JP2002198401A - 半導体装置用テープキャリア - Google Patents
半導体装置用テープキャリアInfo
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】後で行われるディスペンサによる樹脂封止の確
実性を緩和することができる半導体装置用テープキャリ
アを提供する。 【解決手段】配線層４の、デバイスホール５の周辺に位
置する部分Ｂとデバイスホール５より離れて位置する部
分Ｃとにフィルム状のカバー材１７を貼り付ける。
実性を緩和することができる半導体装置用テープキャリ
アを提供する。 【解決手段】配線層４の、デバイスホール５の周辺に位
置する部分Ｂとデバイスホール５より離れて位置する部
分Ｃとにフィルム状のカバー材１７を貼り付ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用テー
プキャリアに関し、特に、樹脂封止の確実性を緩和する
ことができる半導体装置用テープキャリアに関する。
プキャリアに関し、特に、樹脂封止の確実性を緩和する
ことができる半導体装置用テープキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４の（ａ）は、従来の半導体装置用テ
ープキャリアの構成を示したもので、ポリイミドテープ
１と、インナリード２およびアウタリード３を含んでポ
リイミドテープ１の表面に所定のパターンに形成された
配線層４との貼り合わせ体を基本構成としている。
ープキャリアの構成を示したもので、ポリイミドテープ
１と、インナリード２およびアウタリード３を含んでポ
リイミドテープ１の表面に所定のパターンに形成された
配線層４との貼り合わせ体を基本構成としている。
【０００３】ポリイミドテープ１の中央には、半導体チ
ップ搭載部であるデバイスホール５が形成されるととも
に、アウタリード３の部分と両サイドには、外部電極の
接続を可能にするためのアウタホール６と搬送および位
置決めのための送り孔７が形成され、さらに、配線層４
の各リードの先端には、搭載された半導体チップの動作
を確認するためのテストパッド８が形成される。
ップ搭載部であるデバイスホール５が形成されるととも
に、アウタリード３の部分と両サイドには、外部電極の
接続を可能にするためのアウタホール６と搬送および位
置決めのための送り孔７が形成され、さらに、配線層４
の各リードの先端には、搭載された半導体チップの動作
を確認するためのテストパッド８が形成される。
【０００４】９は実装時において半田が付着しあるいは
浸透するのを防ぐために配線層４の所定の個所を覆うよ
うに形成されたソルダレジスト層を示し、多くの場合、
エポキシ樹脂系の材料を構成材とする液状のソルダレジ
スト材を印刷塗布した後、これに加熱硬化処理を施すこ
とによって形成されている。
浸透するのを防ぐために配線層４の所定の個所を覆うよ
うに形成されたソルダレジスト層を示し、多くの場合、
エポキシ樹脂系の材料を構成材とする液状のソルダレジ
スト材を印刷塗布した後、これに加熱硬化処理を施すこ
とによって形成されている。
【０００５】図４の（ｂ）は、以上の構成のテープキャ
リア１０への半導体チップの搭載構造を示したもので、
デバイスホール５の位置において、半導体チップ１１の
電極１２とインナリード２が金バンプ１３を介して接続
され、これにより電極１２がアウタリード３を通じて外
部電極との接続のためにアウタホール６の位置に電気的
に引き出されている。１４はポリイミドテープ１と配線
層４を貼り合わせた接着剤、１５はインナリード２の表
面に形成されたＳｎあるいはＡｕ等のメッキを示す。
リア１０への半導体チップの搭載構造を示したもので、
デバイスホール５の位置において、半導体チップ１１の
電極１２とインナリード２が金バンプ１３を介して接続
され、これにより電極１２がアウタリード３を通じて外
部電極との接続のためにアウタホール６の位置に電気的
に引き出されている。１４はポリイミドテープ１と配線
層４を貼り合わせた接着剤、１５はインナリード２の表
面に形成されたＳｎあるいはＡｕ等のメッキを示す。
【０００６】以上のように構成される半導体装置用テー
プキャリア１０は、色々なタイプの半導体装置の基板と
して使用され、特に、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）タイプ等に代表される小型半導体装置
の基板用の構成材として欠かせない存在であるが、半導
体装置の小型化に伴って配線層４を微細に形成すると
き、ソルダレジスト層９による品質への悪影響が生ずる
ことがある。
プキャリア１０は、色々なタイプの半導体装置の基板と
して使用され、特に、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）タイプ等に代表される小型半導体装置
の基板用の構成材として欠かせない存在であるが、半導
体装置の小型化に伴って配線層４を微細に形成すると
き、ソルダレジスト層９による品質への悪影響が生ずる
ことがある。
【０００７】図４の（ｃ）は、ソルダレジストによる悪
影響の例を示したもので、配線層４上に塗布された流動
性を有するソルダレジスト材９ａが配線層４の端部より
流れ出した現象を示す。流れ出した部分１６は、本来の
位置よりＡ寸法だけ突出してインナリード２の側面ある
いは上面等を覆うことになる。その結果、寸法公差がは
ずれて不良となることがある。また、ソルダレジスト材
９ａは液状であるため、厚さが均一にすることが難し
く、配線が露出してしまう。更に、ポストキュアするた
め、熱収縮が生じて８０μｍ配線ピッチ以下では、テー
プの反りが大きく、生産性が悪くなる。
影響の例を示したもので、配線層４上に塗布された流動
性を有するソルダレジスト材９ａが配線層４の端部より
流れ出した現象を示す。流れ出した部分１６は、本来の
位置よりＡ寸法だけ突出してインナリード２の側面ある
いは上面等を覆うことになる。その結果、寸法公差がは
ずれて不良となることがある。また、ソルダレジスト材
９ａは液状であるため、厚さが均一にすることが難し
く、配線が露出してしまう。更に、ポストキュアするた
め、熱収縮が生じて８０μｍ配線ピッチ以下では、テー
プの反りが大きく、生産性が悪くなる。
【０００８】以上の問題を解決するものとして、特開平
５−１８３０１３号に記載されたテープキャリアが知ら
れている。インナリードとアウタリードを除くデバイス
ホールの周辺にフィルム状のソルダレジストを貼り付け
たもので、液状のソルダレジスト材を使用しないことに
よって、液状ソルダレジスト材の流動性を原因とした前
述の問題を解決し得たテープキャリアである。
５−１８３０１３号に記載されたテープキャリアが知ら
れている。インナリードとアウタリードを除くデバイス
ホールの周辺にフィルム状のソルダレジストを貼り付け
たもので、液状のソルダレジスト材を使用しないことに
よって、液状ソルダレジスト材の流動性を原因とした前
述の問題を解決し得たテープキャリアである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のこのタ
イプの半導体装置用テープキャリアによると、フィルム
状のソルダレジストがデバイスホールの周辺にしか形成
されていないため、後でディスペンサによって行われる
樹脂封止を確実に行う必要がある。
イプの半導体装置用テープキャリアによると、フィルム
状のソルダレジストがデバイスホールの周辺にしか形成
されていないため、後でディスペンサによって行われる
樹脂封止を確実に行う必要がある。
【００１０】従って、本発明の目的は、後でディスペン
サによって行われる樹脂封止の確実性を緩和することが
できる半導体装置用テープキャリアを提供することにあ
る。
サによって行われる樹脂封止の確実性を緩和することが
できる半導体装置用テープキャリアを提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、樹脂テープの表面に所定のパターンの配
線層を形成し、前記樹脂テープの所定の個所に半導体チ
ップ搭載部を形成した半導体装置用テープキャリアにお
いて、配線層の、半導体チップ搭載部の周辺に位置する
部分および前記半導体チップ搭載部の周辺より離れて位
置する部分にフィルム状のカバー材を貼り付けて構成さ
れることを特徴とする半導体装置用テープキャリアを提
供するものである。
達成するため、樹脂テープの表面に所定のパターンの配
線層を形成し、前記樹脂テープの所定の個所に半導体チ
ップ搭載部を形成した半導体装置用テープキャリアにお
いて、配線層の、半導体チップ搭載部の周辺に位置する
部分および前記半導体チップ搭載部の周辺より離れて位
置する部分にフィルム状のカバー材を貼り付けて構成さ
れることを特徴とする半導体装置用テープキャリアを提
供するものである。
【００１２】上記の樹脂テープとしては、ポリイミドテ
ープのようなポリマー単体より構成されるテープ、ある
いはガラスエポキシテープのようなポリマーにガラス繊
維を混入した強化樹脂テープ等が使用され、配線層とし
ては、電解銅箔あるいは圧延銅箔に代表される各種の金
属箔が使用される。
ープのようなポリマー単体より構成されるテープ、ある
いはガラスエポキシテープのようなポリマーにガラス繊
維を混入した強化樹脂テープ等が使用され、配線層とし
ては、電解銅箔あるいは圧延銅箔に代表される各種の金
属箔が使用される。
【００１３】フィルム状のカバー材としては、たとえ
ば、それ自身が熱融着性を有し、従って、接着剤なしで
配線層上に貼り付けることのできる材料によって構成さ
れる場合もあるが、多くの場合、貼り付けのための接着
剤を片面に有するフィルム状物が使用される。
ば、それ自身が熱融着性を有し、従って、接着剤なしで
配線層上に貼り付けることのできる材料によって構成さ
れる場合もあるが、多くの場合、貼り付けのための接着
剤を片面に有するフィルム状物が使用される。
【００１４】また、カバー材の構成材としては、カバー
材の貼り付けの過程で施される加熱処理のためにテープ
キャリアが反ることがないように、４×１０-6／℃以下
（於：室温〜３００℃）の熱膨張係数を有していること
が好ましく、この条件を満足できる材質としては、たと
えば、アラミド樹脂を挙げることができる。
材の貼り付けの過程で施される加熱処理のためにテープ
キャリアが反ることがないように、４×１０-6／℃以下
（於：室温〜３００℃）の熱膨張係数を有していること
が好ましく、この条件を満足できる材質としては、たと
えば、アラミド樹脂を挙げることができる。
【００１５】カバー材の構成材料としてアラミド樹脂を
選択することは、テープキャリアに対して優れた耐酸性
および耐アルカリ性を与える結果につながり、この意味
からも好ましいことといえる。特に、耐アルカリ性の付
与は、アルカリ性インクを使用するプリンタの用途に適
用する場合に有意義であり、テープキャリアとしての有
用性を高めることになる。
選択することは、テープキャリアに対して優れた耐酸性
および耐アルカリ性を与える結果につながり、この意味
からも好ましいことといえる。特に、耐アルカリ性の付
与は、アルカリ性インクを使用するプリンタの用途に適
用する場合に有意義であり、テープキャリアとしての有
用性を高めることになる。
【００１６】カバー材は、フィルム状の原材よりプレス
によって所定の形状に打ち抜くのが普通であり、その場
合、配線層へのカバー材の貼り付けは、打ち抜いたカバ
ー材を別工程で貼り付けるよりも、打抜パンチの打抜動
作の延長においてそのまま配線層に貼り付けることが好
ましい。このようにするときには、打抜作業と貼り付け
作業が一つになる効率上の利益を得ることができるとと
もに、貼り付け精度の向上を図ることができる。
によって所定の形状に打ち抜くのが普通であり、その場
合、配線層へのカバー材の貼り付けは、打ち抜いたカバ
ー材を別工程で貼り付けるよりも、打抜パンチの打抜動
作の延長においてそのまま配線層に貼り付けることが好
ましい。このようにするときには、打抜作業と貼り付け
作業が一つになる効率上の利益を得ることができるとと
もに、貼り付け精度の向上を図ることができる。
【００１７】樹脂テープへの配線層の形成は、片面ある
いは両面形成のいずれでもよい。両面に形成する場合に
は、配線層の双方がカバー材によって覆われるのが普通
である。配線層の前身となる金属箔と樹脂テープの一体
化手段としては、接着剤を介して両者を貼り付けるか、
あるいは流動状とした樹脂テープの構成材を金属箔にコ
ーティングする方法が好ましい。半導体チップ搭載部
は、デバイスホールの形成を伴うケースと伴わないケー
スとがあり、これらは適用される半導体装置の構成によ
る。
いは両面形成のいずれでもよい。両面に形成する場合に
は、配線層の双方がカバー材によって覆われるのが普通
である。配線層の前身となる金属箔と樹脂テープの一体
化手段としては、接着剤を介して両者を貼り付けるか、
あるいは流動状とした樹脂テープの構成材を金属箔にコ
ーティングする方法が好ましい。半導体チップ搭載部
は、デバイスホールの形成を伴うケースと伴わないケー
スとがあり、これらは適用される半導体装置の構成によ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】次に、本発明による半導体装置用
テープキャリアの実施の形態を説明する。図１の（ａ）
は、テープキャリアの平面を示したもので、７５μｍの
厚さと７０ｍｍの幅を有し、所定の個所に半導体チップ
搭載部としてのデバイスホール５、アウタホール６およ
び送り孔７を設けられたポリイミドテープ１の表面に、
厚さが１８μｍの銅箔のエッチング体より構成され、イ
ンナリード２、アウタリード３およびテストパッド８を
有する所定のパターンの配線層４（リード間ピッチ５０
μｍ）を形成して構成されている。
テープキャリアの実施の形態を説明する。図１の（ａ）
は、テープキャリアの平面を示したもので、７５μｍの
厚さと７０ｍｍの幅を有し、所定の個所に半導体チップ
搭載部としてのデバイスホール５、アウタホール６およ
び送り孔７を設けられたポリイミドテープ１の表面に、
厚さが１８μｍの銅箔のエッチング体より構成され、イ
ンナリード２、アウタリード３およびテストパッド８を
有する所定のパターンの配線層４（リード間ピッチ５０
μｍ）を形成して構成されている。
【００１９】１７は、配線層４上に貼り付けられた厚さ
が２０μｍのカバー材を示し、図１の（ｂ）に示される
ように、アラミド樹脂より構成されるフィルム１８の片
面に厚さが１２μｍのエポキシ樹脂系の接着剤１９を形
成した構成を有する。接着剤１９は、１８０℃に加熱さ
れることによって硬化し、これによりポリイミドテープ
１上の接着剤１４および配線層４に接着している。
が２０μｍのカバー材を示し、図１の（ｂ）に示される
ように、アラミド樹脂より構成されるフィルム１８の片
面に厚さが１２μｍのエポキシ樹脂系の接着剤１９を形
成した構成を有する。接着剤１９は、１８０℃に加熱さ
れることによって硬化し、これによりポリイミドテープ
１上の接着剤１４および配線層４に接着している。
【００２０】カバー材１７は、接着剤１９を介して接着
剤１４と配線層４に接合されており、これにより図１の
（ａ）に示されるように、配線層４の、デバイスホール
５の周辺に位置する部分Ｂおよびデバイスホール５の周
辺より離れて位置する部分Ｃを覆っている。なお、配線
層４のカバー材１７よりの露出部分には、０．４μｍの
厚さの無電解Ｓｎメッキが施されている。
剤１４と配線層４に接合されており、これにより図１の
（ａ）に示されるように、配線層４の、デバイスホール
５の周辺に位置する部分Ｂおよびデバイスホール５の周
辺より離れて位置する部分Ｃを覆っている。なお、配線
層４のカバー材１７よりの露出部分には、０．４μｍの
厚さの無電解Ｓｎメッキが施されている。
【００２１】図１の（ｃ）は、以上のように構成される
テープキャリア１０において、デバイスホール５に突出
したインナリード２の部分を拡大して示したものであ
る。ソルダレジストがアラミド樹脂のフィルム１８をベ
ースとするカバー材１７の貼り付けによって形成されて
いるため、ソルダレジストがインナリード２上に突出す
ることがなく、従って、その実際に形成される端部位置
と設計上の位置との精度Ｄは、最小のものとなる。勿
論、従来のテープキャリアのように、配線層４がソルダ
レジストより部分的に露出する問題も生ずることはな
い。
テープキャリア１０において、デバイスホール５に突出
したインナリード２の部分を拡大して示したものであ
る。ソルダレジストがアラミド樹脂のフィルム１８をベ
ースとするカバー材１７の貼り付けによって形成されて
いるため、ソルダレジストがインナリード２上に突出す
ることがなく、従って、その実際に形成される端部位置
と設計上の位置との精度Ｄは、最小のものとなる。勿
論、従来のテープキャリアのように、配線層４がソルダ
レジストより部分的に露出する問題も生ずることはな
い。
【００２２】また、カバー材１７が、半導体チップの搭
載部であるデバイスホール５の周辺位置の部分Ｂだけで
なく、デバイスホール５の周辺より離れて位置する部分
Ｃにも形成されているため、後で行われるディスペンサ
による樹脂封止の確実性を緩和することができる。
載部であるデバイスホール５の周辺位置の部分Ｂだけで
なく、デバイスホール５の周辺より離れて位置する部分
Ｃにも形成されているため、後で行われるディスペンサ
による樹脂封止の確実性を緩和することができる。
【００２３】図１のテープキャリアの信頼性を確認する
ため、このテープキャリアを使用して構成された半導体
装置を対象にマイグレーション試験を実施したところ、
８５℃×８５％ＲＨ、印加電圧３０Ｖ、および試験期間
１０００時間の条件下において１０9 Ω以上の絶縁抵抗
値が得られた。高水準の抵抗値であり、充分な有用性を
有していることが確認された。
ため、このテープキャリアを使用して構成された半導体
装置を対象にマイグレーション試験を実施したところ、
８５℃×８５％ＲＨ、印加電圧３０Ｖ、および試験期間
１０００時間の条件下において１０9 Ω以上の絶縁抵抗
値が得られた。高水準の抵抗値であり、充分な有用性を
有していることが確認された。
【００２４】なお、本実施の形態においては、カバー材
１７のフィルム１８がアラミド樹脂より構成されている
ため、その小さな熱膨張係数のゆえに、接着剤１９の硬
化処理のための加熱の際にテープキャリアが反ることが
なく、この点は、熱収縮の大きな液状ソルダレジストの
塗布による従来のテープキャリアからは得ることのでき
ない利点である。因みに、本実施の形態によるテープキ
ャリアの反りは、図１の構成のテープキャリアの場合の
１／３以下に納まることが確認されている。
１７のフィルム１８がアラミド樹脂より構成されている
ため、その小さな熱膨張係数のゆえに、接着剤１９の硬
化処理のための加熱の際にテープキャリアが反ることが
なく、この点は、熱収縮の大きな液状ソルダレジストの
塗布による従来のテープキャリアからは得ることのでき
ない利点である。因みに、本実施の形態によるテープキ
ャリアの反りは、図１の構成のテープキャリアの場合の
１／３以下に納まることが確認されている。
【００２５】図２は、本発明による半導体装置用テープ
キャリアの他の実施の形態を示す。図１との違いは、図
１のようにカバー材１７を部分Ｂから部分Ｃまで連続し
て形成せずに、部分Ｂ側のカバー材１７ａと部分Ｃ側の
カバー材１７ｂとに分離して形成した点にある。この構
成は、カバー材を最小に形成する場合に採用される形式
であり、効果は、当然、図１と同様のものとなる。
キャリアの他の実施の形態を示す。図１との違いは、図
１のようにカバー材１７を部分Ｂから部分Ｃまで連続し
て形成せずに、部分Ｂ側のカバー材１７ａと部分Ｃ側の
カバー材１７ｂとに分離して形成した点にある。この構
成は、カバー材を最小に形成する場合に採用される形式
であり、効果は、当然、図１と同様のものとなる。
【００２６】図３は、本発明による半導体装置用テープ
キャリアのさらに他の実施の形態を示す。図中の符号に
おいて、他図の符号と同一の符号は同じ部分を示すこの
図は、図１の構成においてデバイスホール５を省略した
例である。図示はされていないが、カバー材１７は、図
１の部分Ｂから部分Ｃに相当する位置に連続して貼り付
けられており、従って、この例の場合にも、図１と同様
の効果が得られることになる。
キャリアのさらに他の実施の形態を示す。図中の符号に
おいて、他図の符号と同一の符号は同じ部分を示すこの
図は、図１の構成においてデバイスホール５を省略した
例である。図示はされていないが、カバー材１７は、図
１の部分Ｂから部分Ｃに相当する位置に連続して貼り付
けられており、従って、この例の場合にも、図１と同様
の効果が得られることになる。
【００２７】なお、本発明の適用対象となるテープキャ
リアとしては、図１〜図３に例示した以外に、インナリ
ードと半導体チップの接続をワイヤボンディングによっ
て行うタイプ、同接続をインナリードの直接ボンディン
グによって行うタイプ、あるいは同接続を異方性導電膜
を介して行うタイプ、さらには、ビームリード型ＬＣＤ
（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）用
等様々なタイプのテープキャリアを挙げることができ
る。
リアとしては、図１〜図３に例示した以外に、インナリ
ードと半導体チップの接続をワイヤボンディングによっ
て行うタイプ、同接続をインナリードの直接ボンディン
グによって行うタイプ、あるいは同接続を異方性導電膜
を介して行うタイプ、さらには、ビームリード型ＬＣＤ
（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）用
等様々なタイプのテープキャリアを挙げることができ
る。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体装置用テープキャリアによれば、配線層の、半導体チ
ップ搭載部の周辺に位置する部分および半導体チップ搭
載部の周辺より離れて位置する部分にフィルム状のカバ
ー材を貼り付けた構成を有するため、後で行われるディ
スペンサによる樹脂封止の確実性を緩和することができ
る。
体装置用テープキャリアによれば、配線層の、半導体チ
ップ搭載部の周辺に位置する部分および半導体チップ搭
載部の周辺より離れて位置する部分にフィルム状のカバ
ー材を貼り付けた構成を有するため、後で行われるディ
スペンサによる樹脂封止の確実性を緩和することができ
る。
【図１】本発明による半導体装置用テープキャリアの実
施の形態を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）
は（ａ）のＥ−Ｅ断面図、（ｃ）は（ａ）のインナリー
ド部の拡大図を示す。
施の形態を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）
は（ａ）のＥ−Ｅ断面図、（ｃ）は（ａ）のインナリー
ド部の拡大図を示す。
【図２】本発明による半導体装置用テープキャリアの他
の実施の形態を示す説明図である。
の実施の形態を示す説明図である。
【図３】本発明による半導体装置用テープキャリアのさ
らに他の実施の形態を示す説明図である。
らに他の実施の形態を示す説明図である。
【図４】従来の半導体装置用テープキャリアを示す説明
図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は半導体チップを搭
載した構造、（ｃ）は（ａ）のインナリード部の拡大図
を示す。
図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は半導体チップを搭
載した構造、（ｃ）は（ａ）のインナリード部の拡大図
を示す。
１ ポリイミドテープ ２ インナリード ３ アウタリード ４ 配線層 ５ デバイスホール ６ アウタホール ７ 送り孔 ８ テストパッド ９ ソルダレジスト層 １０ テープキャリア １１ 半導体チップ １２ 電極 １３ 金バンプ １４、１９ 接着剤 １５ メッキ １７、１７ａ、１７ｂ カバー材 １８ フィルム
【手続補正書】
【提出日】平成１４年２月８日（２００２．２．８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のこのタ
イプの半導体装置用テープキャリアによると、ソルダレ
ジストについての耐酸性および耐アルカリ性に乏しく、
特に、アルカリ性インクを使用したプリンタの用途に使
用する場合には問題になることが懸念されると共に、フ
ィルム状のソルダレジストがデバイスホールの周辺にし
か形成されていないため、後でディスペンサによって行
われる樹脂封止を確実に行う必要がある。
イプの半導体装置用テープキャリアによると、ソルダレ
ジストについての耐酸性および耐アルカリ性に乏しく、
特に、アルカリ性インクを使用したプリンタの用途に使
用する場合には問題になることが懸念されると共に、フ
ィルム状のソルダレジストがデバイスホールの周辺にし
か形成されていないため、後でディスペンサによって行
われる樹脂封止を確実に行う必要がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】従って、本発明の目的は、耐酸性および耐
アルカリ性に優れた特定の樹脂からなるフィルム状のカ
バー材を使用することによって上記懸念を解消すること
ができ、また、後でディスペンサによって行われる樹脂
封止の確実性を緩和することができる半導体装置用テー
プキャリアを提供することにある。
アルカリ性に優れた特定の樹脂からなるフィルム状のカ
バー材を使用することによって上記懸念を解消すること
ができ、また、後でディスペンサによって行われる樹脂
封止の確実性を緩和することができる半導体装置用テー
プキャリアを提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】本発明は、上記目的を達成するため、樹脂
テープの表面に所定のパターンの配線層を形成し、前記
樹脂テープの所定の個所に半導体チップ搭載部を形成
し、前記配線層の一部を覆うようにフィルム状のカバー
材を貼り付けて構成した半導体装置用テープキャリアに
おいて、前記フィルム状のカバー材として、アラミド樹
脂より構成されたものを使用することを特徴とする半導
体装置用テープキャリアを提供するものである。また、
本発明は、上記の目的を達成するため、樹脂テープの表
面に所定のパターンの配線層を形成し、前記樹脂テープ
の所定の個所に半導体チップ搭載部を形成した半導体装
置用テープキャリアにおいて、配線層の、半導体チップ
搭載部の周辺に位置する部分および前記半導体チップ搭
載部の周辺より離れて位置する部分にフィルム状のカバ
ー材を貼り付けて構成されることを特徴とする半導体装
置用テープキャリアを提供するものである。
テープの表面に所定のパターンの配線層を形成し、前記
樹脂テープの所定の個所に半導体チップ搭載部を形成
し、前記配線層の一部を覆うようにフィルム状のカバー
材を貼り付けて構成した半導体装置用テープキャリアに
おいて、前記フィルム状のカバー材として、アラミド樹
脂より構成されたものを使用することを特徴とする半導
体装置用テープキャリアを提供するものである。また、
本発明は、上記の目的を達成するため、樹脂テープの表
面に所定のパターンの配線層を形成し、前記樹脂テープ
の所定の個所に半導体チップ搭載部を形成した半導体装
置用テープキャリアにおいて、配線層の、半導体チップ
搭載部の周辺に位置する部分および前記半導体チップ搭
載部の周辺より離れて位置する部分にフィルム状のカバ
ー材を貼り付けて構成されることを特徴とする半導体装
置用テープキャリアを提供するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体装置用テープキャリアによれば、耐酸性および耐アル
カリ性に優れたアラミド樹脂より構成されたフィルム状
カバー材を使用するため、例えば、アルカリ性インクの
プリンタの用途に使用した場合に懸念される問題を解消
することができる。また、配線層の、半導体チップ搭載
部の周辺に位置する部分および前記半導体チップ搭載部
の周辺より離れて位置する部分にフィルム状のカバー材
を貼り付けた構成を有するため、後で行われるディスペ
ンサによる樹脂封止の確実性を緩和することができる。
体装置用テープキャリアによれば、耐酸性および耐アル
カリ性に優れたアラミド樹脂より構成されたフィルム状
カバー材を使用するため、例えば、アルカリ性インクの
プリンタの用途に使用した場合に懸念される問題を解消
することができる。また、配線層の、半導体チップ搭載
部の周辺に位置する部分および前記半導体チップ搭載部
の周辺より離れて位置する部分にフィルム状のカバー材
を貼り付けた構成を有するため、後で行われるディスペ
ンサによる樹脂封止の確実性を緩和することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 良光 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 Ｆターム(参考） 5F044 MM03 MM04 MM13 MM16 MM48 RR19
Claims (8)
- 【請求項１】樹脂テープの表面に所定のパターンの配線
層を形成し、前記樹脂テープの所定の個所に半導体チッ
プ搭載部を形成した半導体装置用テープキャリアにおい
て、 配線層の、半導体チップ搭載部の周辺に位置する部分お
よび前記半導体チップ搭載部の周辺より離れて位置する
部分にフィルム状のカバー材を貼り付けて構成されるこ
とを特徴とする半導体装置用テープキャリア。 - 【請求項２】前記カバー材は、片面に接着剤層を有し、
前記接着剤層を介して前記配線層に貼り付けられている
ことを特徴とする請求項１項記載の半導体装置用テープ
キャリア。 - 【請求項３】前記カバー材は、室温より３００℃の温度
範囲において４×１０-6／℃以下の熱膨張係数を有する
ことを特徴とする請求項１項記載の半導体装置用テープ
キャリア。 - 【請求項４】前記カバー材は、アラミド樹脂より構成さ
れることを特徴とする請求項３項記載の半導体装置用テ
ープキャリア。 - 【請求項５】前記カバー材は、打抜プレスにより所定の
形状に打ち抜かれているとともに、前記打抜プレスが備
える打抜パンチの打抜動作の延長において前記配線層に
貼り付けられていることを特徴とする請求項１項記載の
半導体装置用テープキャリア。 - 【請求項６】前記配線層は、前記樹脂テープの両面に形
成され、前記カバー材は、前記樹脂テープの両面に形成
された前記配線層のそれぞれに貼り付けられていること
を特徴とする請求項１項記載の半導体装置用テープキャ
リア。 - 【請求項７】前記半導体チップ搭載部は、デバイスホー
ルを有して前記樹脂テープの所定の個所に形成されてい
ることを特徴とする請求項１項記載の半導体装置用テー
プキャリア。 - 【請求項８】前記半導体チップ搭載部は、デバイスホー
ルなしで前記樹脂テープの所定の個所に形成されている
ことを特徴とする請求項１項記載の半導体装置用テープ
キャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000397109A JP3460696B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 半導体装置用テープキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000397109A JP3460696B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 半導体装置用テープキャリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002198401A true JP2002198401A (ja) | 2002-07-12 |
| JP3460696B2 JP3460696B2 (ja) | 2003-10-27 |
Family
ID=18862291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000397109A Expired - Fee Related JP3460696B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 半導体装置用テープキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3460696B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7353595B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-04-08 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a printed circuit board that mounts an integrated circuit device thereon |
| JP2009021639A (ja) * | 2008-10-27 | 2009-01-29 | Sharp Corp | 半導体キャリア用フィルムおよびそれを用いた半導体装置、液晶モジュール |
-
2000
- 2000-12-27 JP JP2000397109A patent/JP3460696B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7353595B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-04-08 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a printed circuit board that mounts an integrated circuit device thereon |
| JP2009021639A (ja) * | 2008-10-27 | 2009-01-29 | Sharp Corp | 半導体キャリア用フィルムおよびそれを用いた半導体装置、液晶モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3460696B2 (ja) | 2003-10-27 |
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