JPS5928364A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

リ−ドフレ−ム

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JPS5928364A
JPS5928364A JP57138741A JP13874182A JPS5928364A JP S5928364 A JPS5928364 A JP S5928364A JP 57138741 A JP57138741 A JP 57138741A JP 13874182 A JP13874182 A JP 13874182A JP S5928364 A JPS5928364 A JP S5928364A
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JP
Japan
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lead frame
block
good thermal
thermal conductivity
package
Prior art date
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Pending
Application number
JP57138741A
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English (en)
Inventor
Nobuo Ogasa
小笠　伸夫
Akira Otsuka
昭 大塚
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体装置用リードフレームに係シ、リード
フレームのＩＣ塔載部下面を含むインナーリード部に良
熱伝導性ブロックを止着せしめた熱放散性と封止信頼性
を兼ね備えたリードフレームに関するものである。
近年、半導体装置においては、工Ｃの小型化の動向の中
で高密度化、高速化かつ熱放散性、高信頼性を兼ね備え
、しかも安価に生産できる量産りイブのリードフレーム
が要望されている。
ところが現状のリードフレームについてみると、夫々に
一長一短があって未だ上記諸性能を１＾足する低コスト
、量産品は得られていない。
即ち、グラスチックパッケージはＬｉ２立てを低温で行
うことができ、かつ安価で量産性は良いが、封止樹脂の
熱伝導に限界があって、ＩＣの高集積化や高速化に伴な
う発熱量の増大に対して最も必要とされる熱放散性に欠
点がある。
またＣｅｒ−ＤＩＰはＩＣのマウントをセラミック上に
行うことから、熱放散性はグラスチックパッケージタイ
プのものよシ良好であり、気密性もあるが、ガラス刊工
程で４５０℃以上もの加熱を必要とすることから実装上
の制約がある１１かコスト的に難点がある。
さらにセラミックパッケージは、熱放散性は良好である
が、セラミックによるパッケージ製造コストが大であっ
て量産性に欠け、互だメタライズされた電極を用いるこ
とからも製造コストが上昇する欠点がある。
上記の点に鑑みて本発明者らは低コスト、量産性でかつ
熱放散性のよいリードフレームについて検討を重ねた結
果、この発明に至ったものである。
即ち、この発明は時にプラスチックパッケージ型リード
フレームの熱放散外を改善したものであって、リードフ
レームのＩＣ塔載部下面にパッケージの外部まで貫通す
る良熱伝導性ブロックを鑞付、溶接あるいはガラス付に
て止着させたものである。
以下添付図面を参照しつつこの発明を説明する。
第１図はリードフレーム１のＩＣ２塔載部下面に良熱伝
導性ブロック５をパッケージの外部まで貫通する形状で
鑞付または溶接したものであり、３はボンディングワイ
ヤー、４は封止樹脂である。
また第２図はリードフレーム１のインナーリード部７に
良熱伝導性ブロック５をガラス６を介して融着したもの
である。
これを具体的に説明すると、インナーリードのワイヤー
ボンディング部にＡｇメッキを施したグイバット部を有
しない４２アロイリードフレーム１に厚さ２喘１の平板
状に切シ出した良熱伝導性ブロック５としてのＭｏ板を
リードフレームｌのタイバーよシ内方のインナーリード
部７の下面に厚さ０．５１ｆｆの粉末ガラス６を用いて
止着することによってこの発明に基づくリードフレーム
表面製した。
なお前記Ｍｏ板の中央ダイボンディング部にはＩＣ２と
してのＳｉチップを塔載するために厚さ１μｍのＮｉメ
ッキを施したのち、１９．さ０．７μｍのＡｕメッキを
施したものを用いた。
このリードフレームを用いてＭｏ板上にＳｉチップなＡ
ｕ−８ｉ共品でボンディングしたのち、通常のＡｕ線ク
ワイヤーボンディング行い、次いでトランスファーモー
ルド方式でリードフレーム表面、裏面から夫々２゜５騨
の肉厚で樹脂封止を行ないＩＣを作製した。
その結果、ダイパッド直下に取付けた良熱伝導ブロック
としてのＭｏ板はちょうどパッケージの外に直接あられ
れることになり、極めて熱放散性良好なるＩＣを得るこ
とができ、従来の樹脂封止型ＩＣではチップの限界発熱
量がＩＷであったものがこの発明のものでは５Ｗまで用
いることが可能となり、ＩＣの高出力化に対応した安価
なノくツケージングが可能であることが実証された。
この発明において用いる良熱伝導性ブロックとしては、
上記に使用したＭＯのにかＣｕＸＦｅ、Ｗなどの金属お
よびそれらの合金や複合材が用いられまたアルミナより
熱伝導性のよいセラミックスも使用しうる。そしてこれ
らの良熱伝導性ブロックは、ＩＣチップ搭載部を除いて
周囲を絶縁処理して用いるものである。
また上記においては樹脂封止したＩＣを例にして説明し
たが、これに限定されるものではなく、ＩＣ全般にこの
発明が適用しうろことは勿論であるＯ 以上詳述のように、この発明はリードフレームのＩＣ塔
載部下面にパッケージの外部まで貫通す　　　□る良熱
伝導性ブロックを止着させたことによってＩＣからの発
生熱は、この良熱伝導性ブロックを通して外部へ放出さ
れるため熱放散性が匝めて良好となシ、ＩＣの限界発熱
量を５Ｗまで拡大することができること、またＩＣ塔戦
後は通常のプンスチツクモールドで簡単にパッケージで
きるので昇温もなく組立て容易で量産できること、さら
に上記の放熱ブロックが既存パッケージの一部分を構成
するため、余分な体積（実装面積）をとらないから小型
化が可能であること、などの種々の利点を有するもので
あシ、この発明のリードフレームの工業的価値は非常に
犬である。
【図面の簡単な説明】
第１シｊはこの発明のリードフレームの一実施例を示す
断面図であり、第２図は同じく他の実施例を示す断面図
である。 ■・・・リードフレーム、　　２・・・ＩＣチップ、３
・・・ボンディングワイヤー、　４・・・耐重樹脂、５
・・・良熱伝導性ブロック、　　６・・・ガラス特許出
願人　　　　　　　　　　　住友電気工業株式会社代゛
理人　　　　　弁桿士、和１）間 第１図 第２図 ２６５−

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　半導体装置用リードフレームにおいて、該リ
    ードフレームのＩＣ塔載部下面にパッケージの外部まで
    貫通する良熱伝導性ブロックを止着したことを特徴とす
    るリードフレーム。
  2. （２）　　良熱伝導性ブロックをリードフレームのイン
    ナーリード部の一部または全面に止着したことを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載のリードフレーム。
  3. （３）　　リードフレームへの良熱伝導性ブロックの止
    着を鑞付にて行うことを特徴とする特許請求の範囲第１
    項または第２項記載のリードフレーム０
  4. （４）　　リードフレームへの良熱伝導性ブロックの止
    着を溶接にて行うことを特徴とする特許請求の範囲第１
    項または第２項記載のリードフレーム０
  5. （５）リードフレームへの良熱伝導性ブロックの止着を
    ガラス融着にて行うことを特徴とする特許請求の範囲Ｍ
    １項または第２項記！Ｗ：のり−ドフレーム。
  6. （６）　　良熱伝導性ブロックがＩＣ搭載部を除いて絶
    縁処理した金属よシなることを特徴とする特許請求の範
    囲＠１項または第２項記載のリードフレーム。
  7. （７）良熱伝導性ブロックがセラミックよりなることを
    特徴とする特許ｎｌｔ求の範囲第１項または第２項記戦
    のリードフレーム。
JP57138741A 1982-08-09 1982-08-09 リ−ドフレ−ム Pending JPS5928364A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63104458A (ja) * 1986-10-22 1988-05-09 Nec Corp 半導体装置
US5488254A (en) * 1991-08-05 1996-01-30 Hitachi, Ltd. Plastic-molded-type semiconductor device
EP0838091A4 (ja) * 1995-07-03 1998-05-06

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US5488254A (en) * 1991-08-05 1996-01-30 Hitachi, Ltd. Plastic-molded-type semiconductor device
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