.49(3H,d、J=7Hz)、6.20(IH,
m)。
m)。
5゜77(IH,m)、 4.89(LH,d、J=
5Hz)。
5Hz)。
4.24(IH,dd、J=5Hz、9Hz)。
3.34(IH,d、J−6Hz)、 2.99(I
H,d、J=9Hz)実施例18 2−メチル−7−アミノ−3−セフェム−4−カルボン
酸の2+2.2−トリクロロエチルエステルの塩酸塩1
.53 yをジメチルホルムアミド10 meに溶かし
た溶液に、酢酸1 meおよび亜鉛末2.0yを水冷下
に加えて、−5〜0°Cで1時間撹拌した後反応液を許
過する。沢去された亜鉛末をジメチルホルムアミドで洗
浄し、洗液およびP液を合し、これに数meの水を加え
る。析出する結晶を戸数し、これを少量の炭酸水素ナト
リクム水溶液に溶解した後不溶物を沢去する。P液を1
0%塩酸でpH4とし、析出する結晶を戸数し、水洗し
、ついでアセトンで洗浄した後乾燥するとmp222°
C(分解)の2−メチル−7−アミノ−3−セフェム−
4−カルボン酸0.38 f;’を得る。
H,d、J=9Hz)実施例18 2−メチル−7−アミノ−3−セフェム−4−カルボン
酸の2+2.2−トリクロロエチルエステルの塩酸塩1
.53 yをジメチルホルムアミド10 meに溶かし
た溶液に、酢酸1 meおよび亜鉛末2.0yを水冷下
に加えて、−5〜0°Cで1時間撹拌した後反応液を許
過する。沢去された亜鉛末をジメチルホルムアミドで洗
浄し、洗液およびP液を合し、これに数meの水を加え
る。析出する結晶を戸数し、これを少量の炭酸水素ナト
リクム水溶液に溶解した後不溶物を沢去する。P液を1
0%塩酸でpH4とし、析出する結晶を戸数し、水洗し
、ついでアセトンで洗浄した後乾燥するとmp222°
C(分解)の2−メチル−7−アミノ−3−セフェム−
4−カルボン酸0.38 f;’を得る。
赤外線吸収スペクトル
= 43−
3180、 1800. 1615. 1530cm−
1核磁気共鳴吸収スペクトル(D、、0−DC/、τ)
6.95(IH,d、 J=5.5Hz)、 5.3
2(2H,s)。
1核磁気共鳴吸収スペクトル(D、、0−DC/、τ)
6.95(IH,d、 J=5.5Hz)、 5.3
2(2H,s)。
4.05(IH,m)、 1.55(3H,d、J=
7.0Hz)実施例19 2−メチル−7−(2−フェニルアセトアミド)−3−
セフェム−4−カルボン酸の2.2.2− )リクロロ
エチルエステル1.85yをジメチルホルムアミド10
meおよび酢酸3meに溶かした溶液に、亜鉛末2.
4yを水冷下に加え2時間撹拌した後反応液を沢過する
。P液を酢酸エチル50me、水水50Wd!および1
0%塩酸2rneの混液に注ぎ酢酸エチル層を分取する
。水層は更に酢酸エチル10 meで抽出する。酢酸エ
チル層を合し、水、塩化ナトリクム飽和水溶液で順次洗
浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を留去する。
7.0Hz)実施例19 2−メチル−7−(2−フェニルアセトアミド)−3−
セフェム−4−カルボン酸の2.2.2− )リクロロ
エチルエステル1.85yをジメチルホルムアミド10
meおよび酢酸3meに溶かした溶液に、亜鉛末2.
4yを水冷下に加え2時間撹拌した後反応液を沢過する
。P液を酢酸エチル50me、水水50Wd!および1
0%塩酸2rneの混液に注ぎ酢酸エチル層を分取する
。水層は更に酢酸エチル10 meで抽出する。酢酸エ
チル層を合し、水、塩化ナトリクム飽和水溶液で順次洗
浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を留去する。
残留物に少量のアセトニトリルを加えて結晶化させ析出
する結晶を戸数した後乾燥するとmp109℃(分解)
、無色結晶の2−メチル−7−(2−7エニルアセトア
ミド)−3−セフェム−4−カルボン酸1.244− yを得る。
する結晶を戸数した後乾燥するとmp109℃(分解)
、無色結晶の2−メチル−7−(2−7エニルアセトア
ミド)−3−セフェム−4−カルボン酸1.244− yを得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
3250、 1775. 1720. 1650crn
−1核磁気共鳴吸収スペクトル(CD30D、τ)8.
52(3H,d、 J=7.5Hz)、 6.40(
2H,s)。
−1核磁気共鳴吸収スペクトル(CD30D、τ)8.
52(3H,d、 J=7.5Hz)、 6.40(
2H,s)。
6.20(IH,m)、 5.00(IH,d、 J
=4.5Hz)。
=4.5Hz)。
4、18(IH,d、 J=4.5Hz)、 3.3
4(IH,d、 J=6Hz)。
4(IH,d、 J=6Hz)。
2、72(5H,s )
元素分析: C16H1604N2 S計算値 C57
,82,H4,85,Ns、43実験値 C57,64
,H4,77、H8,31実施例20 mp120〜130℃の2−メチル−7−(2−7エニ
ルアセトアミ)’ )−3−セフェム−4=カルボン酸
の2.2.2− )リクロロエチルエステル0、69
yをジメチルホルムアミド5meおよび酢酸1meに溶
かした溶液に、亜鉛末0.9yを水冷下に加え1.5時
間撹拌した後反応液を沢過し、瀘去された亜鉛は少量の
ジメチルホルムアミドで洗浄する。p液と、洗液とを合
し、これを、酢酸エチル30me、水30 meおよび
10%塩酸2meの混液に注ぎ、酢酸エチル層を分取す
る。水層けさらに酢酸エチル1.0meで抽出する。酢
酸エチル層を合し、水、飽和塩化ナトリウム水溶液で順
次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を留去す
る。残留物に少量のアセトニトリルを加えて結晶化させ
、析出する結晶を戸数した後乾燥すると実施例19にお
いて得られるmp109°C(分解)の2−メチル−7
−(2−フェニルアセトアミド)−3−セフェム−4−
カルボン酸の2位における異性体であるmp121°C
の2−メチル−7−(2−フェニルジアセドア三ド)−
3−セフェム−4−カルボン酸0.34 yを得る。
,82,H4,85,Ns、43実験値 C57,64
,H4,77、H8,31実施例20 mp120〜130℃の2−メチル−7−(2−7エニ
ルアセトアミ)’ )−3−セフェム−4=カルボン酸
の2.2.2− )リクロロエチルエステル0、69
yをジメチルホルムアミド5meおよび酢酸1meに溶
かした溶液に、亜鉛末0.9yを水冷下に加え1.5時
間撹拌した後反応液を沢過し、瀘去された亜鉛は少量の
ジメチルホルムアミドで洗浄する。p液と、洗液とを合
し、これを、酢酸エチル30me、水30 meおよび
10%塩酸2meの混液に注ぎ、酢酸エチル層を分取す
る。水層けさらに酢酸エチル1.0meで抽出する。酢
酸エチル層を合し、水、飽和塩化ナトリウム水溶液で順
次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を留去す
る。残留物に少量のアセトニトリルを加えて結晶化させ
、析出する結晶を戸数した後乾燥すると実施例19にお
いて得られるmp109°C(分解)の2−メチル−7
−(2−フェニルアセトアミド)−3−セフェム−4−
カルボン酸の2位における異性体であるmp121°C
の2−メチル−7−(2−フェニルジアセドア三ド)−
3−セフェム−4−カルボン酸0.34 yを得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
3250、 1790. 1720. 1660部−1
核磁気共鳴吸収スペクトル((CD3)2 So、τ)
8.59(3H,d、 J=7.5Hz)、 6.4
5(2H,s)。
核磁気共鳴吸収スペクトル((CD3)2 So、τ)
8.59(3H,d、 J=7.5Hz)、 6.4
5(2H,s)。
6.09(IH,m)、 4.79(IH,d、J=
5Hz)。
5Hz)。
4.27(IH,d/d、 J=5)Tz)、 3.
70(LH,d、 J=2Hz)。
70(LH,d、 J=2Hz)。
2.70(5H,s)
実施例21
2−メチル−7−(2−フェニルアセトアミド)−2−
セフェム−4−カルボン酸の2.2.2−)リクロロエ
チルエステル1.0 pをジメチルホルムアミド7、5
meおよび酢酸2.5 meに溶かした溶液に、亜鉛
末1.82を水冷下に加え1.5時間撹拌した後反応液
を濾過し、枦去された亜鉛はジメチルホルムアミド2m
eで洗浄する。p液と洗液とを合し、これを酢酸エチル
30 me、氷水30 meおよび10%塩酸2meの
混液に注き、酢酸エチル層を分取する。水層はさらに酢
酸エチルlomeで抽出する。
セフェム−4−カルボン酸の2.2.2−)リクロロエ
チルエステル1.0 pをジメチルホルムアミド7、5
meおよび酢酸2.5 meに溶かした溶液に、亜鉛
末1.82を水冷下に加え1.5時間撹拌した後反応液
を濾過し、枦去された亜鉛はジメチルホルムアミド2m
eで洗浄する。p液と洗液とを合し、これを酢酸エチル
30 me、氷水30 meおよび10%塩酸2meの
混液に注き、酢酸エチル層を分取する。水層はさらに酢
酸エチルlomeで抽出する。
酢酸エヂル層を合し、水、飽和塩化すl−IJウム水溶
液で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を
留去する。残留物に少隼のエチルエーテルを加えて結晶
化させ、析出する結晶を炉腹した後乾営するとmp20
4°C1無色結晶の2−メチル−7−(2−フェニルア
セトアミ)’)−2−セフェム−4−カルボン酸0.4
5yを得る。
液で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を
留去する。残留物に少隼のエチルエーテルを加えて結晶
化させ、析出する結晶を炉腹した後乾営するとmp20
4°C1無色結晶の2−メチル−7−(2−フェニルア
セトアミ)’)−2−セフェム−4−カルボン酸0.4
5yを得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール)
3250、 1760. 1740. 1655(2)
−1核磁気共鳴吸収スペクトル((CD3)2 So、
τ)8.05(3H,t、 J=IHz)、 6.4
4(2H,s)。
−1核磁気共鳴吸収スペクトル((CD3)2 So、
τ)8.05(3H,t、 J=IHz)、 6.4
4(2H,s)。
5.05(IH,m)、 4.89(IH,d、J=
4Hz)。
4Hz)。
4.50(IH,d/d、 J−=4I−1z、 4H
z)。
z)。
4.22(IH,d、 J=4Hz)、 2.69(
5H,s)同様にして次の化合物を得る。
5H,s)同様にして次の化合物を得る。
1) 2−メチル−7−(フェニルグリシル)アミノ−
3−セフェム−4−カルボン酸(mp168.5〜17
1℃) 2)2−メチル−7−(3−アミノ−3−(2−チェニ
ル)プロピオンアミド)−3−セフェム−4−カルボン
酸(m9218〜221°C(分解)) 3)2−メチル−7−((2−チェニル)グリシル)ア
ミノ−3−セフェム−4−カルボン酸(mp145〜1
49℃(分解)) 4)2−メチル−7−(2−ヒドロキシ−2−フェニル
アセトアミ)’)−3−セフェム−4−カルボン酸(m
9172〜173°C) 出願人 藤沢薬品工業株式会社
3−セフェム−4−カルボン酸(mp168.5〜17
1℃) 2)2−メチル−7−(3−アミノ−3−(2−チェニ
ル)プロピオンアミド)−3−セフェム−4−カルボン
酸(m9218〜221°C(分解)) 3)2−メチル−7−((2−チェニル)グリシル)ア
ミノ−3−セフェム−4−カルボン酸(mp145〜1
49℃(分解)) 4)2−メチル−7−(2−ヒドロキシ−2−フェニル
アセトアミ)’)−3−セフェム−4−カルボン酸(m
9172〜173°C) 出願人 藤沢薬品工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 (式中R1はアミノ基またはアシルアミノ基、R2は八 または3−セフ、zムをそれぞれ意味する)で示される
2−アルキル−7−置換−2(または3)−セフェム−
4−カルボン酸類のカルボキシ基におけるエステルを脱
離反応に付して、一般式(式中R1、R2、Xおよび点
線は前と同じ意味)で示される2−アルキル−7−置換
−2(または3)−セフェム−4−カルボン酸類を’4
るこトラ特徴とする2−アルキル−7−置換−2(まだ
は3)−セフェム−4−カルボン酸類の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5200284A JPS59186991A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 2−アルキル−7−置換−2(または3)−セフエム−4−カルボン酸類の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5200284A JPS59186991A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 2−アルキル−7−置換−2(または3)−セフエム−4−カルボン酸類の製法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3071873A Division JPS5930715B2 (ja) | 1973-03-15 | 1973-03-15 | 2−アルキル−7−置換−2(または3)−セフエム−4−カルボン酸類の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59186991A true JPS59186991A (ja) | 1984-10-23 |
JPS613793B2 JPS613793B2 (ja) | 1986-02-04 |
Family
ID=12902617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5200284A Granted JPS59186991A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 2−アルキル−7−置換−2(または3)−セフエム−4−カルボン酸類の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59186991A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5015470A (en) * | 1986-12-23 | 1991-05-14 | Gibson Walter T | Cosmetic composition |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP5200284A patent/JPS59186991A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5015470A (en) * | 1986-12-23 | 1991-05-14 | Gibson Walter T | Cosmetic composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS613793B2 (ja) | 1986-02-04 |
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