JPH04100213A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04100213A JPH04100213A JP21773490A JP21773490A JPH04100213A JP H04100213 A JPH04100213 A JP H04100213A JP 21773490 A JP21773490 A JP 21773490A JP 21773490 A JP21773490 A JP 21773490A JP H04100213 A JPH04100213 A JP H04100213A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置における半導体多結晶膜の形成方
法に関する。
法に関する。
従来の半導体装置の製造方法では、第２図（α）のよう
に半導体基板２０１上に形成されている絶縁体膜２０２
上に、化学気相反応法により多結晶半導体層２０３を堆
積した後、第２図Ｃｂ）のようにイオン打込みを行い、
第２図（Ｃ）のようにフォトリソ技術及びエツチング法
により、熱酸化膜２０２と多結晶半導体層２０３を所望
のパターンに加工していた。
に半導体基板２０１上に形成されている絶縁体膜２０２
上に、化学気相反応法により多結晶半導体層２０３を堆
積した後、第２図Ｃｂ）のようにイオン打込みを行い、
第２図（Ｃ）のようにフォトリソ技術及びエツチング法
により、熱酸化膜２０２と多結晶半導体層２０３を所望
のパターンに加工していた。
しかしながら、前述の従来技術では、不純物を含む多結
晶半導体層を形成するために、多結晶半導体層を形成す
る工程と、前記多結晶半導体層に不純物イオンを打込む
工程の２工程を要していたため、スループットが低下す
るという問題を有していた。
晶半導体層を形成するために、多結晶半導体層を形成す
る工程と、前記多結晶半導体層に不純物イオンを打込む
工程の２工程を要していたため、スループットが低下す
るという問題を有していた。
そこで、本発明はこのような課題を解決するもので、そ
の目的とするところは、不純物を含む半導体ターゲット
をスパッタリングすることにより１工程のみで半導体基
板上方に不純物を含む多結晶半導体膜を形成することに
より、迅速な半導体装置の製造方法を提供するところに
ある。
の目的とするところは、不純物を含む半導体ターゲット
をスパッタリングすることにより１工程のみで半導体基
板上方に不純物を含む多結晶半導体膜を形成することに
より、迅速な半導体装置の製造方法を提供するところに
ある。
本発明は、不純物を含む半導体ターゲ’ｙ）をスパッタ
リングすることにより、半導体基板の上方に不純物を含
む多結晶半導体膜を形成する工程より成ることを特徴と
する。
リングすることにより、半導体基板の上方に不純物を含
む多結晶半導体膜を形成する工程より成ることを特徴と
する。
本発明である半導体装置の製造方法は、基本的には第１
図（α）〜（ｂ）に示される製造方法である。
図（α）〜（ｂ）に示される製造方法である。
１０１はシリコン基板、１０２はＣＭＯＳトランジスタ
におけるゲート絶縁膜となる熱酸化膜、１０３はゲート
配線膜となる多結晶シリコン層、１Ｄ４はフォトレジス
トである。
におけるゲート絶縁膜となる熱酸化膜、１０３はゲート
配線膜となる多結晶シリコン層、１Ｄ４はフォトレジス
トである。
以下に、本発明の実施例を第１図の工程断面図に従って
、工程の詳細を順に説明する。
、工程の詳細を順に説明する。
まず、第１図（α）の様にシリコン基板１０１上に熱酸
化法により、ゲート酸化膜となる熱酸化膜１０２を２５
０Ｘ形成する。
化法により、ゲート酸化膜となる熱酸化膜１０２を２５
０Ｘ形成する。
次に、第１図Ｃｂ）の様にスパッタリング法を用いて多
結晶シリコン１０６を形成する。ここで使用するスパッ
タターゲットはホウ素を１ｏ２２ｃｒｒｒ３だげ含有し
ている多結晶シリコンである。このターゲットをスパッ
タリングすることにより、熱酸化膜１０２上にホウ素を
含む多結晶シリコンゴ０５が形成される。この時のシリ
コン基板１゜１の加熱温度は７００℃、スパッタガスは
純アルゴンガス、スパッタガス圧力は８ｙｎｔｏｒｒ、
ターゲットへの印加電力は２ＫＷである。２７０秒の堆
積時間で膜厚は６０００又となる。
結晶シリコン１０６を形成する。ここで使用するスパッ
タターゲットはホウ素を１ｏ２２ｃｒｒｒ３だげ含有し
ている多結晶シリコンである。このターゲットをスパッ
タリングすることにより、熱酸化膜１０２上にホウ素を
含む多結晶シリコンゴ０５が形成される。この時のシリ
コン基板１゜１の加熱温度は７００℃、スパッタガスは
純アルゴンガス、スパッタガス圧力は８ｙｎｔｏｒｒ、
ターゲットへの印加電力は２ＫＷである。２７０秒の堆
積時間で膜厚は６０００又となる。
次に第１図（ｃ）の様に、フォトリソグラフィー技術に
より、ゲート配線が形膚される領域にフォトレジスト１
０４を形成する。
より、ゲート配線が形膚される領域にフォトレジスト１
０４を形成する。
次に第１図（ｄ）の様に、フォトレジスト１゜４を４マ
スクとしてａ２ｙ４ｏｚ、とＳＩＦ、の混合ガスを用い
たドライエツチング法により、不要となる熱酸化膜１０
２と多結晶シリコン１０３を除去する。次に硫酸により
フォトレジスト１０４を除去し、ハロゲンランプによる
熱処理を３０秒間行い、多結晶シリコン１０．５中のホ
ウ素を活性化する。熱処理の温度は１０００℃である。
スクとしてａ２ｙ４ｏｚ、とＳＩＦ、の混合ガスを用い
たドライエツチング法により、不要となる熱酸化膜１０
２と多結晶シリコン１０３を除去する。次に硫酸により
フォトレジスト１０４を除去し、ハロゲンランプによる
熱処理を３０秒間行い、多結晶シリコン１０．５中のホ
ウ素を活性化する。熱処理の温度は１０００℃である。
以上により、ＣＭＯＳトランジスタのゲート電極が形成
された。上記実施例では多結晶シリコン１０５中にホウ
素を含有させる場合について述べたが、リン又はヒ素を
含有させることも可能である。これを実現するには、ス
パッタターゲットである多結晶シリコンにリン又はヒ素
を含有させれば良い。
された。上記実施例では多結晶シリコン１０５中にホウ
素を含有させる場合について述べたが、リン又はヒ素を
含有させることも可能である。これを実現するには、ス
パッタターゲットである多結晶シリコンにリン又はヒ素
を含有させれば良い。
又、上記実施例では多結晶シリコンターゲットをスパッ
タして多結晶シリコン膜を形成する場合を例としたが、
炭化ケイ素などの他の半導体でも良い。
タして多結晶シリコン膜を形成する場合を例としたが、
炭化ケイ素などの他の半導体でも良い。
第１図（α）〜（ｄ）は、本発明の半導体装置の製造方
法を示す工程断面図。
法を示す工程断面図。
第２図（ａ、）〜（Ｃ）は、従来の半導体装置の製造方
法を示す工程断面図。
法を示す工程断面図。
１０１．２０１・・・・・・半導体基板（シリコン基板
ン １０２．２０２・・・・・・絶縁体膜（熱酸化膜）１０
５．２０５・・・・・・多結晶半導体膜（多結晶シリコ
ン膜） １０４・・・・・・フォトレジスト ２０４・・・・・・イオンビーム 〔発明の効果〕 以上述べた本発明によれば、イオン打込みや不純物拡散
を行わずに、不純物を含む多結晶半導体を１工程で形成
することができ、スループットの向上が実現できる。
ン １０２．２０２・・・・・・絶縁体膜（熱酸化膜）１０
５．２０５・・・・・・多結晶半導体膜（多結晶シリコ
ン膜） １０４・・・・・・フォトレジスト ２０４・・・・・・イオンビーム 〔発明の効果〕 以上述べた本発明によれば、イオン打込みや不純物拡散
を行わずに、不純物を含む多結晶半導体を１工程で形成
することができ、スループットの向上が実現できる。
以上
Claims (1)
- 不純物を含む半導体ターゲットをスパッタリングする
ことにより、半導体基板の上方に不純物を含む多結晶半
導体膜を形成する工程より成ることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21773490A JPH04100213A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21773490A JPH04100213A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04100213A true JPH04100213A (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=16708915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21773490A Pending JPH04100213A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04100213A (ja) |
-
1990
- 1990-08-18 JP JP21773490A patent/JPH04100213A/ja active Pending
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