JPS59218775A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法Info
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- JPS59218775A JPS59218775A JP697683A JP697683A JPS59218775A JP S59218775 A JPS59218775 A JP S59218775A JP 697683 A JP697683 A JP 697683A JP 697683 A JP697683 A JP 697683A JP S59218775 A JPS59218775 A JP S59218775A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガラスなどの絶縁基板上に形成した絶縁ゲー
ト電１界幼果トランジスター（以下薄膜トランジスター
と略す）及び半導体基板から形成された絶縁ゲート電界
効果トランジスター（以下ＭＯ８）ランシスターと略す
）の光エネルギーを用いた執処理によるソース・ドレイ
ン部の形成方法に関する、以下薄膜トランジスターのソ
ース・ドレイン部の形成方法を例にあげて説明する。
ト電１界幼果トランジスター（以下薄膜トランジスター
と略す）及び半導体基板から形成された絶縁ゲート電界
効果トランジスター（以下ＭＯ８）ランシスターと略す
）の光エネルギーを用いた執処理によるソース・ドレイ
ン部の形成方法に関する、以下薄膜トランジスターのソ
ース・ドレイン部の形成方法を例にあげて説明する。
従来の薄膜トランジスターの工程図を第１ツ１に示す、
絶縁基板１上に、気相から化学反応を媒介として結晶や
非晶賀を被着させるｃ Ｖ Ｄ ｇや、真空蒸着法など
のＰＶＤ法により半導体尚膜２を堆積させる７次に、半
導体薄膜のパターンｌヒ成を行なった後、ＯＶＤ法や、
ＰＶＤ法によりケート絶縁膜６を稍１１シ、その上に金
属や、多結晶シリコンを用いたゲート電極を形成する。
絶縁基板１上に、気相から化学反応を媒介として結晶や
非晶賀を被着させるｃ Ｖ Ｄ ｇや、真空蒸着法など
のＰＶＤ法により半導体尚膜２を堆積させる７次に、半
導体薄膜のパターンｌヒ成を行なった後、ＯＶＤ法や、
ＰＶＤ法によりケート絶縁膜６を稍１１シ、その上に金
属や、多結晶シリコンを用いたゲート電極を形成する。
パターニングツワたゲートＭ極４をマスクにして、イオ
ン注入法により、ソース・ドレイン部の不純物イオン５
の拐込みを行なって、電気炉による熱処理で不純物の拡
散及び活性化を行ない。層間パッシベーションｌｌ１Ｎ
６ ｆゲート線とソース・ドレイン線の分離ｔ’、薄
、［）ランシスターの被ふぐをする。仄に、ソース部７
、ドレイン部８のコンタクトホールの窓開けをし、て、
ソース電極９、ドレイン亀砂１０全形成して薄膜トラン
ジスターが完副する、イオン注入法は透甲絶縁基板が大
型化するにつわて。
ン注入法により、ソース・ドレイン部の不純物イオン５
の拐込みを行なって、電気炉による熱処理で不純物の拡
散及び活性化を行ない。層間パッシベーションｌｌ１Ｎ
６ ｆゲート線とソース・ドレイン線の分離ｔ’、薄
、［）ランシスターの被ふぐをする。仄に、ソース部７
、ドレイン部８のコンタクトホールの窓開けをし、て、
ソース電極９、ドレイン亀砂１０全形成して薄膜トラン
ジスターが完副する、イオン注入法は透甲絶縁基板が大
型化するにつわて。
イオン法人量の面内のバラツキが太き（なり、１枚当た
りの処理時間が長（なり、大型基板の量産性は但下する
、また、低抵抗のソース・ト“レインを形成するため１
／（は、１００Ｄ’Ｃ程度の熱処理が必要で、透明絶縁
基板に１０００℃程度の酊１熱性が要求されるといら欠
点が生ずる。
りの処理時間が長（なり、大型基板の量産性は但下する
、また、低抵抗のソース・ト“レインを形成するため１
／（は、１００Ｄ’Ｃ程度の熱処理が必要で、透明絶縁
基板に１０００℃程度の酊１熱性が要求されるといら欠
点が生ずる。
本発明は、かかる欠点を除去したもので、耐熱性が６０
０℃程度と低い、大面積の透明絶縁基板を用いて、イオ
ン注入法によるソース・ドレインとゲート電極の自己整
合性を有したままで、低抵抗のソース・仁゛レインを形
成し１、イオン注入法よりも量産性ｆ高めることを目的
とする。
０℃程度と低い、大面積の透明絶縁基板を用いて、イオ
ン注入法によるソース・ドレインとゲート電極の自己整
合性を有したままで、低抵抗のソース・仁゛レインを形
成し１、イオン注入法よりも量産性ｆ高めることを目的
とする。
以下実施例１に基づいて本発明の詳細な説明する。
第２図は％＊発明による薄１模トランジス汐−の工程図
である、第１図との大きな相違点は、ケート電極４のパ
ターニングと同時に、ゲート電極４をマスクに（で、ゲ
ート絶縁膜３のバターニング全行すっているブｊめ層間
パッシベーション膜６が、半導体薄膜２と接触しており
、層間パッシベーション膜中の不純物原子をソース部７
．ｋ”レイン部８へ、光エネルギー１１によって熱拡Ｉ
Ｑ ｌ活性化ジぜる点である、 このような層間パッシベーションＩｉｉ、′＋６と［７
ては。
である、第１図との大きな相違点は、ケート電極４のパ
ターニングと同時に、ゲート電極４をマスクに（で、ゲ
ート絶縁膜３のバターニング全行すっているブｊめ層間
パッシベーション膜６が、半導体薄膜２と接触しており
、層間パッシベーション膜中の不純物原子をソース部７
．ｋ”レイン部８へ、光エネルギー１１によって熱拡Ｉ
Ｑ ｌ活性化ジぜる点である、 このような層間パッシベーションＩｉｉ、′＋６と［７
ては。
リンを不純物とする硅リン酸ガラスや、ホウ素全不純物
とする硅はう酸ガラスがある。前Ｆ Ｍ ｌパッシベー
ション膜６ｔｄ、 ＯＶ Ｄ法、 Ｆ Ｖ Ｄｉ（ｉＪ
ｌに、ガラスを０．１μ程度の微粉末に１、こｆ＋を有
（幾溶媒に溶かして、塗布し、＃媒を蒸豹させる粉末ガ
ラス法などを月４いて形成する。光エネルギーによる加
熱方法は、ｆｌｌえば、透明石英管内にコイル状タング
ステン・フィラメントを卦ｊじこんだ棒状ランプに直流
金泥【、たときに発する赤外線全４１１用したもので光
吸収のある物俤を千〇百度の温度に数杉で違するという
瞬間加熱が可能である。光吸収のある半導体薄膜は加熱
盪−その熱により層間パッシベーション膜６から不純物
１であるリンやホウ素が拡散及び活性化さねて、ソース
部、ドレイン部を形成する。ただしゲートＮ極としては
。
とする硅はう酸ガラスがある。前Ｆ Ｍ ｌパッシベー
ション膜６ｔｄ、 ＯＶ Ｄ法、 Ｆ Ｖ Ｄｉ（ｉＪ
ｌに、ガラスを０．１μ程度の微粉末に１、こｆ＋を有
（幾溶媒に溶かして、塗布し、＃媒を蒸豹させる粉末ガ
ラス法などを月４いて形成する。光エネルギーによる加
熱方法は、ｆｌｌえば、透明石英管内にコイル状タング
ステン・フィラメントを卦ｊじこんだ棒状ランプに直流
金泥【、たときに発する赤外線全４１１用したもので光
吸収のある物俤を千〇百度の温度に数杉で違するという
瞬間加熱が可能である。光吸収のある半導体薄膜は加熱
盪−その熱により層間パッシベーション膜６から不純物
１であるリンやホウ素が拡散及び活性化さねて、ソース
部、ドレイン部を形成する。ただしゲートＮ極としては
。
Ａｅ以外の高融点金属を使らか、光の）ｙ、開本の品い
Ａｕのような金属を使う必要がある７一方、透明絶縁基
板は、紫外線以外の光の吸収がないため温度が上がる心
配雀な（，６００°Ｃ程度と耐熱性の低い基板も使ぐる
ｋいう利点≠；ある。贅た光加熱法は、瞬間加熱という
面でヌル−プツトが高いばかりで々（、太ぺな面積への
光照射が可能なため、基板の大面積化≠；可卵である一 以上のように、本発明は、光加熱法によって、展開パッ
シベーション膜中の不純物の半導体薄膜への拡散とｆｐ
ｓ ％Ｉ４−化を［てソース・ドレイン部ヲ形成するこ
とで１次のような利点を有するー１、１執件の低い透明
絶縁基板上に、簿膜トランジスター全形的できる ２、透明絶結・基板の大面積化≠；可能である３、 不
純物拡散０活性化のための熱処理μ、光照射加〜（によ
り瞬時でありスルーブツトが高い ４、 ソース・ドレイン部の不純物の（黄方向拡散が小
さく、かつゲース醒極とソース−トルインとの自己整合
性があるため、微細化が可能である、 本発明は、薄膜トランジスターを倒にとって説明してい
るが、ＵＯ８）ランシスターの壊１合にも適用できる。
Ａｕのような金属を使う必要がある７一方、透明絶縁基
板は、紫外線以外の光の吸収がないため温度が上がる心
配雀な（，６００°Ｃ程度と耐熱性の低い基板も使ぐる
ｋいう利点≠；ある。贅た光加熱法は、瞬間加熱という
面でヌル−プツトが高いばかりで々（、太ぺな面積への
光照射が可能なため、基板の大面積化≠；可卵である一 以上のように、本発明は、光加熱法によって、展開パッ
シベーション膜中の不純物の半導体薄膜への拡散とｆｐ
ｓ ％Ｉ４−化を［てソース・ドレイン部ヲ形成するこ
とで１次のような利点を有するー１、１執件の低い透明
絶縁基板上に、簿膜トランジスター全形的できる ２、透明絶結・基板の大面積化≠；可能である３、 不
純物拡散０活性化のための熱処理μ、光照射加〜（によ
り瞬時でありスルーブツトが高い ４、 ソース・ドレイン部の不純物の（黄方向拡散が小
さく、かつゲース醒極とソース−トルインとの自己整合
性があるため、微細化が可能である、 本発明は、薄膜トランジスターを倒にとって説明してい
るが、ＵＯ８）ランシスターの壊１合にも適用できる。
４ 図面のｆｆ１′１蛍な曲、明
第１ツｌ ａ −ｊは、従来の薄Ｈいトランジス〃−の
工程図である、卯、２し１８〜ｊけ、′ｉｒ′発日１４
による薄膜トランジスターの工程し１である。
工程図である、卯、２し１８〜ｊけ、′ｉｒ′発日１４
による薄膜トランジスターの工程し１である。
１・・・透１１Ｂ絶縁基板 ２・・・半虐体助膜６・
・・ゲート絶縁膜 ４・・・ゲート電極５・・・不純
物イオン ６・・・層間ハツシベーション）模 ７・・・ソース部 ８・・・ドレイン部９・・・
ソーヌ市極 １０・・・ドレイン電極１１・・・
元エネルギー 以上 出願人 株式会社 卵訪オ６工舎 代理人 弁理士 最 上 務
・・ゲート絶縁膜 ４・・・ゲート電極５・・・不純
物イオン ６・・・層間ハツシベーション）模 ７・・・ソース部 ８・・・ドレイン部９・・・
ソーヌ市極 １０・・・ドレイン電極１１・・・
元エネルギー 以上 出願人 株式会社 卵訪オ６工舎 代理人 弁理士 最 上 務
Claims (1)
- 薄膜トランジスターおよびＭＯＳ）ランシスターのリー
ス・ドレイン部の形成方法において、光エネルギーを照
射することにより、忙記トランジスターノ層１μｍパ゛
ンシベーション膜中の不純物金拡散及び活性化させ、前
記トランジスターのソースドレイン部の形ｔｊ１２ ｆ
行うことを特徴とする半導体装置の製造方法、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP697683A JPS59218775A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP697683A JPS59218775A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59218775A true JPS59218775A (ja) | 1984-12-10 |
| JPH0450740B2 JPH0450740B2 (ja) | 1992-08-17 |
Family
ID=11653222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP697683A Granted JPS59218775A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59218775A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214472A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012134571A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-07-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| CN103346093A (zh) * | 2013-06-13 | 2013-10-09 | 北京大学深圳研究生院 | 源/漏区抬高的顶栅自对准薄膜晶体管及其制作方法 |
-
1983
- 1983-01-19 JP JP697683A patent/JPS59218775A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214472A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012134571A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-07-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| CN103346093A (zh) * | 2013-06-13 | 2013-10-09 | 北京大学深圳研究生院 | 源/漏区抬高的顶栅自对准薄膜晶体管及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0450740B2 (ja) | 1992-08-17 |
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