JPS584189Y2 - Ic封止構造 - Google Patents

Ic封止構造

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Publication number
JPS584189Y2
JPS584189Y2 JP1978098607U JP9860778U JPS584189Y2 JP S584189 Y2 JPS584189 Y2 JP S584189Y2 JP 1978098607 U JP1978098607 U JP 1978098607U JP 9860778 U JP9860778 U JP 9860778U JP S584189 Y2 JPS584189 Y2 JP S584189Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sealing
resin
sealing frame
circuit board
frame
Prior art date
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Expired
Application number
JP1978098607U
Other languages
English (en)
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JPS5514785U (ja
Inventor
佳宏 島田
Original Assignee
シチズン時計株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by シチズン時計株式会社 filed Critical シチズン時計株式会社
Priority to JP1978098607U priority Critical patent/JPS584189Y2/ja
Publication of JPS5514785U publication Critical patent/JPS5514785U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS584189Y2 publication Critical patent/JPS584189Y2/ja
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、■C封止枠体の外周に撥水性樹脂を印刷して
、封止樹脂が前記封止枠体内に吐出された時封止枠体の
底面と基板の間に、封止樹脂が流れ込んで、封止枠体と
回路基板の接着強度を上げるICの封止構造に関するも
のである。
従来の技術では、基板上のICを表裏両面から樹脂封止
するいわゆるトランスファーモールド法とか、セラミッ
ク等の材質のカバーを接着する方法が採られIC封止に
要する加工工数が多く、部品コストが高くつき、しかも
薄型に出来ない等の欠点があった。
他の方法として、封止枠体を予め回路基板に接着固定し
て、しかるのちにIC封止用樹脂を注入して硬化処理を
行ってモールドする方法が採られたが、封止枠体を回路
基板に固定する為の熱硬化性樹脂よりなる接着剤は、粘
性が高いうえにポットライフが短かい為に製造工程に於
いて著しく取扱性が悪く且つ硬化処理工程が必要であり
しかも接着剤の塗布工程が合理化しにくい等の欠点を有
している。
上記欠点を解決する方式として本出願人はすでに、本考
案に記載するところの撥水性樹脂を封止枠体と丁度当接
する回路基板の部分に印刷して、しかるのちに封止枠を
撥水性樹脂上に載置する構造を提案しである。
しかし、上記構造に於いては、撥水性樹脂が、未硬化状
態でも、注入される封止樹脂の流れ止め効果を有するた
め、従来の枠抜着方式に比べて製造工程を大巾に合理化
することが出来た。
しかし上記構造では、撥水性樹脂が、封止枠体の底面に
押圧されて、その樹脂層が拡がって、封止枠体の内部、
すなわちICチップのごく近傍に迄ゆきわたり、そのた
めにIC封止用樹脂の封止枠体及び回路基板に対する接
触面積が小さくなり、結果として封止枠体及びIC封止
用樹脂の回路基板に対する接着力を弱める事が多かった
最近電子腕時計等の小型器機に於いては回路構造を、よ
り薄型化小型化する事が望まれる為に、上記回路基板長
、び封止枠体は各々板厚が薄くなり、互いに反りやすく
、より一層の接着力が要求されている。
本考案の目的は上記欠点を解決し、工程が単純でしかも
封止樹脂と回路基板間の接着強度を上げるIC封止構造
を提供することにある。
以下図面により、本考案の実施例について説明する。
第1図乃至第3図は本考案の樹脂封止工程を示すもので
あり、第1図において、ICチップ1を搭載した回路基
板2の封止枠体4を載置する部分の外側に、撥水性を有
する樹脂として、本実施例ではシリコン樹脂3を予め印
刷しておいてから、第2図に示す如くに、封止枠体4を
回路基板2に載置する。
しかる後に、前記封止枠体4の内部に、第3図に示す如
く封止樹脂5を注入すると、該封止樹脂5は封止枠体4
の内部に充填されて、第5図の拡大詳細図に示す如く、
回路基板2と封止枠体4との当接部の微小間隙2aに流
れ込んで、しかるのちに外側のシリコン樹脂3によって
その流出を規制される。
上記微小間隙2aは、回路基板2の銅箔パターンと、銅
箔パターンのない部分との段差(一般には18μと35
μとがある)もしくは、回路基板2自身の反り、封止枠
体4の変形等により発生している。
第4図は従来例を示すものであり、前記シリコン樹脂3
を封止枠体4の外側と内側の両方に付着される如くに印
刷したものである。
第6図は第4図の部分拡大図であり、封止樹脂5はシリ
コン樹脂3によって阻止されるため微小間隙2aに流れ
込まない事になる。
従って、熱硬化処理後、封止樹脂5と一体となった封止
枠体4と回路基板2との接着強度は本考案の構造のもの
より弱い事は明白である。
以上の説明で明らかな如く、本考案に於けるICの封止
構造は、封止枠体4と回路基板2との微小間隙2aにむ
しろ積極的に封止樹脂5を流れ込ませて、封止枠体4と
回路基板2とを接着する接着剤としての機能を持たせる
事により、飛躍的に封止枠体4と回路基板2との接着強
度を向上させ得る事が出来しかも、封止樹脂5は封止枠
体4の外側に印刷しである撥水性樹脂3の樹脂層によっ
て、封止枠体4外への流出が阻止されるから、回路基板
2のパターン上に流出して汚染する事もなく、回路構造
上何ら支障となる事はない。
さらに本考案は、取扱性の良い撥水性樹脂の印刷、封止
枠体の載置、封止樹脂の注入、熱硬化処理という単純な
製造工程により十分な信頼性を有するIC封止を行う事
が可能となり、又従来前われていた熱硬化性の接着剤を
用いて回路基板に封止枠体を予め接着しておく方法に比
べて取扱性の悪い熱硬化性接着剤の塗布及び封止枠体接
着の為の硬化処理工程が不要となり製造コストの低廉化
が可能になる等、多大な効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の撥水性樹脂を印刷した回路基板に於け
るIC実装部の断面図、第2図は封止枠体載置状態を示
す断面図、第3図はIC樹脂封止後の状態を示す断面図
、第4図は従来の樹脂封止構造を示すIC実装部の断面
図、第5図は第3図の部分拡大図、第6図は第4図の部
分拡大図を示す。 1・・・・・・ICチップ、2・・・・・・回路基板、
3・・・・・・シリコン樹脂、4・・・・・・封止枠体
、5・・・・・・封止樹脂、2a・・・・・・微小間隙

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 回路基板に搭載されたICチップの周囲に載置された封
    止枠体と該封止枠体の外側に印刷された前記封止枠体内
    に注入される封止樹脂の封止枠体外への流出を防止する
    為の撥水性樹脂層と前記封止枠体内に注入される事によ
    ってICチップを封止する封止樹脂よりなり、前記封止
    枠体の下部に流入し、かつ撥水性樹脂層によって、流れ
    どめされた封止樹脂が前記回路基板と封止枠体とを固着
    するための接着剤を兼ねた事を特徴とするICの封止構
    造。
JP1978098607U 1978-07-18 1978-07-18 Ic封止構造 Expired JPS584189Y2 (ja)

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JP1978098607U JPS584189Y2 (ja) 1978-07-18 1978-07-18 Ic封止構造

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JPS5514785U JPS5514785U (ja) 1980-01-30
JPS584189Y2 true JPS584189Y2 (ja) 1983-01-24

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ID=29034530

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH079916B2 (ja) * 1985-06-13 1995-02-01 松下電工株式会社 電子素子用チップキャリアの製造方法
CN106257652B (zh) 2015-06-16 2020-03-27 台达电子企业管理(上海)有限公司 封装模块及封装方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS532078A (en) * 1976-06-28 1978-01-10 Citizen Watch Co Ltd Sealing structure for semiconductor device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5274760U (ja) * 1975-12-01 1977-06-03

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JPS532078A (en) * 1976-06-28 1978-01-10 Citizen Watch Co Ltd Sealing structure for semiconductor device

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