JPS59121956A - 耐熱性接着シ−ト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高集積度半導体回路の表面上に貼υ合わせて用
いられる耐熱性接着シートに関するものである。

近年、半導体回路の高集積度化に伴いその封止材料等に
含まれている微量の放射性物質であるＵ（ウラン）、Ｔ
ｈ（トリウム）などからα線が放出され、これが半導体
メモリーに一過性の誤動作を発生させている。現在、こ
のα線から半導体回路を保護する方法としてはポリイミ
ド系、シリコーン系等の耐熱性樹脂塗料を溶液状態で半
導体回路上にコーティングする、いわゆる溶液式若しく
は湿式と呼ばれる手段が一般に用いられている。

しかし、この方法の場合、溶液状の塗料をコーティング
した後硬化のための温度と時間が必要であり、このこと
が半導体製造の生産性を著しく低下させる原因ともなっ
ている。また、得られた樹脂膜は第１図のごとく、その
厚さに於いて著しく均一性を欠くものでしかない。

図中１は半導体チップ、２はコーティングによって得ら
れたα線遮蔽膜である。ここに於いて半導体上に設けら
れた樹脂膜の厚さとα線遮蔽効果については、第２図の
よう密接な比例関係がある。

すなわち、α線を遮蔽するためには３０μ搗以上好まし
くは７５Ｐ以上の膜厚が必要であυ、第１図に於けるａ
部及びＣ部にこの厚さを設けるためにはｂ部にその数倍
の厚みを設定しなければならない。また、このように厚
いコーティングを行った場合に発生する問題として第３
図に示す樹脂塗料の“ダレ″がある。第３図に於けるｄ
部及びｅ部がそれであυ、この問題はその後に行われる
加熱硬化の工程に於いて起こる樹脂塗料の粘度低下現象
によって、更に増長される結果となる。

本発明は以上の事柄に鑑みてなされたもので、コーティ
ングでなく接着シートによる乾式のα線遮蔽膜を提供す
るものでちる。

すなわち、本発明は耐熱性有機フィルム基材上に耐熱性
接着剤層を設けた厚さ合計が少なくとも３０μｍ以上の
複合体であることを特徴とする高集積度半導体回路の表
面上に貼シ合わせて用いられる耐熱性接着シートにある
。

以下図面圧従って本発明の詳細な説明する。

第４図は本発明による耐熱性接着ソートを半導体テップ
上に貼シ合わせた断面図であり、図中１０は耐熱性有機
フィルム基材、２０は耐熱性接着剤層、３０は半導体チ
ップをそれぞれ表わす。

３０は半導体チップを表わす。

本発明に使用し得る耐熱性有機フィルム基材としてはポ
リイミド系、フッ素系、シリコーン系、ポリサルホン系
、ポリエーテルサルホン系、ポリエステル系、ポリアミ
ドイミド系、ポリアミド系等の材料であり、また耐熱性
接着剤としてはシリコーン系、フッソ系、ポリアミド系
、エポキシ系、ボリイ徴ミド系、ポリアミ　トイミド系
、フェノール系等の各材料が挙げられる。

本発明の接着シートによれば半導体の必要部分にのみα
線遮蔽膜を設けることができ、また半導体の製造工程内
に於ける回路形成後からパッケージング前までなら、ど
の工程ででも該接着シートを貼り付けることが可能でお
る。

また、前述した湿式法のように遮蔽膜の゛厚さむら″及
び樹脂塗料の“′だれ″の問題もなく該遮蔽膜の硬化に
要する加熱工程及びその所要時間も一切不要である。

【図面の簡単な説明】

第１図は半導体チノグ上に設けられた従来のα線遮蔽膜
（層）の概略側面図、第２図はα線遮蔽膜の膜厚とα線
透過量との関係図、第３図は従来のα線遮蔽膜形成時の
欠点説明図、第４図は本発明のα線遮蔽用耐熱性接着シ
ートを半導体チップ上に設けた場合の概略断面図、第５
図はその平面図である。 特許出願人 株式会社巴川製紙所 第１　Ｉｇ ￥２７ｆｆｌ 第３１１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 耐熱性有機フィルム基材上に耐熱性接着剤層を設けた厚
   さ合計が少なくとも３０μｍ以上の複合体であることを
   特徴とする高集積度半導体回路の表面上に貼り合わせて
   用いられる耐熱性接着シート　。