JPS59191789A - 表示装置用ネマチツク液晶組成物 - Google Patents
表示装置用ネマチツク液晶組成物Info
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- JPS59191789A JPS59191789A JP6534883A JP6534883A JPS59191789A JP S59191789 A JPS59191789 A JP S59191789A JP 6534883 A JP6534883 A JP 6534883A JP 6534883 A JP6534883 A JP 6534883A JP S59191789 A JPS59191789 A JP S59191789A
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- voltage
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は表示装置用ネマチック液晶組成物、特にしきい
値電圧の温度依存性を改善した液晶材料組成物に関する
ものである、。
値電圧の温度依存性を改善した液晶材料組成物に関する
ものである、。
電界効果形液晶表示素子の一つであるツィステッドネマ
チック（ＴＮ）形液晶表示素子は、初期の−１−ｒＩ＋
１１ 頃は低消費電力であることから、例えばノ・ンデイタイ
プの時計、電卓等に王に使用されてきたが、最近では使
用用途も拡大され、比較的大形ディスプレイである例え
ばグラフィック、車載用計器。
チック（ＴＮ）形液晶表示素子は、初期の−１−ｒＩ＋
１１ 頃は低消費電力であることから、例えばノ・ンデイタイ
プの時計、電卓等に王に使用されてきたが、最近では使
用用途も拡大され、比較的大形ディスプレイである例え
ばグラフィック、車載用計器。
ハンドベルトコンピュータ端末等のディスプレイへの分
野へと拡大されている。今後（佳、液晶テレビやさらに
大形のディスプレイへと拡大して行くものと思われる。
野へと拡大されている。今後（佳、液晶テレビやさらに
大形のディスプレイへと拡大して行くものと思われる。
一方、これらの製品展開を液晶表示素子の駆動方式から
考えてみると、初期の時計時代のスタティック駆動方式
から電卓時代のＩＡデユティ、１／３デユテイ、１／４
デユテイ等の時分割駆動方式、へと情報が多くなるのに
伴なって必然的に移っていった。今日では、この流れが
さらに進行し、グラフィックやテレビ等は１／６４デユ
テイから１／１２８デユテイへと移りつつある。
考えてみると、初期の時計時代のスタティック駆動方式
から電卓時代のＩＡデユティ、１／３デユテイ、１／４
デユテイ等の時分割駆動方式、へと情報が多くなるのに
伴なって必然的に移っていった。今日では、この流れが
さらに進行し、グラフィックやテレビ等は１／６４デユ
テイから１／１２８デユテイへと移りつつある。
このように高時分割駆動方式が採用されると、特開昭５
４−８３６９４号公報に開示されているように、スタテ
ィック駆動方式では全く生じなかった動作上の制限が原
理的に存在することになる。す２− なわち時分割表示素子では半選択点、非選択点の各絵累
におけるクロストークの発生を防止する必要があった。
４−８３６９４号公報に開示されているように、スタテ
ィック駆動方式では全く生じなかった動作上の制限が原
理的に存在することになる。す２− なわち時分割表示素子では半選択点、非選択点の各絵累
におけるクロストークの発生を防止する必要があった。
このため、この制限をさらに拡大する手段として駆動方
法の改善が行なわれ、最も一般的には電圧平均化法が用
いられ、電圧の動作の裕度（動作マージン）を拡大して
いる。しかしながら、これらの時分割駆動方式の最適化
を行なっても必然的に高時分割になるに伴なって電圧の
動作の裕度、つまシ動作マージンが小さくなるので、ク
ロストークが発生し易くなシ、表示品質の低下は避けら
れない。
法の改善が行なわれ、最も一般的には電圧平均化法が用
いられ、電圧の動作の裕度（動作マージン）を拡大して
いる。しかしながら、これらの時分割駆動方式の最適化
を行なっても必然的に高時分割になるに伴なって電圧の
動作の裕度、つまシ動作マージンが小さくなるので、ク
ロストークが発生し易くなシ、表示品質の低下は避けら
れない。
以上の動作マージンの考え方は、理論的な面から考えて
きたが、実際に液晶表示素子に液晶材料を封入して特性
を測定すると、これらの理論的々動作マージンの他に主
に以下に示す３つの要因が存在する。すなわち、 （１）温度によるしきい値電圧の変動（ΔＴ）（２）
視角角度によるしきい値の変動（Δθ）（３）電圧−
輝度特性のシャープさくγ）がある。そしてこれらの動
作マージンを左右する要因の第１は、この液晶表示素子
に刺入される液晶材料にある。この動作マージンの良好
な液晶材料の研究開発は各方面で積極的に行なわれてい
るが、現在使用されている材料系は、王にＥＣＨ（Ｒ−
＠）−Ｃｏｏ −ｏ−ＯＲ） ’＆とのＮｎ液晶を母体
としてこれらにＮｐ液晶を混合する系で行なわれている
。
きたが、実際に液晶表示素子に液晶材料を封入して特性
を測定すると、これらの理論的々動作マージンの他に主
に以下に示す３つの要因が存在する。すなわち、 （１）温度によるしきい値電圧の変動（ΔＴ）（２）
視角角度によるしきい値の変動（Δθ）（３）電圧−
輝度特性のシャープさくγ）がある。そしてこれらの動
作マージンを左右する要因の第１は、この液晶表示素子
に刺入される液晶材料にある。この動作マージンの良好
な液晶材料の研究開発は各方面で積極的に行なわれてい
るが、現在使用されている材料系は、王にＥＣＨ（Ｒ−
＠）−Ｃｏｏ −ｏ−ＯＲ） ’＆とのＮｎ液晶を母体
としてこれらにＮｐ液晶を混合する系で行なわれている
。
したがって本発明は、前述した従来の問題点をを特に小
さくした表示装置用ネマチック液晶組成物を提供するこ
とを目的としている。
さくした表示装置用ネマチック液晶組成物を提供するこ
とを目的としている。
このような目的を達成するために本発明は、一般式
％式％
式中、ｎ＝ｏ 、 ｉ、ｘ＝Ｆ４たはＣＬ、Ｒはｎ＝０
の場合炭素数２〜７ 、ｎ＝１の場合炭素数２〜５のア
ルキル基 で示される化合物を、Ｎｎ液晶またはＮｐ液晶組成物中
に５〜４０ｗｔ％の範囲で混合させることによってしき
い値電圧の温度依存性を改善するものである。
の場合炭素数２〜７ 、ｎ＝１の場合炭素数２〜５のア
ルキル基 で示される化合物を、Ｎｎ液晶またはＮｐ液晶組成物中
に５〜４０ｗｔ％の範囲で混合させることによってしき
い値電圧の温度依存性を改善するものである。
以下、本発明に到るまでの経過を詳細に説明する。
一般に液晶材料のしきい値電圧が温度依存性を有してい
ることは液晶材料を取り扱っている当業者間では当然知
られている事実である。ここで従来の液晶材料のしきい
値電圧の温度変化を数値で示し、各種材料の比較を行な
ってみると、液晶材料のしきい値電圧・温度依存性は各
種液晶材料で異なることは勿論のこと、また各液晶材料
のＴＮ−Ｉ点（ネマチック−液体転移点）によっても異
なる。
ることは液晶材料を取り扱っている当業者間では当然知
られている事実である。ここで従来の液晶材料のしきい
値電圧の温度変化を数値で示し、各種材料の比較を行な
ってみると、液晶材料のしきい値電圧・温度依存性は各
種液晶材料で異なることは勿論のこと、また各液晶材料
のＴＮ−Ｉ点（ネマチック−液体転移点）によっても異
なる。
そこで液晶材料の’ｌ’ Ｎ−１点を横軸にとり、電圧
・温度依存性のパラメータである温度特性ΔＴを縦軸に
とって現在使用されている各種液晶材料の１１１点とΔ
Ｔとの関係を調べてみると、第１図に示すような特性を
有している。同図において、ＡはＰＣＨ１０８３、Ｂは
ＥＸ−１８，ＣはＥ７．ＤはＥ−８０、Ｅは１８００−
０００ 、 ＦはＰＣＨ１１３２、ＧはＥ９０．Ｈは２
０８０ 、 ＩはＴＮ−１０１，Ｊは１７８０−０００
、 Ｋは１９５７１５ 、 Ｌは１５６５ 、 Ｍは
Ｅ３７、Ｎは１２２１ 、 ＯはＴＮ−９８８，Ｐは２
１１６−０００の各液晶材料を示す。ここでＡ、Ｂ、Ｃ
，Ｄ、Ｅ、Ｆ。
・温度依存性のパラメータである温度特性ΔＴを縦軸に
とって現在使用されている各種液晶材料の１１１点とΔ
Ｔとの関係を調べてみると、第１図に示すような特性を
有している。同図において、ＡはＰＣＨ１０８３、Ｂは
ＥＸ−１８，ＣはＥ７．ＤはＥ−８０、Ｅは１８００−
０００ 、 ＦはＰＣＨ１１３２、ＧはＥ９０．Ｈは２
０８０ 、 ＩはＴＮ−１０１，Ｊは１７８０−０００
、 Ｋは１９５７１５ 、 Ｌは１５６５ 、 Ｍは
Ｅ３７、Ｎは１２２１ 、 ＯはＴＮ−９８８，Ｐは２
１１６−０００の各液晶材料を示す。ここでＡ、Ｂ、Ｃ
，Ｄ、Ｅ、Ｆ。
Ｇ、Ｊ、に、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｐはメルク社の市販品、ＨＩ
ＬＯはロシュ社の市販品である。また、前述した温度特
性ΔＴは、 （ただし、Ｃは輝度、θは液晶表示素子の表示面に対す
る法線から測った視角方向の角度、Ｔは温度を示す。）
で与えられる。第２図にＶｔｈｌ。
ＬＯはロシュ社の市販品である。また、前述した温度特
性ΔＴは、 （ただし、Ｃは輝度、θは液晶表示素子の表示面に対す
る法線から測った視角方向の角度、Ｔは温度を示す。）
で与えられる。第２図にＶｔｈｌ。
Ｖｔｈ２の定義を示す。
このようにΔＴはＯ℃〜４０℃の間でのしきい値電圧の
温度依存性を表わしている。そして、このΔＴの値がＯ
のときは前述した液晶材料は０℃から４０℃の間ではし
きい値電圧の変化はなく、フラットなことを示している
。このΔＴの数値と実際のしきい値電圧の温度変化との
関係を把握するため、はぼ同じしきい値電圧でのΔＴ＝
０゜１．７ 、３．４ 、７．１ 、１５．４の値をそ
れぞれ示す材料のしきい値電圧ｙｇｏの温度変化を第３
図にそれぞれ特性Ｔ 、 ｍ 、 Ｗ 、 ＩＶ 、
Ｖで示す。第１図に示す液晶材料は、液晶材料メーカで
あるメルク社およびロシュ社の液晶組成物であるが、こ
の図から明らかなようにＴｕ−ｒ点の上昇とともにΔＴ
は小さく、シきい値電圧の温度変化は小さくたるか、’
］’Ｎ−Ｉ 点が７０℃以上においてはΔＴは約５程度
の所で一定となり、これ以上ＴＮ−１点を上げてもΔＴ
を小さく改良できないことを示している。
温度依存性を表わしている。そして、このΔＴの値がＯ
のときは前述した液晶材料は０℃から４０℃の間ではし
きい値電圧の変化はなく、フラットなことを示している
。このΔＴの数値と実際のしきい値電圧の温度変化との
関係を把握するため、はぼ同じしきい値電圧でのΔＴ＝
０゜１．７ 、３．４ 、７．１ 、１５．４の値をそ
れぞれ示す材料のしきい値電圧ｙｇｏの温度変化を第３
図にそれぞれ特性Ｔ 、 ｍ 、 Ｗ 、 ＩＶ 、
Ｖで示す。第１図に示す液晶材料は、液晶材料メーカで
あるメルク社およびロシュ社の液晶組成物であるが、こ
の図から明らかなようにＴｕ−ｒ点の上昇とともにΔＴ
は小さく、シきい値電圧の温度変化は小さくたるか、’
］’Ｎ−Ｉ 点が７０℃以上においてはΔＴは約５程度
の所で一定となり、これ以上ＴＮ−１点を上げてもΔＴ
を小さく改良できないことを示している。
このように既存の液晶材料では、液晶材料の電圧の温度
による変動はある一定の値、つ甘り第１図に示すΔＴ＝
５程度よシも小さく抑えることが半困難であることが一
般的な事実であった。
による変動はある一定の値、つ甘り第１図に示すΔＴ＝
５程度よシも小さく抑えることが半困難であることが一
般的な事実であった。
このような状況下において、右および左旋回性のカイラ
ルネマチック液晶をそれぞれ一定の割合でネマチック液
晶に混合することにょシ、高温度側でのしきい値電圧の
低下を防ぎ、電圧の温度による変動を小さくさせた液晶
組成物が特許出願されている（特開昭５５−３８８６９
号公報参照）。
ルネマチック液晶をそれぞれ一定の割合でネマチック液
晶に混合することにょシ、高温度側でのしきい値電圧の
低下を防ぎ、電圧の温度による変動を小さくさせた液晶
組成物が特許出願されている（特開昭５５−３８８６９
号公報参照）。
この技術を利用して実用的な液晶材料として、温度０℃
〜４０℃の間において、前述した定義でΔＴ＝Ｏとなる
液晶材料が提案されている（Ａｄ−ｉｊｕａｔａｂｌｅ
Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｅｒｆｏｒｍａ
ｎｃｅ ｉｎ Ｔｗｉ−ａｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ Ｄ
ｉｓｐｌａｙ ｂｙ ｂｌｅｎｄｉｎｇ １ｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓ−ｔａｌｓ、ＳＩＤ、１９８１ 、Ｍ、５ｃ
ｈａｄｔ等参照）。
〜４０℃の間において、前述した定義でΔＴ＝Ｏとなる
液晶材料が提案されている（Ａｄ−ｉｊｕａｔａｂｌｅ
Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｅｒｆｏｒｍａ
ｎｃｅ ｉｎ Ｔｗｉ−ａｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ Ｄ
ｉｓｐｌａｙ ｂｙ ｂｌｅｎｄｉｎｇ １ｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓ−ｔａｌｓ、ＳＩＤ、１９８１ 、Ｍ、５ｃ
ｈａｄｔ等参照）。
また、その後、この技術を使用してしきい値電圧の温度
変化を小さくした材料を、一般的に温度補償した月料と
して提案されている。
変化を小さくした材料を、一般的に温度補償した月料と
して提案されている。
しかしながら、これらの液晶材料は基本的に下記に示す
３つの欠点を有していた。すなわち、（１１低温度側に
おいて、逆ツイストになる。
３つの欠点を有していた。すなわち、（１１低温度側に
おいて、逆ツイストになる。
（２）高温度側において、２７０°ツイストになるもの
がある。
がある。
（３）時分割特性に重要な電圧−輝度特性において、立
上シ（γ）が悪くなる。
上シ（γ）が悪くなる。
これらの欠点があるため、実際にはこれらの液晶材料を
使用する場合には、使用上に種々の制約があった。
使用する場合には、使用上に種々の制約があった。
例えば、ロシュ社のＮｒ−２８５４Ｃ−７液晶材料は、
第４図に示すようにしきい値電圧（９０％）Ｖ９ｏは温
度による変動はなく、前述した定義でΔＴの値を出すと
ΔＴ＝１．１となる。このようにカイラル液晶を使用し
たしきい値電圧の温度補償した材料は極めて有効である
。しかしながら、第５図、第６図に示すような問題があ
った。すなわち、第５図は温度補償した材料の旋回能（
，１／Ｐ）（Ｐ＝ピッチ）の温度特性を示したが、この
温度補償した材料の特徴は、この旋回能（１／Ｐ）が温
度上昇すまともなって大きくなること、つまシピツチΦ
）が温度上昇とともに小さくガる材料である。右旋性お
よび左旋性のカイラル液晶をそれぞれネマチック液晶に
混合したのみでは温度によるピッチψ）は温度が上るに
ともなって大きくなりつまり旋回能は温度が上るにつれ
て小さくなる。しかしながら、これでは高温度側でのし
きい値電圧を補償する能力がないため、前述したように
右旋性と左旋性と−９−【リワ のカイラル液晶をネマチック液晶中に混合することによ
ってこれまでとは逆でピッチ（Ｐ）が温度上昇とともに
小さくなる。つま９第５図に示すように旋回能（１／Ｐ
）が温度上昇とともに大きくなる液晶材料系をつくり、
これにより高温度側での電圧の低下を補償している。同
図において、このように旋回能（１／Ｐ）の温度変化を
利用するため、つまシこの温度と旋回能（１／１））の
傾きを利用するため、低温度側においては、はとんどの
場合、旋回以下の温度ではマイナス、つｔｂ今までと逆
の旋回となることを意味している。したがって、この温
度では右旋と左旋のツイストが液晶表示素子に存在する
ことになり、これ以下の温度では全て逆ツイストとなる
。このため、この逆ツイストの液晶表示素子を点灯した
場合、液晶分子の方向が不揃いとなり、表示むらが生じ
、表示品質を低下させることになる。また、同図におい
て、高温度側においては旋回能（１／Ｐ）がしだいに大
きくなる六−１〇− め、つまりピッチ（Ｐ）が小さくなるために液晶表示素
子のセル厚（ギャップ）が広いほど９０ ツイスト安定
の状態から２７０ ツイスト安定な状態になりやすくな
る。また、第６図はＮｒ−２８５４Ｃ−７液晶材料の２
７０ ツイストが出現する温度をギャップとの関係で調
べた特性図である。この液晶材料はギャップとの関係で
２７０ ツイストが発生し、Ｔ Ｎ−Ｉ点は８０°Ｃで
ある。この８０℃までノ２７００ツイストが発生しない
ギャップは同図から５μｍ以下であり、この５μｍ以下
で使用しなければなら々いことになる。
第４図に示すようにしきい値電圧（９０％）Ｖ９ｏは温
度による変動はなく、前述した定義でΔＴの値を出すと
ΔＴ＝１．１となる。このようにカイラル液晶を使用し
たしきい値電圧の温度補償した材料は極めて有効である
。しかしながら、第５図、第６図に示すような問題があ
った。すなわち、第５図は温度補償した材料の旋回能（
，１／Ｐ）（Ｐ＝ピッチ）の温度特性を示したが、この
温度補償した材料の特徴は、この旋回能（１／Ｐ）が温
度上昇すまともなって大きくなること、つまシピツチΦ
）が温度上昇とともに小さくガる材料である。右旋性お
よび左旋性のカイラル液晶をそれぞれネマチック液晶に
混合したのみでは温度によるピッチψ）は温度が上るに
ともなって大きくなりつまり旋回能は温度が上るにつれ
て小さくなる。しかしながら、これでは高温度側でのし
きい値電圧を補償する能力がないため、前述したように
右旋性と左旋性と−９−【リワ のカイラル液晶をネマチック液晶中に混合することによ
ってこれまでとは逆でピッチ（Ｐ）が温度上昇とともに
小さくなる。つま９第５図に示すように旋回能（１／Ｐ
）が温度上昇とともに大きくなる液晶材料系をつくり、
これにより高温度側での電圧の低下を補償している。同
図において、このように旋回能（１／Ｐ）の温度変化を
利用するため、つまシこの温度と旋回能（１／１））の
傾きを利用するため、低温度側においては、はとんどの
場合、旋回以下の温度ではマイナス、つｔｂ今までと逆
の旋回となることを意味している。したがって、この温
度では右旋と左旋のツイストが液晶表示素子に存在する
ことになり、これ以下の温度では全て逆ツイストとなる
。このため、この逆ツイストの液晶表示素子を点灯した
場合、液晶分子の方向が不揃いとなり、表示むらが生じ
、表示品質を低下させることになる。また、同図におい
て、高温度側においては旋回能（１／Ｐ）がしだいに大
きくなる六−１〇− め、つまりピッチ（Ｐ）が小さくなるために液晶表示素
子のセル厚（ギャップ）が広いほど９０ ツイスト安定
の状態から２７０ ツイスト安定な状態になりやすくな
る。また、第６図はＮｒ−２８５４Ｃ−７液晶材料の２
７０ ツイストが出現する温度をギャップとの関係で調
べた特性図である。この液晶材料はギャップとの関係で
２７０ ツイストが発生し、Ｔ Ｎ−Ｉ点は８０°Ｃで
ある。この８０℃までノ２７００ツイストが発生しない
ギャップは同図から５μｍ以下であり、この５μｍ以下
で使用しなければなら々いことになる。
以上説明したように、Ｎｒ−２８５４Ｃ−７液晶材料を
例にこの温度補償した材料の問題点を具体的に説明した
が、前述のような問題点があるためにこの液晶材料を使
用する際にギャップの変動など使用上注意しなければな
らないことがあるので、容易に使いこなすことができな
かった。
例にこの温度補償した材料の問題点を具体的に説明した
が、前述のような問題点があるためにこの液晶材料を使
用する際にギャップの変動など使用上注意しなければな
らないことがあるので、容易に使いこなすことができな
かった。
このようなことから、前述したように右旋回および左旋
回性のカイラルネマチック液晶を一定量の割合でネマチ
ック液晶に混合する方法を使用することなしに、液晶表
示素子のしきい値電圧の温度依存性を小さくできれば、
前述した問題はなく、極めて有効であるが、これまでは
初めに説明したようにある一定値以下の温度特性（ΔＴ
）の値を示すも晶しなかった。
回性のカイラルネマチック液晶を一定量の割合でネマチ
ック液晶に混合する方法を使用することなしに、液晶表
示素子のしきい値電圧の温度依存性を小さくできれば、
前述した問題はなく、極めて有効であるが、これまでは
初めに説明したようにある一定値以下の温度特性（ΔＴ
）の値を示すも晶しなかった。
次に実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
、Ｘ
まず、一般式Ｒ−（÷）ｎ÷ＣＯＯイトＣＮで表わされ
る化合物には、その種類として下記表１〜表３に示す化
合物がある。
る化合物には、その種類として下記表１〜表３に示す化
合物がある。
表１
表２
表３
１３−
これらの化合物は強いＮｐ（Ｊ−ε土〉０）液晶材料で
あり、ロシュ社のエステルＮｐ液晶材料（Ｒ−）Ｃｏｏ
−＠−ＣＮ）よシもしきい値電圧低下効果が大きい特
徴を有している。
あり、ロシュ社のエステルＮｐ液晶材料（Ｒ−）Ｃｏｏ
−＠−ＣＮ）よシもしきい値電圧低下効果が大きい特
徴を有している。
以下、前述した材料を使用しての本発明によるしきい値
電圧の温度特性の小さい（ΔＴ＝５以下）液晶材料系の
実施例を示す。ここで、液晶表示素子においては、基板
間に液晶材料を封入後、偏光板を通してみると、基板間
距離の不均一等に起因して部分的に色あいが変って見え
る。液晶材料の屈折率異方性Δｎと基板間距離ｄとの積
Δｎ、ｄと、透過率との関係は、第７図かられかるよう
にΔｎ 、 ｄ＝０．５ 、Δｎ ＝ １．０およびΔ
ｎ 、 ｄ；ｌ、５以上の所で使用し々ければ、液晶表
示素子の外観が青や赤の着色現象を起して使用できない
。このため、液晶表示素子としてはΔｎ、ｄは同図に示
した斜線内の条件で使用する必要がある。以下に示す実
施例は、液晶材料のΔｎと基板間距離ｄとの積を、同図
に示す斜線内のΔｎ、ｄに調整した液晶表示素子で測定
した値を示す。
電圧の温度特性の小さい（ΔＴ＝５以下）液晶材料系の
実施例を示す。ここで、液晶表示素子においては、基板
間に液晶材料を封入後、偏光板を通してみると、基板間
距離の不均一等に起因して部分的に色あいが変って見え
る。液晶材料の屈折率異方性Δｎと基板間距離ｄとの積
Δｎ、ｄと、透過率との関係は、第７図かられかるよう
にΔｎ 、 ｄ＝０．５ 、Δｎ ＝ １．０およびΔ
ｎ 、 ｄ；ｌ、５以上の所で使用し々ければ、液晶表
示素子の外観が青や赤の着色現象を起して使用できない
。このため、液晶表示素子としてはΔｎ、ｄは同図に示
した斜線内の条件で使用する必要がある。以下に示す実
施例は、液晶材料のΔｎと基板間距離ｄとの積を、同図
に示す斜線内のΔｎ、ｄに調整した液晶表示素子で測定
した値を示す。
実施例、Ａグループ
液晶としては下記の組成物からなる液晶材料系を用いる
。
。
ＥＣＢＯ３３Ｃ３’Ｈ７−４Ｄ−Ｃｏｏ−＠バ奈Ｃ５Ｈ
７ＥＣＢＯ３５Ｃ３Ｈ７−＠−Ｃｏｏづ＋ Ｃ３Ｈ１１
１４０９Ｃ３Ｈ１１刊ト◎−＠−Ｃ２Ｈ３ＬＣ５Ｈ１１
−＠−３−Ｃｏｏ−＠−Ｆ （８，：ｈｖｔ％）この実
施例Ａグループは、Δｎ 、 ｄ＝０．５付近の液晶表
示素子で測定した値を示す。本発明の液晶組成物の体系
は、主に前述したＥＣＨ系（Ｒ−＠−ＣＯＯ−＠−ＯＲ
）液晶を母体にし、液晶温度範囲（ＭＲ）の上限である
’ｌ’Ｎ−Ｉ点を保持するためにシクロヘキサン環ある
いはベンゼン環を３つ以上有する材料でしかも’ｌ’Ｎ
−Ｉ点が１００℃以上の長分子材料を加えた系を主成分
にした系に、前述の表１、表２２表３に示す化合物を１
成分以上添加した系である。以下衣４にこれらの材料系
の組成および２５℃におけるその物性値を示す。
７ＥＣＢＯ３５Ｃ３Ｈ７−＠−Ｃｏｏづ＋ Ｃ３Ｈ１１
１４０９Ｃ３Ｈ１１刊ト◎−＠−Ｃ２Ｈ３ＬＣ５Ｈ１１
−＠−３−Ｃｏｏ−＠−Ｆ （８，：ｈｖｔ％）この実
施例Ａグループは、Δｎ 、 ｄ＝０．５付近の液晶表
示素子で測定した値を示す。本発明の液晶組成物の体系
は、主に前述したＥＣＨ系（Ｒ−＠−ＣＯＯ−＠−ＯＲ
）液晶を母体にし、液晶温度範囲（ＭＲ）の上限である
’ｌ’Ｎ−Ｉ点を保持するためにシクロヘキサン環ある
いはベンゼン環を３つ以上有する材料でしかも’ｌ’Ｎ
−Ｉ点が１００℃以上の長分子材料を加えた系を主成分
にした系に、前述の表１、表２２表３に示す化合物を１
成分以上添加した系である。以下衣４にこれらの材料系
の組成および２５℃におけるその物性値を示す。
表４
１７−
ただし、
Ｃｎ−Ｆ＝Ｒ−ｏ−ＣＯＯ４ＣＮ
ｔ
Ｃｎ−ＣカＲ−ｏ−Ｃｏｏ −４／−ＣＮＣｎ十−Ｆ＝
Ｒ（）＠−Ｃｏｏ −４−ＣＮＲ”ＣｎＨ２ｎ＋１ ｎ＝２〜７、（Ｃｎ−（）Ｆのみはｎ＝２〜５）を示す
。なお、注１はθ＝１０°、注２は２５℃で測定した。
Ｒ（）＠−Ｃｏｏ −４−ＣＮＲ”ＣｎＨ２ｎ＋１ ｎ＝２〜７、（Ｃｎ−（）Ｆのみはｎ＝２〜５）を示す
。なお、注１はθ＝１０°、注２は２５℃で測定した。
このように実施例Ａ−１〜Ａ−７において、ΔＴ＝５．
０以下のしきい値電圧・温度依存性の小さい材料系がこ
れらの系よシ作成できる。
０以下のしきい値電圧・温度依存性の小さい材料系がこ
れらの系よシ作成できる。
実施例、Ｂグループ
この実施例Ｂグループは、Δｎ、ｄ＝１．０付近での液
晶表示素子で測定した値を示す。この系は実施例Ａグル
ープの材料を、基板間距離を広げてＡｎ。
晶表示素子で測定した値を示す。この系は実施例Ａグル
ープの材料を、基板間距離を広げてＡｎ。
ｄ＝１．０で測定しても勿論同様な結果が得られ、む特
開口Ｈ５９−１９１７８９（６） しろ距離が広がるためにΔＴはさらに良く々る傾向にあ
る。例えば実施例Ａ−２，Ａ−３をΔｎ、ｄ＝１．０の
ところで、特性を測定した値を下記表５に示す。
開口Ｈ５９−１９１７８９（６） しろ距離が広がるためにΔＴはさらに良く々る傾向にあ
る。例えば実施例Ａ−２，Ａ−３をΔｎ、ｄ＝１．０の
ところで、特性を測定した値を下記表５に示す。
次にＡグループではＥＣＭ系の液晶を母体にしてＣ３Ｉ
（７−ｅ−ＣｏｏイＣＮ、 Ｃ２Ｈ５ぺＨｃｏｏイＣＮ
などを混合してデータを示したが、このＢグループにお
いて有効なのは、−３０〜８５℃、−３０〜９５℃の広
い液晶温度範囲（ＭＲ）を有する車載用液晶材料にＣ３
Ｈ７−＠−Ｃｏｏ −４１ＣＮ、Ｃ２Ｈ５−＠−ＣＯＯ
−シーＣＮなどの材料を混合して広ＭＲ低電圧でしかも
電圧の温度変化の小さい材料を作成するものである。こ
の場合も前述したように長分子材料を添加する必要があ
る。このＢグループの母体と力る材料は第１図に示した
ΔＴ ＝ ５．０付近のＫで示す１９５７１５（メルク
社市販品）、して示す１５６５（メルク社市販品）およ
びＰで示す２１１６−０００（メルク社市販品）などを
使用するとよい。
（７−ｅ−ＣｏｏイＣＮ、 Ｃ２Ｈ５ぺＨｃｏｏイＣＮ
などを混合してデータを示したが、このＢグループにお
いて有効なのは、−３０〜８５℃、−３０〜９５℃の広
い液晶温度範囲（ＭＲ）を有する車載用液晶材料にＣ３
Ｈ７−＠−Ｃｏｏ −４１ＣＮ、Ｃ２Ｈ５−＠−ＣＯＯ
−シーＣＮなどの材料を混合して広ＭＲ低電圧でしかも
電圧の温度変化の小さい材料を作成するものである。こ
の場合も前述したように長分子材料を添加する必要があ
る。このＢグループの母体と力る材料は第１図に示した
ΔＴ ＝ ５．０付近のＫで示す１９５７１５（メルク
社市販品）、して示す１５６５（メルク社市販品）およ
びＰで示す２１１６−０００（メルク社市販品）などを
使用するとよい。
これらの材料はＰＣＨ系の液晶でＣ３Ｈ″７−＠−ｅ−
Ｃ２Ｈ２、Ｃ３ｌ（７−＠−＠−ＯＣ２Ｈ５、Ｃ３Ｈ７
→Ｈ昭ＣＮ、 Ｃ３Ｈ１ｌ→＆Ｃ２Ｈ５１Ｃ３Ｈ７→炉
＠（トＣ２Ｈ５、Ｃ３Ｈ１１→沖）つ→＞Ｃ３Ｈ７など
の混合系でおる。
Ｃ２Ｈ２、Ｃ３ｌ（７−＠−＠−ＯＣ２Ｈ５、Ｃ３Ｈ７
→Ｈ昭ＣＮ、 Ｃ３Ｈ１ｌ→＆Ｃ２Ｈ５１Ｃ３Ｈ７→炉
＠（トＣ２Ｈ５、Ｃ３Ｈ１１→沖）つ→＞Ｃ３Ｈ７など
の混合系でおる。
これらの材料を母体にしてΔＴを小さくした系を下記表
６に示す。
６に示す。
表 ６
ただし、
Ｍ−３：Ｃ３Ｈ１１刊ト＠イトＣＨ２０ＣＨ３Ｍ−４−
ＣａＨ７→ト＠ベトＣＨ２０ＣＨ３Ｌ−１＝Ｃ３Ｈ７−
＠−＠−ＣＯＯ＋ Ｃ３Ｈ７Ｌ−２＝Ｃｓ Ｈｔｔ −
６−＠−Ｃｏｏ −＠−Ｓ−Ｃ３Ｈ７を示す。なお、注
１はθ＝１．０°、注２は２５℃で測定した。
ＣａＨ７→ト＠ベトＣＨ２０ＣＨ３Ｌ−１＝Ｃ３Ｈ７−
＠−＠−ＣＯＯ＋ Ｃ３Ｈ７Ｌ−２＝Ｃｓ Ｈｔｔ −
６−＠−Ｃｏｏ −＠−Ｓ−Ｃ３Ｈ７を示す。なお、注
１はθ＝１．０°、注２は２５℃で測定した。
このように低電圧でしかも広いＭＲで電圧の温度変化の
少ない材料成分を作ることができた。勿論ここで使用す
る母体としてはここに使用したような車載用の材料でな
くても組成系全体として広いＭＲの材料であれば、この
ように電圧の温度依存性の小さい材料となることは言う
までもない。
少ない材料成分を作ることができた。勿論ここで使用す
る母体としてはここに使用したような車載用の材料でな
くても組成系全体として広いＭＲの材料であれば、この
ように電圧の温度依存性の小さい材料となることは言う
までもない。
ことにグループＢの実施例Ｂ−４の比較用としてＣ３−
Ｆ、Ｃ２−Ｆを使用しないでＣ２Ｈ５−＠）−Ｃｏ。
Ｆ、Ｃ２−Ｆを使用しないでＣ２Ｈ５−＠）−Ｃｏ。
−＠−ＣＮ 、 Ｃ３Ｈ７−＠−Ｃｏｏ÷ＣＮ、Ｃ４Ｈ
９ぺ＞ｃｏ。
９ぺ＞ｃｏ。
−ｏ−ＣＮを使用した場合の実施例を下記表７に示す。
表７
なお、注１はθ−１０°、注２は２５℃で測定した。
このように前記材料系では実施例Ｂ−４と比べて明らか
なようにΔＴが大きく、本発明の効果を明確に示してい
る。
なようにΔＴが大きく、本発明の効果を明確に示してい
る。
実施例、Ｃグループ
また、この実施例Ｃグループは、前述したＢグループは
ど液晶流度範囲の上限である’ｌ’Ｎ−１点を上げなく
てもΔＴ＝５以下の液晶表示素子を製作できることを示
すものであり、その実施例を下記表８に示す。前述した
ようにＡグループではΔｎ。
ど液晶流度範囲の上限である’ｌ’Ｎ−１点を上げなく
てもΔＴ＝５以下の液晶表示素子を製作できることを示
すものであり、その実施例を下記表８に示す。前述した
ようにＡグループではΔｎ。
ｄ＝０．５の領域は勿論Δｎ、ｄ＝１．０の領域でもΔ
Ｔが０．５以下であることを実施例Ａ−２，Ａ−３によ
り示したが、これらの材料のＴＮ−Ｉ点は６０〜８０℃
の間であり、比較的低い’ｉ’Ｎ−Ｉ点でもΔＴを５以
下に小さくすることができることを示している。
Ｔが０．５以下であることを実施例Ａ−２，Ａ−３によ
り示したが、これらの材料のＴＮ−Ｉ点は６０〜８０℃
の間であり、比較的低い’ｉ’Ｎ−Ｉ点でもΔＴを５以
下に小さくすることができることを示している。
ここにＢグループの系によりＴＩ−Ｉ点を６０〜８０℃
に下げた系をＣグループとして表８に示した。
に下げた系をＣグループとして表８に示した。
ただし、
２８７４−ロシュ社製の車載用材料
ＭＲ−３０℃〜８６℃
１５５７−メルク社製の低粘度材料 □ＭＲ−２０℃〜
６１℃ １７０１−メルク社製の低粘度材料 ＭＲ−２０℃〜６１℃ を示す。なお、注１はθ＝１００．注２は２５℃で測定
した。
６１℃ １７０１−メルク社製の低粘度材料 ＭＲ−２０℃〜６１℃ を示す。なお、注１はθ＝１００．注２は２５℃で測定
した。
このようにＢグループの系の’ｌ’ Ｎ−１点を８０℃
以２８− 下、７０℃以下に下げてもΔＴは４〜５の範囲にあり、
しきい値電圧の温度依存性が小さいことを示している。
以２８− 下、７０℃以下に下げてもΔＴは４〜５の範囲にあり、
しきい値電圧の温度依存性が小さいことを示している。
また、Ｃグループの実施例Ｃ−５゜ｃ−６の母体は他の
例と異なって’ｌ’Ｎ−Ｉ点が６１℃と低い材料である
。しかしながら、他の材料を混合することにより、ΔＴ
を小さくすることができることを示している。これまで
、Ｂ、Ｃグループのほとんどの例ではＴＮ−２点が８５
℃以上の広ＭＲの材料を母体として行なってきたが、実
施例Ｃ−５、Ｃ−６のように必らずしも’］’Ｎ−Ｉ点
が例えば８５℃以上と高い必要はない。これは母体とし
ている液晶も５〜１０種類の液晶混合系であシ、これら
の材料を個々に混合することを考えると、本発明の液晶
体の’ｌ’）ｉ−２点は最終組成分として最低６０℃以
上の材料であれば良く、これまで説明したように王に使
用する液晶（母体）をある一定の材料に決める必要は全
くない。
例と異なって’ｌ’Ｎ−Ｉ点が６１℃と低い材料である
。しかしながら、他の材料を混合することにより、ΔＴ
を小さくすることができることを示している。これまで
、Ｂ、Ｃグループのほとんどの例ではＴＮ−２点が８５
℃以上の広ＭＲの材料を母体として行なってきたが、実
施例Ｃ−５、Ｃ−６のように必らずしも’］’Ｎ−Ｉ点
が例えば８５℃以上と高い必要はない。これは母体とし
ている液晶も５〜１０種類の液晶混合系であシ、これら
の材料を個々に混合することを考えると、本発明の液晶
体の’ｌ’）ｉ−２点は最終組成分として最低６０℃以
上の材料であれば良く、これまで説明したように王に使
用する液晶（母体）をある一定の材料に決める必要は全
くない。
以上本発明による液晶組成物のしきい値電圧の温度依存
性を小さくした材料系を説明したが これらの材料は勿
論時分割駆動においてもスタティック駆動においても使
用できる。特に時分割駆動の、特に高時分割において、
例えば１／８デユテイ、１／１０デユテイなどにおいて
これまで温度補償回路が液晶表示素子中に必要であった
が、これらの材料によシこの回路が不要とすることがで
きる。
性を小さくした材料系を説明したが これらの材料は勿
論時分割駆動においてもスタティック駆動においても使
用できる。特に時分割駆動の、特に高時分割において、
例えば１／８デユテイ、１／１０デユテイなどにおいて
これまで温度補償回路が液晶表示素子中に必要であった
が、これらの材料によシこの回路が不要とすることがで
きる。
また、１／３デユテイ、１／４デユテイなどの低時分割
駆動においては、温度特性が小さくなったためにこれま
で０〜４０℃または０〜６０℃までしか使用できなかっ
た材料が広ＭＲで電圧特性の温度依存性を小さくするこ
とにより、３Ｖ、１／３バイアス、１／３デユテイ駆動
で一３０〜８５℃まで、温度補償回路なしで駆動するこ
とが可能となった。
駆動においては、温度特性が小さくなったためにこれま
で０〜４０℃または０〜６０℃までしか使用できなかっ
た材料が広ＭＲで電圧特性の温度依存性を小さくするこ
とにより、３Ｖ、１／３バイアス、１／３デユテイ駆動
で一３０〜８５℃まで、温度補償回路なしで駆動するこ
とが可能となった。
第８図は実施例Ｂ−６を１／３デユテイ、１／３バイア
スで駆動したときの時分割駆動時の電圧特性の温度変化
と、メタル社のＴＮ−４点１１５℃の液晶２２１４に下
記表９に示す液晶材料を混合し、ＴＮ−Ｉを１００℃以
上にして１／３バイアス、ｌ／３デユテイで同様に駆動
したときの電圧特性の温度変化とを示したものである。
スで駆動したときの時分割駆動時の電圧特性の温度変化
と、メタル社のＴＮ−４点１１５℃の液晶２２１４に下
記表９に示す液晶材料を混合し、ＴＮ−Ｉを１００℃以
上にして１／３バイアス、ｌ／３デユテイで同様に駆動
したときの電圧特性の温度変化とを示したものである。
表 ９
なお、注１はθ＝１０°、注２は２５℃で測定した。
同図において、曲線ＩＡ、ＩＩＡは実施例Ｂ−６゜表９
の実施例に対応する輝度９０％、視角角度４０’の非選
択点（ＯＦＦ状態）における電圧変化特性を示し、曲線
ＩＢ、ＩＩＢは同様に輝度５０％ 、視角角度１０°の
選択点（ＯＮ状態）の電圧変化特性を示している。同図
から明らかなようにＲ−（−＠−）ｎ−ｏ−ｃｏｏ←＃
ｃＮ を添加した系は電圧特性の温度変化が小さく、
このような広い範囲で温度補償回路なしで時分割駆動が
可能である。
の実施例に対応する輝度９０％、視角角度４０’の非選
択点（ＯＦＦ状態）における電圧変化特性を示し、曲線
ＩＢ、ＩＩＢは同様に輝度５０％ 、視角角度１０°の
選択点（ＯＮ状態）の電圧変化特性を示している。同図
から明らかなようにＲ−（−＠−）ｎ−ｏ−ｃｏｏ←＃
ｃＮ を添加した系は電圧特性の温度変化が小さく、
このような広い範囲で温度補償回路なしで時分割駆動が
可能である。
また、さらに表４９表６９表８に示した実施例の中でＡ
−３からＡ−７、Ｂ−７、Ｂ−８、Ｃ−１およびＣ−２
は１／１６デユテイ、１１５バイアスにおいて、５ｖ以
下の駆動ができる極めて低電圧の材料である。第９図は
前記実施例Ｂ−８，Ｃ−１を１／１６デユテイ、１１５
バイアスで駆動したときのデータを示したものであり、
同図において、曲線ＩＡ、ＩＩムは輝度９０％、視角角
度１０°の非選択点（ＯＦＦ状態）における電圧変化特
性を示し、曲線ＩＢ、ＩＩＢは同様に輝度５０チ、視角
角度１０゜の選択点（ＯＮ状態）の電圧変化特性を示し
ている。同図から明らかなように特性ＩＡ、７Ｔ３′ｃ
示したように実施例Ｂ−８は電圧の温度変化が小さいた
め、１／１６デユテイでも温度補償回路々して４５Ｖで
一定の駆動ができるという極めて優れた特徴をもってい
る。
−３からＡ−７、Ｂ−７、Ｂ−８、Ｃ−１およびＣ−２
は１／１６デユテイ、１１５バイアスにおいて、５ｖ以
下の駆動ができる極めて低電圧の材料である。第９図は
前記実施例Ｂ−８，Ｃ−１を１／１６デユテイ、１１５
バイアスで駆動したときのデータを示したものであり、
同図において、曲線ＩＡ、ＩＩムは輝度９０％、視角角
度１０°の非選択点（ＯＦＦ状態）における電圧変化特
性を示し、曲線ＩＢ、ＩＩＢは同様に輝度５０チ、視角
角度１０゜の選択点（ＯＮ状態）の電圧変化特性を示し
ている。同図から明らかなように特性ＩＡ、７Ｔ３′ｃ
示したように実施例Ｂ−８は電圧の温度変化が小さいた
め、１／１６デユテイでも温度補償回路々して４５Ｖで
一定の駆動ができるという極めて優れた特徴をもってい
る。
以上説明したように本発明によるネマチック液晶組成物
によれば、電圧特性の温度依存性を小さくすることがで
きるとともに、低電圧駆動が可能となるなどの極めて優
れた効果が得られる。
によれば、電圧特性の温度依存性を小さくすることがで
きるとともに、低電圧駆動が可能となるなどの極めて優
れた効果が得られる。
ｍ１図は液晶材料のΔＴと’ｌ’Ｈ−１点との関係を示
す図、第２図は時分割駆動したときの輝度と電圧との関
係を示す図、第３図、第４図はしきい値電圧と温度との
関係を示す図、第５図は旋回能と温度との関係を示す図
、第６図はＮｒ２８５４Ｃ−７液晶の２７０°ツイスト
出現温度と基板間ギャップとの関係を示す図、第７図は
液晶表示素子における透過率のΔｎ、ｄ依存度を示す特
性図、第８図は本発明によるネマチック液晶組成物の１
／３デユテイ、１／３バイアス駆動電圧の温度依存度を
示す特性図、第９図は本発明によるネマチック液晶組成
物の１／１６デユテイ、１１５バイアス駆動電圧の温度
依存度を示す特性図である。 第１図 ＴＮ−＋然（０Ｃ） 第２図 ００ ９０ −−−−− −−−− ４０’Ｃ渫皮０°Ｃ 譚 皮５０ （’／、） さた ψ Ｌ１′！−ｓ、 冑 へ −ｑに司＞
（−３Ｎ ：傅−剋）こ
す図、第２図は時分割駆動したときの輝度と電圧との関
係を示す図、第３図、第４図はしきい値電圧と温度との
関係を示す図、第５図は旋回能と温度との関係を示す図
、第６図はＮｒ２８５４Ｃ−７液晶の２７０°ツイスト
出現温度と基板間ギャップとの関係を示す図、第７図は
液晶表示素子における透過率のΔｎ、ｄ依存度を示す特
性図、第８図は本発明によるネマチック液晶組成物の１
／３デユテイ、１／３バイアス駆動電圧の温度依存度を
示す特性図、第９図は本発明によるネマチック液晶組成
物の１／１６デユテイ、１１５バイアス駆動電圧の温度
依存度を示す特性図である。 第１図 ＴＮ−＋然（０Ｃ） 第２図 ００ ９０ −−−−− −−−− ４０’Ｃ渫皮０°Ｃ 譚 皮５０ （’／、） さた ψ Ｌ１′！−ｓ、 冑 へ −ｑに司＞
（−３Ｎ ：傅−剋）こ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式Ｒ−（（） ） ｎ÷ｃｏｏ −６−ＣＮ（
：ｎ＝０．１、Ｘ＝ＦまたはＣ４，Ｒは炭素数２〜５の
アルキル基〕で示される化合物をＮｎ液晶またはＮｐ液
晶組成物中に含有させ、しきい値電圧の温度依存性を小
さくしたことを特徴とする表示装置用ネマチック液晶組
成物。 ２、前記化合物を５〜４０ｗｔ％の範囲で含有させたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の表示装置用
ネマチック液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6534883A JPS59191789A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 表示装置用ネマチツク液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6534883A JPS59191789A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 表示装置用ネマチツク液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59191789A true JPS59191789A (ja) | 1984-10-30 |
Family
ID=13284353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6534883A Pending JPS59191789A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 表示装置用ネマチツク液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59191789A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6164785A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-03 | Dainippon Ink & Chem Inc | ネマチツク液晶組成物 |
| JPS6164786A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-03 | Dainippon Ink & Chem Inc | ネマチツク液晶組成物 |
| US4707296A (en) * | 1984-08-16 | 1987-11-17 | Chisso Corporation | Alkoxyethoxybenzoic acid ester derivatives |
| JPS63502599A (ja) * | 1986-03-01 | 1988-09-29 | メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電気光学表示素子 |
| JP2002322477A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Dainippon Ink & Chem Inc | 液晶組成物 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5483694A (en) * | 1977-12-16 | 1979-07-03 | Hitachi Ltd | Nematic liquid crystal body for display device |
| JPS5534206A (en) * | 1978-08-30 | 1980-03-10 | Hitachi Ltd | Nematic liquid crystal for display unit |
| JPS5829878A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-22 | Casio Comput Co Ltd | 液晶組成物 |
| JPS5980651A (ja) * | 1982-10-30 | 1984-05-10 | Dainippon Ink & Chem Inc | ３−フルオル−４−シアノフエノ−ル誘導体 |
-
1983
- 1983-04-15 JP JP6534883A patent/JPS59191789A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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| US4707296A (en) * | 1984-08-16 | 1987-11-17 | Chisso Corporation | Alkoxyethoxybenzoic acid ester derivatives |
| JPS6164785A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-03 | Dainippon Ink & Chem Inc | ネマチツク液晶組成物 |
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| JPH0359953B2 (ja) * | 1984-09-06 | 1991-09-12 | Dainippon Ink & Chemicals | |
| JPS63502599A (ja) * | 1986-03-01 | 1988-09-29 | メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電気光学表示素子 |
| JP2002322477A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Dainippon Ink & Chem Inc | 液晶組成物 |
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