JPS59196864A - カ−バメ−ト誘導体 - Google Patents

カ−バメ−ト誘導体

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JPS59196864A
JPS59196864A JP6924283A JP6924283A JPS59196864A JP S59196864 A JPS59196864 A JP S59196864A JP 6924283 A JP6924283 A JP 6924283A JP 6924283 A JP6924283 A JP 6924283A JP S59196864 A JPS59196864 A JP S59196864A
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JP
Japan
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group
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naphthyl
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hydrogen atom
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JP6924283A
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JPS632557B2 (ja
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Tetsuo Takematsu
竹松 哲夫
Masato Konnai
近内 誠登
Hideo Morinaka
秀夫 森中
Yuji Nonaka
悠次 野中
Akira Nakanishi
明 中西
Kenji Tsuzuki
続木 建治
Mitsuyuki Hashihama
橋濱 充幸
Takeshi Uotani
魚谷 武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tosoh Corp
Original Assignee
Toyo Soda Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はカーバメート誘導体、その製造法及び該化合物
を有効成分として含有する除草剤に関する。
従来子り−ルチオカーバメート系化合物が医薬として抗
菌性を有することは周知である。寸だアリール N−ア
リールカーバメート化合物を除草剤として使用し得るこ
とが知られている。
本発明者らは、先に特定のN−ピリジルカーバメート誘
導体が除草活性を有することを見いだした。
本発明者らは、さらにN−ピリジルカーバメート誘導体
で、十分な除草効果を有し、かつ、高度の選択性を有す
る化合物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を
完成した。
すなわち本発明は一般式(I): 2 (式中、Xは2−ナフチル基、5−インダニル基。
5、6.7.8−テトラヒドロ−2−ナフチル基または
低級アルキル基を有するフェニル基を示し、Yは酸素原
子捷たけ硫黄原子を示し、R1は水素原子またけニトロ
基を示し、R2f′i低級アルキルアミノ基を示す。)
で表わされるカーバメート誘導体(以下、本発明化合物
という。)、その製造法および該化合物を有効成分とし
て含有する除草剤を提供するものである。
本発明化合物を有効成分とする除草剤は、特に湛水下の
水田において、ノビエをはじめとする多くの雑草に対し
て極めてすぐれた除草活性を示すとともに、移植水稲に
は無害であ漫、水田用除草剤として好適である。
本発明の一般式(I)で表わされるカーバメート誘導体
は、下記反応式に従って製造することができる。
2 (式中、Xは2−ナフチル基、5−インダニル基。
5、6.7.8−テトラヒドロ−2−ナフチル基または
低級アルキル基を有するフェニル基を示し、Yは酸素原
子または硫黄原子を示し、R,は水素原子またはニトロ
基を示し、R2は低級アルキルアミノ基を示し、Hat
はハロゲン原子を示す。)上記の反応は、脱ハロゲン化
水素剤の存在下、さらに反応溶媒の存在下あるいは不存
在下に、通常、0°Cから150′Cの反応温度で進行
し、反応時間は数分ないし48時間程度である。
脱ハロゲン化水素剤としては、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム等の水酸化アルカリ、水酸化カルシウム等の
水酸化アルカリ土類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の炭酸アルカ
リ塩、水酸化す) IJウムのような水素化金属、トリ
エチルアミン。
N、 N−ジメチルアニリン、ピリジン等の第三級アミ
ン等を挙げることができる。反応式(2)において目、
原料のアミノピリジン誘導体を脱ハロゲン化水素剤とし
て使用できる。
反応溶媒としては、水およびメタノール、エタノール、
イソプロパツール等のアルコール類、アセトン、メチル
エチルケトン等のケトン類、ベンゼン、トルエン、キシ
レン等の芳香族炭化水素類、エチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、クロルベンゼ
ン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン等のハ
ロゲン化炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド等の極性溶媒等が用いられる。
次に、実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
〔実施例1〕 4二tert−ブチルフェニル N−メチル−N−(6
−シメチルアミノー2−ピリジル)カーバメートの製造
法    (本発明化合物7≦1)N−メチル−N−(
6−シメチルアミンー2−ピリジル)カルバモイルクロ
ライ)”2,149.4− tert−ブチルフェノー
ル1.5oりおよび無水炭酸カリウム1.389をメチ
ルエチルケトン50rnlに添加し、48時間加熱還流
した。
反応混合物を室温まで冷却した後、冷水中に注ぎ、生成
物をベンゼンで抽出した。ベンゼン溶液を水。
飽和塩化ナトリウム水溶液の順で洗い、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した後、減圧下でベンゼンを留去した。残
留物をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル、ベンゼ
ン展開)で精製して4−tert−ブチルフェニル N
−メチル−N−(6−シメチルアミノー2−ピリジル)
カーバメート2.459(収率75チ)を得た。このも
のの一部をヘキサンより再結晶し、融点68〜69°C
の無色結晶を得た。
〔実施例2〕 o−5−インダニル N−メチル−N−(S−ジメチル
アミノ−2−ピリジル)チオカーバメートの製造法  
   (本発明化合物A5)2−メチルアミノ−6−シ
メチルアミノビリジンt 519および無水炭酸カリウ
ム1.589をアセトン20ゴに添加し、室温で攪拌し
ながら、5−インダニル クロルチオポルメイ)2.I
Mをアセトン20#+7!に溶かして加えた。このまま
30分間攪拌した後、2時間加熱還流した。反応混合物
を室温まで冷却した後、冷水中に注ぎ、生成物をベンゼ
ンで抽出した。ベンゼン溶液を水、飽和塩化す) IJ
ウム水溶液の順で洗い、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た後、減圧下でベンゼンを留去した。残留物をカラムク
ロマトグラフィー(シリカケル、ベンゼン展開)で精製
してo−s−インダニル N−メチル−N−(6−シメ
チルアミノー2−ピリジル)チオカーバメート2.88
g(収率88%)を得た。このものの一部をメタノール
より再結晶し、融点83〜84℃の無色結晶を得た。
第1表に前記一般式(1)で示される化合物の代表例お
よび物理定数を示した。
本発明化合物を除草剤として使用するには、前記一般式
(1)で示される化合物の一種または二種以上の適当量
を不活性担体と混合し、通常の農薬使用形態である水利
剤、乳剤9粒剤、粉剤等の形で使用される。
固体担体として、タルク、クレー、ケインウ土。
ベントナイト、カオリン、酸性白土、ホワイトカーボン
、軽石粉等が挙けられ、液状担体としては、水、アルコ
ール、ベンゼン、トルエン、キシレン。
ケロシン、シクロヘキザン、シクロヘキサノン。
イソホロン、ブチルセロソルブ、酢酸ベンジル。
ジメチルホルムアミド、鉱油等が使用される。
さらに、製剤上必要ならば、界面活性剤、安定剤等を添
加することもできる。まだ、本発明の除草剤は、同一分
野に用いる他の農薬、例えば殺虫剤、殺菌剤、除草剤、
植物生長調節剤まだは肥料と混合施用することができる
。特に、散布労力を低減する目的で、あるいは有効に防
除できる草種の幅を広げる目的で他の除草剤を添加混合
することが適当な場合がある。
添加し得る除草剤として、アトラジン、シマジン、シメ
トリン、プロメトリン等のトリアジン系除草剤、アシュ
ラム、ベンチオカーブ、モリネート等のカーバメート系
除草剤、リニュロン、ダイムロン等の尿素系除草剤、2
.4−D、MOP。
MOFB、ナプロアニリド等のフェノキシ系除草剤、ニ
トロフェン、クロルニトロフェン、クロメトキシニル等
のジフェニルエーテル系除草剤、オキザジアゾン、ビラ
ゾレート、ペンタシン等の複素環系除草剤、アラクロー
ル、ブタクロール、プロパニル等のアミド系除草剤等を
挙げることができる。これらの除草剤の一種または二種
以上を本発明化合物とう捷く組み合せることによって多
くの草種に有効な混合剤を提供することが可能である。
次に、本発明化合物を用いての製剤の実施例を述べる。
実施例中1部」は重量部である。
〔実施例6〕(水利剤) 本発明化合物A1.10部を担体材料としてジ−クライ
ト〔商品名、国峰工業(掬製〕8Z5部、界面活性剤と
してネオペレックス〔商品名、花王アトラス■製) 1
.35部およびツルポール800A〔商品名、東邦化学
工業■製] 1.35部と共に混合粉砕して10チ水和
剤を得た。
〔実施例4〕(乳剤) 本発明化合物應2.25部をベンゼン65部、界面活性
剤としてツルポール800A  10部を混合溶解し、
25チ乳剤を得た。
〔実施例5〕(粒剤) 本発明化合物/F63.10部をベントナイ)50部、
クニライト〔商品名、国峰工業■製〕65部および界面
活性剤としてツルポール800A  5部を混合粉砕し
たのち、水10部を加えて均一に攪拌し、直径0.7B
の節穴がら押し出し乾燥後、1〜2′鴎の長さに切断し
て10チ粒剤を得た。
本発明化合物は除草剤有効成分として、特に雑草発芽前
の水田湛水処理に適している。本発明化合物の施用薬量
は、適用場面、施用時期、施用方法、対象草種等にょシ
異なるが、一般的には有効成分量で10〜10009 
/ 10 a 、好ましくは50〜5009 / 10
 aの範囲が適当である。
本発明化合物の除草作用特性として、特に雑草の発芽時
に強く作用し、発芽後の伸長を強力に抑制するもので、
雑草体内での残効性は極めて長い。
すなわち、雑草を枯殺するか、あるいは生長を停止、も
しくけ著しく生長を抑制遅延することによって作物との
生育競合を失わせるものである。
殺草スペクトラムは水田の主要害草ノビエ、タマガヤツ
リに対して卓効を示し、コナギ、キカシグサに対しても
強い効果を示す。
一方稚苗移植水稲に対する安全性は極めて高く、100
09 / 10 aでも影響は全く認められず、極めて
優れた選択除草活性が得られた。
次に本発明化合物の除草効果を実施例によって税関する
〔実施例6〕 直径9cmの磁製ポットに水田土壌を入れ、水を加えて
代かき後、土壌表層に雑草種子を播き、2葉期の水稲苗
(品種、日本晴)を1Crnの深さに、2本2株植とし
た。翌日2crnの湛水を行い、各本発明化合物の水利
剤の所定薬量をポット当り10ゴの水に希釈して水面に
滴下処理した。
その後、温室に静置し、薬液処理3週間後に除草効果お
よび水稲に及はした影響を調査した。
評価は6段階で表示したが、具体的には下記の通りであ
る。その結果は第2表および第3表に示した。
表示 水稲薬害    除草効果 5   枯死   10賠哩餘(す量 0%)4   
甚害    80%防余(勧120チ)6   中吉 
   60す餘(榎は40チ)2   小書    4
0%防除(煽罎60チ)1   僅小書    20%
防除(残草量80チ)0   無害    0%噂(榎
障100%)第2表 第  2 表 第  3 表 手続補正書 昭和58年6月14日 η信4./I庁J−信若杉和夫殿 19Tf’lの表示 昭和58年!持8!1°願第 69242   号2発
明の名称 カーバメート誘導体 6袖iJ云をする者 6補正の対象 「明細書の特許請求の範囲の欄」 [明細書の発明の詳細な説明の欄」 7補正の内容 (11特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。
(2)明細書、4頁11〜12行の 「アリール N−アリールカーバメ−1・化合物」を 「特定のアリール N−アリールカーバメート系化合物
」と訂正する。
(3)同書、7頁6〜7行の 「水酸化ナトリウムのような」を 「水素化す) IJウム等の」と訂正する。
(4)同書、9頁10〜11行の 「5−インダニル りロルチオホルメイト」を 「o−5−インターニル クロルチオホルメイト」と訂
正する。
(5)同書、11頁及び12頁第1表、上欄の   ″
「計算値」を 「(計算値)」と訂正する。
(6)同書、12頁の第1表中本発明化合物屋9ONM
Hの欄の 「168(1H,s)Jを 「368(3H,8)Jと訂正する。
2、特許請求の範囲 (1)  一般式(I): 2 (式中、XFi2−ナフチル基、5−インターニル基、
5,6,7.8−テトラヒドロ−2−ナフチル基または
低級アルキル基を有するフェ= /L/基を示し、Yは
酸素原子または硫黄原子を示し、R1は水素原子または
ニトロ基を示し、R2は低級アルキルアミノ基を示す。
)で表わされるカーバメート誘導体。
(2)  一般式(■): x−oh          (II)(式中、Aは水
素原子、ハロカルボニル基せたはハロチオカルボニル基
であり、Xは2−ナフチル基、5−インダニル基、5,
6,7.8−テトラヒドロ−2−ナフチル基または低級
アルキル基を有するフェニル基を示す。)で表わされる
フェノール誘導体を 一般式(I[D : 2 (式中、Bは(n)式のAが水素原子のときノ・ロカル
ボニル基まだはノ・ロテオカルボニル基であり、(II
)式のAがノ・ロカルボニル基またはノ・ロチオカルボ
ニル基のとき水素原子であり、R,は水素原子またはニ
トロ基を示し、R2は低級アルキルアミノ基を示す。)
で表わされるアミンピリジン誘導体と反応させることを
特徴とする 一般式(■): 2 (式中、Xは2−ナフチル基、5−インダニル基、5,
6,7.8〜テトラヒドロ−2−ナフチル基または低級
アルキル基を有するフェニル基を示し、Yは酸素原子ま
たは硫黄原子を示し、R1は水素原子またはニトロ基を
示し、R2は低級アルキルアミノ基を示す。)で表わさ
れるカーバメート誘導体の製造法。
(3)一般式(I): R? (式中、Xば2−ナフチル基、5−インダニル基、5,
6,7.8−テトラヒドロ−2−ナフチル層重たは低級
アルキル基を有するフェニル基を示し、Yは酸素原子ま
たは硫黄原子を示し、R1は水素原子またはニトロ基を
示し、R2は低級アルキルアミノ基を示す。)で表わさ
れるカーバメート誘導体を有効成分として含有すること
を特徴とする除草剤。
−4′ン

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (])一般式(1): (式中、Xは2−ナフチル基、5−インダニル基、5,
    6,18−テトラヒドロ−2−ナフチル基または低級ア
    ルキル基を有するフェニル基を示し、Yは酸素原子また
    は硫黄原子を示し、R8は水素原子またはニトロ基を示
    し、R2は低級アルキルアミノ基を示す。)で表わされ
    るカーバメート誘導体。 (2)  一般式(■): X−0A          (II)(式中、Aは水
    素原子1・・ロカルボニル基1タハハロチオカルボニル
    基であυ、Xは2−ナフチル基、5−インダニル基、5
    ,6.7.8−テトラヒドロ−2−ナフチル基または低
    級アルキル基を有するフェニル基を示す。)で表わされ
    るフェノール誘導体を 一般式皿: 2 (式中、Bは(II)式のAが水素原子のときハロカル
    ボニル基またはハロチオカルボニル基で1、(U)式の
    Aがハロカルボニル基またはハロチオカルボニル基のと
    き水素原子であり、R,は水素原子またはニトロ基を示
    し、R2は低級アルキルアミ7基を示す。)で表わされ
    るアミノピリジン誘導体と反応させることを特徴とする 一般式(■): Y 2 (式中、又は2−ナフチル基、5−インダニル基、5.
    ・6.ス8−テトラヒドロー2−ナフチル基または低級
    アルキル基を有するフェニル基を示し、Yは酸素原子ま
    たは硫黄原子を示し、R1は水素原子またはニトロ基を
    示し、R2は低級アルキルアミノ基を示す。)で表わさ
    れるカーバメート誘導体の製造法。 (3)一般式(I): 2 (式中、Xは2−ナフチル基、5−インダニル基、5,
    6.ス8−テトラヒドロー2−ナフチル基または低級ア
    ルキル基を有するフェニル基を示し、Yは酸素原子また
    は硫黄原子を示し、R1は水素原子または二)o基を示
    し、R2は低級アルキルアミノ基を示す。)で表わされ
    るカーバメート誘導体を有効成分として含有することを
    特徴とする除草剤。
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