JPS59181807A - トランジスタ増幅器 - Google Patents
トランジスタ増幅器Info
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- JPS59181807A JPS59181807A JP58055960A JP5596083A JPS59181807A JP S59181807 A JPS59181807 A JP S59181807A JP 58055960 A JP58055960 A JP 58055960A JP 5596083 A JP5596083 A JP 5596083A JP S59181807 A JPS59181807 A JP S59181807A
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- potential
- emitter
- transistor
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- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45496—Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising one or more extra resistors
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- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は差動出力を有するトランジスタ増幅器の改良
に関する。
に関する。
従来、音響機器を含む電子機器一般に広◇使用される最
も単純なトランジスタ増幅器として第１図に示すように
構成されるものが知られていた。
も単純なトランジスタ増幅器として第１図に示すように
構成されるものが知られていた。
すなわち、これは第２図に示す如きトランジスタＱｌ，
Ｑ２でなる基本的なカレントミラー回路を利用したもの
で、入力側トランジスタＱ）のコレクタまたはエミッタ
に入力信号を印加し、出力側トランジスタＱ２のコレク
タから出力信号を導出する構成となっている。
Ｑ２でなる基本的なカレントミラー回路を利用したもの
で、入力側トランジスタＱ）のコレクタまたはエミッタ
に入力信号を印加し、出力側トランジスタＱ２のコレク
タから出力信号を導出する構成となっている。
しかしながら、第１図のような増幅器では出力信号とし
て正逆相一対の出力すなわち差動出力を得ることができ
ないものであった。
て正逆相一対の出力すなわち差動出力を得ることができ
ないものであった。
このため、差動出力が得られる増幅器として従来より第
３図または第４図に示す工うに構成されたものが知られ
ていた。
３図または第４図に示す工うに構成されたものが知られ
ていた。
しかるに、第３図のものは上下に二段の差動構成とした
トランジスタＱ ３ Ｈ ”ｌ’＋お工びＱ ５ ｖ
Ｑ６を用いるようにしたものであるが、上側トランジス
タＱ５ 、Ｑ６のコレクタ電位を約１．０ｖ以上にし
なければならないので、小型携帯用機器等で要請される
低電圧動作用には不適なものであった。
トランジスタＱ ３ Ｈ ”ｌ’＋お工びＱ ５ ｖ
Ｑ６を用いるようにしたものであるが、上側トランジス
タＱ５ 、Ｑ６のコレクタ電位を約１．０ｖ以上にし
なければならないので、小型携帯用機器等で要請される
低電圧動作用には不適なものであった。
ま／＝、第４図のものは一対の差動対トランク・スタＱ
？＋ＱＦ１ と一対のバイアス用トランジスタＱ９ 、
Ｑ＋。を用いるようにしたものであるが、単なる差動増
幅器に過ぎないので、ゲインを大きくとってし」こうと
、入力のダイナミックレンジを十分に広くとることがで
きないという問題を有していた。
？＋ＱＦ１ と一対のバイアス用トランジスタＱ９ 、
Ｑ＋。を用いるようにしたものであるが、単なる差動増
幅器に過ぎないので、ゲインを大きくとってし」こうと
、入力のダイナミックレンジを十分に広くとることがで
きないという問題を有していた。
そこで、この発明は以上のような点に鑑みてなされたも
ので、低電圧動作化が可能で且つ十分なダイナミックレ
ンジ特性を確保したうえで容易に差動出力が得られるよ
うに改良した極めて良好なトランジスタ増幅器を提供す
ることを目的としている。
ので、低電圧動作化が可能で且つ十分なダイナミックレ
ンジ特性を確保したうえで容易に差動出力が得られるよ
うに改良した極めて良好なトランジスタ増幅器を提供す
ることを目的としている。
すなわち、この発明によるトランジスタ増幅器は、入力
手段と共に第１のカレントミラーを構成する出力用の第
１のトランジスタと、バイアヌ手段と共に第２のカレン
トミラーを構成する出力用の第２のトランジスタと、前
記出力用の第１および第２のトランジスタの各エミッタ
間を相互に、結合する抵抗とを具備し、前記出力用の第
１および第２のトランジスタの各コレクタから正逆相一
対の差動出力が導出されるように構成したことを特徴と
している。
手段と共に第１のカレントミラーを構成する出力用の第
１のトランジスタと、バイアヌ手段と共に第２のカレン
トミラーを構成する出力用の第２のトランジスタと、前
記出力用の第１および第２のトランジスタの各エミッタ
間を相互に、結合する抵抗とを具備し、前記出力用の第
１および第２のトランジスタの各コレクタから正逆相一
対の差動出力が導出されるように構成したことを特徴と
している。
以下図面を参照してこの発明の一実施例につき詳細に説
明する。
明する。
すなわち、第５図に示すように入力信号が印加される入
力端ＩＮはダイオード接続の入力用トランジスタＱ、３
のコレクターエミッタ通路および抵抗Ｒ７４を直列に介
して基準電位点１０に接続さｎでいる。
力端ＩＮはダイオード接続の入力用トランジスタＱ、３
のコレクターエミッタ通路および抵抗Ｒ７４を直列に介
して基準電位点１０に接続さｎでいる。
また、定電流源Ｉはダイオード接続のノ（イアス用トラ
ンジスタＱ＋４のコレクターエミッタ通路および抵抗Ｒ
Ｉ、を直列に介して基準電位点１０に接続されている。
ンジスタＱ＋４のコレクターエミッタ通路および抵抗Ｒ
Ｉ、を直列に介して基準電位点１０に接続されている。
そして、入力用およびバイアス用トランジスタＱ ＋３
＋ Ｑ ＋４の各ベースに各ベースが対応的に接続さ
八た出力用の一対のトランジスタＱ、１゜Ｑ１０は互い
のエミッタが抵抗Ｒ，，を介して相互に結合されると共
に各エミッタが抵抗Ｒ８２゜ＲＩ３を対応的に介してｉ
よ準゛侃位薇１０に接続され、且つ各コレクタが正逆相
一対の出力端ｌ０ＵＴ、 、 ｌ０ＩＩ７２に対応的に
接）碗されている。
＋ Ｑ ＋４の各ベースに各ベースが対応的に接続さ
八た出力用の一対のトランジスタＱ、１゜Ｑ１０は互い
のエミッタが抵抗Ｒ，，を介して相互に結合されると共
に各エミッタが抵抗Ｒ８２゜ＲＩ３を対応的に介してｉ
よ準゛侃位薇１０に接続され、且つ各コレクタが正逆相
一対の出力端ｌ０ＵＴ、 、 ｌ０ＩＩ７２に対応的に
接）碗されている。
なお、１メートにおいてトランジスタＱ、３とＱｌ＋お
よびＱ１０とＱ１０とはそれぞれベース共通のペアトラ
ンジスタでなる第１および第２のカレントミラー２１．
２２を構成し−Ｃいる。
よびＱ１０とＱ１０とはそれぞれベース共通のペアトラ
ンジスタでなる第１および第２のカレントミラー２１．
２２を構成し−Ｃいる。
而して、以上の構成において入力端ＩＮからの入力信号
電流ΔＩＩＮ が大きくなれば、その電流が入力用ト
ランジスタｑ、３．抵抗Ｒ１４に流れるので、入力用の
一方のトランジスタＱｌ＋のベース電位が上昇さＪ’Ｌ
る。
電流ΔＩＩＮ が大きくなれば、その電流が入力用ト
ランジスタｑ、３．抵抗Ｒ１４に流れるので、入力用の
一方のトランジスタＱｌ＋のベース電位が上昇さＪ’Ｌ
る。
これによ・つて、該トランジスタＱ＋、のコレクタ電流
■ｃ（Ｑ１０）が増加されるので、同エミッタ端子１ノ
の電位が上昇される。
■ｃ（Ｑ１０）が増加されるので、同エミッタ端子１ノ
の電位が上昇される。
一方、入力用の他方のトランジスタＱ＋２７７）ベース
電位は一定であるから、同エミッタ端子１２の電位も略
一定である。
電位は一定であるから、同エミッタ端子１２の電位も略
一定である。
従って、これら各エミッタ端子１１．１２間の電位差に
応じた電流が抵抗ＲＨを介して端子１１から端子１２側
に流れ込むことになるので、この電流分だけトランジス
タＱ ＋２側のコレクタ電流■ｃ（Ｑ１０）が流少する
ことになる。
応じた電流が抵抗ＲＨを介して端子１１から端子１２側
に流れ込むことになるので、この電流分だけトランジス
タＱ ＋２側のコレクタ電流■ｃ（Ｑ１０）が流少する
ことになる。
そして、上述と反対に入力信号電流が小さくなった場合
には、結果的にＩＣ（Ｑｏ）が減少し、ＩＣ（Ｑ１２）
が増大するようになる。
には、結果的にＩＣ（Ｑｏ）が減少し、ＩＣ（Ｑ１２）
が増大するようになる。
つまり、一対の出力端Ｉｏｕｒ、、ｌ０ＩＪＴ２からは
入力信号に応じた正逆一対の差動出力が得られるもので
ある。
入力信号に応じた正逆一対の差動出力が得られるもので
ある。
以上の過程を数式的に示すと次のようになる。
但し、入力信号電流ΔＩＩＮ によるエミッタ抵抗Ｌ
２等の電位降下が、トランジスタ増幅器等のベース・エ
ミッタ間電位ｖｎｓの変動分より十分に大きくなるよう
に設定すれば、ＶＢＥの非線形部分の影響を無視するこ
とができるので、それだけ低歪率でダイナミックレンジ
を大きくとることができる。
２等の電位降下が、トランジスタ増幅器等のベース・エ
ミッタ間電位ｖｎｓの変動分より十分に大きくなるよう
に設定すれば、ＶＢＥの非線形部分の影響を無視するこ
とができるので、それだけ低歪率でダイナミックレンジ
を大きくとることができる。
ΔＩｒ Ｎｘ ＋４−Δ■ｃ（Ｑ、、 ） Ｘ （Ｒ１
Ｉ／ Ｒｕ ）そして、以上の工うなトランジスタ増幅
器によれば、上下に２段の差動構成とするものでないと
共に、単なる差動増幅器ではないので、出力用トランジ
スタＱｌｌ、Ｑ＋□はそのコレクタ電圧が約０．４Ｖ程
度までは飽和領域に入るようなことがなく可及的に低電
圧動作化を図ることができると共に、ゲインを大きくと
ったとし−Ｃも入力のダイナミックレンジ特性を十分に
確保し得るという利点を有している。
Ｉ／ Ｒｕ ）そして、以上の工うなトランジスタ増幅
器によれば、上下に２段の差動構成とするものでないと
共に、単なる差動増幅器ではないので、出力用トランジ
スタＱｌｌ、Ｑ＋□はそのコレクタ電圧が約０．４Ｖ程
度までは飽和領域に入るようなことがなく可及的に低電
圧動作化を図ることができると共に、ゲインを大きくと
ったとし−Ｃも入力のダイナミックレンジ特性を十分に
確保し得るという利点を有している。
第６図は第５図のトランジスタ増幅器を実際に使用する
際の具体例を示すもので、入力用トランジスタＱ＋３の
コレクタを定電流源Ｉ２に接続すると共に、抵抗Ｒｔ、
コンデンサＣｉ を介して入力端ＩＮに接続し、基準
電位点ＩＱを接地に接続する如くした場合である。但し
、図示破線で示す如く入力端ＩＮは入力用トランジスタ
Ｑ、！のエミッタ側に接続するようにしてもよいＯ第７
図は他の実施例を示すもので、この場合第５図の出力用
トランジスタＱ ｏ ＋ Ｑ ＋２に相当するトランジ
スタＱ＋Ｉ’ＩＱ＋２をダイオード接続すると共に、そ
れらの各コレクタを出力端ＴＯＬＩＴ、 、 ｌ０ＵＴ
２でなしに定電流源ＩＲ＋Ｉ４に接続している。そして
、出力用のトランジスタＱ １ｆｆｉ ＋ Ｑ ＋６を
追加し、これらの各エミッタを上記トランジスタＱ Ｉ
、’ ＋ Ｑ ＋２’の各エミッタに対応して接続し、
且つそれらの各ベースを上記トランジスタＱ ＋ｖ ｒ
Ｑ ＋４に相当するトランジスタＱ＋ｘ’、Ｑ＋４’
（但しダイオード接続とはしていない）の各コレクタに
対応して接続し、さらにそれらの各コレクタを出力端ｌ
０ＵＴ、’ 、 ■ａｒＪ丁、’ ニ接続している。
際の具体例を示すもので、入力用トランジスタＱ＋３の
コレクタを定電流源Ｉ２に接続すると共に、抵抗Ｒｔ、
コンデンサＣｉ を介して入力端ＩＮに接続し、基準
電位点ＩＱを接地に接続する如くした場合である。但し
、図示破線で示す如く入力端ＩＮは入力用トランジスタ
Ｑ、！のエミッタ側に接続するようにしてもよいＯ第７
図は他の実施例を示すもので、この場合第５図の出力用
トランジスタＱ ｏ ＋ Ｑ ＋２に相当するトランジ
スタＱ＋Ｉ’ＩＱ＋２をダイオード接続すると共に、そ
れらの各コレクタを出力端ＴＯＬＩＴ、 、 ｌ０ＵＴ
２でなしに定電流源ＩＲ＋Ｉ４に接続している。そして
、出力用のトランジスタＱ １ｆｆｉ ＋ Ｑ ＋６を
追加し、これらの各エミッタを上記トランジスタＱ Ｉ
、’ ＋ Ｑ ＋２’の各エミッタに対応して接続し、
且つそれらの各ベースを上記トランジスタＱ ＋ｖ ｒ
Ｑ ＋４に相当するトランジスタＱ＋ｘ’、Ｑ＋４’
（但しダイオード接続とはしていない）の各コレクタに
対応して接続し、さらにそれらの各コレクタを出力端ｌ
０ＵＴ、’ 、 ■ａｒＪ丁、’ ニ接続している。
また、入力用となるトランジスタＱ、３′のコレクタを
第６図の場合と同様に定電流＃Ｉ２に接続し、同エミッ
タに抵抗Ｒｉ を介して入力端ＩＮを接続している。
第６図の場合と同様に定電流＃Ｉ２に接続し、同エミッ
タに抵抗Ｒｉ を介して入力端ＩＮを接続している。
但し、入力端はトランジスタＱ７．′のコレクタ側に接
続するようにしてもよいＯ すなわち、第７図の工うな構成によれば、帰還がかかつ
ていることにより、第５図によるものに加えてさらに低
歪率の出力が得られるとす１う利点を有している。
続するようにしてもよいＯ すなわち、第７図の工うな構成によれば、帰還がかかつ
ていることにより、第５図によるものに加えてさらに低
歪率の出力が得られるとす１う利点を有している。
なお、この発明は上記し且つ図示した実施例のみに限定
されることなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々の変形や適用力ご可能であることは言う迄もない。
されることなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々の変形や適用力ご可能であることは言う迄もない。
従って、以上詳述したようにこの発明によれば、低電圧
動作化が可能で且つ十分なダイナミックレンジ特性を確
保したうえで容易に差動出力が得られるように改良した
極めて良好なるトランジスタ垢幅器を提供することが可
能となる（
動作化が可能で且つ十分なダイナミックレンジ特性を確
保したうえで容易に差動出力が得られるように改良した
極めて良好なるトランジスタ垢幅器を提供することが可
能となる（
第１図は従来の最も単純なトランジスタ増幅器を示す構
成説明図、第２図は第１１因に月１１／１られる基本的
なカレントミラーを示す構成図、第３図、第４図は差動
出力を得る従来のトランジスタ増幅器を示す構成説明図
、第５図しまこの発明に係るトランジスタ増幅器の一実
施ｆｌＪを示す構成説明図、第６図は第５図を実際にイ
吏用する場合の具体例を示す構成説明図、第７図シま１
司しくこの発明による他の実施例を示す構成説中ｊ図で
ある。 Ｑ ＋＋ −Ｑ １４・・・トランジスタ、■ＸＮ・・
・入力端、■、・・・定電流源、Ｒ１１〜Ｒ１５・・・
抵抗、ｌ０ＵＴ、 。 ｌ０ＩＩ７２・・出力端、２１．２２・・・カレントミ
ラー。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
第２図 第５図 第６図 第７図 ３５
成説明図、第２図は第１１因に月１１／１られる基本的
なカレントミラーを示す構成図、第３図、第４図は差動
出力を得る従来のトランジスタ増幅器を示す構成説明図
、第５図しまこの発明に係るトランジスタ増幅器の一実
施ｆｌＪを示す構成説明図、第６図は第５図を実際にイ
吏用する場合の具体例を示す構成説明図、第７図シま１
司しくこの発明による他の実施例を示す構成説中ｊ図で
ある。 Ｑ ＋＋ −Ｑ １４・・・トランジスタ、■ＸＮ・・
・入力端、■、・・・定電流源、Ｒ１１〜Ｒ１５・・・
抵抗、ｌ０ＵＴ、 。 ｌ０ＩＩ７２・・出力端、２１．２２・・・カレントミ
ラー。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
第２図 第５図 第６図 第７図 ３５
Claims (1)
- 入力手段と共に第１のカレントミラーを構成する出力用
の第１のトランジスタと、バイアス手段と共に第２のカ
レントミラーを構成する出力用の第２のトランジスタと
、前記出力用の第１および第２のトランジスタの各エミ
ッタを相互に結合する抵抗とを具備し、前記出力用の第
１および第２のトランジスタの各コレクタからそれぞれ
正逆相一対の差動出力が得られるように構成したことを
特徴とするトランジスタ差動増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055960A JPS59181807A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | トランジスタ増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055960A JPS59181807A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | トランジスタ増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181807A true JPS59181807A (ja) | 1984-10-16 |
| JPH0527282B2 JPH0527282B2 (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=13013641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58055960A Granted JPS59181807A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | トランジスタ増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181807A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0263572A2 (en) * | 1986-10-10 | 1988-04-13 | Tektronix, Inc. | Voltage-controlled push-pull current source |
| US4857864A (en) * | 1987-06-05 | 1989-08-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Current mirror circuit |
| EP0772294A1 (en) * | 1995-11-01 | 1997-05-07 | Plessey Semiconductors Limited | Folded active filter |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE506745T1 (de) * | 2005-10-20 | 2011-05-15 | Ericsson Telefon Ab L M | Transkonduktanzstufen-anordnung |
| JP5209912B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2013-06-12 | 株式会社ナンシン | 単輪キャスタの制動構造 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4829744U (ja) * | 1971-08-16 | 1973-04-12 | ||
| JPS5441146U (ja) * | 1977-08-26 | 1979-03-19 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5441146B2 (ja) * | 1972-08-15 | 1979-12-06 |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58055960A patent/JPS59181807A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4829744U (ja) * | 1971-08-16 | 1973-04-12 | ||
| JPS5441146U (ja) * | 1977-08-26 | 1979-03-19 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0263572A2 (en) * | 1986-10-10 | 1988-04-13 | Tektronix, Inc. | Voltage-controlled push-pull current source |
| US4857864A (en) * | 1987-06-05 | 1989-08-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Current mirror circuit |
| EP0772294A1 (en) * | 1995-11-01 | 1997-05-07 | Plessey Semiconductors Limited | Folded active filter |
| US5847605A (en) * | 1995-11-01 | 1998-12-08 | Plessey Semiconductors Limited | Folded active filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0527282B2 (ja) | 1993-04-20 |
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