JPS5910031A - スイツチ回路 - Google Patents

スイツチ回路

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JPS5910031A
JPS5910031A JP58068510A JP6851083A JPS5910031A JP S5910031 A JPS5910031 A JP S5910031A JP 58068510 A JP58068510 A JP 58068510A JP 6851083 A JP6851083 A JP 6851083A JP S5910031 A JPS5910031 A JP S5910031A
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    • HELECTRICITY
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    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/082Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は、真及び補の出力を与えるプッシュ・プル出力
段に電流ミラーが結合された電流スイッチ・エミッタ・
ホロワ回路に関する。この回路は高速で動作し、オン・
チップ及O・オフ・チップの駆動能力を提供し、集積回
路技術で有利に製造てきる。
〔発明の背景〕
電流スイッチ回路は従来技術で周知のものであり、最初
に米国特許第2964652号明細書に記載されている
。その最も基本的な形において、電流スイッチは第1及
び第2のトランジスタを含み、それらのエミッタは共通
にはぼ一定の電流源に接続される。2つのトランジスタ
のうち一方のベースは基準電位に、他方のトランジスタ
のペースは入力信号に接続される。またトランジスタの
各々にはコレクタ負荷デバイスが接続される。そして入
力信号電位レベルが基準電位レベルよりも高いかもしく
は低いかに依存して、2つのトランジスタのうち一方が
、電流源によって供給される一定電流を導通させる。各
コレクタには真及び補の出力が得られる。電流スイッチ
回路の出力はしばしばエミッタ・ホロワに接続され、電
流スイッチ0エミツタ・ホロワ(C3EF)となる。こ
れは電流モード論理とも呼ばれている。
また、電流スイッチ・エミッタ・ホロワをブツシュ・プ
ル駆動回路に接続する事も知られている。
電流スイッチ・エミッタ・ホロワ回路をブツシュ・プル
駆動器に接続する種々の回路構成も知られている。しか
しながら、これらの従来技術のいずれも電流スイッチ・
エミッタφホロワを電流ミラーによってブツシュ・プル
駆動器に結合する事は提案していな(・。従って、それ
らは本発明の有利な特徴及び利点を提供するのに失敗し
ているのである。
〔発明の概要〕
従ってζ本発明の目的は、集積回路に適したブツシュ・
プル出力付きの改良された高性能の電流スイッチ・エミ
ッタ・ホロワを提供する事である。
本発明によれば、出力レベルが異なる真補信号発生器、
例えばオン・チップ及びオフ・チップの両方の駆動能力
を提供するものが与えられる。
また、本発明によれば、出力における短絡又は電源の故
障のような破局的な条件の下でも故障しない駆動回路が
与えられる。
さらに、本発明によれば、オフ・チップ・ドライバをデ
ィスエーブルするための手段を有する6状態機能を有す
る駆動器が与えられる。
本発明の目的は、電流スイッチ・エミッタ・ホロワとブ
ツシュ・プル駆動器との間の電流ミラー・インクフェー
スによって達成される。電流スイッチ回路は、エミッタ
が共通に定電流源に接続された第1及び第2のトランジ
スタを有スル。ベース電極が各々第1及び第2のトラン
ジスタのコレクタに接続された第6及び第4のトランジ
スタはエミッタ・ホロワ回路を形成し、それらのエミッ
タ電極に第1の相補的出力信号対を与える。第5及び第
6のトランジスタを含むブツシュ・プル駆動器は、第5
のトランジスタのベースが第2のトランジスタのコレク
タに、第6のトランジスタのベースが電流ミラーによっ
て第6のトランジスタのエミッタに結合されるように、
電流スイッチ・エミッタ・ホロワ出力に接続される。
〔良好な実施例の説明〕
第1図を参照して良好な実施例を説明する。電流スイッ
チ回路は、エミッタが共通にほぼ一定の電流源に接続さ
れた第1及び第2のトランジスタT1及びT2を有する
。トランジスタT2のベース電極は基準電位VRに接続
され、トランジスタT1のベースは入力信号端子INに
接続されている。トランジスタT1には並列に多数のト
ランジスタが接続され、例えばNOR回路等の論理回路
を形成する多数の入力を与えている。T1のコレクタは
、エミッタ・ホロワ・トランジスタT3のベースに接続
され、T2のコレクタは、エミッタ・ホロワaトランジ
スタT4のベースに接続される。T3及びT4のコレク
タは、電源電位端子VCC1即ち回路へ印加される最高
電位に接続される。T4のエミッタは、端子OUT 1
に真出力信号を与え、一方T3のエミッタは端子OUT
 1に補信号出力を与える。第1のブツシュ・プル駆動
器は、第5及び第6のトランジスタT5及びT6によっ
て構成される。T5のベースはT2のコレクタに接続さ
れ、電流スイッチの同相(真)出力を受は取る。T60
ベースは、T1のコレクタに接続され、エミッタ・ホロ
ワT3及び電流ミラー・トランジスタTMによって、電
流スイッチの異相(相補)出力を受は取る。
真出力信号は、T5のエミッタと、T6のコレクタとの
間の端子0UT2に与えられる。
出力0UT2は、ディスエーブル・トランジスタT7及
びT8によって、6番目の状態に置く事ができる。トラ
ンジスタT7は、T50ベースと端子VTとの間に接続
される。T7のベースに接続された端子りのディスエー
ブル信号は、T7をターン・オフし、T5をオフ状態に
保つ。同様にトランジスタ′I゛8はT6のベースと端
子VTとの間に接続される。トランジスタT8のベース
に接続された端子りにもディスエーブル信号が供給され
、T6をオフにする。
[01路は、全体的に対称であり、 従ってトランジス
タT5’のエミッタとトランジスタT6’のコレクタと
の間の01JT2端子には、第2のブツシュ・プル駆動
k(Cよって補出力が与えられる。この対称性を考N、
< シて、テイスエーブル・トランジスタT7’及びT
8′並びに電流ミラー・トランジスタTM’はプライム
記号付きの対応する参照番号を付けである。ダイオード
接続されだl・ランジスタT9は端子■CC及びショッ
トキー障壁ダイオード5BD1及び5BD2に接U];
されている。T9及び5BD1の直列接続は、ノードA
に対するダウン・レベル・コレクタ・クランプを布先、
トランジスタT1のコレクタからのダウン・レベル出力
を制限する。T9及び5BD2の直列接続はノードBに
接続され、T2のコレクタに関する同様のコレクタ・ク
ランプを与える。VCCとノードA七の間に接続された
抵抗R1は、TIに関するコレクタ抵抗であり、VCC
とノートBとの間に接続された抵抗R2はトランジスタ
T2に関するコレクタ抵抗である。R1及びR2の抵抗
値並びに定電流源を変える事によって、電流スイッチの
電力/性能比を変える事ができる。定電流は、抵抗R1
、トランジスタT1、トランジスタToo及び抵抗R3
によって定められる経路か又は、抵抗R2、トランジス
タT2並びに端子VEE (回路で得られる最も負の電
位)に接続された抵抗R3及びトランジスタTIOの直
列接続によって与えられる定電流源によって定められる
右側の経路を流Jする。トランジスタT10は、そのベ
ースの端子VAにおいて基準電位を受は取る。この電位
はトランジスタT2に供給される端子VRの基準電位と
同様に、温度及び電源の変動について補償されている。
温度及び電源の変動に対して両端子VR及びVAの電位
を補償し、且つ2つの基準電位の電位レベルと所望の関
係を維持する事は周知の技術である。
T4のエミッタと端子VEEとの間に接続された抵抗R
4はエミッタ・ホロワ−トランジスタT4に関するプル
・ダウン抵抗である。抵抗R5は抵抗R6と直列にVC
Cに接続され、抵抗R6は抵抗R4’に接続されている
。抵抗R5及びR6は電流ミラー・トランジスタTMの
ベース及びコレクタの共通接続におけろ電圧分割器を形
成する。
電流ミラー・トランジスタTMのコレクタ及びベース並
びに抵抗R5とR6との共通接続点によって形成される
共通ノードCは通常電流ミラー・トランジスタTMによ
って、端子VTの電位よりもベース・エミッタ電圧降下
(V  )だけ高い固定e 電位近くにクランプされる。トランジスタTMのベース
は、トランジスタT6のベースに接続され、これら2つ
のトランジスタは電流ミラー構成の形に接続される。T
6のベースの電位がクランプされるので、その伝導度は
電流制御される。より具体的には、トランジスタTMを
流れる電流及びトランジスタT6を流れる電流はこれら
2つのトランジスタのエミツタ面積比(ミラー電流比)
に直接比例する。典型的には、もしトランジスタT6の
エミッタが電流ミラー・トランジスタTMのエミッタの
10倍の面積を持つように作られて(・れば、トランジ
スタT6は、電流ミラー・トランジスタTMの10倍の
電流を伝導する。
この回路の他の特徴は電流制限抵抗R7である。
トランジスタT5がオンの時に出力端子0UT2が短絡
されて℃・ると、VCCとT5のコレクタとの間に接続
された抵抗R7は、VCCからR7及びT5を通る回路
中の電流を制限す低寸だ1、トランジスタT5は、ベー
スのオーバードライブを制限するベース−コレクタ・シ
ョットキー障壁ダイオード・クランプ5BD5を有し、
これによってT5が飽和する事を防いでいる。トランジ
スタT6も同様のクランプS BD4を有する。同様に
、回路の相補出力側にも各々ブツシュ・プル・トランジ
スタT 5’及びT 6’のための飽和防止クランプと
して接続されたショットキー障壁ダイオードS B D
 5’及びS B D 4’が存在する。また、抵抗R
7′は端子への相補出力に対する電流制限を与える。
最後に抵抗R5’及びR6’は電流ミラー・トランク、
x、 タT M’ の共通ベース−コレクタ接続に対す
るノードDにおける電圧分割機能を与える。
電流制限抵抗R7(及びR7′)によってブツシュ・プ
ル・トランジスタT5(及びT5′)が保護されるのに
加えて、トランジスタT6(及びTa2)も保、護され
る。例えばトランジスタT6の保護は、トランジスタT
Mに対するその電流ミラー関係によって与えられる。出
力端子0UT2に短絡又は他の誤接続が生じたとしても
、トランジスタT6を通る電流はトランジスタTMを通
る電流に対して一定の比を保ち、端子0UT2の誤接続
によって増加する事はな℃・。
プロシュ・プル駆動器出力0UT2及び0UTIは大き
な駆動電流を与え、オフ・チップ・ドライバに適してい
る。エミッタ・ホロワ出力0UT1及び0UT1(内部
出力)は通常、同じチップ上の他の回路に接続される。
従って、この回路は、回路内でいくつかのレベルの駆動
能力を与える事によって集積回路マスター・スライス・
レイアウト構成に大きな柔軟性を与える。
〔動作〕
第1図の回路図の種々の回路接続について説明して来た
が、以下その動作について説明する。本発明の回路の動
作は、種々の電圧及び電流の波形図を参照する事によっ
て最も良く理解できる。
VCCは最も正の電位であって約+1.4 VそしてV
EEは最も負の電位であって約−22vであると仮定す
る。この時、端子VTは、約−0,7Vの内部電圧を受
は取る。これらの電源端子電位を用いると、基準電位V
Aが約−=06vの時、電位VRは大地電位に近いであ
ろう。
端子INの入力電位は、端子VRの基準電位に対して対
称的に変化する。VRが約OVの場合、入力信号は+〇
、4V又は−0,4Vに変化し、T1又はT2に流れる
一定電流を切り換える。
例示的なパラメータを用いて説明をする前に、動作の概
要を説明しておく。既に述べたよう′に、この回路の真
個1及び補側は完全に対称的である。
この理由により、及び入力端子のアップ又はダウンの論
理レベルに彪答して、回路の真個及び補側の対応するノ
ードに逆位相の対応する電圧レベルが存在する。従って
、第1の入力論理レベルにおける回路の1つの側の論理
状態についての説明は、反対の論理入力レベルの場合の
回路の相補側に関するものと同一である。
この回路の動作において、電流ミラー・トランジスタT
M及びそれに対応してブツシュ・プル・トランジスタT
6の電流制御は、動作全体に対して非常に重要である。
これは、  トランジスタTMがオフに保たれている時
にノードCをトランジスタTMのターン・オン電位付近
に保持する事によって行なわれる。これは、内部出力端
子OUT 1がダウン・レベルになるようにトランジス
タT3がオフである時の状態に対応する。この状態にお
℃・て、VCCとVEEの間に接続された抵抗R5、抵
抗R6及び抵抗R4’の直列接続によって与えられる電
圧分割器回路網は、端子0UTTのダウン・レベル及び
ノードCの電位レベルをセットす名。回路はノードCが
、ターン・オンしきい値付近に保たれる。即ち、電圧分
割器がノードCに必要な電位よりも少し低い電位を与え
るならば、トランジスタTMはそのターン・オ、ン電位
に保たれない。一方、ノードCがトランジスタT Mの
ターン・オン電位よりも少しだけ上の電位になれば、T
Mを流れる小さな電流がノードCの電位を下げ、ターン
・オンしきい値に戻すであろう。従ッテ、トランジスタ
TMは、そのヘースーコレクタ接点が端子VTよりも”
Ire  高い電位付近にクランプされてオフ状態にあ
り、またブツシュ・プル・トランジスタT6も同様にオ
フ状態にある。
相補的内部端子OUT 1がトランジスタT3のターン
eオンによりアップ・レベルに上昇する時、トランジス
タTMの急速なターン・オンが行なわれる。この時、端
子0UTIの電位は、トランジスタT3によって決定さ
れ、従って、電圧分割器はVCCと端子OUT 1との
間の直列経路に接続された抵抗R5及びR6を含むだけ
である。その結果、抵抗R6を通る電流が反転し、こσ
)電流番まトランジスタTM及びT6をターン・オンす
る。
トランジスタT6を流れる電流は、トランジスタTMを
流れる電流に対して電流ミラー比を有する。
周知のように、電流ミラーは両方向に作用し、出カノー
ドにおける具体的な負荷条件を調節するように安定化を
行なう。従って負荷が、必要な比を与えるには不充分な
電流しが端子0UT2に供給しないならば、電流がノー
ドCからショットキー障壁ダイオード5BD4を経て流
れ、トランジスタT6のコレクタ電流に寄与するであろ
う。このようにして常にT6とTMとの間に所望の電流
比(例えば10:1)が維持される。
トランジスタTろがターン・オフすると即座に端子OU
T 1の電位が低下し抵抗R6を流れる電流が反転して
ノードCから電流を引き出すので、トランジスタTMの
ターン・オフはそのターン・オンと同様に急速に行なわ
れる。トランジスタTMのオン状態の間にキャリアがT
M中に蓄積されるので、ノードCの電圧が下降する遷移
は電圧上昇遷移よりも緩やかである。しかしながら、こ
の事はトランジスタTMのターン・オフ時間には影響を
与えない。ノードCには非常に小さな電圧遷移しか必要
でないので、容量性の効果は最小限に保たれるのである
。従って、トランジスタTM及びプッシュ・プル・トラ
ンジスタT6の電流ミラー構成はショットキー障壁ダイ
オ−1−8B 4と協動して、高いスイッチング速度、
大きな電流駆動能力及び高い負荷トレラノトな出力を与
える。
第2図で、入力電位は最初(時間=1゜)トランジスタ
T1がオフにトランジスタT2がオンになるよ−うにダ
ウン・レベルにある。この時ノードAは、VCC付近の
電位を、ノードBは大地電位の少し上の電位を有する。
(OUTl及び/又は0tJT2に負荷が接続されてい
なければ、ノードAはVCCになる。)以前述べたよう
に、ノードBのダウン・レベルはトランジスタT9及び
ショットキー障壁ダイオードS BD2におけるダイオ
ード電圧降下によって制限されろ。T9の電圧降下が0
.8 Vで5BD2の電圧降下が0.5 Vであれば、
ノードBのダウン・レベルはVCCが正確に1、4 V
であるとして0. I Vになるであろう。負荷インピ
ーダンス、部品特性、電源及び温度の変動により電圧レ
ベルに少しの変化が生じる事は当業者が認めるであろう
トランジスタT1がオフでノードAが約1.3 Vの時
、エミッタ・ホロワ・トランジスタT 3はオンになり
その出力は1.3 Vよりもほぼベース・エミッタ電圧
降下分だけ低くなる。実際エミッタ・ホロワ出力のアッ
プ・レベルは約05〜0.7 Vである。トランジスタ
T1がオフの時、トランジスタT2は導通し、ノードB
を大地電位よりも少し高い電位にまで下げる。従って、
トランジスタT5はオフになる。内部相補出力端子OU
T 1が約05〜0.7 Vの時、抵抗R5及びR6の
電圧分割器はノードCを約01Vに維持するように調整
される。これは電流ミラー・トランジスタTMを導通さ
せ、さらにトランジスタT6を導通させ、それによって
真出力端子0UT2を約−〇、5Vのダウン・レベルに
下げるのに充分である。端子0UT2が端子VTの電位
にまで低下しない理由は、ダイオード・クランプS B
D4による導通による。T60ベースが−1−0,I 
Vに保持される時、出力ノード0UT2は0. I V
よりも5BD4の順方向電圧降下以上には低下し得ない
。トランジスタT6のベースは常に■l+e 伺近にク
ランプされて(・るので、ノードCの電圧の少しの変動
は電流゛ミラー・トランジスタTM及びプッシュ・プル
・トランジスタT6の導通状態を変化させ、従ってT6
の電流制御を行なう。
入力端子が時間t IKダウハレベルからアップ・レベ
ルに変化すると、トランジスタT1はターン・オンし、
トう゛ンジスタT2はターン・オフする。これはノード
Aをダウン−レベルに、ノードBをアンプ・レベルに変
化させる。従って、相補内部出力端子0UTiはダウン
・レベルに、真内部出力端子0UTIはアップ・レベル
になる。
ノードBがアンプ・レベルになると、トランジスタT5
はターン・オンし端子0UT2を約0.5〜0、7 V
 (ノードBよりVb@ だけ低い値)のアップ・レベ
ルにする。同時に、端子QUT 1が約−〇5〜0.7
■のダウン・レベルの時、ノードCは大地電位よりも少
し低い電位になり、TM及びT6をターン・オフする。
ノードCに電圧変化が生じる時、第3図に示すようにト
ランジスタT6の急速なスイッチングが起きる。
第2図の波形の説明を続けると、入力端子がアップ・レ
ベルでトランジスタT1がオンの時、トランジスタT5
′はオフである。同時に、I2がオフなので−T4はオ
ンであり、出力端子OUT 1に約+05〜+ 0.7
 Vのアップ・レベルの電位が生じる。I4が導通すれ
ば、トランジスタTM’  も導通し、従ってトランジ
スタT 6/も導通する。従って端子0UT2はダウン
・レベルになる。
入力端子がダウン・レベル(第2図の時間t2にオ6い
て)に戻る時、T1はターン・オフしI2はクーン拳オ
ンする。このためノードAはアップ・レベルになりT 
5’をターン・オンする。またI2がオンの時、ノード
Bはダウン・レベルになりI5をターン・オフする。ノ
ードAがアップなので、T3−はオン状態であり、トラ
ンジスタTM及びI6はターン−オンされ、そのため端
子0UT2はダウン・レベルに、なる。ノードBがダウ
ンなので、内部端子OUT 1はダウンになり、そのた
めトランジスタTM’ 及びT 6’はオフになる。従
つて端子0UT2はアップ・レベルである。
この回路の動作は、第6図の波形図に示した種々の電流
を調べる事によってより明確になるであろう。時間t。
、tl及びt2を第2図の電圧波形図と対応付けるため
に、この電流波形図には入力端子の電圧VINが描かれ
て(・る。例えば、入力電圧がダウンΦレベルの場合、
トランジスタT1はオフT2はオンである。トランジス
タT1がオフの時、ノードAはアップ電位にあって、ト
ランジスタT3はオンである。トランジスタT3がオン
の時、0UTI端子はアップであり、トランジスタT6
は電流を導通している。T乙に流れる電流は、端子OU
T 1の出力電流に加えて電流11がエミッタ回路を図
示された方向に流れるよりな11は(R4′を流れる)
I2よりも大きく、■1−I2に等しい電流が抵抗R6
からノードCに流れる。トランジスタTMを流れる電流
I3は、対応する電流■4がトランジスタT6に流れる
ようにする。電流利得比が10:1であると仮定すると
、電流I4は電流I3よりも10倍大きいであろう。こ
の時、トランジスタT6は当然オンである。
トランジスタT5がオフでありI5及びI6がプツンユ
・プル形式に接続されているので端子0UT2はダウン
・レベルである。相補端子態にあるのでアップ・レベル
である。
はぼ時間t1に、入力端子がアップ・レベルになると仮
定する。これは、トランジスタT1をターン・オンし、
I2をターン−オンするのでノードAはダラシ・レベル
にノードBはアップ・レベルになる。ノードBがアップ
になる時、トランジスタT5及びI4はターン・オンし
、真出力端子OUT 1及び0UT2をアップ・レベル
にする。
同時に、・ノードAがダウン・レベルになるので、トラ
ンジスタT6はターン・オフする。トランジスタT5が
オフになると、11はOAになり、その結果抵抗R6を
流れる電流は反転し抵抗R6を下向きに流れる。この時
TMがターン・オフし、I3もOに等しくなる。従って
、電流の振幅は、vccとVEEとの間のR5、R6及
びR4’の直列接続によって決定される。従って抵抗R
6を下向きに流れる電流は、I2に等しくなる。回路が
適正に動作する時、R6を流れる電流は常に逆で15〜
2mAに等いであろう(抵抗を上向き又は下向きのいず
れの向きに流れる場合も)。電流ミラー・トランジスタ
TMは何の電流も伝えないので、トランジスタT6もオ
フである。
抵抗R5、R6及びR4’に関する抵抗値は前述の電圧
及び電流の振幅を与えるように調整すべきである。トラ
ンジスタT3がオフの時、端子OUT 1のアップ・レ
ベルはR4’を流れる電流■2によって決定される。(
T3がオフの時)電流t2は、VCCとVEEとの間の
抵抗R5、R6及びR4’を含む直列路の全抵抗値によ
って決定される。この例では、それらの値は端子0UT
1が約−0,5〜−〇、7Vのダウン・レベルを持つよ
うに調整される。これは、抵抗R4’に約15〜1.7
■の電圧降下を要求する。これは約860Qの抵抗値の
R/I’を流れる約15〜2mAの電流によって与えら
れる。R5が約800Ω、R6か約3000の時、ノー
ドCに約−0,I Vの電位が発生する。Tろがターン
・オンされた時、端子OUT 1約+05〜−1−0.
7’Vに」昇し、抵抗R46、に2約15〜2mAの電
流を流す。このためノードCは約+01Vになり、電流
■5が電流ミラー・トランジスタTMを流れる。電流I
3は、T6かも5BD4を流れるコレクタ電流よりもノ
ートCに流入する電流分だけ少ない電流である。
これらの電流及び電圧の例示値は回路の左側の枝におい
ても得られ、そこではノードDはノーFCに対応し、R
5’はR5に、R6’はR6に、そしてR4’はR4に
等しく設定される。このようにして電流ミラー中トラン
ジスタTM’ は、電流ミラー・トランジスタTMがト
ランジスタT6を制御するのと同様に、導通及び非導通
を(そして端子0 ’U T 2の電位を)制御する。
第5図の説明を続けると、時間t2に入力端子がダウン
・レベルになる時、トランジスタT1はターン・オフし
トランジスタT2はターン・オンする。トランジスタT
2がターン・j−ンする時、ノードBはダウン・レベル
になりトランジスタT5をターン−オフする。トランジ
スタT5がオフになると、電流I5はOAになる。トラ
ンジスタT6のターン・オンに伴なって、端子0UT2
は下記のようにダウン・レベルになる。トランジスタT
1がオフになると、トランジスタT6がターン・オンさ
れ、抵抗R6に上向きの電流が流される。そのためノー
トCはアンプ・レベルになる。
この時R6を流れる電流は11’−12に等し℃゛。
但し、■1は■2よりも太き(・0抵抗R5を下向きに
流れる電流に加えて抵抗R6から来る電流は電流ミラー
・トランジスタTMを電流I6として流れ、S BD4
をT6のコレクタ電流として流れる。T6とTMとのエ
ミッタ面積の比に基き電流■3を乗数倍した電流が電流
■4としてトランジスタT6を流れ、この電流は所望の
電流駆動を与え端子0UT2の電位をダウン・レベルに
下げる。
T5がターン・オフされ、T6がターン・オンされるの
と同時に、T s/はターン・オンされT 6’はター
ン・オフされる。トランジスタT1がオフの時、ノーF
Aの電位は上昇し、トランジスタT5′をターン・オン
させる。同時に、トランジスタT2がオンの時ノードB
はダウン・レベルなので、トランジスタT4はオフであ
り、端子OUT 1はダウン−レベルにある。この状態
において、R4を流れる電流はR6’を下向きに流れる
電流に等しくなる。この電流はノードCに関して詳細に
説明したのと同様にノートDをダウン・レベルにする。
従って、トランジスタTM’ は非導通状態になるが、
またトランジスタT 6’も非導通状態になる。
この状態において端子0UT2はアップ・レベルにある
この回路のもう1つの特徴は、端子0UT2及び0UT
2に6状態出力を与える事ができる点である。これらの
出力はトランジスタT7、T 7’、T8及びT8′の
ベース電極のアップ・レベル信号りによってディスエー
ブルされる。それら4つのトランジスタがオンの時、4
つ全部のブツシュ・プル・トランジスタT5、T 5’
、T6及びT 6/のベース端子がダウン・レベルにな
り、それらのトランジスタはターン・オフされる。この
「第6の状態」において端子0UT2及び0UT2はフ
ロート状態にある。これは多くの状況にお(・て非常に
有利である。例えばこ」1らの端子がチップの出力端子
であれば、テストが非常に容易になる。
電流ミラーによって電流スイッチに結合されたブツシュ
・プル出力ドライバを有する電流スイッチ・エミッタ・
ホロワ回路について説明して来た。
この回路はいくつかの異なった駆動レベルにおいて真及
び補の両方の出力が得られる。特にトランジスタT5、
T6及びT 5’、T 6’によって形成さJLルプッ
シュ・プル駆動器は内部のエミッタ・ホロワT3及びT
4よりも高いレベルの駆動(例えばオフ・チップ駆動)
をり、える事ができる。回路の全体的な駆動能力は、R
1、R2及びR3を可変抵抗にする事によって調整可能
である。集積回路形式において、このような回路から構
成されたマスター−スライスはマスター・スライスの種
々のセルの相互接続において多様な代替手段を提供する
。また以前に指摘したように、付加的なトランジスタを
図のトランジスタT1に並列に加える事によってこの回
路は容易に他の論理回路に拡張できる。また、T3及び
T4のような付加的なエミッタ・ホロワをT1及びT2
のコレクタに接続する事もできる。
良好な実施例を参照しながら本発明を説明して来たが、
例えば回路に使用したトランジスタの導電型を反転し、
バイアスを適当に変化させる等の細部の変□更を、本発
明の技術思想から離れる事な〈実施し得る事は明白であ
ろう。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の回路図、第2図は第1図の回
路の動作を説明する電圧波形図、第6図は第1図の回路
の動作を説明する電流波形図である。 T1、T2・・・・電流スイッチ用トランジスタ、T3
、T4・・・・エミッタ・ホロワ用トランジスタ、T5
、T6・・・・ブツシュ・プル駆動器用トランジスタ、
T7、T8・・・・ディスエーブル・トランジスタ、T
M・・・・電流ミラー・トランジスタ、5BDI〜S 
BD4・・・・ショットキー障壁ダイオ−ド。 出願人  インターナシ田カル・ビジネス・マシーZズ
・コーポレーション代理人 弁理士  岡   1) 
 次   生(外1名)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 少なくとも1つの入力部、第1の出力部及び該出力に相
    補的な第2の出力部を有する電流スイッチと、 第1の入力部及び第2の入力部並びに出力部を有し、上
    記第1の入力部が上記電流スイッチの第1の出力部に電
    気的に接続されたブツシュ・プル回路と、 エミッタ・ホロワ回路及び電流ミラー回路を含み、上記
    電流スイッチの第2の出力部を上記ブツシュ・プル回路
    の第2の入力部に電気的に結合する回路とを備えたスイ
    ッチ回路。
JP58068510A 1982-06-30 1983-04-20 スイツチ回路 Granted JPS5910031A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/393,835 US4490630A (en) 1982-06-30 1982-06-30 Current switch emitter follower with current mirror coupled push-pull output stage
US393835 1982-06-30

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JPS5910031A true JPS5910031A (ja) 1984-01-19
JPH0328850B2 JPH0328850B2 (ja) 1991-04-22

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