JPS59126643A - 電子回路の被覆方法 - Google Patents

電子回路の被覆方法

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JPS59126643A
JPS59126643A JP139583A JP139583A JPS59126643A JP S59126643 A JPS59126643 A JP S59126643A JP 139583 A JP139583 A JP 139583A JP 139583 A JP139583 A JP 139583A JP S59126643 A JPS59126643 A JP S59126643A
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JP
Japan
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electronic circuit
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thermosetting resin
thermoplastic resin
damp
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JP139583A
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Yoshio Nakatani
芳雄 中谷
Morinori Fukuda
守記 福田
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は洗濯機、炊飯器などの家庭電化製品分野に用い
られる電子回路の被覆方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点 近年、電子回路の発展はめざましく、ラジオ受信機、テ
レビ受像機、ビデオ機器、ステレオ装置などに代表され
る音響1通信の分野では、特徴があり、かつ付加価値の
高い製品をめざしており、薄型、小型、軽量化、高密度
化が要求されている。
一方、はとんど電子化されていなかった洗濯機。
乾燥機、炊飯器、電子レンジなどに代表される家庭電化
製品の分野においてもマイクロコンピュータを用いて電
子化を行ない、多機能を付加することによって、消費者
により使いやすい製品を提供する試みがなされている。
ところで、音響1通信分野において使用される電子回路
の使用環境は70’C〜100°C程度の耐熱性が要求
されるけれども、通常の湿度雰囲気で使用される為、電
子回路に絶縁、防湿の為の被覆を施さなくても十分信頼
性の高いものが得られている。しかしながら、家庭電化
製品の場合には、水を使用する為に、絶縁、防湿の為の
被覆を施さないと基板上に構成された電子回路に水がか
かったり、露結水が付着した場合には、誤動作を生じた
り回路がンヲートし、最悪の場合、火災につなか、る危
険性がある。したがって、火災につながる危険性のある
電子回路は十二分に絶縁、防湿の為の被覆を施す必要が
ある。またマイクロコンピュータ、ICなどの半導体の
被覆は誤動作を生じないよう絶縁性と、防湿性が要求さ
れている。
このような電子回路を被覆する方法として、チクノトロ
ピンク性の高い液状樹脂中に浸漬させ引き上げ厚くつけ
る方法、防湿性に優れた樹脂を用いる方法、ケースを用
いて注型する方法、スプレーを用いて被覆する方法など
が考えられている。
チクソトロビック性の高い液状樹脂中に浸漬させた後引
き上げて厚くつける方法は、液状樹脂の液切れ性がわる
いばかりでなく、硬化時にだれたり必要性のない部分に
まで厚く被覆するので、高価なものになってしまう。防
湿性に優れた樹脂を用いる方法は、硬化に高温、長時間
を要する為、量産性に欠け、プリント基板の耐熱性、使
用できる電子部品が制限される、フレキシブル性がない
為熱衝撃性に欠ける、チップ部品のエツジ・リード端子
の絶縁性に欠けるなどの欠点がある。ケースを用いて注
型する方法は、多量の樹脂が必要な為に高価になる上、
硬化に長時間を要し、かつ製品に取付ける穴をマスキン
グしておかなければならないなどの欠点がある。スプレ
ーを用いて塗布する方法は、低粘度のものしか使用でき
ないので、1回の被櫃厚みかうすくなり、数回塗布する
必要がある上、ディスクリート部品のかげ部分に塗布す
るのが困難で飛散しやすい為、ロスが大きく、使用環境
もよくないなどの欠点を有している。
発明の目的 本発明の目的は、安価で量産性はもちろんのこと、絶縁
性、防湿性に優れた電子回路の被覆方法を提供すること
にある。
発明の構成 本発明の電子回路の被覆方法は、電子回路を構成した基
板を浸漬時における粘度がs o o cps以下の熱
硬化性樹脂中に浸漬させ、これを引き上げて加熱、硬化
させた後、冷却せずに、溶融時における粘度が3000
 Cps 以下で軟化点が100’C以上の熱可塑性樹
脂を前記電子回路のうち絶縁性。
防湿性に欠ける部分に被覆し、その後冷却するものであ
る。これにより、安価で量産性に優れ、信頼性、特に絶
縁性、防湿性に優れた電子回路が得られる。
本発明において基板を浸漬させる熱硬化性樹脂には、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリブタジェン樹脂などが
あり、これらを変性したものも使用でき、必要に応じて
、キシレン、トルエン、酢酸ブチル、メチルエチルケト
ン、イソプロピルアルコールなどの溶剤を添加すること
ができる。また、浸漬時における粘度は5oocps以
下のものが望ましく、特に50〜300 Cps程度が
望ましいn粘度が500 cpsを超えるものは基板を
浸漬したときのレベリング性、高密度な部分への浸透性
が悪く、量産性に適さない。
一方、本発明において絶縁性、防湿性に欠ける部分を被
覆する為の熱可塑性樹脂には、ホットメルト接着剤、マ
イクロクリスタリンワックス、ポリアミド樹脂、ポリプ
ロピレンなどがあり、これらのものをブレンドしたもの
、充てん剤を加えたものも使用できる。そして熱可塑性
樹脂は軟化点が100’C以上で、溶融させる温度は1
.80−220°Cの範囲が望ましく、そのときの溶融
粘度は3000 cps以下のものが望ましく、特に3
00〜2500 Cpsのものが適している。溶融粘度
が3000 Cpsを超えるものは被覆したときに糸引
き、細部までの浸透性に欠け、好ましくない−また、軟
化点は100.’C以上でないと、電子回路の発熱、使
用雰囲気によって基板の温度が最高8゜°Cまで上昇す
る為、熱可塑性樹脂を被覆した基板を長時間放置すると
樹脂がだれて、絶縁性、防湿性が著しく低下する。そし
て、溶融させる温度を上げると、溶融粘度は低くなシ被
覆作業がやりゃすくなるが、あまり温度を上げすぎると
、樹脂が劣化してしまうので望ましくない。溶融させた
熱可塑性樹脂を絶縁、防湿性に欠ける部分に被覆する場
合、常温の電子回路を構成した基板に被覆すると、樹脂
の温度が急激に下がる為粘度が急上昇し、基板に被覆し
た熱硬化性樹脂との密着性に欠け、熱衝撃性が悪くなる
ので、熱可塑性樹脂の溶融温度と基板の硬化温度の差は
100′C以下であることが望ましい、しかしながら、
温度の差が少なすぎると、熱可塑性樹脂がだれる為に、
絶縁。
防湿性に欠ける部分を完全に被覆できないので、温度差
は50°C以上であることが必要である。したがって、
熱硬化性樹脂の加熱硬化温度と熱可塑性樹脂の溶融温度
の差は50’C〜100″Cである必要がある。
本発明の要旨は、熱硬化性樹脂によって電子回路を構成
しているパターン及びチップ部品の絶縁。
防湿処理を行ない、更に熱可塑性樹脂によってリード端
子、半導体などの絶縁、防湿性に欠ける部分を被覆する
ことにあり、熱硬化性樹脂の硬化温度で熱可塑性樹脂を
部分的に被覆する為に、量産性を低下させることなく、
安価で信頼性、特に絶縁性、防湿性に優れた電子回路が
得られる。
実施例の説明 以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。
図面は本発明の一実施例における電子回路の方法によっ
て作成された電子回路の断面図である。
まず、基板6上に回路パターン1、チップ部品2゜21
.22,23、ディスクリート部品3,3人半導体4.
41、LED5が構成された電子回路を、浸漬時におけ
る粘度が2500psの主剤ビスフェノールA型、硬化
剤脂肪族アミン系からなるエポキシ樹脂中に浸漬させ、
これを引き上げて100’030分の硬化条件で硬化さ
せ、浸漬による熱硬化性樹脂層7を作成した。次に、基
板を100°Cに保持した状態で、軟化点が120°C
のホットメルト接着剤を180°Cに加熱して溶融粘度
51o cpsとし、これを電子回路のうち絶縁。
防湿性に欠ける半導体4,41部分に被覆し、熱可塑性
樹脂層8を作成した。
以上のようにして作成した本実施例の電子回路は、安価
で量産性に優れている上、絶縁性、防湿性について、4
0°C,100%RH中、バイアス1Hr ON 、 
3Hr OFF の条件、すなわち、水が電子回路を構
成した基板上で露結する状態でバイアスを印加する環境
下で100oHr 放置しても、電子回路の絶縁性、防
湿性に問題はなかった。
なお、上記実施例ではディスクリート部品とチップ部品
が混在した電子回路に適用した例を示したが、ディスク
リート部品、またはチップ部品のみからなる電子回路の
被覆にも応用できる。
発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明の方法は電子回
路を構成した基板を熱硬化性樹脂中に浸漬させ、これを
引き上げて加熱、硬化させた後、冷却せずに、熱可塑性
樹脂を絶縁性、防湿性に欠ける部分に被覆するものであ
り、安価で量産性に優れている上、水がかかったり、水
が露結した状況になっても絶縁性、防湿性に優れている
ため、その産業上の価値は大なるものがある0
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の被覆方法によって作成された電子回路の
一例を示す断面図である。 1・・・・・・回路パターン、2.21,22.23・
・・・・・チップ部品、3.31・・・・・・ディスク
リート部品、4.41・・・・・・半導体、6・・・・
・・LED、6・・・・・・基板、7・・・・・・浸漬
による熱硬化性樹脂層、8・・・・・・熱可塑性樹脂層

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 O)電子回路を構成した基板を浸漬時における粘度がs
     o o cps以下の熱硬化性樹脂中に浸漬させ、こ
    れを引き上げて加熱、硬化させた後、冷却せずに、溶融
    時における粘度が30000p8以下で軟化点が100
    °C以上の熱可塑性樹脂を前記電子回路のうち絶縁性、
    防湿性に欠ける部分に被覆し、その後、冷却することを
    特徴とする電子回路の被覆方法。 (2)熱硬化性樹脂の加熱硬化温度と熱可塑性樹脂の溶
    融温度の差が50°C〜100’Cである゛ことを特徴
    とする特許請求の範囲第(1)項記載の電子回路の被覆
    方法。
JP139583A 1983-01-07 1983-01-07 電子回路の被覆方法 Granted JPS59126643A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62172171U (ja) * 1986-04-23 1987-10-31
JPS63316462A (ja) * 1987-06-18 1988-12-23 Toshiba Corp 半導体モジュ−ル
JP2013009884A (ja) * 2011-06-30 2013-01-17 Panasonic Corp 機器の制御装置
WO2016159318A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2020194877A (ja) * 2019-05-28 2020-12-03 株式会社タムラ製作所 保護被膜を有する配線板の製造方法
JP2020194876A (ja) * 2019-05-28 2020-12-03 株式会社タムラ製作所 保護被膜を有する配線板の製造方法
DE112019006914T5 (de) 2019-02-25 2021-11-04 Mitsubishi Electric Corporation Platine, Halbleitervorrichtung, Leistungswandler und sich bewegendes Objekt

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62172171U (ja) * 1986-04-23 1987-10-31
JPS63316462A (ja) * 1987-06-18 1988-12-23 Toshiba Corp 半導体モジュ−ル
JP2013009884A (ja) * 2011-06-30 2013-01-17 Panasonic Corp 機器の制御装置
US10141368B2 (en) 2015-03-31 2018-11-27 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor device
US10615220B2 (en) 2015-03-31 2020-04-07 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN107360729A (zh) * 2015-03-31 2017-11-17 浜松光子学株式会社 半导体装置及其制造方法
JPWO2016159320A1 (ja) * 2015-03-31 2018-02-01 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JPWO2016159318A1 (ja) * 2015-03-31 2018-02-01 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置の製造方法
WO2016159318A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US10403676B2 (en) 2015-03-31 2019-09-03 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor device manufacturing method
WO2016159320A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
US10622403B2 (en) 2015-03-31 2020-04-14 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor device manufacturing method
US10622402B2 (en) 2015-03-31 2020-04-14 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor device
CN107360729B (zh) * 2015-03-31 2020-08-14 浜松光子学株式会社 半导体装置及其制造方法
DE112019006914T5 (de) 2019-02-25 2021-11-04 Mitsubishi Electric Corporation Platine, Halbleitervorrichtung, Leistungswandler und sich bewegendes Objekt
US20210378085A1 (en) * 2019-02-25 2021-12-02 Mitsubishi Electric Corporation Circuit board, semiconductor device, power converter, and moving object
JP2020194877A (ja) * 2019-05-28 2020-12-03 株式会社タムラ製作所 保護被膜を有する配線板の製造方法
JP2020194876A (ja) * 2019-05-28 2020-12-03 株式会社タムラ製作所 保護被膜を有する配線板の製造方法

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JPS6361774B2 (ja) 1988-11-30

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