JPS5918860B2 - ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ - Google Patents
ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウInfo
- Publication number
- JPS5918860B2 JPS5918860B2 JP13536275A JP13536275A JPS5918860B2 JP S5918860 B2 JPS5918860 B2 JP S5918860B2 JP 13536275 A JP13536275 A JP 13536275A JP 13536275 A JP13536275 A JP 13536275A JP S5918860 B2 JPS5918860 B2 JP S5918860B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- pattern
- photoresist
- seizou
- souchi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法、特にコンタクト用等の
窓の開口に関するものである。
窓の開口に関するものである。
従来の集積回路製造におけるコンタクト窓の製造法を第
１図Ａ−Ｏを参照して説明すると、シリコン基板１上に
、拡散用マスクとしでの第１のシリコン酸化膜（以下Ｓ
ｉＯ２膜と称す）２が、５ミクロン×５ミクロンの拡散
窓３が開口された状態で形成されている（同図Ａ）ｏ次
に適当な不純物を拡散窓３より拡散して、不純物拡散領
域４を形成すると同時に、上記拡散領域４上に第２のＳ
ｉＯ２膜５を生成する（同図Ｂ）。
１図Ａ−Ｏを参照して説明すると、シリコン基板１上に
、拡散用マスクとしでの第１のシリコン酸化膜（以下Ｓ
ｉＯ２膜と称す）２が、５ミクロン×５ミクロンの拡散
窓３が開口された状態で形成されている（同図Ａ）ｏ次
に適当な不純物を拡散窓３より拡散して、不純物拡散領
域４を形成すると同時に、上記拡散領域４上に第２のＳ
ｉＯ２膜５を生成する（同図Ｂ）。
この時、第１、第２のＳｉＯ２膜２、５の膜厚の差は１
ミクロン前後である。一般、Ｃ、半導体基板上の絶縁膜
等を一部開口して再ひ該開口部を埋める時には、そこに
は段差が生じている。この状態ｃ、上記拡散領域４にフ
ー・コンタクト窓を開口するために、第１の感光性樹脂
（以下ホｉレジストと祢す）６をシリコン基板表面より
塗布し、上記第１のＳｉＯ２膜パターン２の拡散窓３よ
り小さい（例えば３ミクロン×３ミクロン）コンタダト
パターン□を有するホトマスタ ク８を重ね合わせて露
光する（同図Ｃ）。その後ホトマスク８を除去してホト
レジストパターン９を得る（同図Ｄ）。しかしこのよう
な従来の方法でマスク合わせを行なう場合、ホトマスク
８を通してホトレジスト６を感光重合させる紫外光線０
１０は、第２のＳｉＯ２膜が薄いの−ｃその表面のホト
レジスト６は厚くなるため、コンタクトパターン１のエ
ッヂ１１で回折、あるいは第１、第２のＳｉＯ２膜２、
５の傾斜部１２で反射され、コンタクトパターンＴの下
の、光重合してはならないホ５ トレジスト６を光重合
してしまう。したがつて、第２図に示すホトレジストパ
ターン１３を得る目的であつたものが、上述の原因によ
り、第１図Ｄに示すように、ホトレジストパターン９は
正常なパターンで形成されずコンタクト窓が開口されな
り いことがあつた。また、正常【パターンの得られな
いもうーーつの原因として、第１、第２のＳｉＯ２膜２
、５の表面が平坦でないことがあけられる。ＳｉＯ２膜
が平坦でないため、ホトレジスト６がＳｉＯ２膜の膜厚
の薄い領域に流れたりして、ホト！５ レジスト６の膜
厚に著しい差が生じ、特に微細パターンになればホトレ
ジストパターンの形成が非常に困難になり、結局上記第
２のＳｉＯ２膜５上にコンタクト窓を開口す之）ことが
できないことがあつた。本発明は上述の問題点に鑑みて
なされたもので半導体基板上の膜厚の大なる絶縁膜に囲
まれた膜厚の小なる絶縁膜に精度よく確実に窓あけを行
なうことのできる半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とするものである。
ミクロン前後である。一般、Ｃ、半導体基板上の絶縁膜
等を一部開口して再ひ該開口部を埋める時には、そこに
は段差が生じている。この状態ｃ、上記拡散領域４にフ
ー・コンタクト窓を開口するために、第１の感光性樹脂
（以下ホｉレジストと祢す）６をシリコン基板表面より
塗布し、上記第１のＳｉＯ２膜パターン２の拡散窓３よ
り小さい（例えば３ミクロン×３ミクロン）コンタダト
パターン□を有するホトマスタ ク８を重ね合わせて露
光する（同図Ｃ）。その後ホトマスク８を除去してホト
レジストパターン９を得る（同図Ｄ）。しかしこのよう
な従来の方法でマスク合わせを行なう場合、ホトマスク
８を通してホトレジスト６を感光重合させる紫外光線０
１０は、第２のＳｉＯ２膜が薄いの−ｃその表面のホト
レジスト６は厚くなるため、コンタクトパターン１のエ
ッヂ１１で回折、あるいは第１、第２のＳｉＯ２膜２、
５の傾斜部１２で反射され、コンタクトパターンＴの下
の、光重合してはならないホ５ トレジスト６を光重合
してしまう。したがつて、第２図に示すホトレジストパ
ターン１３を得る目的であつたものが、上述の原因によ
り、第１図Ｄに示すように、ホトレジストパターン９は
正常なパターンで形成されずコンタクト窓が開口されな
り いことがあつた。また、正常【パターンの得られな
いもうーーつの原因として、第１、第２のＳｉＯ２膜２
、５の表面が平坦でないことがあけられる。ＳｉＯ２膜
が平坦でないため、ホトレジスト６がＳｉＯ２膜の膜厚
の薄い領域に流れたりして、ホト！５ レジスト６の膜
厚に著しい差が生じ、特に微細パターンになればホトレ
ジストパターンの形成が非常に困難になり、結局上記第
２のＳｉＯ２膜５上にコンタクト窓を開口す之）ことが
できないことがあつた。本発明は上述の問題点に鑑みて
なされたもので半導体基板上の膜厚の大なる絶縁膜に囲
まれた膜厚の小なる絶縁膜に精度よく確実に窓あけを行
なうことのできる半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とするものである。
以下図面とともに本発明を実施例に基づいて説明する。
第３図Ａ−Ｋは本発明の半導体装置の製造方法の一実施
例を示す工程断面図であつて、順を卦つて説明していく
。
例を示す工程断面図であつて、順を卦つて説明していく
。
不純物拡散層２１を有するシリコン基板２２上に、不純
物拡散層２１上とシリコン基板２２上とで膜厚の異なる
絶縁膜としてのＳｉＯ２膜２３，２４（例えば膜厚差１
ミクロン前後）を形成する（同図Ａ）。
物拡散層２１上とシリコン基板２２上とで膜厚の異なる
絶縁膜としてのＳｉＯ２膜２３，２４（例えば膜厚差１
ミクロン前後）を形成する（同図Ａ）。
次に、ＳｉＯ２膜２３，２４表面に、膜厚差２５分と同
程度の厚さの埋込み層としてのアルミニウム（Ａｌ）膜
２６を蒸着する（同図Ｂ）。Ａｌ膜２６としては、Ｓｉ
Ｏ２膜のエツチング液に耐性を有するものであればどの
ようなものでも良い。次いでＡｌ膜２６上に第１のホト
レジスト２７（例えば商品名：ＡＺｌ３５Ｏ）を塗布す
る（同図Ｃ） そして、不純物拡散層２１上のＳｉＯ２
膜２３領域（例えばパターンサイズ５ミクロン×５ミク
ロン）上のみに第１のホトレジスト２７のパターン２８
を形成する（同図Ｄ）。次いで、第１のホトレジストパ
ターン２８をエツチングマスクとして、Ａｌ膜２６を例
えばリン酸系のエツチング液でエツチングオフし、第１
のＡｌ膜パターン２９を得る（同図Ｅ）。そして、第１
のホトレジスト２７のパターン２８を除去すれば基板表
面はほぼ平坦になる（同図Ｆ）。次いで、第１のＳｉＯ
２膜２４と第１のＡｌ膜パターン２９上に第２のホトレ
ジスト３０（例えば商品名：ＫＴＦＲ）を塗布する（同
図Ｇ）。そして、Ａｌ膜パターン２９上に開口部を有す
るように、所望の第２のホトレジストパターン３１（例
えばパターンサイズ３ミクロン×３ミクロン）を形成す
る（同図Ｈ）。次に、第２のホトレジストパターン３１
をエツチングマスクとして、第１のＡｌ膜パターン２９
を例えばリン酸系のエツチング液でエツチングオフすれ
ば、第２のＡｊ膜パターン３２が形成できる（同図１）
。次いで、第２のＡｌ膜パターン３２をエツチングマス
クとして、例えば弗化水素酸系のエツチング液で第２の
ＳｉＯ２膜２３をエツチングオフし、不純物拡散層２１
の表面を露出させる（同図Ｊ）。次いで最後に、第２の
ホトレジストパターン３１と第２のＡｌ膜パターン３２
を除去してＳｉＯ２膜パターン３３を得て窓開けを完了
する（同図Ｋ）。−以上説明してきたように、本発明の
半導体装置の製品方法は、段差を有する絶縁膜の膜厚の
薄い領域上に、段差を埋めるように埋込み層を形成して
あるので、半導体基板の表面は平坦となり、そのためホ
トレジストを薄く均一に塗布することが町熊となク、ま
た従つて紫外線による回折や反射やホトレジストの流れ
込みがなくなるため、コンタクト窓の開口が確実に精度
よく行なえ、歩留ｖも向上し、非常に人なる効果を奏す
るものである。
程度の厚さの埋込み層としてのアルミニウム（Ａｌ）膜
２６を蒸着する（同図Ｂ）。Ａｌ膜２６としては、Ｓｉ
Ｏ２膜のエツチング液に耐性を有するものであればどの
ようなものでも良い。次いでＡｌ膜２６上に第１のホト
レジスト２７（例えば商品名：ＡＺｌ３５Ｏ）を塗布す
る（同図Ｃ） そして、不純物拡散層２１上のＳｉＯ２
膜２３領域（例えばパターンサイズ５ミクロン×５ミク
ロン）上のみに第１のホトレジスト２７のパターン２８
を形成する（同図Ｄ）。次いで、第１のホトレジストパ
ターン２８をエツチングマスクとして、Ａｌ膜２６を例
えばリン酸系のエツチング液でエツチングオフし、第１
のＡｌ膜パターン２９を得る（同図Ｅ）。そして、第１
のホトレジスト２７のパターン２８を除去すれば基板表
面はほぼ平坦になる（同図Ｆ）。次いで、第１のＳｉＯ
２膜２４と第１のＡｌ膜パターン２９上に第２のホトレ
ジスト３０（例えば商品名：ＫＴＦＲ）を塗布する（同
図Ｇ）。そして、Ａｌ膜パターン２９上に開口部を有す
るように、所望の第２のホトレジストパターン３１（例
えばパターンサイズ３ミクロン×３ミクロン）を形成す
る（同図Ｈ）。次に、第２のホトレジストパターン３１
をエツチングマスクとして、第１のＡｌ膜パターン２９
を例えばリン酸系のエツチング液でエツチングオフすれ
ば、第２のＡｊ膜パターン３２が形成できる（同図１）
。次いで、第２のＡｌ膜パターン３２をエツチングマス
クとして、例えば弗化水素酸系のエツチング液で第２の
ＳｉＯ２膜２３をエツチングオフし、不純物拡散層２１
の表面を露出させる（同図Ｊ）。次いで最後に、第２の
ホトレジストパターン３１と第２のＡｌ膜パターン３２
を除去してＳｉＯ２膜パターン３３を得て窓開けを完了
する（同図Ｋ）。−以上説明してきたように、本発明の
半導体装置の製品方法は、段差を有する絶縁膜の膜厚の
薄い領域上に、段差を埋めるように埋込み層を形成して
あるので、半導体基板の表面は平坦となり、そのためホ
トレジストを薄く均一に塗布することが町熊となク、ま
た従つて紫外線による回折や反射やホトレジストの流れ
込みがなくなるため、コンタクト窓の開口が確実に精度
よく行なえ、歩留ｖも向上し、非常に人なる効果を奏す
るものである。
第１図Ａ−Ｄはコンタクト窓形成のための従来の半導体
装置の製造方法を示す工程断面図、第２図は目的とする
コンタクト窓の構造断面図、第３図Ａ−Ｋはコンタクト
窓形成のための本発明の半導体装置の製造方法の−実施
例を示す工程断面図である。 ２１・・・・・・不純物拡散層、２２・・・・・・シリ
コン基板、２３，２４・・・・・・ＳｉＯ２膜、２６・
・・・・・金属膜、２７，３０・・・・・・ホトレジス
ト。
装置の製造方法を示す工程断面図、第２図は目的とする
コンタクト窓の構造断面図、第３図Ａ−Ｋはコンタクト
窓形成のための本発明の半導体装置の製造方法の−実施
例を示す工程断面図である。 ２１・・・・・・不純物拡散層、２２・・・・・・シリ
コン基板、２３，２４・・・・・・ＳｉＯ２膜、２６・
・・・・・金属膜、２７，３０・・・・・・ホトレジス
ト。
Claims (1)
- １ 半導体基板上に形成された段差を有する絶縁膜上に
、前記段差を埋めるように前記絶縁膜のエッチング液に
耐性を有する埋込み層を形成する工程と、前記半導体基
板表面に、前記埋込み層上で開口部を有するように感光
性樹脂を形成する工程と、前記感光性樹脂をマスクとし
て前記埋込み層を除去する工程と、前記感光性樹脂およ
び前記埋込み層をマスクとして前記絶縁膜を除去して開
口部を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13536275A JPS5918860B2 (ja) | 1975-11-10 | 1975-11-10 | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13536275A JPS5918860B2 (ja) | 1975-11-10 | 1975-11-10 | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5259577A JPS5259577A (en) | 1977-05-17 |
| JPS5918860B2 true JPS5918860B2 (ja) | 1984-05-01 |
Family
ID=15149953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13536275A Expired JPS5918860B2 (ja) | 1975-11-10 | 1975-11-10 | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918860B2 (ja) |
-
1975
- 1975-11-10 JP JP13536275A patent/JPS5918860B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5259577A (en) | 1977-05-17 |
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