JPS5916841A - 3−フルオロ−4−置換−〔4′−(トランス−4″−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1′−イル〕ベンゼン - Google Patents
3−フルオロ−4−置換−〔4′−(トランス−4″−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1′−イル〕ベンゼンInfo
- Publication number
- JPS5916841A JPS5916841A JP12729482A JP12729482A JPS5916841A JP S5916841 A JPS5916841 A JP S5916841A JP 12729482 A JP12729482 A JP 12729482A JP 12729482 A JP12729482 A JP 12729482A JP S5916841 A JPS5916841 A JP S5916841A
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- compound
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- fluoro
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は正の誘電異方性を示す新規な液晶物質及びそれ
を含有する液晶組成物に関する。
を含有する液晶組成物に関する。
液晶表示素子は液晶物質が有する光学異方性及び誘電異
方性を利用したものであるが、その表示方式にはT N
型、DS型、ゲスト・ホスト型、DAP型、ホワイト・
ティラー型など各種の方式があり、それぞれの方式によ
り使用される液晶物質に9求される性質も異る。例えば
表示素子の種類によって、液晶物質として誘電異方性Δ
εが正のものを必要としたり、負のものを必要としたり
、或はその中間的な値のものが適したりする。しかしい
ずれにしても使用される液晶物質はできるだけ広い温度
範囲で液晶相を示し、又水分、熱、空気、光などに対し
て安定である必安がある。現在のところ単一化合物でこ
の様な条件をすべて満たすものViなく、数種の液晶化
合物や非液晶化合物を混合して一応実用に耐えるものを
得ているのが現状である。
方性を利用したものであるが、その表示方式にはT N
型、DS型、ゲスト・ホスト型、DAP型、ホワイト・
ティラー型など各種の方式があり、それぞれの方式によ
り使用される液晶物質に9求される性質も異る。例えば
表示素子の種類によって、液晶物質として誘電異方性Δ
εが正のものを必要としたり、負のものを必要としたり
、或はその中間的な値のものが適したりする。しかしい
ずれにしても使用される液晶物質はできるだけ広い温度
範囲で液晶相を示し、又水分、熱、空気、光などに対し
て安定である必安がある。現在のところ単一化合物でこ
の様な条件をすべて満たすものViなく、数種の液晶化
合物や非液晶化合物を混合して一応実用に耐えるものを
得ているのが現状である。
特に最近は広い温度範囲(−20〜80℃位)で液晶相
を示し、かつ低粘性なものが望1れてきている。さらに
より低電圧で駆動できるものであることも要求されてい
る。本発明の化合物はこの様な要求に応える液晶組成物
を構成する成分として有用な化合物である。
を示し、かつ低粘性なものが望1れてきている。さらに
より低電圧で駆動できるものであることも要求されてい
る。本発明の化合物はこの様な要求に応える液晶組成物
を構成する成分として有用な化合物である。
即ち本発明は一般式
(上式中R及びR′はいずれも水素原子又は炭素数1−
10を有するアルキル基あるいはアルコキン基を示す) で表わされる3−フルオロ−411を換−(4’−(ト
ランス−4′−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキセ
ン−17−イル〕ベンゼンでアル。
10を有するアルキル基あるいはアルコキン基を示す) で表わされる3−フルオロ−411を換−(4’−(ト
ランス−4′−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキセ
ン−17−イル〕ベンゼンでアル。
本発明の化合物は広いネマチック温度範囲と高い透明点
を有しており、例えば3−フルオロ−4−メチル−(4
’−()ランス−4#−ペンチル/りロヘキンル)シク
ロヘキセン−1′−イル〕ヘンセンは結晶−スメクチツ
クA(C,5A)63.3℃、スメクチック−ネマチッ
ク点(S−N点) 124.1℃、ネマチック−透明点
(N−1点) 161.6℃と、広い温度範囲で液晶相
を示しかつ低粘性であるので、広い温度範囲でネマチッ
ク液晶相を示す液晶組成物を構成するのに有効に用いる
ことができる。
を有しており、例えば3−フルオロ−4−メチル−(4
’−()ランス−4#−ペンチル/りロヘキンル)シク
ロヘキセン−1′−イル〕ヘンセンは結晶−スメクチツ
クA(C,5A)63.3℃、スメクチック−ネマチッ
ク点(S−N点) 124.1℃、ネマチック−透明点
(N−1点) 161.6℃と、広い温度範囲で液晶相
を示しかつ低粘性であるので、広い温度範囲でネマチッ
ク液晶相を示す液晶組成物を構成するのに有効に用いる
ことができる。
つぎに本発明の化合物の製造法について述べるとまず4
−プロモー2−フルオロ−1−ff換ペンセンにマダ手
シウムを作用させグリニヤール試薬とし、これに4−(
トランス−47−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキ
サンと反応させて3−フルオロ−4−置換−(4’−(
)う7”g 4#−アルキルシクロヘキシル)シクロ
ヘキサン−1′−オール〕ベンゼンとする。これを硫酸
水素カリウムで脱水して目的の3−フルオロ−4−IE
t換=(4’−()ランス−41−アルキルシクロヘキ
シル)シクロー\キセンー1’−(ルJベンー1ピンを
得る。
−プロモー2−フルオロ−1−ff換ペンセンにマダ手
シウムを作用させグリニヤール試薬とし、これに4−(
トランス−47−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキ
サンと反応させて3−フルオロ−4−置換−(4’−(
)う7”g 4#−アルキルシクロヘキシル)シクロ
ヘキサン−1′−オール〕ベンゼンとする。これを硫酸
水素カリウムで脱水して目的の3−フルオロ−4−IE
t換=(4’−()ランス−41−アルキルシクロヘキ
シル)シクロー\キセンー1’−(ルJベンー1ピンを
得る。
以上を化学式で示すと次のようになる。
以F1実施例により本発明の化合物の製造法及び使用法
について虹に詳イillに説明する。
について虹に詳イillに説明する。
実施例1(3−フルオロ−4−メチル−14′−(トラ
ンス−41−ペンチルシクロヘキシル)フクロヘキセン
−1′−イル〕ペンゼマグネノウム片1.22(0,0
49モル)に4−プロモー2−フルオロトルエン9.3
f(0,049モル)ラブトラヒドロフラン3〇−に
溶かした液を、N2気流中反応温度を40℃程に保ち撹
拌しながらゆっくり滴下していくと反応して2時間でマ
グネ/ラムは溶けて均一になり3−フルオロ−4−メチ
ルベンゼンマグネンウムプロミドを生じる。これに1−
()7ンスー4′−ペンチルシクロヘキシル)ノクロヘ
キサノン10.Or (0,040モル)をテトラヒド
ロフランに溶かした15 oatを反応温度30℃以下
に保ちつつなるべく速やかに滴下する。滴下後1時間還
流さン、ついで3N塩酸50m/を曲える。反応液を;
z 00 mtのへブタンで抽出し、ヘプタン層を水で
洗液が中性になるまで洗浄してから溶媒を減圧留去する
。残留した油状物は、3−フルオロ−4−メチ計(4’
−()ランス−41−ペンチルシクロヘキシル)シクロ
ヘキサン−1′−オール〕ベンゼンであり、これに硫酸
水素カリウム42をIJIIえN2気流中160℃で2
時間脱水する。冷却後、200−のへブタンを加え、硫
酸水素カリウムを戸別し、ヘプタン層を洗液が中性にな
るまで水洗し、ヘプタンを減圧留去する。残る油状物を
ヘプタンで再結晶して得られるのが目的の3−フルオロ
−4−メi 1.2 f 、収率9チ。このものけC−
S点63.3℃、S−N点124.1℃、N−1点1
f51.4’i℃であった。
ンス−41−ペンチルシクロヘキシル)フクロヘキセン
−1′−イル〕ペンゼマグネノウム片1.22(0,0
49モル)に4−プロモー2−フルオロトルエン9.3
f(0,049モル)ラブトラヒドロフラン3〇−に
溶かした液を、N2気流中反応温度を40℃程に保ち撹
拌しながらゆっくり滴下していくと反応して2時間でマ
グネ/ラムは溶けて均一になり3−フルオロ−4−メチ
ルベンゼンマグネンウムプロミドを生じる。これに1−
()7ンスー4′−ペンチルシクロヘキシル)ノクロヘ
キサノン10.Or (0,040モル)をテトラヒド
ロフランに溶かした15 oatを反応温度30℃以下
に保ちつつなるべく速やかに滴下する。滴下後1時間還
流さン、ついで3N塩酸50m/を曲える。反応液を;
z 00 mtのへブタンで抽出し、ヘプタン層を水で
洗液が中性になるまで洗浄してから溶媒を減圧留去する
。残留した油状物は、3−フルオロ−4−メチ計(4’
−()ランス−41−ペンチルシクロヘキシル)シクロ
ヘキサン−1′−オール〕ベンゼンであり、これに硫酸
水素カリウム42をIJIIえN2気流中160℃で2
時間脱水する。冷却後、200−のへブタンを加え、硫
酸水素カリウムを戸別し、ヘプタン層を洗液が中性にな
るまで水洗し、ヘプタンを減圧留去する。残る油状物を
ヘプタンで再結晶して得られるのが目的の3−フルオロ
−4−メi 1.2 f 、収率9チ。このものけC−
S点63.3℃、S−N点124.1℃、N−1点1
f51.4’i℃であった。
(1)式でR,R’が他の置換基のものについても同様
の方法で製造できる。
の方法で製造できる。
実施例2(使用例)
トライメス−4−プロピル−(4′−シアノフェニル)
シクロヘキサン 28% トランス−4−ベンチルー(4′−シアノフェニル)シ
クロヘキサン 42% トランス−4−へブチル−(4′−シアノフェニル)シ
クロヘキサン 30% なる組成の液晶組成物のネマチック液晶温度範囲は一3
〜52℃である。この液晶組成物をセル厚10μmのT
Nセル(ねじれネマチックセル)K封入したものの動作
しきい電圧は1.5V、飽和電圧は2.Ovであった。
シクロヘキサン 28% トランス−4−ベンチルー(4′−シアノフェニル)シ
クロヘキサン 42% トランス−4−へブチル−(4′−シアノフェニル)シ
クロヘキサン 30% なる組成の液晶組成物のネマチック液晶温度範囲は一3
〜52℃である。この液晶組成物をセル厚10μmのT
Nセル(ねじれネマチックセル)K封入したものの動作
しきい電圧は1.5V、飽和電圧は2.Ovであった。
又粘度は20℃で24 cpであった。
上記の液晶組成物95部に本発明の実施例1で示した3
−フルオロ−4−メチル−〔4′−(トランス−41−
ベンチルシクロヘキノル)シクロヘキ七ンー1′−イル
〕ヘン七ン5部を加えたもののネマチック温度範囲は−
3〜56.8℃に広がり、上記セルに封入したものの動
作しきい電圧は1.5V、飽和電圧は2.1Vとelと
んと変化せず20℃における粘度も24 cpと変らな
かった。以上の様に本発明の化合物の添lJDで低粘度
で、広いネマチック温度範囲をもつ液晶組成物を得るこ
とができる。
−フルオロ−4−メチル−〔4′−(トランス−41−
ベンチルシクロヘキノル)シクロヘキ七ンー1′−イル
〕ヘン七ン5部を加えたもののネマチック温度範囲は−
3〜56.8℃に広がり、上記セルに封入したものの動
作しきい電圧は1.5V、飽和電圧は2.1Vとelと
んと変化せず20℃における粘度も24 cpと変らな
かった。以上の様に本発明の化合物の添lJDで低粘度
で、広いネマチック温度範囲をもつ液晶組成物を得るこ
とができる。
以 上
Claims (2)
- (1)一般式 (上式中R及びR′はいずれも水素原子又は炭素数1〜
10を有するアルキル基あるいはアルコキシ基を示す) で表わされる3−フルオロ−4−fil換−C4’−(
トランス−4’−フルキルシクロヘキンル)シクロヘキ
セン−1′−イル〕ペンセン。 - (2)一般式 (上式中R及びR′はいずれも水素原子又は炭素数1−
10を有するアルキル基あるいはアルコキシ基を示す) で表わされる3−フルオロ−4=置換−(4’=(トラ
ンス−41−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキセノ
−1フーイル〕ベン七ンヲ少eくとも一挿含有すること
を特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12729482A JPS5916841A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 3−フルオロ−4−置換−〔4′−(トランス−4″−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1′−イル〕ベンゼン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12729482A JPS5916841A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 3−フルオロ−4−置換−〔4′−(トランス−4″−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1′−イル〕ベンゼン |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5916841A true JPS5916841A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14956399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12729482A Pending JPS5916841A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 3−フルオロ−4−置換−〔4′−(トランス−4″−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1′−イル〕ベンゼン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5916841A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4910350A (en) * | 1987-09-29 | 1990-03-20 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Fluorine-substituted cyclohexylcyclohexene derivative |
US5321169A (en) * | 1988-02-29 | 1994-06-14 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Cyclohexane derivatives |
JPWO2016152405A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2017-04-27 | Dic株式会社 | 液晶性化合物、液晶組成物および表示素子 |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP12729482A patent/JPS5916841A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4910350A (en) * | 1987-09-29 | 1990-03-20 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Fluorine-substituted cyclohexylcyclohexene derivative |
US5321169A (en) * | 1988-02-29 | 1994-06-14 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Cyclohexane derivatives |
JPWO2016152405A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2017-04-27 | Dic株式会社 | 液晶性化合物、液晶組成物および表示素子 |
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