JPS59215747A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS59215747A JPS59215747A JP9091583A JP9091583A JPS59215747A JP S59215747 A JPS59215747 A JP S59215747A JP 9091583 A JP9091583 A JP 9091583A JP 9091583 A JP9091583 A JP 9091583A JP S59215747 A JPS59215747 A JP S59215747A
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- JP
- Japan
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- wiring
- film
- oxide film
- grown
- layer
- Prior art date
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- Pending
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- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に係シ、特に、多層配Ｉ
ｖｉ！構造の形成に関する。
ｖｉ！構造の形成に関する。
一般に半導体集積回路装置において、配線材料としてア
ルミニウム等の金属薄Ｍを用いるが、金桟薄膜下の絶縁
膜が急峻な段差を有すると金属配勝が断巌したシ、金属
配線材料がエツチングされきれずに段部に添って残ル、
配線間が短絡したシする。
ルミニウム等の金属薄Ｍを用いるが、金桟薄膜下の絶縁
膜が急峻な段差を有すると金属配勝が断巌したシ、金属
配線材料がエツチングされきれずに段部に添って残ル、
配線間が短絡したシする。
近年、配線材料の微細加工や多ノー配線が行なわれるよ
うになり、絶縁膜を平坦にする技術は必要欠くべからざ
るものとなってきている。
うになり、絶縁膜を平坦にする技術は必要欠くべからざ
るものとなってきている。
また高集積化のために浅いｐｎ接合が必要となったこと
、アルミニウム等の低融点金属による多層配線を実現し
なければならない等の理由から、高温熱処理による絶縁
膜の平坦化技術が必要となってきている。
、アルミニウム等の低融点金属による多層配線を実現し
なければならない等の理由から、高温熱処理による絶縁
膜の平坦化技術が必要となってきている。
又、二層配線に於いて、第一の配線材料にアルミニウム
薄膜を用いた場合には、その後の熱処理工程でヒロック
を生じ第一、第二配線間で短絡をおこしたシ、第一の配
線材料と第二の配線材料ケ結ぶコンタクトホールの形状
を著るしく悪化させ、最悪の場合、コンタクト不良が発
生す゛る場合がある。
薄膜を用いた場合には、その後の熱処理工程でヒロック
を生じ第一、第二配線間で短絡をおこしたシ、第一の配
線材料と第二の配線材料ケ結ぶコンタクトホールの形状
を著るしく悪化させ、最悪の場合、コンタクト不良が発
生す゛る場合がある。
本発明の目的はこれらの問題点を一挙に解決する製造方
法を提供することにある。
法を提供することにある。
本発明の特徴は、アルミニウム等の第一の配線材料を形
成した後、薄いプラズマ窒化膜等の絶縁材料を形成する
工程と、その表面に該第−の配線の段部の角の部分のみ
が露出する程度に液化酸化膜をスピンコードする工程と
、該液化酸化膜を焼き固めて、これによる該酸化膜をマ
スクに該配線の段部を蝕刻して滑らかにする工程と、そ
の上に層間絶縁膜を成長し、その後第２の配線材料音形
成する工程とを含む半導体装置とくに集積回路装置の製
造方法にある。
成した後、薄いプラズマ窒化膜等の絶縁材料を形成する
工程と、その表面に該第−の配線の段部の角の部分のみ
が露出する程度に液化酸化膜をスピンコードする工程と
、該液化酸化膜を焼き固めて、これによる該酸化膜をマ
スクに該配線の段部を蝕刻して滑らかにする工程と、そ
の上に層間絶縁膜を成長し、その後第２の配線材料音形
成する工程とを含む半導体装置とくに集積回路装置の製
造方法にある。
以下に、本発明を実施例を用いて詳しく説明する。
第１図はシリコン基板ｌの一生表面にシリコン酸化膜２
を成長しその上に第ｉ ｒｖｉｔ目のアルミ配線３を形
成し、その表面に薄くプラズマＣＶｆ）によるシリコン
窒化膜４を成長したものである。
を成長しその上に第ｉ ｒｖｉｔ目のアルミ配線３を形
成し、その表面に薄くプラズマＣＶｆ）によるシリコン
窒化膜４を成長したものである。
第２図は、その上に液化酸化膜５をスピンコー）Ｌ、３
００℃〜４５０℃のベークを行なったものである。
００℃〜４５０℃のベークを行なったものである。
ここで液化酸化膜は、第１の配線材料による段部の角の
部分のみが露出する程舵にコーティングする。
部分のみが露出する程舵にコーティングする。
また、液化酸化膜の下に薄く成長したシリコン酸化膜４
は、ベーク時に液化酸化膜にクジツクカニ発生すること
を防ぐとともに、熱処理工程においてアルミニウムのヒ
ロックの発生を押える効果があるＯ 第３図は、ベークされた液化酸化膜５をマスクにリン酸
等によシ第１の配線材料の角の部分のみをエツチングし
たものである。
は、ベーク時に液化酸化膜にクジツクカニ発生すること
を防ぐとともに、熱処理工程においてアルミニウムのヒ
ロックの発生を押える効果があるＯ 第３図は、ベークされた液化酸化膜５をマスクにリン酸
等によシ第１の配線材料の角の部分のみをエツチングし
たものである。
ここでエツチングの目安としては段部の上面についた液
化酸化膜５′がオーツ（−）・ングにならないようにす
れば、シリコン窒化膜４のみ全エツチングしてもその下
のアルミ配線３″＆でエツチングが及んでもかまわない
。
化酸化膜５′がオーツ（−）・ングにならないようにす
れば、シリコン窒化膜４のみ全エツチングしてもその下
のアルミ配線３″＆でエツチングが及んでもかまわない
。
図から明らかなようにここで段部に角のないｆ跨らかな
形状が得られる。その後第４図めごとくノ曽間絶縁腺６
を成長し、第１の配線と第２の配線との接続をはかるコ
ンタクト孔７を形成する。ここで、シリコン窒化膜４に
よって第１層目の配線３にはヒロックは発生しておらず
、コンタクト孔は形状よく開孔できる。
形状が得られる。その後第４図めごとくノ曽間絶縁腺６
を成長し、第１の配線と第２の配線との接続をはかるコ
ンタクト孔７を形成する。ここで、シリコン窒化膜４に
よって第１層目の配線３にはヒロックは発生しておらず
、コンタクト孔は形状よく開孔できる。
その後第５図のごとく第２の配線材料８を成長する。
以上のごとく本発明によれば高温熱処理を経ることなく
低温で平坦な層間絶縁膜が成長でき、その上の２層目の
配線材料は、段線や短絡の心配がなく、極めて信頼性の
高い集積回路装置の製造が可能となる。
低温で平坦な層間絶縁膜が成長でき、その上の２層目の
配線材料は、段線や短絡の心配がなく、極めて信頼性の
高い集積回路装置の製造が可能となる。
第１図ないし第５図は、本発明の実施例葡工程順に示し
た断面図である。 尚、図において １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・シリコン
酸化膜、３・・・・・・第一の配線材料（アルミニウム
等）、４・・・・・・シリコン窒化膜、５．５’・・・
・・・液化酸化膜、６・・・・・・層間絶縁膜、７・・
・・・・コンタクト孔、８・・・・・・第２の配線材料
（アルミニウム等）である。 察 ／Ｉ！Ｉ 亭 ２ 図 第 ３ 図 −２ 竿４図
た断面図である。 尚、図において １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・シリコン
酸化膜、３・・・・・・第一の配線材料（アルミニウム
等）、４・・・・・・シリコン窒化膜、５．５’・・・
・・・液化酸化膜、６・・・・・・層間絶縁膜、７・・
・・・・コンタクト孔、８・・・・・・第２の配線材料
（アルミニウム等）である。 察 ／Ｉ！Ｉ 亭 ２ 図 第 ３ 図 −２ 竿４図
Claims (1)
- 第一の配線を形成した後、薄いプラズマ窒化膜等の絶縁
材料を被着する工程と、その表面に該第−の配線の段部
の角の部分が露出する程度に液化酸化膜をスピンコード
する工程と、該液化酸化膜を焼き同めてこれによシ得ら
れた該酸化膜をマスクに該第−の配線の段部を蝕刻して
、滑らかにする工程と、その上に層間絶縁膜を形成し、
その後、第２の配線材料を形成する工程とを含むことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9091583A JPS59215747A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9091583A JPS59215747A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59215747A true JPS59215747A (ja) | 1984-12-05 |
Family
ID=14011711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9091583A Pending JPS59215747A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59215747A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62176147A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-08-01 | ビュル エス．アー． | 高密度集積回路の構成要素の相互接続用多層金属配線網の形成法及び本形成法によつて形成される集積回路 |
-
1983
- 1983-05-24 JP JP9091583A patent/JPS59215747A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62176147A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-08-01 | ビュル エス．アー． | 高密度集積回路の構成要素の相互接続用多層金属配線網の形成法及び本形成法によつて形成される集積回路 |
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