JPH0310065B2

JPH0310065B2 -

Info

Publication number: JPH0310065B2
Application number: JP57225443A
Authority: JP
Inventors: Tsukasa Watabe
Original assignee: Yamamura Glass KK
Current assignee: Yamamura Glass KK
Priority date: 1982-12-21
Filing date: 1982-12-21
Publication date: 1991-02-12
Also published as: GB2135769A; FR2538113B1; DE3345851C2; GB8333236D0; CA1205886A; FR2538113A1; JPS59114445A; US4547067A; DE3345851A1; GB2135769B

Description

【発明の詳細な説明】この発明はガラス瓶などの透明体の欠陥検出装
置に関する。

この種の欠陥検出を光照射により行う装置とし
て、従来よりダークオン方式を採用したものと偏
光ライトオン方式を採用したものが知られてい
る。

ダークオン方式は、検査される透明体の材料素
地に混入した異物などの遮光性を利用して、検出
面に前記異物などに対応する暗部を映し出すよう
にしたものである。

しかしながら、この方式の場合、検出される異
物は煉瓦片や金属などの遮光性異物に限られる。
例えば被検査体がガラス瓶である場合には、細結
晶化したガラス素材が材料素地に混入すると歪が
生じるのでこのような異物の混入は許されない
が、上記方式ではこのような透明異物の検出は不
可能である。しかも、この方式では微細な異物ま
で検出できるように精度を上げようとすると、不
良とすべきでない合せ目、梨地、彫刻なども異物
と区別されずに検出されてしまい、これらを不良
品と誤つて判定してしまうことになる。

一方、偏光ライトオン方式は、被検査体に光を
照射する入射側と、被検査体を透過した光を検出
する検出側とにそれぞれ偏光板を配置して、これ
ら偏光板の主軸が直交するように角度設定し、被
検査体の材料素地内に異物などがないときは、入
射側偏光板より取り出された平面偏光が被検査体
をそのまま透過するので、この透過光は検出側偏
光板で遮光されて検出面に届かない一方、材料素
地内に異物があつてその部分に歪が生じていると
きは、この歪部の光弾性効果によつて被検査体を
透過する光に検出側偏光板を透過する平面偏光成
分が生じるので、これを検出面で検出することに
より異物の有無すなわち欠陥検出を行うものであ
る。

しかし、材料素地内に混入する異物の大半は、
大きいものでも歪のないものがほとんどであり、
しかもこれら異物は大低遮光性を呈するため、異
物に対応する透過光はほとんどの場合検出でき
ず、わずかに異物の周辺部に生ずる歪に起因する
透過光を検出できるにすぎず、検出精度はダーク
オン方式に比べてかなり低くなる。この方式で検
出精度を高めようとすると、光電変換器が高価に
なり、さらに光源の光強度も上げなければならな
いので、光熱で偏光板が溶解しないように冷却装
置を設けたり配水処理を施すなどの対策を講じる
必要があり、構成が複雑になり使用にも不便でメ
ンテナンスも容易でないなどの欠点を有する。

このほかダークオン方式の一例として、主軸を
同一方向に揃えた一対の平面偏光板を被検査体の
前後に配置し、被検査体に異物がないときに限り
検出側まで光透過されるようにして、透明体の欠
陥検出をはかることも可能である。しかし、この
場合には平面偏光板の主軸を揃えるセツテイング
が面倒であり、十分な成果も得られない。

この発明は、従来例における如上の欠点を解消
し、検出精度が高く構成も簡単な透明体の欠陥検
出装置を提供することを目的とするものである。

この発明の第１の実施例を第１図ないし第８図
に基づき以下に説明する。

この実施例の欠陥検出装置は、ガラス瓶を被検
査体１として、その胴部の欠陥検査を行うもので
あつて、拡散光源となる拡散板２から被検査体１
に向けて拡散光が照射される入射側に、偏光板３
ａ、1/4波長板３ｂの組合せからなり光源側に向
けた偏光板３ａで拡散光を受け1/4波長板３ｂに
対応する単色光を1/4波長板３ｂ側から所定旋回
方向の円偏光として取り出す入射側円偏光偏光子
３を配置する一方、被検査体１を透過した光をレ
ンズ系４で集光して光学像を結像させ、その光学
像を結像面５に配置した光電変換器６で電気信号
に変換するようにした検出側に、入射側の1/4波
長板３ｂと同じ1/4波長板７ｂ、偏光板７ａの組
合せからなり被検査体１を透過した光のうち前記
入射側における円偏光と同じ旋回方向の円偏光を
被検査体１側に向けた1/4波長板７ｂで受け入れ
偏光板７ａ側から平面偏光として取り出す検出側
円偏光偏光子７を配置し、光電変換器６より出力
さる電気信号を次段の信号処理系８……でアナロ
グ演算処理して、被検査体１の欠陥検出を行うよ
うにしたものである。

前記したように入射側円偏光偏光子３として、
第４図ａに示すように光源側に向く偏光板３ａの
主軸P₁に対し1/4波長板３ｂの主軸Q₁が1/4波長
板３ｂ側からみて時計方向にπ／４だけずれてい
る右円偏光偏光子を用いた場合、検出側円偏光偏
光子７は、光電変換器６側に向く偏光板７ａの主
軸P₂に対し1/4波長板７ｂの主軸Q₂がこの1/4波
長板７ｂ側からみてπ／４だけ時計方向にずれて
いる（第４図ｂは1/4波長板７ｂ側よりみた状態
を示す）同じく右円偏光偏光子を用いる。逆に入
射側円偏光偏光子３として、第５図ａに示すよう
に光源側に向く偏光板３ａの主軸P₁に対し1/4波
長板３ｂの主軸Q₁が反時計方向にπ／４だけず
れている左円偏光偏光子を用いた場合は、検出側
円偏光偏光子７として1/4板長板７ｂ側からみた
状態を示す第５図ｂのように、偏光板７ａの主軸
P₂に対し1/4波長板７ｂの主軸Q₂がこの1/4波長
板７ｂ側からみてπ／４だけ反時計方向にずれて
いる左円偏光偏光子を用いる。

検出側円偏光偏光子７は光電変換器６に近い位
置に配置して、偏光板７ａ、1/4波長板７ｂなど
の板厚やセツテイング誤差の影響ができるだけ小
さくなるようにしているが、原理的には被検査体
１と光電変換器６の間であればどの位置に配置し
てもよく、例えばレンズ系４の前方に円偏光偏光
子７を配置してもよい。

各円偏光偏光子３，７の1/4波長板３ｂ，７ｂ
は波長800nｍの単色光に対応させており、検出
に使用する光の中から波長800nｍの単色光を選
ぶ必要がある。

この単色光の選択は、拡散板２より拡散光を放
射した直後に行つてもよいが、この実施例では検
出側円偏光偏光子７の前方に、第６図に符号イで
示す光特性の波長コントロールフイルタ９を配
置する一方、検出側円偏光偏光子７の偏光板７ａ
として第６図の符号ロで示す光特性の赤外偏光
板を用い、検出側で近似的に波長800nｍの単色
光を過しうるように設定している。このような
構成で過される光は厳密には単色光ではなく、
第６図に斜線を施して示すように波長800nｍを
中心にして多少の帯域幅をもつた光であるため、
正確な円偏光は取り出せず多少楕円偏光の傾向を
呈することになる。しかし、この程度の楕円偏光
は検出精度にさほどの影響を与えず、多少の帯域
幅を持たせて差しつかえない。また、これにより
検出に十分な光強度が得られる。前記波長コント
ロールフイルタ９は必ずしも1/4波長板７ｂの前
方に配置する必要はなく、光源から光電変換器６
の直前までの間であればどの位置に配置してもよ
いが、検出側で単色光の過を行えば、光路途中
で入射するおそれのある外乱光による影響を回避
することもできる。

光電変換器６は第３図に示すように複数の矩形
単位素子A₁，A₂……を整列させたダイオードア
レーからなる。各単位素子A₁，A₂……は例えば
配列ビツチＰを1.5mm、不感帯幅Ｗを0.3mmとし、
その不感帯幅をできるだけ狭く設定する。ガラス
瓶の胴部の検査に適用するこの実施例では、前記
ダイオードアレーの長手方向を被検査体１である
ガラス瓶の高さ方向に揃えている。

被検査体１は回転させることにより光走査して
検査する。

信号処理系８は、光電変換器６より出力される
電気信号をアナログ演算処理する演算回路１０
と、演算回路１０の出力から低周波信号を除去す
る高域波器１１と、高域波器１１の出力から
高周波信号を除去する低域波器１２と、絶体値
回路１３と、この回路の出力と所定基準電圧とを
比較器１４と、前記基準電圧を与える基準電圧発
生器１５とからなる。

この欠陥検出装置の作用について以下に説明す
る。

入射側円偏光偏光子３では、拡散板２から投射
される拡散光を受けて所定旋回方向の円偏光が取
り出される。この円偏光は被検査体１であるガラ
ス瓶の胴部に照射される。被検査体１の材料素地
に異物がないときには、照射された円偏光はその
まま被検査体１を透過する。入射側円偏光偏光子
３と検出側円偏光偏光子７とは、互の1/4波長板
３ｂ，７ｂが対向し合うように配置されているの
で、被検査体１を透過した円偏光は検出側円偏光
偏光子７に受け入れられ偏光板７ａ側から平面偏
光として取り出される。すなわち、被検査体１に
異物混入がないときには、光が光電変換器６まで
透過する。

これに対し、被検査体１の材料素地に異物が混
入しており、この異物が遮光性を呈する場合に
は、検出側円偏光偏光子７では、円偏光透過作用
に関係なく異物に当つた光は透過されず、光電変
換器６が配置される結像面では、異物に対応する
部分が第７図に符号イで示すように暗部となつて
結像される。

一方、異物の混入により被検査体１の異物周辺
部で歪が生じた場合は、入射側より被検査体１に
照射される円偏光は、前記歪部の光弾性効果によ
り複屈折して被検査体１を透過する。被検査体１
を出た光は前記歪の程度に応じて円偏光から楕円
偏光へとずれるため、検出側円偏光偏光子７では
歪の程度に応じて光透過がさまたげられ、結像面
では第７図に符号ロで示すように、前記異物に対
応する暗部イの周辺部は歪部に対応する暗部で囲
まれる。すなわち、従来例のダークオン方式で得
られる異物そのものに対応する暗部イに比べて、
歪部に対応する暗部ロの分だけ検出される暗部面
積が大きくなり、検出精度が向上することにな
る。

また、被検査体１がガラス瓶であるこの実施例
において材料素地に細結晶化ガラスが混入した場
合、このような細結晶化ガラスの混入は異物の混
入と同様に欠陥と判定する必要があるが、被検査
体１に入射した円偏光は、この細結晶化ガラスに
よつて複屈折する。したがつて、被検査体１を出
た光は、細結晶化ガラスの溶融状態の程度に応じ
て検査側円偏光偏光子７で光透過がさまたげら
れ、結像面では第８図に符号ハで示すように細結
晶化ガラスに対応する暗部が結像される。

ダイオードアレーからなる光電変換器６では、
光信号が電気信号に変換され、この電気信号は次
段の演算回路１０でアナログ演算処理を施され
る。

第３図に示すダイオードアレーを構成する１列
に並んだ単位素子A₁，A₂……の各出力をE_A1，
E_A2，E_A3……とすると、演算回路１０では、｜E_Ao
−E_Ao+1｜（ｎ＝１、２、３……）の演算処理が行
われ、ダイオードアレーに対して像が縦方向に貫
通する型の合せ目筋等は消去される。すなわち｜
E_A1−E_A2｜＝０、＝｜E_A2−E_A3｜＝０、……｜E_Ao
−E_Ao+1｜＝０となるので検出されない。

演算回路１０の出力信号は高域波器１１に入
力される。高域波器１１では例えは瓶胴部の肉
厚変化及び円周方向に長く入つた線模様の影響を
除去できる。すなわち肉厚変化はそれ自体で低周
波を構成し、又円周方向に長く入つた線模様や何
かの継目等による像はダイオードアレーに対して
もこれを横断する如く長く入るので、その波形が
低周波を構成する。従つて予め一定以下の低周波
をカツトするようにしておくことによつて、これ
ら欠陥でない肉厚変化、線、筋による影響が除去
される。次に高域波器１１からの出力は低域
波器１２に入力される。この低域波器１２では
瓶表面の梨地模様による影響が除去される。梨地
模様の場合、その像は小さく短間隔で生じるの
で、その部分の出力波形が高周波を構成するから
である。低域波器１２からの信号はさらに絶体
値回路１３を経て比較器１４に入る。この比較器
１４で基準電圧発生器１５よりの基準電圧と比較
され排除信号が出力される。この基準電圧発生器
１５からの基準電圧を可変とすることにより感度
を調整することができる。比較器１４からの出力
はOR回路１６に入力される。そしてOR回路１
６から最終排除信号がガラス瓶の排除機１７に送
られる。

この実施例では、被検査体１であるガラス瓶の
胴部の欠陥を検査する場合について示したが、第
９図に示すようにガラス瓶の底部の欠陥を検査す
る場合には、底部近傍から拡散光を照射し、ガラ
ス瓶の縦方向に入射側円偏光偏光子３、検出側円
偏光偏光子７などを配置すればよい。この場合に
は、光電変換器６を構成するダイオードアレーは
その長手方向をガラス瓶の底部の半径方向に揃え
ればよい。

次にこの発明の第２の実施例について、第１０
図に基づき以下に説明する。

この欠陥検出装置は、前記第１の実施例の光電
変換器６の構成に替えて、ダイオードアレーの各
単位素子A₁，A₂……を平行四辺形とし、各平行
四辺形の対応する１辺を同一直線上に揃えること
により、欠陥像Ｊの通過方向Ｘに対して不感帯Ｗ
が所定の角度をなすようにして、不感帯Ｗの影響
を減少させるようにしたものである。すなわち、
第１０図において欠陥像Ｊがダイオードアレー６
をｘ矢符方向に通過する場合で説明すると、欠陥
像Ｊが位置J′にあるときには出力｜E_A4−E_A5｜は
ゼロに近い値であるが、欠陥像Ｊが位置J″にきた
ときには出力｜E_A4−E_A5｜が欠陥像Ｊの面積にほ
ぼ対応する値となり、不感帯Ｗの影響を少ないも
のとすることができる。

そのほかの構成については、第１の実施例と同
様である。

この発明の第３の実施例について、第１１図な
いし第１５図に基づき以下に説明する。

この欠陥検出装置は、前記第１の実施例の光電
変換器６の構成に替えて、ダイオードアレーの各
単位素子A₁，A₂……を２列化したものである。
この場合、Ａ列とＢ列とを例えば半ピツチずらす
様にして配列するのがよい。今第１１図の例にお
いて、欠陥像Ｋがダイオードアレーをｘ矢符方向
に通過する場合、Ａ列における出力｜E_A2−E_A3
｜、｜E_A3−E_A4｜、｜E_A4−E_A5｜は欠陥像Ｋの面積
に対応する出力よりかなり低い値となるが、一
方、Ｂ列における出力｜E_B2−E_B3｜、｜E_B3−E_B4
｜は欠陥像Ｋの面積に対応する値となるので不感
帯Ｗの影響は排除できる。ただ符号Ｌで示す欠陥
像がｘ矢符方向に通過する場合には出力｜E_A6−
E_A7｜、｜E_A7−E_A8｜及び｜E_B5−E_B6｜、｜E_B6−
E_B7｜は何れも欠陥像Ｌの面積に対応する出力に
満たないので、不感帯Ｗの多少の影響は受けるこ
とになる。２列化することにより不感帯Ｗの影響
を防止する例としては第１１図のほか第１２図か
ら第１５図に示すダイオードアレーが考えられ
る。

第１２図はＡ列とＢ列とを１ピツチずらしたも
のである。第１３図は平行四辺形の単位素子A₁，
A₂……B₁，B₂……を２列に対称に配したもので
ある。Ａ列の単位素子A₁，A₂……とＢ列の単位
素子B₁，B₂……を対称に配したのは斜め欠陥の
傾斜方向による信号のバラツキを防止するためで
ある。第１４図は平行四辺形の単位素子A₁，A₂
……B₁，B₂……をＡ列とＢ列で半ピツチずらし
たものである。第１５図は同様にＡ列とＢ列で１
ピツチずらしたものである。

不感帯Ｗの影響を防止する手段としては以上述
べた如く、不感帯Ｗ自体の幅を狭くすること、単
位素子A₁，A₂……を平行四辺形とすること、及
び２列化することであるが、検査に必要なアンプ
数などの必要機器数を低減する手段として、以下
に示すような処理を施すことも可能である。

すなわち欠陥を検出するだけであれば、アナロ
グ演算式は列毎に上下の単位素子間で、｜E_A1−
E_A2｜、｜E_A2−E_A3｜、｜E_A3−E_A4｜、……｜E_Ao−
E_Ao+1｜、｜E_B1−E_B2｜、｜E_B2−E_B3｜……｜E_Bo−
E_Bo+1｜の如く行なえばよいのであるが、この場
合には信号処理系８が単位素子数だけ必要とな
り、その各信号処理系８につき複数の処理機器を
必要とし、さらに各処理機器につき増幅等の必要
がある場合には処理機器の数×単位素子数のアン
プ数を必要とすることとなつて、装置が大きくな
り、場合をとり、高価となる。そこでこの例では
ダイオードアレーのＡ、B2列間の４つの近接単
位素子間でアナログ演算するようにした。アナロ
グ演算式としては、例えば｜（E_Ao＋E_Bo）−（E_Ao+1
＋E_Bo+1）｜（ｎ＝１、３、５、……）、｜（E_Ao＋
E_Bo+1）−（E_Ao+1−E_Bo）｜（ｎ＝１、３、５、……）
を採用する。

今、実例として第１５図に示すダイオードアレ
ーに式｜（E_Ao＋E_Bo）−（E_Ao+1＋E_Bo+1）｜を適用
し、欠陥像Ｍがダイオードアレーをｘ矢符方向に
通過する場合を説明すると、出力｜（E_A1＋E_B1）−
（E_A2＋E_B2）｜はゼロ、出力｜（E_A3＋E_B3）−（E_A4＋
E_B4）｜はその波形ピークが欠陥像Ｍの面積に対応
する値となる。さらに出力｜（E_A5＋E_B5）−（E_A6＋
E_B6）｜も欠陥像Ｍの面積に対応する値となる。
又、欠陥像Ｍが他の位置を通過する場合でも何れ
かの出力が欠陥像Ｍの面積と対応するだけの値が
得られる。そしてこの場合所用の演算数は単位素
子数の1/4でよい。今１つの実例として、第１１
図に示すダイオードアレーに式｜E_Ao＋E_Bo+1）−
（E_Ao+1＋E_Bo）｜（ｎ＝１、３、５……）を適用す
る場合を示す。まず欠陥像Ｋがｘ矢符方向にダイ
オードアレーを通過する場合、出力｜（E_A1＋E_B2）
−（E_A2＋E_B1）｜はゼロ、出力｜（E_A3＋E_B4）−（E_A4
＋E_B3）｜はその波形ピークが欠陥像Ｋの面積に対
応する。又欠陥像Ｌがｘ矢符方向に移動する場
合、出力｜（E_A5＋E_B6）−（E_A6＋E_B5）｜及び出力｜
（E_A7＋E_B8）−（E_A8＋E_B7）｜が欠陥像Ｌの面積に対
応することになる。欠陥像Ｋ，Ｌが他の位置を通
過する場合も同様である。

これらの場合においても所用演算数は単位素子
数の1/4ですむ。勿論これらの４つの単位素子間
でのアナログ演算によるも欠陥像の面積に対応す
る出力から多少の誤差は出るが、かなりの精度を
確保できる。たとえば、上記第１５図のダイオー
ドアレーにアナログ演算式｜（E_Ao＋E_Bo）−（E_Ao+1
＋E_Bo+1）｜（ｎ＝１、３、５……）を採用した場
合は、理論上では±20％程度、又データでは波
器１１，１２の電気特性の要因により±10％以下
の誤差範囲内に収まつた。第１２図，第１３図に
示すダイオードアレーの場合は精度的にはあまり
よくない。所用演算数が単位素子数の1/4でよい
のは、アナログ演算に係る４個の単位素子として
Ａ列とＢ列とでずれた位置にあるものを採用する
ことにより、重複した演算をすることなく欠陥像
の面積に対応した出力を得られるからである。な
お、その他の使用方法として、単位素子数を２列
に配したダイオードアレーにおいて、左右の単位
素子出力間での引き算を行なうこともできる。こ
の方法は例えば瓶の円周方向での肉厚変化による
影響を防止するために、隣接単位素子の一方をダ
ミーとして使用する場合に有効である。

このようにすることによつて、信号処理系８は
単位素子４個につき１つで足りることになり、信
号処理系８を構成する各機器が各々1/4の個数で
すむことになる。

さらに、例えば各信号処理系８における各機器
に使用されるアンプの総数をｍとした場合、本発
明ではｎｍ−ｎｍ／４、すなわち3nｍ／４個の
アンプ数を従来に比べて減少させることができ
る。この3nｍ／４の値は非常に大である。なお、
スイツチング素子を用いることにより、例えば第
２図において高域波器１１以後の経路を単列で
処理することも可能である。但しこの場合は応答
の速い高感度の器機を使用する必要がある。

なお、以上の各実施例のように光電変換器６と
してダイオードアレーを用いる構成に替えて、テ
レビカメラを用いたり、自己走査型ダイオードア
レーカメラを用いてもよい。テレビカメラは、撮
像部が真空管で構成されているものに限らず、
CCDなどの固体撮像素子からなるものでもよい
ことは勿論である。

この発明の透明体の欠陥検出装置によれば、偏
光板、1/4波長板の組合せからなり光源側に向け
た偏光板で拡散光を受け1/4波長板に対応する単
色光を1/4波長板側から所定旋回方向の円偏光と
して取り出す円偏光偏光子を拡散光源と被検査体
の間に配置する一方、1/4波長板、偏光板の組合
せからなり被検査体透過光のうち入射側における
円偏光と同一旋回方向の円偏光を被検査体側に向
けた1/4波長板で受け入れ偏光板側から平面偏光
として取り出す円偏光偏光子を被検査体と光電変
換器の間に配置したため、次のような効果が得ら
れる。

(イ) 従来のダークオン方式のように、被検査体に
混入した遮光性異物をそのまま暗部とて検出す
るのでなく、異物そのものに対応する暗部に加
えて、異物周辺の歪部に対応する暗部が異物に
よる暗部の周囲に生じるので、欠陥像として検
出される暗部面積が従来の場合に比べて大きく
なり、検出精度が大幅に向上する。

(ロ) 細結晶化ガラスのような透明体異物は、従来
のダークオン方式では検出できなかつたが、こ
の欠陥検出装置によれば細結晶化ガラスなどの
透明体異物を、暗部をなす欠陥像として容易に
検出することができ、しかも歪のない異物は従
来のダークオン方式と同様に検出できるので、
検出しうる異物の範囲が大幅に拡大する。

(ハ) また、ガラス瓶などの表面の合せ目、梨地、
彫刻などは欠陥として検出してはならないもの
であるが、この欠陥検出装置ではこのような歪
のない透明部分を欠陥として検出することがな
く、良品を誤つて不良品と判定してしまう不都
合を回避することができる。

(ニ) 第４図，第５図に示した入射側円偏光偏光子
（P₁＋Q₁）と検出側円偏光偏光子（P₂＋Q₂）の
位置関係が維持されている限り、偏光板の間の
主軸P₁とP₂の位置関係、すなわち入射側円偏
光偏光子の偏光板と検出側円偏光偏光子の偏光
板との主軸角の関係はどのように設定されてい
てもよいので、セツテイング、メンテナンスな
どが容易であり使い勝手がよい。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の第１の実施例を示す概略
図、第２図はその信号処理系を示すブロツク図、
第３図は光電変換器の具体例を示す正面図、第４
図ａ，ｂはそれぞれ円偏光偏光子の主軸の関係を
示す説明図、第５図ａ，ｂはそれぞれ円偏光偏光
子の別の主軸の関係を示す説明図、第６図は単色
光過構成の光特性を示す図、第７図および第
８図はそれぞれ欠陥像を示す図、第９図は別の検
出構成を示す概略図、第１０図はこの発明の第２
の実施例の光電変換器の具体例を示す正面図、第
１１ないし第１５図はそれぞれこの発明の第３の
実施例の光電変換器の各具体例を示す正面図であ
る。１……被検査体、２……拡散板（拡散光源）、
３……入射側円偏光偏光子、３ａ……偏光板、３
ｂ……1/4波長板、４……レンズ系、５……結像
面、６……光電変換器、７……検出側円偏光偏光
子、７ａ……偏光板、７ｂ……1/4波長板、８…
…信号処理系、９……波長コントロールフイル
タ。

Claims

【特許請求の範囲】１被検査体に向けて拡散光を照射し、被検査体
透過光をレンズ系を用いて結像させ、結像面に配
置した光電変換器により光学像を電気信号に変換
し、この電気信号を信号処理系にかけて被検査体
の良否を判定する装置において、偏光板、1/4波
長板の組合せからなり拡散光源と被検査体の間に
配置され光源側に向けた偏光板で拡散光を受け1/
４波長板に対応する単色光を1/4波長板側から所定
旋回方向の円偏光として取り出す入射側円偏光偏
光子と、1/4波長板、偏光板の組合せからなり被
検査体と光電変換器の間に配置され被検査体透過
光のうち入射側における円偏光と同一旋回方向の
円偏光を被検査体側に向けた1/4波長板で受け入
れ偏光板側から平面偏光として取り出す検出側円
偏光偏光子とを備えた透明体の欠陥検出装置。２光電変換器は複数の単位素子を相互間の不感
帯幅を狭くして整列させたダイオードアレーであ
り、信号処理系は前記近隣単位素子出力間のアナ
ログ演算を行う演算回路を含む特許請求の範囲第
１項記載の透明体の欠陥検出装置。３ダイオードアレーはその単位素子が平行四辺
形で、各単位素子の対応する一辺が同一直線上に
揃うように１列に配置した特許請求の範囲第２項
記載の透明体の欠陥検出装置。４ダイオードアレーは単位素子を２列に整列さ
せた特許請求の範囲第２項記載の透明体の欠陥検
出装置。５ダイオードアレーはその単位素子が平行四辺
形で、各単位素子の対応する一辺を同一直線上に
揃えた特許請求の範囲第４項記載の透明体の欠陥
検出装置。６単位素子の位置を２列間でずらした特許請求
の範囲第４項又は第５項記載の透明体の欠陥検出
装置。７アナログ演算処理を上下の隣接２単位素子出
力間毎に行なう特許請求の範囲第２項から第６項
の何れかに記載の透明体の欠陥検出装置。８アナログ演算処理を左右の近隣２単位出力間
で行なう特許請求の範囲第４項から第６項の何れ
かに記載の透明体の欠陥検出装置。９アナログ演算処理を上下左右の近隣４単位素
子毎に重複することなく行なう特許請求の範囲第
４項から第６項の何れかに記載の透明体の欠陥検
出装置。１０アナログ演算処理は列毎に上下の単位素子
出力間で引き算したものを足し算する特許請求の
範囲第９項記載の透明体の欠陥検出装置。１１光電変換器はテレビカメラである特許請求
の範囲第１項記載の透明体の欠陥検出装置。１２テレビカメラは固体撮像素子を用いたもの
である特許請求の範囲第１１項記載の透明体の欠
陥検出装置。１３光電変換器は自己走査型ダイオードアレー
カメラである特許請求の範囲第１項記載の透明体
の欠陥検出装置。