JPS59132674A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS59132674A JPS59132674A JP692383A JP692383A JPS59132674A JP S59132674 A JPS59132674 A JP S59132674A JP 692383 A JP692383 A JP 692383A JP 692383 A JP692383 A JP 692383A JP S59132674 A JPS59132674 A JP S59132674A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
木登りは、ゲート電極に金属を用い、ゲート絶縁膜と１
、て酸化物を用いた絶縁ケート彫雷、界効果トラソジス
〃−（以下ＭＯＥ’Ｔと略す）及び絶縁基板上に形鯉−
わた薄膜トランジスターＣ以下ＴＦ’Ｔと略す）におい
て、ゲート金膀の溶融及び金属原半のゲート絶縁膜中へ
の汚染とゲート絶縁膜との反応なしに、ソース部・ドレ
イン部の不純物の活性化を行なう赤外線を使ったアーー
ール方法に関するものである。
、て酸化物を用いた絶縁ケート彫雷、界効果トラソジス
〃−（以下ＭＯＥ’Ｔと略す）及び絶縁基板上に形鯉−
わた薄膜トランジスターＣ以下ＴＦ’Ｔと略す）におい
て、ゲート金膀の溶融及び金属原半のゲート絶縁膜中へ
の汚染とゲート絶縁膜との反応なしに、ソース部・ドレ
イン部の不純物の活性化を行なう赤外線を使ったアーー
ール方法に関するものである。
従来から、シリコン基板を用いたＭＯ８Ｔ及びシリコン
薄膜を用いたＴＰＴのゲート金属としてはアルミニウム
が多（使わわてきわいるが、アルミニウムは融点が６６
０℃と低いためゲート電極形成後に高温熱処理による。
薄膜を用いたＴＰＴのゲート金属としてはアルミニウム
が多（使わわてきわいるが、アルミニウムは融点が６６
０℃と低いためゲート電極形成後に高温熱処理による。
ソース部・ドレイン部の不純物の活性化がｆきす、ゲー
ト電極形放前に高温熱処理による不純物１の活性化が必
要である。
ト電極形放前に高温熱処理による不純物１の活性化が必
要である。
そのため、ゲニトとソース・ト°レイン領域の自己整合
性がなく集積度に欠ける。、捷た自己整合性を有する工
程だとゲート電極形成後に高温熱処理ができず、ソース
部・ト°レイン部の抵抗が高（なる欠点がある。このよ
うな自己整合性とソース部・ドレイン部の低抵抗化を同
時に満足すべくゲート電極形放後に高淵熱処理可卵な、
ゲート電極材料と【２て多結晶シリコンやモリブデンを
用いたトランジスターがつ（らねシリコンゲー）ＭＯＥ
Ｉ’ｌ’やモリブデンゲー）ＭＯ８Ｔと呼ばわている。
性がなく集積度に欠ける。、捷た自己整合性を有する工
程だとゲート電極形成後に高温熱処理ができず、ソース
部・ト°レイン部の抵抗が高（なる欠点がある。このよ
うな自己整合性とソース部・ドレイン部の低抵抗化を同
時に満足すべくゲート電極形放後に高淵熱処理可卵な、
ゲート電極材料と【２て多結晶シリコンやモリブデンを
用いたトランジスターがつ（らねシリコンゲー）ＭＯＥ
Ｉ’ｌ’やモリブデンゲー）ＭＯ８Ｔと呼ばわている。
第１図は、ゲート金属としてアルミニウムを用いたシリ
コンＴＰＴの、製造工程図である。絶縁基板１上にシリ
コン半導体薄膜２を形成して、バターニングを行なう、
シリコン半導体薄膜２は、気相から化学反応を媒介とし
て結晶や非晶質を被着するＯＶＤ法や、物理的反応で、
気体の状伸にした後堆積させるＰＶＤ法で作られる。次
に、ゲート絶縁膜３を形成し、レジスト４をマスクとし
て、Ｎ型またはＰ型の不純物イオン５をイオン注入し。
コンＴＰＴの、製造工程図である。絶縁基板１上にシリ
コン半導体薄膜２を形成して、バターニングを行なう、
シリコン半導体薄膜２は、気相から化学反応を媒介とし
て結晶や非晶質を被着するＯＶＤ法や、物理的反応で、
気体の状伸にした後堆積させるＰＶＤ法で作られる。次
に、ゲート絶縁膜３を形成し、レジスト４をマスクとし
て、Ｎ型またはＰ型の不純物イオン５をイオン注入し。
レジスト４をはぐり後電気炉による高温熱処理をおこな
いソース部・ドレイン部の不純物の活性化を行なう、さ
らに、ゲース金属のアルミニウム６を形成し、パターニ
ングを行なって層間絶縁膜７ｆ被ふ（［た後、ソース部
８．ト゛レイン部９のコンタクト部の窓あけをしてソー
ス電析１０．ｋ”レイン’ＦｔｗｆＬ１１？形成する。
いソース部・ドレイン部の不純物の活性化を行なう、さ
らに、ゲース金属のアルミニウム６を形成し、パターニ
ングを行なって層間絶縁膜７ｆ被ふ（［た後、ソース部
８．ト゛レイン部９のコンタクト部の窓あけをしてソー
ス電析１０．ｋ”レイン’ＦｔｗｆＬ１１？形成する。
ソース部・Ｌ°レイン部の不純物の導入は第１図のイオ
ン注メ法を用いな（でも、酸化膜等をマスクと１．て、
不純物のド−プと拡散を１てからゲート絶縁膜を形成す
る方法もあＺ）。
ン注メ法を用いな（でも、酸化膜等をマスクと１．て、
不純物のド−プと拡散を１てからゲート絶縁膜を形成す
る方法もあＺ）。
第２図は、ゲート電極として多結晶シリコンを用いたシ
リコンＴＰＴの製造工程図である。多結晶シリコンゲー
ト電極１２を形成後イオン注入を行ない高温熱処理をし
ているため自己整合性を有［−ており、第１図に比べて
製造工程も簡略化されており利点が大きい。
リコンＴＰＴの製造工程図である。多結晶シリコンゲー
ト電極１２を形成後イオン注入を行ない高温熱処理をし
ているため自己整合性を有［−ており、第１図に比べて
製造工程も簡略化されており利点が大きい。
【７か１どちらの工程も、ソース部・ドレイン部の不純
物の活性化といら面では、高温熱処理が必要で、耐熱性
に欠ける材料は基板と［て使りない欠点がある７捷た耐
熱性の低い基板を使りときは。
物の活性化といら面では、高温熱処理が必要で、耐熱性
に欠ける材料は基板と［て使りない欠点がある７捷た耐
熱性の低い基板を使りときは。
ゲート電極としては低湛でも低抵抗な金属を使えるが、
ソース・ドレイン部高抵抗化は避けられない。
ソース・ドレイン部高抵抗化は避けられない。
本発明はかかる欠点を除去したもので、その目的は、自
己整合性を有して、かつ、耐熱性の低い絶縁基板上に金
属をゲート電極としたソース部・ト゛レイン部が低抵抗
なＴＦＴｆ作ることを目的とする。そのためには不純物
の活性化のための熱処理は従来の電気炉による方法の変
わりに、赤外線加熱の方法をとる。赤外線加熱法は、透
明石英ガラス管内にコイル状タングステンフィラメント
を封じ込んだ棒状ランプで、赤外線吸収のある試料を瞬
間加熱する方法である。この方法は十数百度の温度に数
秒で達し、数十多聞の照射〒不純物の活性化を行ならこ
とができ、不純物の横方向の拡散が小さく集積化が可能
〒あり、量産性に豊んだ方法である６また基板が透明で
あわば赤外線吸収が少なく基板の温度が上がる心配がな
い。
己整合性を有して、かつ、耐熱性の低い絶縁基板上に金
属をゲート電極としたソース部・ト゛レイン部が低抵抗
なＴＦＴｆ作ることを目的とする。そのためには不純物
の活性化のための熱処理は従来の電気炉による方法の変
わりに、赤外線加熱の方法をとる。赤外線加熱法は、透
明石英ガラス管内にコイル状タングステンフィラメント
を封じ込んだ棒状ランプで、赤外線吸収のある試料を瞬
間加熱する方法である。この方法は十数百度の温度に数
秒で達し、数十多聞の照射〒不純物の活性化を行ならこ
とができ、不純物の横方向の拡散が小さく集積化が可能
〒あり、量産性に豊んだ方法である６また基板が透明で
あわば赤外線吸収が少なく基板の温度が上がる心配がな
い。
以下実ｔｌａ 伊１に基づいて本発明を詳しく説９する
。
。
第３図は、赤外線加熱を用いた、金属ゲートシリコンＴ
ＰＴの製造工程図である。従来工程の第２Ｍと電気炉に
よる高温熱処理を赤外線１５による赤外線加熱にかえ、
ゲート電極を、多結晶シリコ ５− ンから全一にかり、た童外に工程士変化は貸られず。
ＰＴの製造工程図である。従来工程の第２Ｍと電気炉に
よる高温熱処理を赤外線１５による赤外線加熱にかえ、
ゲート電極を、多結晶シリコ ５− ンから全一にかり、た童外に工程士変化は貸られず。
自己整合性を有Ｉている。ただ１％赤外ｐテ加熱時には
、連常の、ゲート金がけ赤外線の吸収があるため金ｒの
温度があがり金腑の溶融や金属原工のゲート絶ｍ膜中へ
の汚染とゲート絶縁膜との汐応が生じやすい、そこ〒ゲ
ーヌ金が６と１．て赤外線に対１て反射率の高い金属（
たとえば金は９９５憾の反射率を有している）を使えば
ゲート金属の温度があがらず前記の問題を解決できる。
、連常の、ゲート金がけ赤外線の吸収があるため金ｒの
温度があがり金腑の溶融や金属原工のゲート絶ｍ膜中へ
の汚染とゲート絶縁膜との汐応が生じやすい、そこ〒ゲ
ーヌ金が６と１．て赤外線に対１て反射率の高い金属（
たとえば金は９９５憾の反射率を有している）を使えば
ゲート金属の温度があがらず前記の問題を解決できる。
また、ゲート金属のゲート絶縁膜との密着性やゲート金
属の配線の低抵抗化などから、赤外線に対して反射率の
低い金属を便り必然性があるときは、赤外線に対して反
射率の高い金属を赤外線じゃへいマスクにして赤外線ア
ニールをすわばソース部・ドレイン部の活性化が可能で
ある。
属の配線の低抵抗化などから、赤外線に対して反射率の
低い金属を便り必然性があるときは、赤外線に対して反
射率の高い金属を赤外線じゃへいマスクにして赤外線ア
ニールをすわばソース部・ドレイン部の活性化が可能で
ある。
第４図は、赤外線に対して反射率の低いゲート金属１４
を反射率の高い赤外線しやへい用マスクゲート金属（た
とえば金）１５の２層構造のゲート電１＃Ｌ’ｉもった
ＴＰＴの赤外線了ニール法を用いた製造工程図である。
を反射率の高い赤外線しやへい用マスクゲート金属（た
とえば金）１５の２層構造のゲート電１＃Ｌ’ｉもった
ＴＰＴの赤外線了ニール法を用いた製造工程図である。
６−
木実雄側は、不純物の活は化のたぬの熱処理温度に、基
板の耐執性が劣る場合を中心に赤外蝕子ニール法のＴＰ
Ｔの製造工程を説明している≠；。
板の耐執性が劣る場合を中心に赤外蝕子ニール法のＴＰ
Ｔの製造工程を説明している≠；。
基板の耐熱性が足りる場合においてなんら問題はな（、
ＴＦＴのみならずＭＯ８Ｔにも適用可能である。
ＴＦＴのみならずＭＯ８Ｔにも適用可能である。
以上のどとぐ１本発明は、従来工程に比べ余分な工程を
追加することなく、ゲート金属として赤外線に対して反
射率の高い金属を直接又は赤外線じゃへいマス〃とじて
使うことで赤外線アニール方によって自己整合性を有し
たま１で、耐熱性の低い基板〒もＴＦＴ及びＭＯＥＩＴ
の製造を可能にしているという長所をもっている。
追加することなく、ゲート金属として赤外線に対して反
射率の高い金属を直接又は赤外線じゃへいマス〃とじて
使うことで赤外線アニール方によって自己整合性を有し
たま１で、耐熱性の低い基板〒もＴＦＴ及びＭＯＥＩＴ
の製造を可能にしているという長所をもっている。
第１図ａ ％ ｍ 、第２図ａ −ｊは従来例ｆあり。
第１図は、ゲート金属と１、てアルミニラムラ用いたシ
リコンＴＰＴの製造工程図、第２図は、ゲート電極とし
て多結晶シリコンを用いたシリコンＴＰＴの製造工程評
である。 第３［！２Ｉａ〜に、第４図ａ〜には本発明の実誇伊１
であり、鉋−３図は、ゲート金属に赤外線に対（−で反
射率の高い金枦を用いて赤外種子ニールを行ならシリコ
ンＴＰＴの製造工程図であり、第４図は。 ゲート金族を赤外線に対し１反射率の低い金展と高い金
属の２層構造Ｋして赤外線了ニールを行ならシリコンＴ
ＰＴの製造工程図である。 １・・・・・・絶縁基板 ２・・・・・・シリコン半導体薄膜 ５・・・・・・ゲート絶紗膜 ４・・・・・・レジスト ５・・・・・・不純物イオン ６・・・・・・ゲート金属（アルミニウム）７・・・・
・・Ｉ＠間絶絶縁 膜・・・・・・ソース部 ９・・・・・・ドレイン部 １０・・・・・・ソース電極 １１・・・・・・Ｖレイン電極 １２・・・・・・多結晶シリコンゲート電極１３・・・
・・・赤外線 １４・・・・・・赤外線に対して反射率の低いゲート金
属 １５・・・・・・赤外線に対して反射率の高い赤外線１
、やへいマス々金属 以上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 ９−
リコンＴＰＴの製造工程図、第２図は、ゲート電極とし
て多結晶シリコンを用いたシリコンＴＰＴの製造工程評
である。 第３［！２Ｉａ〜に、第４図ａ〜には本発明の実誇伊１
であり、鉋−３図は、ゲート金属に赤外線に対（−で反
射率の高い金枦を用いて赤外種子ニールを行ならシリコ
ンＴＰＴの製造工程図であり、第４図は。 ゲート金族を赤外線に対し１反射率の低い金展と高い金
属の２層構造Ｋして赤外線了ニールを行ならシリコンＴ
ＰＴの製造工程図である。 １・・・・・・絶縁基板 ２・・・・・・シリコン半導体薄膜 ５・・・・・・ゲート絶紗膜 ４・・・・・・レジスト ５・・・・・・不純物イオン ６・・・・・・ゲート金属（アルミニウム）７・・・・
・・Ｉ＠間絶絶縁 膜・・・・・・ソース部 ９・・・・・・ドレイン部 １０・・・・・・ソース電極 １１・・・・・・Ｖレイン電極 １２・・・・・・多結晶シリコンゲート電極１３・・・
・・・赤外線 １４・・・・・・赤外線に対して反射率の低いゲート金
属 １５・・・・・・赤外線に対して反射率の高い赤外線１
、やへいマス々金属 以上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 ９−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ゲート電極として金属薄膜を用いたＴＦＴ及びＭ
Ｏ６Ｔのソース部、ドレイン部の熱処理による不純物の
活性方法において、ゲート電極として赤外線に対し反射
率の高い金属薄膜を用い、赤外線によりソース部・ドレ
イン部の不純物の活性化を行うことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 ２、 ゲート電極と［て金印薄膜を用いたＴＦＴ及びＭ
ＯＥＩＴのソース部ｅドレイン部の熱処理による不純物
の活性方法において、赤外線に対し反射率の高い金属薄
膜をゲート金層電極上に形成し。 前記金属薄膜を赤外線りやへいマスクとして、赤外線に
より選択的にソース部・ドレイン部の不純物の活性化を
行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP692383A JPS59132674A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP692383A JPS59132674A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59132674A true JPS59132674A (ja) | 1984-07-30 |
Family
ID=11651760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP692383A Pending JPS59132674A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59132674A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62105474A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-15 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ |
| JPH01136373A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜型半導体装置の製法 |
| US6690063B2 (en) | 1994-06-14 | 2004-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film semiconductor integrated circuit and method for forming the same |
| JP2007274008A (ja) * | 2007-06-22 | 2007-10-18 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007324620A (ja) * | 2007-08-06 | 2007-12-13 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN100367461C (zh) * | 1993-11-05 | 2008-02-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 一种制造薄膜晶体管和电子器件的方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5599088A (en) * | 1979-01-23 | 1980-07-28 | Citizen Watch Co Ltd | Alarm clock fitted with calender |
| JPS5699088A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-10 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Manufacture of clad steel plate of superior joining strength |
| JPS57117278A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Sony Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1983
- 1983-01-19 JP JP692383A patent/JPS59132674A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5599088A (en) * | 1979-01-23 | 1980-07-28 | Citizen Watch Co Ltd | Alarm clock fitted with calender |
| JPS5699088A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-10 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Manufacture of clad steel plate of superior joining strength |
| JPS57117278A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Sony Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62105474A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-15 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ |
| JPH061836B2 (ja) * | 1985-10-31 | 1994-01-05 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ |
| JPH01136373A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜型半導体装置の製法 |
| CN100367461C (zh) * | 1993-11-05 | 2008-02-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 一种制造薄膜晶体管和电子器件的方法 |
| US6690063B2 (en) | 1994-06-14 | 2004-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film semiconductor integrated circuit and method for forming the same |
| JP2007274008A (ja) * | 2007-06-22 | 2007-10-18 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007324620A (ja) * | 2007-08-06 | 2007-12-13 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP4568308B2 (ja) * | 2007-08-06 | 2010-10-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
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