JPS59209252A - 撮像管の偏向電極製造方法 - Google Patents

撮像管の偏向電極製造方法

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Publication number
JPS59209252A
JPS59209252A JP8273183A JP8273183A JPS59209252A JP S59209252 A JPS59209252 A JP S59209252A JP 8273183 A JP8273183 A JP 8273183A JP 8273183 A JP8273183 A JP 8273183A JP S59209252 A JPS59209252 A JP S59209252A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoresist
outer tube
electrodes
deflection
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8273183A
Other languages
English (en)
Inventor
Kanetoshi Tada
多田 金稔
Katsumi Watanabe
克己 渡辺
Kiyokazu Okawa
大川 清和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RINKU KK
Hitachi Denshi KK
Original Assignee
RINKU KK
Hitachi Denshi KK
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Filing date
Publication date
Application filed by RINKU KK, Hitachi Denshi KK filed Critical RINKU KK
Priority to JP8273183A priority Critical patent/JPS59209252A/ja
Publication of JPS59209252A publication Critical patent/JPS59209252A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/70Arrangements for deflecting ray or beam
    • H01J29/72Arrangements for deflecting ray or beam along one straight line or along two perpendicular straight lines
    • H01J29/74Deflecting by electric fields only

Landscapes

  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) この発明は、MS形撮像管用外管の偏向電極形成方法に
関するものである。
(従来技術とその問題点) 電磁集束静電偏向形撮像管(以後MS形撮像管と呼ぶ)
の外管は、その内壁に形成させた金属蒸着膜にレーザー
加工またはフォトエツチング加工の何れかによって所要
の高精度な偏向電極を形成するのが普通であるが、前者
は高額な設備を必要とするのでこれをさけ、こkでは後
者の加工方法について述べ、かつ、フォトレジスト液に
はポジタイプのものを使用した場合について説明する。
第1図A、  Bに示す如く、外管1内壁に蒸着した導
電膜22例えばクローム(Cr)膜を適当な温度例えば
300度30分間加熱して外管1に該導電膜2を強固に
密着させたのち、(第1図B−a参照)フォトレジスト
3(感光樹脂膜)を塗布被着し、(第1図B−b参照)
7I+*−び所要の温度例えば105度10分ベーキン
グしたうえに所要径の円筒形にして。
しかも空気の洩れないように両端を重ね合せ隙間なく貼
り合わせたフォトマスク4を密封用管5にバンド6で締
めつけたのち、一方の該密封管5の空気送入ロアから強
(空気を送太し、該マスク4の膨張を利用して該レジス
ト3に密着させ、予じめ管1内に挿入しである円筒形紫
外線ランプ8によって霧光しく第1図B−e参照)、つ
いで現像処理してフォトレジスト3を所要パターンのマ
スり化したのち(第1図B−d参照)、さらに上記導電
膜2を公知の手法でエツチングすることによって所定の
偏向電極2′を形成する。(第1図B −e、 f  
参照)しかし、この場合、該フォトマスク4が該外管1
内壁に完全密着していないと導電膜ぼけていたり、形状
欠かんが生じていたりするものを見出す。
従って、上記の如く円筒形フォトマスク内に強圧空気を
送入、該マスク4を該管1内壁に強制密着を図る改善策
程度では、なお、上記に述べたような電極内2′形状欠
かんが発生し工程最終段階で発見され、不良管と認定9
歩留り、低下をきたすことが多分にある。
(目的) 本発明は、前記欠点を解決し生産歩留りの向上を図るた
め、外管内壁にまづフォトレジストを塗布被着させ、露
光、現像してフォトレジストを偏向電極形状マスク化し
たのち、該マスクを予じめ検査し良品のみを選び、これ
に蒸着導電膜を形成。
不用部分を除去して所要の偏向電極を形成したもので、
その目的は製品歩留りの向上を図ることにある。
(実施例) 本発明は前記不都合をなくすため、第2図にみる如く、
まづ外管1内壁にフォトレジスト3を塗布被着させ(第
2図C参照)前記同様ベーキングしたのち、前記フォト
マスク4とは相違するフォトマスク4′即ち前記のもの
と同形状であるが、第1図にみる如く各電極間の間隙7
のみ紫外線8の影をつくりフォトレジスト膜3を残すよ
うなフォトマスク4′を用い該レジスト膜3にこれを4
′密着させ露光しく第2図す参照)現像することによっ
て(第2図C参照)電極部となる部分2′のフォトレジ
スト膜3を除去し、此の時点で形成されたレジストパタ
ーンに欠かんが生じていないか光学測定器などを利用し
て十分検査したのち、良品管のみ前記同様クローム(C
r)2を所要の厚さ蒸着する。(第2図C参照)続いて
間隙7に残るフォト=3− レジスト部分を除去したのち、前記同様域−キングすれ
ば外管内壁に強固に密着した偏向電極2′が形成できる
。(第2図C参照) なお、ネガタイプのレジスト液を用いた場合は従来のパ
ターン4をそのまま使用して露光現像すると、紫外線の
照射された部分のレジスト膜が除去され、影になってい
る電極間隙のレジスト膜は残るから、上記と全たく同じ
状態のレジストパターンが形成できる。従って、ネガタ
イプのフォトレジスト液を使用してもクローム蒸着前に
レジストマスクの検査が可能であり、上記と同様クロー
ム蒸着後の偏向電極形成の歩留りは目立って向上する。
(効果) この発明によるMS管の偏向電極形成方法を採用すると
、フォトレジスト塗布、露光現像した時点でまず、光学
測定器などで詳細検査ができるので、レジストパターン
に欠陥のある管は、そこで堆り除き再生にまわし、良品
のみにクロームを蒸着することができることがら、前記
検査後の偏向4− 電極形成は100%の良品が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図Aは、従来の偏向電極形成方法の斜視図。 第1図Bは、外管に偏向電極を形成する工程図。 第2図は2本発明による偏向電極形成の工程図。 ■=外管(外囲器)、2:クローム蒸着膜。 3;フォトレジスト、4;フォトマスク、4/ :本考
案に用いるフォトマスク、5:密封用管、6:フオトマ
スク締めつけバンド、7:密封管附随空気送入ロ、8:
紫外線露光用ランプ、9:紫外線露光用ランプ点火線、
2′:偏向電極化したクローム蒸着膜。 、〆 − ′−゛−昌

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電磁集束、静電偏向形撮像管用外管(外囲器)内壁にま
    づフォトレジスト塗布被着し、所要の偏向電極パターン
    マスクを該レジスト膜に密着させ紫外線ランプを利用し
    て露光、現像してマスク化した時点で検査をしたのち導
    電膜を形成、不用となったレジスト膜を除去して製作し
    た偏向電極の製造方法。
JP8273183A 1983-05-13 1983-05-13 撮像管の偏向電極製造方法 Pending JPS59209252A (ja)

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JP8273183A JPS59209252A (ja) 1983-05-13 1983-05-13 撮像管の偏向電極製造方法

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JPS59209252A true JPS59209252A (ja) 1984-11-27

Family

ID=13782560

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JP8273183A Pending JPS59209252A (ja) 1983-05-13 1983-05-13 撮像管の偏向電極製造方法

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JP (1) JPS59209252A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0320059A2 (en) * 1987-12-11 1989-06-14 Philips Electronics Uk Limited Flat cathode ray tube display apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0320059A2 (en) * 1987-12-11 1989-06-14 Philips Electronics Uk Limited Flat cathode ray tube display apparatus

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