JPS5922343A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5922343A JPS5922343A JP57132424A JP13242482A JPS5922343A JP S5922343 A JPS5922343 A JP S5922343A JP 57132424 A JP57132424 A JP 57132424A JP 13242482 A JP13242482 A JP 13242482A JP S5922343 A JPS5922343 A JP S5922343A
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- JP
- Japan
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- film
- oxidation
- nitride film
- silicon nitride
- oxide film
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-
- H10W10/0126—
-
- H10W10/13—
Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57132424A JPS5922343A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57132424A JPS5922343A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922343A true JPS5922343A (ja) | 1984-02-04 |
| JPH0352221B2 JPH0352221B2 (enExample) | 1991-08-09 |
Family
ID=15081048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57132424A Granted JPS5922343A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922343A (enExample) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103887161A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-06-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种抑制掺杂原子在栅介质中扩散的方法 |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP57132424A patent/JPS5922343A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103887161A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-06-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种抑制掺杂原子在栅介质中扩散的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0352221B2 (enExample) | 1991-08-09 |
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