JPS59114445A - 透明体の欠陥検出装置 - Google Patents
透明体の欠陥検出装置Info
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- JPS59114445A JPS59114445A JP57225443A JP22544382A JPS59114445A JP S59114445 A JPS59114445 A JP S59114445A JP 57225443 A JP57225443 A JP 57225443A JP 22544382 A JP22544382 A JP 22544382A JP S59114445 A JPS59114445 A JP S59114445A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/90—Investigating the presence of flaws or contamination in a container or its contents
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- G—PHYSICS
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/90—Investigating the presence of flaws or contamination in a container or its contents
- G01N21/9018—Dirt detection in containers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はガラス瓶などの透明体の欠陥検出装置に関す
る。
る。
この種の欠陥検出を光照射により行う装置として、従来
よりダークオン方式を採用したものと偏光ライトオン方
式を採用したものが知られている０ダ一クオン方式は、
検査される透明体の材料素地に混入した異物などの遮光
性を利用して、検出面に前記異物などに対応する暗部を
映し出すようにしたものである。
よりダークオン方式を採用したものと偏光ライトオン方
式を採用したものが知られている０ダ一クオン方式は、
検査される透明体の材料素地に混入した異物などの遮光
性を利用して、検出面に前記異物などに対応する暗部を
映し出すようにしたものである。
しかしながら、この方式の場合、検出される異物は煉瓦
片や金属などの遮光性異物に限られる。
片や金属などの遮光性異物に限られる。
例えば被検査体がガラス瓶である場合には、細結晶化し
たガラス素材が材料素地に混入すると歪が生じるのでこ
のような異物の混入は許されないが、上記方式ではこの
ような透明異物の検出は不可能である。しかも、この方
式では微細な異物まで検出できるように精度を上げよう
とすると、不良とすべきで々い合せ目、梨地、彫刻など
も異物と区別されずに検出されてしまい、これらを不良
品と誤って判定してしまうことになる。
たガラス素材が材料素地に混入すると歪が生じるのでこ
のような異物の混入は許されないが、上記方式ではこの
ような透明異物の検出は不可能である。しかも、この方
式では微細な異物まで検出できるように精度を上げよう
とすると、不良とすべきで々い合せ目、梨地、彫刻など
も異物と区別されずに検出されてしまい、これらを不良
品と誤って判定してしまうことになる。
一方、偏光ライトオン方式は、被検査体に光を照射する
入射側と、被検査体を透過した光を検出する検出側とに
それぞれ偏光板を配置して、これら偏光板の主軸が直交
するように角度設定し１被検査体の材料素地内に異物な
どがないときは、入射側偏光板よシ取シ出された平面偏
光が被検査体をそのまま透過するので、この透過光は検
出側偏光板で遮光されて検出面に届か女い一方、材料素
地内に異物があってその部分に歪が生じているときは、
との歪部の光弾性効果によって被検査体を透過する光に
検出側偏光板を透過する平面偏光成分が生じるので、こ
れを検出面で検出することによシ異物の有無すなわち欠
陥検出を行うものである。
入射側と、被検査体を透過した光を検出する検出側とに
それぞれ偏光板を配置して、これら偏光板の主軸が直交
するように角度設定し１被検査体の材料素地内に異物な
どがないときは、入射側偏光板よシ取シ出された平面偏
光が被検査体をそのまま透過するので、この透過光は検
出側偏光板で遮光されて検出面に届か女い一方、材料素
地内に異物があってその部分に歪が生じているときは、
との歪部の光弾性効果によって被検査体を透過する光に
検出側偏光板を透過する平面偏光成分が生じるので、こ
れを検出面で検出することによシ異物の有無すなわち欠
陥検出を行うものである。
しかし、材料素地内に混入する異物の大半は、大きいも
のでも歪のないものがほとんどであり、しかもこ糺ら異
物は大抵遮光性を呈するため、異物に対応する透過光は
ほとんどの場合検出できず、わずかに異物の周辺部に生
ずる歪に起因する透過光を検出できるにすぎず、検出精
度はダークオン方式に比べてかなシ低くなる０この方式
で検出精度を高めようとすると、光電変換器が高価にな
シ、さらに光源の光強度も上げなければならないので、
光熱で偏光板が溶解しないように冷却装置を設けたり配
水処理を施すなどの対策を講じる必要があシ、構成が複
雑になシ使用にも不便でメンテナンスも容易でないなど
の欠点を有する。
のでも歪のないものがほとんどであり、しかもこ糺ら異
物は大抵遮光性を呈するため、異物に対応する透過光は
ほとんどの場合検出できず、わずかに異物の周辺部に生
ずる歪に起因する透過光を検出できるにすぎず、検出精
度はダークオン方式に比べてかなシ低くなる０この方式
で検出精度を高めようとすると、光電変換器が高価にな
シ、さらに光源の光強度も上げなければならないので、
光熱で偏光板が溶解しないように冷却装置を設けたり配
水処理を施すなどの対策を講じる必要があシ、構成が複
雑になシ使用にも不便でメンテナンスも容易でないなど
の欠点を有する。
このほかダークオン方式の一例として、主軸を同一方向
に揃えた一対の平面偏光板を被検査体の前後に配置し、
被検査体に異物がないときに限り検出側まで光透過され
るようにして、透明体の欠陥検出をはかることも可能で
ある。しかし、この場合には平面偏光板の主軸を揃える
セツティングが面倒であり、十分な成果も得られない。
に揃えた一対の平面偏光板を被検査体の前後に配置し、
被検査体に異物がないときに限り検出側まで光透過され
るようにして、透明体の欠陥検出をはかることも可能で
ある。しかし、この場合には平面偏光板の主軸を揃える
セツティングが面倒であり、十分な成果も得られない。
この発明は、従来例における如上の欠点を解消し、検出
精度が高く構成も簡単な透明体の欠陥検出装置を提供す
ることを目的とするものである。
精度が高く構成も簡単な透明体の欠陥検出装置を提供す
ることを目的とするものである。
この発明の第１の実施例を第１図ないし第８図に基づき
以下に説明する。
以下に説明する。
この実施例の欠陥検出装置は、ガラス瓶を被検査体ｌと
し、その胴部の欠陥検査を行うものであって、拡散光源
となる拡散板２から被検査体ｌに向けて拡散光が照射さ
れる入射側に、偏光板３＆％％波長板３ｂの組合せから
なシ光源側に向けた偏光板３＆で拡散光を受け％波長板
３ｂに対応する単色光をに波長板３ｂ側から所定旋回方
向の円偏光として取り出す入射側円偏光偏光子３を配置
する一方、被検査体ｌ−を透過した光をレンズ系４で集
光して光学像を結像させ、その光学像を結像面５に配置
した光電変換器６で電気信号に変換するようにした検出
側に、入射側の％波長板３ｂと同じ％波長板７ｂ、偏光
板７ａの組合せからなシ被検査体１を透過した光のうち
前記入射側における円偏光と同じ旋回方向の円偏光を被
検査体１側に向けた％波長板７ｂで受は入れ偏光板７ａ
側から平面偏光として取り出す検出側円偏光偏光子７を
配置し、光電変換器６よシ出力される電気信号を次段の
信号処理系８・・・でアナログ演算処理して、被検査体
ｌの欠陥検出を行うようにしたものである。
し、その胴部の欠陥検査を行うものであって、拡散光源
となる拡散板２から被検査体ｌに向けて拡散光が照射さ
れる入射側に、偏光板３＆％％波長板３ｂの組合せから
なシ光源側に向けた偏光板３＆で拡散光を受け％波長板
３ｂに対応する単色光をに波長板３ｂ側から所定旋回方
向の円偏光として取り出す入射側円偏光偏光子３を配置
する一方、被検査体ｌ−を透過した光をレンズ系４で集
光して光学像を結像させ、その光学像を結像面５に配置
した光電変換器６で電気信号に変換するようにした検出
側に、入射側の％波長板３ｂと同じ％波長板７ｂ、偏光
板７ａの組合せからなシ被検査体１を透過した光のうち
前記入射側における円偏光と同じ旋回方向の円偏光を被
検査体１側に向けた％波長板７ｂで受は入れ偏光板７ａ
側から平面偏光として取り出す検出側円偏光偏光子７を
配置し、光電変換器６よシ出力される電気信号を次段の
信号処理系８・・・でアナログ演算処理して、被検査体
ｌの欠陥検出を行うようにしたものである。
前記したように入射側円偏光偏光子３として、第４図（
＆）に示すように光源側に向く偏光板３ａの主軸Ｐ０に
対し％波長板３ｂの主軸Ｑ１□かに波長板３ｂ側からみ
て時計方向にシ、だけずれている右円偏光偏光子を用い
た場合、検出側円偏光偏光子７は、光電変換器６側に向
く偏光板７ａの主軸Ｐ、に対しに波長板７ｂの主軸Ｑ１
．がこの％波長板７１３側からみて電だけ時計方向にず
れている（第４図（ｂ）は％波長板７ｂ側よシみた状態
を示す）同じく右円偏光偏光子を用いる。逆に入射側円
偏光偏光子３として、第５図（＆）に示すように光源側
に向く偏光板３ａの主軸Ｐ□に対しに波長板３ｂの主軸
Ｑ□が反時計方向にシだけずれている左円偏光偏光子を
用いた場合は、検出側円偏光偏光子７として％板長板７
ｂ側からみた状態を示す第５図（ｂ）のように、偏光板
７ａの主軸Ｐ、に対し％波長板７ｂの主軸Ｑ１．がこの
％波長板７ｂ側からみて“／４だけ反時計方向にずれて
いる左円偏光偏光子を用いる。
＆）に示すように光源側に向く偏光板３ａの主軸Ｐ０に
対し％波長板３ｂの主軸Ｑ１□かに波長板３ｂ側からみ
て時計方向にシ、だけずれている右円偏光偏光子を用い
た場合、検出側円偏光偏光子７は、光電変換器６側に向
く偏光板７ａの主軸Ｐ、に対しに波長板７ｂの主軸Ｑ１
．がこの％波長板７１３側からみて電だけ時計方向にず
れている（第４図（ｂ）は％波長板７ｂ側よシみた状態
を示す）同じく右円偏光偏光子を用いる。逆に入射側円
偏光偏光子３として、第５図（＆）に示すように光源側
に向く偏光板３ａの主軸Ｐ□に対しに波長板３ｂの主軸
Ｑ□が反時計方向にシだけずれている左円偏光偏光子を
用いた場合は、検出側円偏光偏光子７として％板長板７
ｂ側からみた状態を示す第５図（ｂ）のように、偏光板
７ａの主軸Ｐ、に対し％波長板７ｂの主軸Ｑ１．がこの
％波長板７ｂ側からみて“／４だけ反時計方向にずれて
いる左円偏光偏光子を用いる。
検出側円偏光偏光子７は光電変換器６に近い位置に配置
して、偏光板７＆、％波長板７ｂなどの板厚やセツティ
ング誤差の影響ができるだけ小さくなるようにしている
が、原理的には被検査体ｌと光電変換器６の間であれば
どの位置に配置してもよく、例えばレンズ系４の前方に
円偏光偏光子７を配置してもよい。
して、偏光板７＆、％波長板７ｂなどの板厚やセツティ
ング誤差の影響ができるだけ小さくなるようにしている
が、原理的には被検査体ｌと光電変換器６の間であれば
どの位置に配置してもよく、例えばレンズ系４の前方に
円偏光偏光子７を配置してもよい。
各円偏光偏光子３，７の％波長板３ｂ、７ｂは波長８０
０ｍｍの単色光に対応させておｊＬ検出に使用する光の
中から波長８００ｎｍの単色光を選ぶ必要がある。
０ｍｍの単色光に対応させておｊＬ検出に使用する光の
中から波長８００ｎｍの単色光を選ぶ必要がある。
この単色光の選択は、拡散板２よシ拡散光を放射した直
後に行ってもよいが、この実施例では検出側円偏光偏光
子７の前方に、第６図に符号Ｕ）で示すＦ光特性の波長
コントロールフィルタ９を配置する一方、検出側円偏光
偏光子７の偏光板７ａとして第６図の符号（ロ）で示す
炉光特性の赤外偏光板を用い、検出側で近似的に波長８
００ｎｍの単色光を濾過しうるように設定している。こ
のような構成で濾過される光は厳密には単色光ではなく
、第６図に斜線を施して示すように波長８００ｎｍを中
心にして多少の帯域幅をもった光であるため、正確な円
偏光は取シ出せず多少楕円偏光の傾向を呈することにな
る。しかし、この程度の楕円偏光は検出精度にさほどの
影響を与えず、多少の帯域幅を持たせて差しつかえない
。また、これによシ検出に十分外光強度が得られるＯ前
記波長コントロールフィルタ９は必ずしもに波長板７ｂ
の前方に配置する必要はなく、光源から光電変換器６の
直前までの間であればどの位置に配置してもよいが、検
出側で単色光の濾過を行えば、光路途中で入射するおそ
れのある外乱光による影響を回避することもできる。
後に行ってもよいが、この実施例では検出側円偏光偏光
子７の前方に、第６図に符号Ｕ）で示すＦ光特性の波長
コントロールフィルタ９を配置する一方、検出側円偏光
偏光子７の偏光板７ａとして第６図の符号（ロ）で示す
炉光特性の赤外偏光板を用い、検出側で近似的に波長８
００ｎｍの単色光を濾過しうるように設定している。こ
のような構成で濾過される光は厳密には単色光ではなく
、第６図に斜線を施して示すように波長８００ｎｍを中
心にして多少の帯域幅をもった光であるため、正確な円
偏光は取シ出せず多少楕円偏光の傾向を呈することにな
る。しかし、この程度の楕円偏光は検出精度にさほどの
影響を与えず、多少の帯域幅を持たせて差しつかえない
。また、これによシ検出に十分外光強度が得られるＯ前
記波長コントロールフィルタ９は必ずしもに波長板７ｂ
の前方に配置する必要はなく、光源から光電変換器６の
直前までの間であればどの位置に配置してもよいが、検
出側で単色光の濾過を行えば、光路途中で入射するおそ
れのある外乱光による影響を回避することもできる。
光電変換器６は第３図に示すように複数の矩形単位素子
Ａ□ 、Ａ、・・・を整列させたダイオードアレーから
なる。各単位素子Ａ□ 、Ａ、・・・は例えば配列ピッ
チＰを１．５ｗｘ不感帯幅Ｗを０．３ ｍとし、その不
感帯幅をできるだけ狭く設定するＯガラス瓶の胴部の検
査に適用するこの実施例では、前記ダイオードアレーの
長手方向を被検査体１であるガラス瓶の高さ方向に揃え
ているＯ 被検金体ｌは回転させることによシ光走査して検査する
。
Ａ□ 、Ａ、・・・を整列させたダイオードアレーから
なる。各単位素子Ａ□ 、Ａ、・・・は例えば配列ピッ
チＰを１．５ｗｘ不感帯幅Ｗを０．３ ｍとし、その不
感帯幅をできるだけ狭く設定するＯガラス瓶の胴部の検
査に適用するこの実施例では、前記ダイオードアレーの
長手方向を被検査体１であるガラス瓶の高さ方向に揃え
ているＯ 被検金体ｌは回転させることによシ光走査して検査する
。
信号処理系８は、光電変換器６よシ出力される電気信号
をアナログ演算処理する演算回路１０と、演算回路ｌＯ
の出力から低周波信号を除去する高域ｐ波器１１と、高
域済波器１１の出力から高周波信号を除去する低域沖波
器１２と、絶体値回路１３と、この回路の出力と所定基
準電圧とを比較器１４と、前記基準電圧を与える基準電
圧発生器１５とからなる。
をアナログ演算処理する演算回路１０と、演算回路ｌＯ
の出力から低周波信号を除去する高域ｐ波器１１と、高
域済波器１１の出力から高周波信号を除去する低域沖波
器１２と、絶体値回路１３と、この回路の出力と所定基
準電圧とを比較器１４と、前記基準電圧を与える基準電
圧発生器１５とからなる。
この欠陥検出装置の作用について以下に説明する。
入射側円偏光偏光子３では、拡散板２から投射される拡
散光を受けて所定旋回方向の円偏光が取り出される。こ
の円偏光は被検査体１であるガラス瓶の胴部に照射され
る。被検査体１の材料素地に異物がないときには、照射
された円偏光はそのまま被検査体ｌを透過する。入射側
円偏光偏光子３と検出側円偏光偏光子７とは、互の％波
長板３ｂ。
散光を受けて所定旋回方向の円偏光が取り出される。こ
の円偏光は被検査体１であるガラス瓶の胴部に照射され
る。被検査体１の材料素地に異物がないときには、照射
された円偏光はそのまま被検査体ｌを透過する。入射側
円偏光偏光子３と検出側円偏光偏光子７とは、互の％波
長板３ｂ。
７ｂが対向し合うように配置されているので、被検査体
１を透過した円偏光は検出側円偏光偏光子７に受は入れ
られ偏光板７ａ側から平面偏光として取シ出される。す
なわち、被検査体ｌに異物混入がないときには、光が光
電変換器６まで透過する。
１を透過した円偏光は検出側円偏光偏光子７に受は入れ
られ偏光板７ａ側から平面偏光として取シ出される。す
なわち、被検査体ｌに異物混入がないときには、光が光
電変換器６まで透過する。
これに対し、被検査体１の材料素地に異物が混入してお
シ、この異物が遮光性を呈する場合には、検出側円偏光
偏光子７では、円偏光透過作用に関係なく異物に当った
光は透過されず、光電変換器６が配置される結像面では
、異物に対応する部分が第７図に符号（イ）で示すよう
に暗部となって結像される。
シ、この異物が遮光性を呈する場合には、検出側円偏光
偏光子７では、円偏光透過作用に関係なく異物に当った
光は透過されず、光電変換器６が配置される結像面では
、異物に対応する部分が第７図に符号（イ）で示すよう
に暗部となって結像される。
一方、異物の混入により被検査体ｌの異物周辺部で歪が
生じた場合は、入射側より被検査体ｌに照射される円偏
光は、前記歪部の光弾性効果により複屈折して被検査体
１を透過する０被検査体１を出た光は前記歪の程度に応
じて円偏光から楕円偏光へとずれるため、検出側円偏光
偏光子７では歪の程度に応じて光透過がさまたげられ、
結像面では第７図に符号（ロ）で示すように、前記異物
に対応する暗部（イ）の周辺部は歪部に対応する暗部で
囲まれる。すなわち、従来例のダークオン方式で得られ
る異物そのものに対応する暗部ピ）に比べて、歪部に対
応する暗部（ロ）の分だけ検出される暗部面積が大きく
なり、検出精度が向上することになる。
生じた場合は、入射側より被検査体ｌに照射される円偏
光は、前記歪部の光弾性効果により複屈折して被検査体
１を透過する０被検査体１を出た光は前記歪の程度に応
じて円偏光から楕円偏光へとずれるため、検出側円偏光
偏光子７では歪の程度に応じて光透過がさまたげられ、
結像面では第７図に符号（ロ）で示すように、前記異物
に対応する暗部（イ）の周辺部は歪部に対応する暗部で
囲まれる。すなわち、従来例のダークオン方式で得られ
る異物そのものに対応する暗部ピ）に比べて、歪部に対
応する暗部（ロ）の分だけ検出される暗部面積が大きく
なり、検出精度が向上することになる。
また、被検査体１がガラス瓶であるこの実施例において
材料素地に剛結晶化ガラスが混入した場合、このような
剛結晶化ガラスの混入は異物の混入と同様に欠陥と判定
する必要があるが、被検査体１に入射した円偏光は、こ
の剛結晶化ガラスによって複屈折する。したがって、被
検査体１を出た光は、剛結晶化ガラスの溶融状態の程度
に応じて検査側円偏光偏光子７で光透過がさまたけられ
、結像面では第８図に符号（ハ）で示すように細結晶イ
ヒガラスに対応する暗部が結像される０ ダイオードアレーからなる光電変換器６では、光信号が
電気信号に変換され、この電気信号は次段の演算回路ｌ
Ｏでアナリグ演算処理を施される。
材料素地に剛結晶化ガラスが混入した場合、このような
剛結晶化ガラスの混入は異物の混入と同様に欠陥と判定
する必要があるが、被検査体１に入射した円偏光は、こ
の剛結晶化ガラスによって複屈折する。したがって、被
検査体１を出た光は、剛結晶化ガラスの溶融状態の程度
に応じて検査側円偏光偏光子７で光透過がさまたけられ
、結像面では第８図に符号（ハ）で示すように細結晶イ
ヒガラスに対応する暗部が結像される０ ダイオードアレーからなる光電変換器６では、光信号が
電気信号に変換され、この電気信号は次段の演算回路ｌ
Ｏでアナリグ演算処理を施される。
第３図に示すダイオードアレーヲ構成する１列に並んだ
単位素子Ａ１１Ａ２・・・の各出力’Ｉｎム１゜”Ａ！
Ｉ”Ａｓ・・・とすると、演算回路１０では、１Ｅ
Ａｎ ｘＡｎ＋１１ （ｎ＝ｔ ｌ ２１ ａ・・
・）の演算処理が行われ、ダイオードアレーに対して像
が縦方向に貫通する型の合せ目前等は消去される。すな
わちＩＫＡＩ Ｔｆｊｈｚ ｌ＝０ ＋ ＩＥＡｚ
ＥＡｎ １＝０、・・・Ｉ ＥＡｎ ｌＡｎ＋ｔ
ｌ＝０ となるので検出されない。
単位素子Ａ１１Ａ２・・・の各出力’Ｉｎム１゜”Ａ！
Ｉ”Ａｓ・・・とすると、演算回路１０では、１Ｅ
Ａｎ ｘＡｎ＋１１ （ｎ＝ｔ ｌ ２１ ａ・・
・）の演算処理が行われ、ダイオードアレーに対して像
が縦方向に貫通する型の合せ目前等は消去される。すな
わちＩＫＡＩ Ｔｆｊｈｚ ｌ＝０ ＋ ＩＥＡｚ
ＥＡｎ １＝０、・・・Ｉ ＥＡｎ ｌＡｎ＋ｔ
ｌ＝０ となるので検出されない。
演算回路１０の出力信号は高域Ｆ波器１１に入力される
。高域Ｐ波器１１では例えは瓶胴部の肉厚変化及び円周
方向に長く入った線模様の影春ヲ除去できる。すなわち
肉厚変化はそれ自体で低周波を構成し、又円周方向に長
く入った線模様や何かの継目等による像はダイオードア
レーに対シテもこれを横断する如く長く入るので、その
波形が低周波を構成する。従って予め一定以下の低周波
をカットするようＫしておくことによって、これら欠陥
でない肉厚変化、線、筋による影巻が除去される。次に
高域Ｆ波器１１がらの出力は低域ｐ波器１２に大刀され
る。この低域許波器１２では肌表面の梨地模様による影
蕾が除去される。梨地模様の場合、その像は小さく短間
隔で生じるので、その部分の出力波形が高周波を構成す
るからである。低域Ｐ波器１２がらの信号はさらに絶体
値回路１３ｖｉ−経て比較器１４に入る。この比較器１
４で基準電圧発生器１５よシの基準電圧と比較され排除
信号が出方される。この基準電圧発生器１５からの基準
電圧を可変とすることにょシ感度を調整することができ
る。比較器１４がらの出力はＯＲ回路１６に大刀される
。そしてＯＲ回路１６がら最終排除信号がガラス瓶の＃
除機１７に送られる。
。高域Ｐ波器１１では例えは瓶胴部の肉厚変化及び円周
方向に長く入った線模様の影春ヲ除去できる。すなわち
肉厚変化はそれ自体で低周波を構成し、又円周方向に長
く入った線模様や何かの継目等による像はダイオードア
レーに対シテもこれを横断する如く長く入るので、その
波形が低周波を構成する。従って予め一定以下の低周波
をカットするようＫしておくことによって、これら欠陥
でない肉厚変化、線、筋による影巻が除去される。次に
高域Ｆ波器１１がらの出力は低域ｐ波器１２に大刀され
る。この低域許波器１２では肌表面の梨地模様による影
蕾が除去される。梨地模様の場合、その像は小さく短間
隔で生じるので、その部分の出力波形が高周波を構成す
るからである。低域Ｐ波器１２がらの信号はさらに絶体
値回路１３ｖｉ−経て比較器１４に入る。この比較器１
４で基準電圧発生器１５よシの基準電圧と比較され排除
信号が出方される。この基準電圧発生器１５からの基準
電圧を可変とすることにょシ感度を調整することができ
る。比較器１４がらの出力はＯＲ回路１６に大刀される
。そしてＯＲ回路１６がら最終排除信号がガラス瓶の＃
除機１７に送られる。
この実施例では、被検査体ｌであるガラス瓶の胴部の欠
陥を検査する場合について示したが、第９図に示すよう
にガラス瓶の底部の欠陥を検査する場合には、底部近傍
から拡散光を照射し、ガラス瓶の縦方向に入射側円偏光
偏光子３、検出側円偏光偏光子７などを配置すれはよい
。この場合には、光電変換器６を構成するダイオードア
レーはその長手方向をガラス瓶の底部の半径方向に揃え
れはよい。
陥を検査する場合について示したが、第９図に示すよう
にガラス瓶の底部の欠陥を検査する場合には、底部近傍
から拡散光を照射し、ガラス瓶の縦方向に入射側円偏光
偏光子３、検出側円偏光偏光子７などを配置すれはよい
。この場合には、光電変換器６を構成するダイオードア
レーはその長手方向をガラス瓶の底部の半径方向に揃え
れはよい。
次にこの発明の第２の実施例について、第１゜図に基づ
き以下に説明する。
き以下に説明する。
この欠陥検出装置は、前記第１の実施例の光電変換器６
の構成に替えて、々°イオードアレーの各単位素子Ａ１
＋Ａ１・・・を平行四辺形とし、各平行四辺形の対応す
る１辺を同一直線上に揃えるととによシ、欠陥像Ｊの通
過方向Ｘに対して不感帯Ｗが所定の角度をなすようにし
て、不感帯Ｗの影響を減少させるようにしたものである
。すなわち、第１θ図において欠陥像Ｊがダイオードア
レー６をＸ矢符方向に通過する場合で説明すると、欠陥
像Ｊが位置Ｊ′にあるときには出力ＩＥム４１Ａ５＋は
ゼロに近い値であるが、欠陥像Ｊが位１％ｔ Ｊｌｌに
きたときには出力ＩＫＡ４ ＥＡ５１が欠陥像Ｊの面
積にほぼ対応する値となシ、不感帯Ｗの影響を少ないも
のとすることができる。
の構成に替えて、々°イオードアレーの各単位素子Ａ１
＋Ａ１・・・を平行四辺形とし、各平行四辺形の対応す
る１辺を同一直線上に揃えるととによシ、欠陥像Ｊの通
過方向Ｘに対して不感帯Ｗが所定の角度をなすようにし
て、不感帯Ｗの影響を減少させるようにしたものである
。すなわち、第１θ図において欠陥像Ｊがダイオードア
レー６をＸ矢符方向に通過する場合で説明すると、欠陥
像Ｊが位置Ｊ′にあるときには出力ＩＥム４１Ａ５＋は
ゼロに近い値であるが、欠陥像Ｊが位１％ｔ Ｊｌｌに
きたときには出力ＩＫＡ４ ＥＡ５１が欠陥像Ｊの面
積にほぼ対応する値となシ、不感帯Ｗの影響を少ないも
のとすることができる。
そのほかの構成については、第１の実施例と同様である
。
。
この発明の第３の実施例について、第１１図ないし第１
５因に基づき以下に説明する。
５因に基づき以下に説明する。
この欠陥検出装置位、前記第１の実施例の光電変換器６
の構成に替えて、々°イオードアレーの各単位素子Ａ１
．Ａ２・・・を２列化したものである。
の構成に替えて、々°イオードアレーの各単位素子Ａ１
．Ａ２・・・を２列化したものである。
この場合、Ａ列とＢ列とを例えば半ピツチずらす槌にし
て配列するのがよい。金弟１１図の例において、欠陥像
Ｘが々°イオードアレーをＸ矢符方向に通過する場合、
Ａ列における出力ＩＥ＾２−１ム３１゜１ＥＡａ Ｅ
ｈ４１ ＋ ｌＩ＊＋ −ＥＡ５１は欠陥像にの面積に
対応する出力よシかなシ低い値となるが、一方、Ｂ列に
おける出力Ｉ ＫＨ２ＫＨ３１１１１！！１１３−Ｆａ
ｌｌ＜ １は欠陥像Ｘの面積に対応する値となるので不
感帯Ｗの影響は排除できる。ただ符号りで示す欠陥像が
Ｘ矢符方向に通過する場合には出力ＩＩ’ｓ ＩＡ７
Ｌ１ ］ｌ１Ａ７−”Ａ８１及び１ＫＢ５ Ｈｓｅ
Ｉ ＋ ｆｉｎｓ−亘Ｂ７１は何れも欠陥像乙の面積に
対応する出力に満たないので、不感帯Ｗの多少の影響は
受けることになる。２列化することによシネ感帯Ｗの影
春を防止する例としては第１１図のほか第１２図から第
１５図に示す々゛イオードアレー考えられる。
て配列するのがよい。金弟１１図の例において、欠陥像
Ｘが々°イオードアレーをＸ矢符方向に通過する場合、
Ａ列における出力ＩＥ＾２−１ム３１゜１ＥＡａ Ｅ
ｈ４１ ＋ ｌＩ＊＋ −ＥＡ５１は欠陥像にの面積に
対応する出力よシかなシ低い値となるが、一方、Ｂ列に
おける出力Ｉ ＫＨ２ＫＨ３１１１１！！１１３−Ｆａ
ｌｌ＜ １は欠陥像Ｘの面積に対応する値となるので不
感帯Ｗの影響は排除できる。ただ符号りで示す欠陥像が
Ｘ矢符方向に通過する場合には出力ＩＩ’ｓ ＩＡ７
Ｌ１ ］ｌ１Ａ７−”Ａ８１及び１ＫＢ５ Ｈｓｅ
Ｉ ＋ ｆｉｎｓ−亘Ｂ７１は何れも欠陥像乙の面積に
対応する出力に満たないので、不感帯Ｗの多少の影響は
受けることになる。２列化することによシネ感帯Ｗの影
春を防止する例としては第１１図のほか第１２図から第
１５図に示す々゛イオードアレー考えられる。
第１２図はＡ列とＢ列とを１ピツチずらしたものである
。第１３図扛平行四辺形の単位素子ＡＩ。
。第１３図扛平行四辺形の単位素子ＡＩ。
Ａ２・・・Ｂｌ、Ｂ、・・・を２列に対称に配したもの
である。Ａ列の単位素子Ａ１＃Ａ２・・・とＢ列の単位
素子Ｂ１ 、Ｂ、・・・を対称に配したのは斜め欠陥の
傾斜方向による信号のバラツキを防止するためである。
である。Ａ列の単位素子Ａ１＃Ａ２・・・とＢ列の単位
素子Ｂ１ 、Ｂ、・・・を対称に配したのは斜め欠陥の
傾斜方向による信号のバラツキを防止するためである。
第１４図は平行四辺形の単位素子ＡＩ ＋ Ａｍ・・・
Ｂｌ、Ｂ２・・・ｅＡ列とＢ列で半ピツチずらしたもの
である。第１５図は同様にＡ列とＢ列で１ピツチずらし
たものである□ 不感帯Ｗの影響を防止する手段としては以上述べた如く
、不感帯Ｗ自体の幅を狭くすること、単位素子Ａ１
ｅ Ａｚ・・・を平行四辺形とすること、及び２列化す
ることであるが、検査に必要なアンプ数などの必要機器
数を低減する手段として、以下に示すような処理を施す
ことも可能である。
Ｂｌ、Ｂ２・・・ｅＡ列とＢ列で半ピツチずらしたもの
である。第１５図は同様にＡ列とＢ列で１ピツチずらし
たものである□ 不感帯Ｗの影響を防止する手段としては以上述べた如く
、不感帯Ｗ自体の幅を狭くすること、単位素子Ａ１
ｅ Ａｚ・・・を平行四辺形とすること、及び２列化す
ることであるが、検査に必要なアンプ数などの必要機器
数を低減する手段として、以下に示すような処理を施す
ことも可能である。
すなわち欠陥を検出するだけであれば、アナログ演算式
は列毎に上下の単位素子間で、Ｉｌｌ：Ａｔ−ＫＡ２１
１１］１ｉＡ２−ＥＡ８ ＩＩＩ”Ａ３ ”Ａ４１１”
’ＩＫＡｎ−Ｉ［ｆＡｎ＋１ ＋ １１ｌｎｘ −ＷＢ
ｚ ｌ ｔ ＩＫ！１２−Ｉｎ２１°°°ｌ Ｋ １ｌ
ｎＦＩＢｎ＋１１の如く行なえばよいのであるが、この
場合には信号処理系８が単位素子数だけ必要となシ、そ
の各信号処理系８につき複数の処理機器を必要とし、さ
らに各処理機器につき増幅等の必要がある場合には処理
機器の数ｘ単位素子数のアンプ数を必要とすることとな
って、装置が大きくなり、場所をとシ、高価となる。そ
こでこの例ではダイオードアレーのＡ、１２列間の４つ
の近接単位素子間でアナログ演算するようにした。アナ
ログ演算式としては、例えばｌ （ｌＡｎ”Ｂｎ）−（
ＥＡＢ＋１ 十１１１ｎ＋１ ） ｌ （ｎ＝１ ＋
３ ＋ ５ ＋・・・） ｙ Ｉ （ｌＡｎ＋Ｆｆ！Ｉ
ｎ＋１ ）−（ｌａｎ＋ｔ Ｉｎｎ） ｌ （ｎ＝１
＋ ３ ＋ ５ ＋・・・）を採用する。
は列毎に上下の単位素子間で、Ｉｌｌ：Ａｔ−ＫＡ２１
１１］１ｉＡ２−ＥＡ８ ＩＩＩ”Ａ３ ”Ａ４１１”
’ＩＫＡｎ−Ｉ［ｆＡｎ＋１ ＋ １１ｌｎｘ −ＷＢ
ｚ ｌ ｔ ＩＫ！１２−Ｉｎ２１°°°ｌ Ｋ １ｌ
ｎＦＩＢｎ＋１１の如く行なえばよいのであるが、この
場合には信号処理系８が単位素子数だけ必要となシ、そ
の各信号処理系８につき複数の処理機器を必要とし、さ
らに各処理機器につき増幅等の必要がある場合には処理
機器の数ｘ単位素子数のアンプ数を必要とすることとな
って、装置が大きくなり、場所をとシ、高価となる。そ
こでこの例ではダイオードアレーのＡ、１２列間の４つ
の近接単位素子間でアナログ演算するようにした。アナ
ログ演算式としては、例えばｌ （ｌＡｎ”Ｂｎ）−（
ＥＡＢ＋１ 十１１１ｎ＋１ ） ｌ （ｎ＝１ ＋
３ ＋ ５ ＋・・・） ｙ Ｉ （ｌＡｎ＋Ｆｆ！Ｉ
ｎ＋１ ）−（ｌａｎ＋ｔ Ｉｎｎ） ｌ （ｎ＝１
＋ ３ ＋ ５ ＋・・・）を採用する。
今、実例として第１５図に示すダイオードアレーに式ｌ
（ｌｃＡｎ＋ＩＤｎｎ）−（ＩｌｔＡｎ＋ｌ＋Ｉｎｎ
＋ｔ ） Ｉ を適用し、欠陥像Ｍがダイオードアレー
ｆｘ矢符方向に通過する場合を説明すると、出力１ Ｃ
ＩＣＡ□十ｌＥｍｉ ） （ｌａ２＋ＩＢ２ ）Ｉは
ゼロ、出力Ｉ （ＥＡＩＩ 十ｌＢｓ５ ） −（］！
ｉＡ４ ＋１ｊｊｌ１４月はその波形ピークが欠陥像Ｍ
の面積に対応する値となる。さらに出力巨Ｅム５＋Ｅ！
１５ ） （Ｅ！ムロ＋Ｉ！！！＋６）Ｉも欠陥像Ｍ
の面積に対応する値となる。又、欠陥像Ｍが他の位置を
通過する場合でも何れかの出力が欠陥像Ｍの面積と対応
するだけの値が得られる。そしてこの場合所用の演算数
は単位素子数のＫでよい。今１つの実例として、第１１
図に示すダイオードアレーに式１％式％ ３．５・・・）を適用する場合を示す。まず欠陥像Ｋが
Ｘ矢符方向にダイオードアレーを通過する場合、出力＋
（ＺＡ１ ＋ＫＢ２ ） （ＩＡ２ ＋ＫＢ１ ）
ｌ はゼロ、出力ｊ（１ム３＋１１＋４ ） （ＫＡ
４＋豆１３）１はその波形ピークが欠陥像にの面積に対
応する。又欠陥像ＬがＸ矢符方向に移動する場合、出力
１（Ｉ［ｉＡ５＋ＥＢｇ ）−（ｌｎＡａ ＋Ｉｎｓ
） ｌ及び出力１ （ＥＡ７ ＋Ｋｌ１ｇ）（ｌＡ８
＋Ｅｎｔ ） Ｉが欠陥像りの面積に対応することにな
る。欠陥像に、ＩＩが他の位置を通過する場合も同様で
ある。
（ｌｃＡｎ＋ＩＤｎｎ）−（ＩｌｔＡｎ＋ｌ＋Ｉｎｎ
＋ｔ ） Ｉ を適用し、欠陥像Ｍがダイオードアレー
ｆｘ矢符方向に通過する場合を説明すると、出力１ Ｃ
ＩＣＡ□十ｌＥｍｉ ） （ｌａ２＋ＩＢ２ ）Ｉは
ゼロ、出力Ｉ （ＥＡＩＩ 十ｌＢｓ５ ） −（］！
ｉＡ４ ＋１ｊｊｌ１４月はその波形ピークが欠陥像Ｍ
の面積に対応する値となる。さらに出力巨Ｅム５＋Ｅ！
１５ ） （Ｅ！ムロ＋Ｉ！！！＋６）Ｉも欠陥像Ｍ
の面積に対応する値となる。又、欠陥像Ｍが他の位置を
通過する場合でも何れかの出力が欠陥像Ｍの面積と対応
するだけの値が得られる。そしてこの場合所用の演算数
は単位素子数のＫでよい。今１つの実例として、第１１
図に示すダイオードアレーに式１％式％ ３．５・・・）を適用する場合を示す。まず欠陥像Ｋが
Ｘ矢符方向にダイオードアレーを通過する場合、出力＋
（ＺＡ１ ＋ＫＢ２ ） （ＩＡ２ ＋ＫＢ１ ）
ｌ はゼロ、出力ｊ（１ム３＋１１＋４ ） （ＫＡ
４＋豆１３）１はその波形ピークが欠陥像にの面積に対
応する。又欠陥像ＬがＸ矢符方向に移動する場合、出力
１（Ｉ［ｉＡ５＋ＥＢｇ ）−（ｌｎＡａ ＋Ｉｎｓ
） ｌ及び出力１ （ＥＡ７ ＋Ｋｌ１ｇ）（ｌＡ８
＋Ｅｎｔ ） Ｉが欠陥像りの面積に対応することにな
る。欠陥像に、ＩＩが他の位置を通過する場合も同様で
ある。
これらの場合においても所用演算数は単位素子数の％で
すむ。勿論これらの４つの単位素子間でのアナログ演算
によるも欠陥像の面積に対応する出力から多少の誤差は
出るが、かなシの精度を確保できる。たとえば、上記第
１５図のダイオードアレーにアナログ演算式１ （ＫＡ
ｎ＋１ＢＢ）（”ｉｎ＋１＋ＥＢｎ＋１ ） Ｉ （ｎ
＝ｉ ＋ ａ １５・・・）を採用した場合は、理論
上では±２０％程度、又データではｐ波器１１．１２の
電気特性の要因によυ±１０％以下の誤差範囲内に収ま
った。第１２図、第１３図に示すダイオードアレーの場
合は精度的にはあまシよくない。所用演算数が単位素子
数の％でよいのは、アナログ演算に係る４個の単位素子
としてＡ列とＢ列とでずれた位置にあるものを採用する
ことによシ、重複した演算をすることなく欠陥像の面積
に対応した出力を得られるからである。
すむ。勿論これらの４つの単位素子間でのアナログ演算
によるも欠陥像の面積に対応する出力から多少の誤差は
出るが、かなシの精度を確保できる。たとえば、上記第
１５図のダイオードアレーにアナログ演算式１ （ＫＡ
ｎ＋１ＢＢ）（”ｉｎ＋１＋ＥＢｎ＋１ ） Ｉ （ｎ
＝ｉ ＋ ａ １５・・・）を採用した場合は、理論
上では±２０％程度、又データではｐ波器１１．１２の
電気特性の要因によυ±１０％以下の誤差範囲内に収ま
った。第１２図、第１３図に示すダイオードアレーの場
合は精度的にはあまシよくない。所用演算数が単位素子
数の％でよいのは、アナログ演算に係る４個の単位素子
としてＡ列とＢ列とでずれた位置にあるものを採用する
ことによシ、重複した演算をすることなく欠陥像の面積
に対応した出力を得られるからである。
なお、その他の使用方法として、単位素子数全２列に配
し夜ダイオードアレーにおいて、左右の単位累子出力間
での引き算を行なうこともできる。
し夜ダイオードアレーにおいて、左右の単位累子出力間
での引き算を行なうこともできる。
この方法は例えば瓶の円周方向での肉厚変化による影響
を防止するために、隣接単位素子の一方をダミーとして
使用する場合に有効である。
を防止するために、隣接単位素子の一方をダミーとして
使用する場合に有効である。
このようにすることによって、信号処理系８は単位素子
４個につき１つで足りることになり、信号処理系８ｔ−
構成する各機器が各々Ｈの１１ｇ数ですむことになる。
４個につき１つで足りることになり、信号処理系８ｔ−
構成する各機器が各々Ｈの１１ｇ数ですむことになる。
さらに、例えば各信号処理系８における各機器に使用さ
れるアンプの総数をｍとした場合、本発明ではｎｍ−ｎ
９’４、すなわち３ｎヂ４個のアンプ数を従来に比べて
減少させることができる。この３−の値は非常に大であ
る。なお、スイッチング素子を用いることにより、例え
ば第２図において高域Ｐ波器１１以後の経路を単列で処
理することも可能である。但しこの場合は応答の速い高
感度の器機を使用する必要がある。
れるアンプの総数をｍとした場合、本発明ではｎｍ−ｎ
９’４、すなわち３ｎヂ４個のアンプ数を従来に比べて
減少させることができる。この３−の値は非常に大であ
る。なお、スイッチング素子を用いることにより、例え
ば第２図において高域Ｐ波器１１以後の経路を単列で処
理することも可能である。但しこの場合は応答の速い高
感度の器機を使用する必要がある。
なお、以上の各実施例のように光電変換器６としてダイ
オードアレーを用いる構成に替えて、テレビカメラを用
いたシ、自己走査型ダイオードアレーカメラを用いても
よい。テレビカメラは、撮像部が真空管で構成されてい
るものに限らず、００Ｄなどの固体撮像素子からなるも
のでもよいことは勿論である。
オードアレーを用いる構成に替えて、テレビカメラを用
いたシ、自己走査型ダイオードアレーカメラを用いても
よい。テレビカメラは、撮像部が真空管で構成されてい
るものに限らず、００Ｄなどの固体撮像素子からなるも
のでもよいことは勿論である。
この発明の透明体の欠陥検出装置によれば、偏光板、％
波長板の組合せからなシ光源側に向けた偏光板で拡散光
を受けに波長板に対応する単色光ｔ３Ａ波長板側から所
定旋回方向の円偏光として取シ出す円偏光偏光子を拡散
光源と被検査体の間に配置する一方、Ｋ波長板、偏光板
の組合せからなシ被検査体透過光のうち入射側における
円偏光と同一旋回方向の円偏光を被検査体側に向けたに
波長板で受は入れ偏光板側から平面偏光として取シ出す
円偏光偏光子を被検査体と光電変換器の間に配置したた
め、次のような効果が得られる。
波長板の組合せからなシ光源側に向けた偏光板で拡散光
を受けに波長板に対応する単色光ｔ３Ａ波長板側から所
定旋回方向の円偏光として取シ出す円偏光偏光子を拡散
光源と被検査体の間に配置する一方、Ｋ波長板、偏光板
の組合せからなシ被検査体透過光のうち入射側における
円偏光と同一旋回方向の円偏光を被検査体側に向けたに
波長板で受は入れ偏光板側から平面偏光として取シ出す
円偏光偏光子を被検査体と光電変換器の間に配置したた
め、次のような効果が得られる。
（イ）従来のダークオン方式のように、被検査体に混入
した遮光性異物をそめまま暗部として検出するのでなく
、異物そのものに対応する暗部に加えて、異物周辺の歪
部に対応する暗部が異物による暗部の周凹に生じるので
、欠陥像として検出される暗部面積が従来の場合に比べ
て大きくなり、検出精度が大幅に向上する。
した遮光性異物をそめまま暗部として検出するのでなく
、異物そのものに対応する暗部に加えて、異物周辺の歪
部に対応する暗部が異物による暗部の周凹に生じるので
、欠陥像として検出される暗部面積が従来の場合に比べ
て大きくなり、検出精度が大幅に向上する。
（ロ）剛結晶化ガラスのような透明体異物は、従来のダ
ークオン方式では検出できなかったが、この欠陥検出装
置によれば剛結晶化ガラスなどの透明体異物を、暗部を
なす欠陥像として容易に検出することができ、しかも歪
のない異物は従来のダークオン方式と同様に検出できる
ので、検出しうる異物の範囲が大幅に拡大する。
ークオン方式では検出できなかったが、この欠陥検出装
置によれば剛結晶化ガラスなどの透明体異物を、暗部を
なす欠陥像として容易に検出することができ、しかも歪
のない異物は従来のダークオン方式と同様に検出できる
ので、検出しうる異物の範囲が大幅に拡大する。
（ハ）また、ガラス瓶などの表面の合せ目、梨地、彫刻
などは欠陥として検出してはならないものであるが、こ
の欠陥検出装置ではこのような歪のない透明部分を欠陥
として検出することがなく、良品を誤って不良品と判定
してしまう不都合を回避することができる。
などは欠陥として検出してはならないものであるが、こ
の欠陥検出装置ではこのような歪のない透明部分を欠陥
として検出することがなく、良品を誤って不良品と判定
してしまう不都合を回避することができる。
に）第４図、第５図に示した入射側円偏光偏光子（Ｐ１
＋Ｑｔ ）と検出側円偏光偏光子（Ｐ２＋Ｑｚ ）の
位置関係が維持されている限り、偏光板の間の主軸Ｐ１
とＰ２の位置関係、すなわち入射側円偏光偏光子の偏光
板と検出側円偏光偏光子の偏光板との主軸角の関係はど
のように設定されていてもよいので、セツティング、メ
ンテナンスなどが容易であり使い勝手がよい。
＋Ｑｔ ）と検出側円偏光偏光子（Ｐ２＋Ｑｚ ）の
位置関係が維持されている限り、偏光板の間の主軸Ｐ１
とＰ２の位置関係、すなわち入射側円偏光偏光子の偏光
板と検出側円偏光偏光子の偏光板との主軸角の関係はど
のように設定されていてもよいので、セツティング、メ
ンテナンスなどが容易であり使い勝手がよい。
第１図はこの発明の第１の実施例を示す概略図、第２図
はその信号処理系を示すブロック図、第３図は光電変換
器の具体例Ｘを示す正面図、第４図（ａ）。 （ｂ）はそれぞれ円偏光偏光子の主軸の関係を示す説明
図、第５図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ円偏光偏光子
の別の主軸の関係を示す説明図、第６囚は単色光濾過構
成の枦光特性を示す図、第７図および第８図はそれぞれ
欠陥像を示す図、第９図は別の検出構成を示す概略図、
第１０図はこの発明の第２の実施例の光電変換器の具体
例を示す正面図、第１１ないし第１５図はそれぞれこの
発明の第３の実施例の光電変換器の各具体例を示す正面
図である。 １・・・被検査体、２・・・拡散板（拡散光源）、３・
・・入射側円偏光偏光子、３＆・・・偏光板、３ｂ・・
・号波長板、４・・・レンズ系、５・・・結像面、６・
・・光電変換器、７・・・検出側円偏光偏光子、７ａ・
・・偏光板、７ｂ・・・％波長板、８・・・信号処理系
、９・・・波長コントロールフィルタ 第１図 ３ 第６図 ８°０ｒｖｎ −＝ｉ長 第４図 第３” （ａ） （ｂ）ＰＩ
Ｆ２
はその信号処理系を示すブロック図、第３図は光電変換
器の具体例Ｘを示す正面図、第４図（ａ）。 （ｂ）はそれぞれ円偏光偏光子の主軸の関係を示す説明
図、第５図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ円偏光偏光子
の別の主軸の関係を示す説明図、第６囚は単色光濾過構
成の枦光特性を示す図、第７図および第８図はそれぞれ
欠陥像を示す図、第９図は別の検出構成を示す概略図、
第１０図はこの発明の第２の実施例の光電変換器の具体
例を示す正面図、第１１ないし第１５図はそれぞれこの
発明の第３の実施例の光電変換器の各具体例を示す正面
図である。 １・・・被検査体、２・・・拡散板（拡散光源）、３・
・・入射側円偏光偏光子、３＆・・・偏光板、３ｂ・・
・号波長板、４・・・レンズ系、５・・・結像面、６・
・・光電変換器、７・・・検出側円偏光偏光子、７ａ・
・・偏光板、７ｂ・・・％波長板、８・・・信号処理系
、９・・・波長コントロールフィルタ 第１図 ３ 第６図 ８°０ｒｖｎ −＝ｉ長 第４図 第３” （ａ） （ｂ）ＰＩ
Ｆ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）被検査体に向けて拡散光を照射し、被検査体透過
光をレンズ系を用いて結像させ、結像面に配置した光電
変換器によシ光学停を電気信号に変換し、との電気信号
を信号処理系Ｋかけて被検査体の良否を判定する装置に
おいて、偏光板、Ｋ波長板の組合せから−ａｂ拡散光源
と被検査体の間に配置され光源側に向けた偏光板で拡散
光を受け％波長板に対応する単色光を号波長板側から所
定旋回方向の円偏光として取り出す入射側円偏光偏光子
と、阿波長板、偏光板の組合せからなり被検査体と光電
変換器の間に配置され被検査体透過光のうち入射側にお
ける円偏光と同一旋回方向の円偏光を被検査体側に向け
た阿波長板で受は入れ偏光板側から平面偏光として取シ
出す検出側円偏光偏光子とを備えた透明体の欠陥検出装
置 （２）光電変換器は複数の単位素子を相互間の不゛感帯
幅を狭くして整列させたダイオードアレーでｓｂ、信号
処理系は前記近隣単位素子出力間のアナログ決算を行う
演算回路を含む特許請求の範旺第（１）項記載の透明体
の欠陥検出装置（３） ダイオードアレーはその単位
素子が平行四辺形で、各単位素子の対応する一辺が同一
直線上゛に揃うように１列に配置した特許請求の範囲第
（２）項記載の透明体の欠陥検出装置 （４）ダイオードアレーは単位素子を２列に整列させた
特許請求の範囲第（２）項記載の透明体の欠陥検出装置 （５）ダイオードアレーはその単位素子が平行四辺形で
、各単位素子の対応する一辺を同一直線上に揃えた特許
請求の範囲第（４）項記載の透明体の欠陥検出装置 （６）単位素子の位置を２列間でずらした特許請求の範
囲第（４）項又は第（５）項記載の透明体の欠陥検出装
置 （７）アナログ演算処理を上下の隣接２単位素子出力間
毎に行なう特許請求の範囲第（２）項から第（６）項の
何れかに記載の透明体の欠陥検出装置（８）アナログ演
算処理を左右の近隣２単位出力間で行なう特許請求の範
囲第（４）項から第（６）項の何れかに記載の透明体の
欠陥検出装置 （９）アナログ演算処理を上下左右の′近隣４単位素子
毎に重複することなく行なう特許請求の範囲第（４）項
から第（６）項の何れかに記載の透明体の欠陥検出装置 （１０アナログ演算処理は列毎に上下の単位素子出力間
で引き算したものを特徴とする特許請求の範囲第（９）
項記載の透明体の欠陥検出装置（ロ）光電変換器はテレ
ビカメラである特許請求の範囲第（１）項記載の透明体
の欠陥検出装置（ロ）テレビカメラは固体撮像素子を用
いたものである特許請求の範囲第１１項記載の透明体の
欠陥検出装置 （至）光電変換器は自己走査型ダイオードアレーカメラ
である特許請求の範囲第（１）項記載の透明体の欠陥検
出装置
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57225443A JPS59114445A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 透明体の欠陥検出装置 |
| US06/560,966 US4547067A (en) | 1982-12-21 | 1983-12-13 | Apparatus for detecting faults in transparent objects |
| GB08333236A GB2135769B (en) | 1982-12-21 | 1983-12-13 | Detecting faults in transparent objects |
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