JPS588065A - エタンブト−ルスルホン酸誘導体の製造方法 - Google Patents
エタンブト−ルスルホン酸誘導体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は結核治療剤として有用なエタンブトール（Ｅｔ
ｈａｍｂｕｔｏｌ）スルホン酸誘導体の製造方法に関す
る。特に本発明は、次の式（１）で表わされるエタンプ
トールーイソニアジドーメタンスルホン酸塩（ｄ ｆ＠
２．２’−（ｅｔｈｙｌｅｎｅ−ｄｉａｍｉｎｏ）
−ｄｉ−ｂｕｔａｎｏｌ−ｄｉ−ｉｓｏｎｉａｚｉｄ−
ｍｅｔｈａｎｅ ５ｕｌｆｏｎａｔｅ）の新規な製造方
法に関するものである；０
０ 従来、エタンブトールーイソニアジドーメタンスルホン
酸塩の製造方法はドイツ特許公開筒２．０３６，９３５
号公報に開示されている。この方法によれば、次の一般
式０） （ただし、Ｒは水素又はナトリウムを表わす）で表わさ
れるインニアシトメタンスルホン酸又はそのナトリウム
塩を水中で反応させて製造し、とれを分離、精製した後
に、メタノール又はエタノール等のアルコール溶媒中で
エタンブトールと反応させて製造している。
ｈａｍｂｕｔｏｌ）スルホン酸誘導体の製造方法に関す
る。特に本発明は、次の式（１）で表わされるエタンプ
トールーイソニアジドーメタンスルホン酸塩（ｄ ｆ＠
２．２’−（ｅｔｈｙｌｅｎｅ−ｄｉａｍｉｎｏ）
−ｄｉ−ｂｕｔａｎｏｌ−ｄｉ−ｉｓｏｎｉａｚｉｄ−
ｍｅｔｈａｎｅ ５ｕｌｆｏｎａｔｅ）の新規な製造方
法に関するものである；０
０ 従来、エタンブトールーイソニアジドーメタンスルホン
酸塩の製造方法はドイツ特許公開筒２．０３６，９３５
号公報に開示されている。この方法によれば、次の一般
式０） （ただし、Ｒは水素又はナトリウムを表わす）で表わさ
れるインニアシトメタンスルホン酸又はそのナトリウム
塩を水中で反応させて製造し、とれを分離、精製した後
に、メタノール又はエタノール等のアルコール溶媒中で
エタンブトールと反応させて製造している。
しかしながら、上記の公知の方法においては、インニア
シトメタンスルホン酸又はそのナトリウム塩を製造する
場合の収率は６０％程度で低く。
シトメタンスルホン酸又はそのナトリウム塩を製造する
場合の収率は６０％程度で低く。
又この化合物を製造するのに亜硫酸ガスが用いられ、こ
の場合大気汚染を生ずる恐れがあるので、上記公知の方
法はこれらの点からみても工業的に有利な方法とは云え
ない。
の場合大気汚染を生ずる恐れがあるので、上記公知の方
法はこれらの点からみても工業的に有利な方法とは云え
ない。
更に上記の方法においては、インニアシトメタンスルホ
ン酸又はそのナトリウム塩を水中で製造し、これとエタ
ンブトールと反応させて目的とするメタノール−イソニ
アシト−メタンスルホン酸塩を得るのであるが、目的化
合物を収率よく得るためには、インニアシトメタンスル
ホン酸又はそのナトリウム塩を製造した後にこれを分離
、精製する必要があり、このためかなりの手間を要する
ことになる。
ン酸又はそのナトリウム塩を水中で製造し、これとエタ
ンブトールと反応させて目的とするメタノール−イソニ
アシト−メタンスルホン酸塩を得るのであるが、目的化
合物を収率よく得るためには、インニアシトメタンスル
ホン酸又はそのナトリウム塩を製造した後にこれを分離
、精製する必要があり、このためかなりの手間を要する
ことになる。
上記公知の方法で反応物として使用するインニアシトメ
タンスルホン酸又はそのナトリウム塩を製造後、これを
精製することなくエタンプトールと反応させると未反応
物と不純物が多くなり、生成される目的化合物の収率が
６０％程度と著しく減少する。またこの場合、生成した
エタンプトールーイソニアジドーメタンスルホン酸塩を
分離するか又はこれを再結晶環によって精製するのに長
時間を要し、中量工程が遅延し、生産コストに悪影響を
与えるために経済的に有利な方法とは云えない。
タンスルホン酸又はそのナトリウム塩を製造後、これを
精製することなくエタンプトールと反応させると未反応
物と不純物が多くなり、生成される目的化合物の収率が
６０％程度と著しく減少する。またこの場合、生成した
エタンプトールーイソニアジドーメタンスルホン酸塩を
分離するか又はこれを再結晶環によって精製するのに長
時間を要し、中量工程が遅延し、生産コストに悪影響を
与えるために経済的に有利な方法とは云えない。
本発明者は、上記の如き欠点を伴なわず、工業的に有利
に実施でき、公害問題を惹起することがないような改良
されたエタンブトールーイソニアジドーメタンスルホン
酸塩の製造方法について鋭意検討を重ねた結果、エタン
ブトール又はその塩酸塩とクロロメタンスルホン酸又は
そのナトリウム塩を反応させてエタンブトール−クロロ
−メタンスルホン酸塩を製造し、これを分離することな
くイソニアシトと反応させると短時間、例えば１時間以
内にエタンブトールーイソニアジドーメタンスルホン酸
塩を高収率で製造できることを見出し、本発明を完成し
た。
に実施でき、公害問題を惹起することがないような改良
されたエタンブトールーイソニアジドーメタンスルホン
酸塩の製造方法について鋭意検討を重ねた結果、エタン
ブトール又はその塩酸塩とクロロメタンスルホン酸又は
そのナトリウム塩を反応させてエタンブトール−クロロ
−メタンスルホン酸塩を製造し、これを分離することな
くイソニアシトと反応させると短時間、例えば１時間以
内にエタンブトールーイソニアジドーメタンスルホン酸
塩を高収率で製造できることを見出し、本発明を完成し
た。
すなわち、本発明は、次の一般式（１）（ただし、ｎけ
０又は１を表わす） で表わされるエタンブトール（Ｅｔｈａｍｂｕｔｏｌ）
又ｕその２塩酸塩と次の一般式（ＩＩ） Ｃ１−ＣＨ，−８ｏ３−Ｆ（儂） （ただし、Ｒは水素原子又はナトリウム原子を表わす） で表わされるクロロメタンスルボン酸又はそのナトリウ
ム塩を反応させて次の式（Ｗ＞ で表わされる中間体、エタンブトール−クロロ−メタン
スルホン酸を製造し、次いでこれと次の式（） で表わされるインニアシトを一反応させることを特徴と
する次の式（＋） で表わされるエタンプトールーイソニアジドーメタンス
ルホン酸誘導体（又は塩）の製造方法である。
０又は１を表わす） で表わされるエタンブトール（Ｅｔｈａｍｂｕｔｏｌ）
又ｕその２塩酸塩と次の一般式（ＩＩ） Ｃ１−ＣＨ，−８ｏ３−Ｆ（儂） （ただし、Ｒは水素原子又はナトリウム原子を表わす） で表わされるクロロメタンスルボン酸又はそのナトリウ
ム塩を反応させて次の式（Ｗ＞ で表わされる中間体、エタンブトール−クロロ−メタン
スルホン酸を製造し、次いでこれと次の式（） で表わされるインニアシトを一反応させることを特徴と
する次の式（＋） で表わされるエタンプトールーイソニアジドーメタンス
ルホン酸誘導体（又は塩）の製造方法である。
以下１本発明の方法を詳細に説明する。
本発明に従って、がｊ記一般式（厘）のエタンブトール
又はその塩酸塩と一般式（Ｂｌ）のクロロ−メタンスル
ホン酸又はそのナトリウム塩を、溶媒としてメタノール
、エタノール、グロパノール、又はイソプロパツール等
の炭集数４以下の低級アルコール中で反応させると、前
記の式（Ｍ）で表わされるエタンブトール−クロロ−メ
タンスルホン酸塩が生成する。これを分離することなく
、得られた反応液に１式（Ｖ）のインニアシトを加え常
温に保つか又は高温特に使用した溶媒の沸点に加熱する
と、約１時間以内に目的とする式（１）のエタンブトー
ルーインニアジドーメタンスルホン酸塩が生成する。
又はその塩酸塩と一般式（Ｂｌ）のクロロ−メタンスル
ホン酸又はそのナトリウム塩を、溶媒としてメタノール
、エタノール、グロパノール、又はイソプロパツール等
の炭集数４以下の低級アルコール中で反応させると、前
記の式（Ｍ）で表わされるエタンブトール−クロロ−メ
タンスルホン酸塩が生成する。これを分離することなく
、得られた反応液に１式（Ｖ）のインニアシトを加え常
温に保つか又は高温特に使用した溶媒の沸点に加熱する
と、約１時間以内に目的とする式（１）のエタンブトー
ルーインニアジドーメタンスルホン酸塩が生成する。
上記反応に用いられるクロロ−メタンスルホン酸又はそ
のナトリウム塩とインニアシトの添加量はエタンブトー
ル１モルに対して夫々２モルである。
のナトリウム塩とインニアシトの添加量はエタンブトー
ル１モルに対して夫々２モルである。
上記式（Ｖ）のインニアシトを加える場合１反応液にア
ルカリ性活性アルミナを少量加えると、目的化合物の収
率を増加させることができる。反応温度は一般弐〇）の
エタンブトール遊離塩基と一般式伸）のクロロ−メタン
スルホン＃を反応させて式（ロ）のエタンブトール−ク
ロロ−メタンスルホン［ｉを製造し、これを中間体とし
て反応を進行させる場合には低温、例えば室温でも反応
は容易に進行するが、生成物の純度と収率を向上させる
場合には、使用した溶媒の沸点で加熱還流することが望
ましい。
ルカリ性活性アルミナを少量加えると、目的化合物の収
率を増加させることができる。反応温度は一般弐〇）の
エタンブトール遊離塩基と一般式伸）のクロロ−メタン
スルホン＃を反応させて式（ロ）のエタンブトール−ク
ロロ−メタンスルホン［ｉを製造し、これを中間体とし
て反応を進行させる場合には低温、例えば室温でも反応
は容易に進行するが、生成物の純度と収率を向上させる
場合には、使用した溶媒の沸点で加熱還流することが望
ましい。
特に、上タンブトールの塩化水素酸塩とクロロ−メタン
スルホン酸のナトリウム塩を反ＬＣさせる場合には、高
圧容封シ（１〜６気圧）へ入れて、反応温度を１００〜
１１０Ｃに維持することが好ましい。この場合１反応の
終了後、生成した塩化ナトリウムを濾去し、濾液に式（
ｖ）のインニアシトを加え、２０〜６０分間反応させる
と、式（１）のエタンプト−ルーイソニアジドーメタン
スルホン酸塩が容易に得られる。
スルホン酸のナトリウム塩を反ＬＣさせる場合には、高
圧容封シ（１〜６気圧）へ入れて、反応温度を１００〜
１１０Ｃに維持することが好ましい。この場合１反応の
終了後、生成した塩化ナトリウムを濾去し、濾液に式（
ｖ）のインニアシトを加え、２０〜６０分間反応させる
と、式（１）のエタンプト−ルーイソニアジドーメタン
スルホン酸塩が容易に得られる。
本発明で出発物質として使用されるりｕｏ−メタンスル
ホン酸又はこれのナトリウム塩の製造方法については多
くの文献に発表されており１例えばジクロロメタンと亜
硫酸ナトリウム（Ｎａ＠ ５ｏ３）から容易に製造する
ことができる。
ホン酸又はこれのナトリウム塩の製造方法については多
くの文献に発表されており１例えばジクロロメタンと亜
硫酸ナトリウム（Ｎａ＠ ５ｏ３）から容易に製造する
ことができる。
以上、本発明のエタンプトールーイソニアジドーメタン
スルキン酸塩の新規な製造方法について説明したが、そ
の反応は次の反応式に示す如き反応機構で進行するもの
と考えられる； （璽） Ｏ■）（１） 上記の式でｎ及びＲは前記の通ゆである。
スルキン酸塩の新規な製造方法について説明したが、そ
の反応は次の反応式に示す如き反応機構で進行するもの
と考えられる； （璽） Ｏ■）（１） 上記の式でｎ及びＲは前記の通ゆである。
本発明の重要な特徴の１つは、式（ト）のエタンブトー
ル−クロロ−メタンスルホン酸塩を製造した後に、これ
を分離することなく直接式（Ｖ）のインニアシトとの反
応に供し、式（１）のエタンブトールーインニアジドー
メタンスルホン酸塩を、得ることができることである。
ル−クロロ−メタンスルホン酸塩を製造した後に、これ
を分離することなく直接式（Ｖ）のインニアシトとの反
応に供し、式（１）のエタンブトールーインニアジドー
メタンスルホン酸塩を、得ることができることである。
。
以下、本発明を実施例について具体的に説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例１
ｘｆｉ ７７’ ）−に２０．４ ｇ （０，１モル）
トクロローメタンスルホン酸２８．６ ｇ （０，２モ
ル）を無水メタノール１８０−に加え、３０分間加熱還
流させた。これにインニアシト２７．４ ｇ （０，２
モル）と無水メタノール７０Ｍ１の混合液を１０分かけ
て同一温度で滴加した後Ｋ、２０分間さらに加熱攪拌し
た。反応が終了した後Ｋ、反応液を室温に冷却し、これ
にシクロヘキサン３ＱｊＥ／を加えて放置すると、白色
粉末が生成した。これを濾過して回収シ、エタノールで
再結晶すると白色のエタンプトールーイソニアジドーメ
タンスルホン酸有機塩４７．４ｇを得た。
トクロローメタンスルホン酸２８．６ ｇ （０，２モ
ル）を無水メタノール１８０−に加え、３０分間加熱還
流させた。これにインニアシト２７．４ ｇ （０，２
モル）と無水メタノール７０Ｍ１の混合液を１０分かけ
て同一温度で滴加した後Ｋ、２０分間さらに加熱攪拌し
た。反応が終了した後Ｋ、反応液を室温に冷却し、これ
にシクロヘキサン３ＱｊＥ／を加えて放置すると、白色
粉末が生成した。これを濾過して回収シ、エタノールで
再結晶すると白色のエタンプトールーイソニアジドーメ
タンスルホン酸有機塩４７．４ｇを得た。
この化合物の融点は１２１〜１２２．５Ｃで、消費した
エタンブトールに対する目的化合物の収率は７１％であ
った。得られた化合物の性質は次の如くであった。
エタンブトールに対する目的化合物の収率は７１％であ
った。得られた化合物の性質は次の如くであった。
紫外線吸収スペクトル（エタノール）：２３７ｎｍ（ｍ
ｉｎ） 、 ２１．５ ｎ、ｍ、（ｗａｘ）赤外線吸収
スペクトル（ＫＢｒ ｄｉｓｃ） （３’） ：３５０
０−２８００．３１５０，１６４０，１５３０゜１４４
０．１３００，１１６０．１０３０核磁気共鳴スペクト
ル（ＤｘＯ）（δ−ｐｐｍ）：８．８（ｄ 、４Ｈ）
、７．８（ｄ、４Ｈ） 、４．３２（Ｓ 、４Ｈ） 。
ｉｎ） 、 ２１．５ ｎ、ｍ、（ｗａｘ）赤外線吸収
スペクトル（ＫＢｒ ｄｉｓｃ） （３’） ：３５０
０−２８００．３１５０，１６４０，１５３０゜１４４
０．１３００，１１６０．１０３０核磁気共鳴スペクト
ル（ＤｘＯ）（δ−ｐｐｍ）：８．８（ｄ 、４Ｈ）
、７．８（ｄ、４Ｈ） 、４．３２（Ｓ 、４Ｈ） 。
３．８（ｓ、４Ｈ）、４．５−３．３（ｍ、６Ｈ）、１
．９（ｑ、４Ｈ）、１．２（ｔ、６Ｈ） 実施例２ エタンブトール・２塩酸塩（Ｅｔｈａｍｂｕｔｏｌ −
２ＨＧｔ）２７．７ ｇ （０，１モル）とクロロ−メ
タンスルホン酸ナトリウム塩３３ｇ（０，２モル）を無
水メタノール２３０ｄと共に高圧反応容器（１気圧）に
入れ、内部温度を１００−１０５０に維持しながら１時
間加熱した。反応液を室温に冷却した後、生成した塩化
ナトリウムを濾過して除き、濾液に実施例１と同一な
反応条件下でインニアシト２７．４ ｇ （０，２モル
）を加えて処理し、エタンプトールーイソニアジドーメ
タンスルホン酸有機塩４５．３ｇの白色結晶を得た。
．９（ｑ、４Ｈ）、１．２（ｔ、６Ｈ） 実施例２ エタンブトール・２塩酸塩（Ｅｔｈａｍｂｕｔｏｌ −
２ＨＧｔ）２７．７ ｇ （０，１モル）とクロロ−メ
タンスルホン酸ナトリウム塩３３ｇ（０，２モル）を無
水メタノール２３０ｄと共に高圧反応容器（１気圧）に
入れ、内部温度を１００−１０５０に維持しながら１時
間加熱した。反応液を室温に冷却した後、生成した塩化
ナトリウムを濾過して除き、濾液に実施例１と同一な
反応条件下でインニアシト２７．４ ｇ （０，２モル
）を加えて処理し、エタンプトールーイソニアジドーメ
タンスルホン酸有機塩４５．３ｇの白色結晶を得た。
この化合物の融点は１２１〜１２２Ｃで、消費したエタ
ンブトール・２塩酸塩に対する目的化合物の収率は６８
％であった。この化合物の紫外線吸収スペクト／Ｉ／％
赤外線吸収スペクトル、及び核磁気共鳴スペクトルは実
施例１で得られた化合物と同一な値を示した。
ンブトール・２塩酸塩に対する目的化合物の収率は６８
％であった。この化合物の紫外線吸収スペクト／Ｉ／％
赤外線吸収スペクトル、及び核磁気共鳴スペクトルは実
施例１で得られた化合物と同一な値を示した。
実施例３
エタンブトール２０．４１１ｖ（０，１モル）とクロロ
−メタンスルホン酸２８．６ ｇ （０，−２モル）と
無水エタノールと共に反応フラスコに入れて、攪拌させ
ながら３０分間、加熱、還流させた。これに。
−メタンスルホン酸２８．６ ｇ （０，−２モル）と
無水エタノールと共に反応フラスコに入れて、攪拌させ
ながら３０分間、加熱、還流させた。これに。
イソニアシト２７．４ ｇ （０，２モル）を加え６０
分間続けて攪拌、加熱、還流させた後、不溶物を濾過し
て除去し、放置、冷却させた。生成された白色結晶を濾
過、乾燥させてエタンブトールーイノニアジドーメタン
スルホン酸塩５８ｇｔ−得た。これの融点は１２１−１
２２．５ｒで、消費したエタンブトールに対する目的化
合物の収率は８７％であった。この化合物の紫外線吸収
スペクトル、赤外線吸収スペクトル、及び核磁気共鳴ス
ペクトルは実施例゛１で得られた化合物と同一な値を示
した。
分間続けて攪拌、加熱、還流させた後、不溶物を濾過し
て除去し、放置、冷却させた。生成された白色結晶を濾
過、乾燥させてエタンブトールーイノニアジドーメタン
スルホン酸塩５８ｇｔ−得た。これの融点は１２１−１
２２．５ｒで、消費したエタンブトールに対する目的化
合物の収率は８７％であった。この化合物の紫外線吸収
スペクトル、赤外線吸収スペクトル、及び核磁気共鳴ス
ペクトルは実施例゛１で得られた化合物と同一な値を示
した。
実施例４
エタンブトール・２塩酸塩２７．７ ｇ （０，１モル
）トクロローメタンスルホン酸−ナトリウム塩３６９（
０，２モル）を無水エタノール２５０ｄと共に高圧反応
器（１気圧）に入れ１反応源度を１０５Ｃに維持しなが
ら、１時間加熱した。反応液を室温に冷却した後生成さ
れ九塩化ナトリクムを濾過して除去し、濾液に実施例６
と同一な条件下でインニアシト２７．４ ｇ （０，２
モル）を加えて反応させエタンブトールーイソニアジド
ーメタンスルホン酸有機塩５０．７ｇの白色結晶を得た
。これの融点は１２１−１２２．５Ｃで、消費したエタ
ンブトール・２塩酸塩に対する目的化合物の収率は７６
％であった。
）トクロローメタンスルホン酸−ナトリウム塩３６９（
０，２モル）を無水エタノール２５０ｄと共に高圧反応
器（１気圧）に入れ１反応源度を１０５Ｃに維持しなが
ら、１時間加熱した。反応液を室温に冷却した後生成さ
れ九塩化ナトリクムを濾過して除去し、濾液に実施例６
と同一な条件下でインニアシト２７．４ ｇ （０，２
モル）を加えて反応させエタンブトールーイソニアジド
ーメタンスルホン酸有機塩５０．７ｇの白色結晶を得た
。これの融点は１２１−１２２．５Ｃで、消費したエタ
ンブトール・２塩酸塩に対する目的化合物の収率は７６
％であった。
この化合物の紫外線吸収スペクトル、赤外線吸収スペク
トル、及び核磁気共鳴スペクトルは実施例１で得られた
化合物と同一な値を示した。
トル、及び核磁気共鳴スペクトルは実施例１で得られた
化合物と同一な値を示した。
実施例５
反応フラスコに還流冷却機を耐着して、エタンブトール
２０．４ ｇ （０，１モル）とクロロ−メタンスルホ
ン酸２ Ｂ、６ ｇ （０，２モル）及び無水グロパノ
ール１５０ｍ／を入れて３０分間加熱、還流させた。
２０．４ ｇ （０，１モル）とクロロ−メタンスルホ
ン酸２ Ｂ、６ ｇ （０，２モル）及び無水グロパノ
ール１５０ｍ／を入れて３０分間加熱、還流させた。
これに、イソニアシト２７．４ ｇ （０，２モル）を
入れて３０分間、撹拌しながら加熱、還流させた後、反
応が完結すると、室温に冷却、反応液にヘキサン５０１
を加えて、放置すると白色粉末が生成した。これを濾過
し、エタノールで再結晶してエタンプトールーイソニア
ジドーメタンスルホン酸塩４８ｇの白色結晶を得た。
入れて３０分間、撹拌しながら加熱、還流させた後、反
応が完結すると、室温に冷却、反応液にヘキサン５０１
を加えて、放置すると白色粉末が生成した。これを濾過
し、エタノールで再結晶してエタンプトールーイソニア
ジドーメタンスルホン酸塩４８ｇの白色結晶を得た。
これの融点は１２１−１２２１：で消費したエタンブト
ールに対する目的化合物の収率は７２％であった。この
化合物の紫外線吸収スペクトル、赤外線吸収スペクトル
、及び核磁気共鳴スペクトルは実施例１で得られた化合
物と同一な値を示した。
ールに対する目的化合物の収率は７２％であった。この
化合物の紫外線吸収スペクトル、赤外線吸収スペクトル
、及び核磁気共鳴スペクトルは実施例１で得られた化合
物と同一な値を示した。
実施例６
高圧反応容器（２気圧）にエタンブトール・２塩化水素
酸塩２７．７ｇ（０，１モル）とクロロ−メタンスルホ
ン酸−ナトリウム塩３３ ｇ （０，２モル）を無水プ
ロパツール２００−と共に入れて内部温港を１０５−１
１０１Ｚ’に維持しながら１時間加熱し、り。＆’、
ＥＦＴ液を室温で冷却後、生成された塩化ナトリウムを
濾過して除去し、濾液に実施例５と同一な反応条件下で
インニアシト２７．４ ｇ （０，２モル）を加えて処
理した結果エタンブトールーイソニアジドーメタンスル
ホン酸塩４２．７ｇの白色結晶を得た。これの融点け１
２１−１２２’Ｃで、消費し７たエタンブトール・２塩
化水素酸塩に対する目的化合物の収率は６４％であった
。この化合物の紫外線吸収スペクトル、赤外線吸収スペ
クトル。
酸塩２７．７ｇ（０，１モル）とクロロ−メタンスルホ
ン酸−ナトリウム塩３３ ｇ （０，２モル）を無水プ
ロパツール２００−と共に入れて内部温港を１０５−１
１０１Ｚ’に維持しながら１時間加熱し、り。＆’、
ＥＦＴ液を室温で冷却後、生成された塩化ナトリウムを
濾過して除去し、濾液に実施例５と同一な反応条件下で
インニアシト２７．４ ｇ （０，２モル）を加えて処
理した結果エタンブトールーイソニアジドーメタンスル
ホン酸塩４２．７ｇの白色結晶を得た。これの融点け１
２１−１２２’Ｃで、消費し７たエタンブトール・２塩
化水素酸塩に対する目的化合物の収率は６４％であった
。この化合物の紫外線吸収スペクトル、赤外線吸収スペ
クトル。
及び核磁気共鳴スペクトルは実施例１で得られた化合物
と同一な値を示した。
と同一な値を示した。
実施例７
還流冷却機の付いた反応フラスコにエタンブトール２
［１，４ｇ （０，１モル）とクロローノタンスル、ホ
ン酸２８．６ ｇ （０，２モル）及び無水インプロパ
ノール１フ０ｄ金入れて６０分間加熱、還流させた。こ
れにインニアシト２７．４ ｇ （０，２モル）を入れ
て６０分間続けて攪拌しながら加熱、還流させた後に、
反応液を室温（（冷却させ１反応液に石油エテル３０−
を加え放置させると白色粉末が生成した。これを瀘過し
、エタノールで再結晶させてエタンブトールーインニア
ジドーメタンスルホン酸塩４９．４ｇの白色結晶を得た
。これの融点は１２１−１２２ｔＺ’で消費したエタン
ブトールに対する目的化合物の収率は７４％であった。
［１，４ｇ （０，１モル）とクロローノタンスル、ホ
ン酸２８．６ ｇ （０，２モル）及び無水インプロパ
ノール１フ０ｄ金入れて６０分間加熱、還流させた。こ
れにインニアシト２７．４ ｇ （０，２モル）を入れ
て６０分間続けて攪拌しながら加熱、還流させた後に、
反応液を室温（（冷却させ１反応液に石油エテル３０−
を加え放置させると白色粉末が生成した。これを瀘過し
、エタノールで再結晶させてエタンブトールーインニア
ジドーメタンスルホン酸塩４９．４ｇの白色結晶を得た
。これの融点は１２１−１２２ｔＺ’で消費したエタン
ブトールに対する目的化合物の収率は７４％であった。
この化合物の紫外線吸収スペクトル、赤外線吸収スペク
トル及び核磁気共鳴スペクトルは実施例１で得られた化
合物と同一な値を示しだ。
トル及び核磁気共鳴スペクトルは実施例１で得られた化
合物と同一な値を示しだ。
実施例８
高圧反応容器（２気圧）にエタンブトール・２塩酸塩２
７．７ ｇ （０，１モル）とクロロ−メタンスルホン
酸−ナトリウム塩３３ｇ（０，２モル）及び反応溶媒と
して無水イングロパノール２００１Ｆ／を入れ、反応温
度を１０５℃に維持しな−がら１時間加熱した。得られ
た反応液を室温に冷却後、生成された塩化ナトリウムを
瀘過して除去し、濾液に実施例７と同一な反応条件でイ
ンニアシト２７．４ｇ（０，２モル）を加えて反応させ
、エタンプトールーインニアジドーメタンスルホン酸ｔ
ｌｌ１４０．７ｇを得た。これの融点は１２１−１２２
Ｃで消費したエタンブトール・２塩酸塩ＶＣ対する目的
化合物の収率は６１％であった。この化合物の紫外線吸
収スベ／）ル、赤外線吸収スペクトル、及び核磁気共鳴
スペクトルは実施例１で得られた化合物と同一な値を示
しだ。
７．７ ｇ （０，１モル）とクロロ−メタンスルホン
酸−ナトリウム塩３３ｇ（０，２モル）及び反応溶媒と
して無水イングロパノール２００１Ｆ／を入れ、反応温
度を１０５℃に維持しな−がら１時間加熱した。得られ
た反応液を室温に冷却後、生成された塩化ナトリウムを
瀘過して除去し、濾液に実施例７と同一な反応条件でイ
ンニアシト２７．４ｇ（０，２モル）を加えて反応させ
、エタンプトールーインニアジドーメタンスルホン酸ｔ
ｌｌ１４０．７ｇを得た。これの融点は１２１−１２２
Ｃで消費したエタンブトール・２塩酸塩ＶＣ対する目的
化合物の収率は６１％であった。この化合物の紫外線吸
収スベ／）ル、赤外線吸収スペクトル、及び核磁気共鳴
スペクトルは実施例１で得られた化合物と同一な値を示
しだ。
実施例９
エタンブトール２０．４ ｇ （０，１モル）トクロロ
ーメタンスルホン酸２８．６ ｇ （０，２モル）を無
水エタノール２００紅と共に反応フラスコへ入れて攪拌
しながら６０分間加熱、還流させた。これにイソニアシ
ト２７．４ ｇ （０，２モル）とアルカリ性活性アル
ミナ６ｇを加えて６０分間、攪拌、加熱。
ーメタンスルホン酸２８．６ ｇ （０，２モル）を無
水エタノール２００紅と共に反応フラスコへ入れて攪拌
しながら６０分間加熱、還流させた。これにイソニアシ
ト２７．４ ｇ （０，２モル）とアルカリ性活性アル
ミナ６ｇを加えて６０分間、攪拌、加熱。
還流させた後、活性アルミナを濾過して除去し、濾液を
放置して、エタンブトールーイソニアジドーメタンスル
ホン酸塩６０．７ｇの白色結晶を得た。
放置して、エタンブトールーイソニアジドーメタンスル
ホン酸塩６０．７ｇの白色結晶を得た。
これの融点は１２１−１２２．５℃で、消費したエタン
ブトールに対する目的化合物の収率は９１％であった。
ブトールに対する目的化合物の収率は９１％であった。
この化合物の紫外線吸収スペクトル、赤外線吸収スペク
トル、及び核磁気共鳴スペクトルは実施例１で得られた
化合物と同一の値を示した。
トル、及び核磁気共鳴スペクトルは実施例１で得られた
化合物と同一の値を示した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）次の一般式（■） （たソし、ｎは０又は１を表わす） で表わされるエタンブトール又はその２塩酸塩と次の一
般式（Ｉ） ＣＩ −ＧＨ，−３ｏ３−Ｒ（＊） （たソし、Ｒは水素原子又はナトリウム原子を表わす） で表わされるクロロメタンスルホン酸又はそのナトリウ
ム塩を反応させて次の式（ロ） で表わされる中間体、エタンブトール−クロロ−メタン
スルホン酸を製造し、次いでこれと次の式（） で表わされるインニアシトを反応させることを特徴とす
る次の式（１） ○ Ｏ ＮＨＮＨ Ｉ ） ＩＨ２
ＣＨ２ ＣＨ２ＯＨ３ で表わされるエタンブトールーインニアジドーメタンス
ルホン酸誘導体の製造方法。 （２）反応溶媒として炭素数４以下の低級脂肪族アルコ
ールを用いる特許請求の範囲第（１）項に記載のエタン
ブトールーインニアジドーメタンスルホン酸誘導体の製
造方法。 （６）炭素数４以下の低級脂肪族アルコールがメタノー
ル、エタノール、グロパノール、又はイングロパノール
である特許請求の範囲第（２）項に記載のエタンプトー
ルーインニアジドーメタンスルホン酸誘導体の製造方法
。 （４）反応温度が室温から溶媒沸点の間の温度である特
許請求の範囲第（１）項に記載のエタンブトールーイソ
ニアジドーメタンスルホン酸誘導体の製造方法。 （５）反応時間が約１時間またはそれ以下である特許請
求の範囲第（１）項に記載のエタンプトールーイソニア
ジドーメタンスルホン酸誘導体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR81-2455 | 1981-07-07 | ||
| KR1019810002455A KR820002345B1 (ko) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 에탐부톨술폰산 유도체의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS588065A true JPS588065A (ja) | 1983-01-18 |
| JPS612668B2 JPS612668B2 (ja) | 1986-01-27 |
Family
ID=19221302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57107679A Granted JPS588065A (ja) | 1981-07-07 | 1982-06-24 | エタンブト−ルスルホン酸誘導体の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4450274A (ja) |
| JP (1) | JPS588065A (ja) |
| KR (1) | KR820002345B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101404986B (zh) * | 2002-05-17 | 2011-09-28 | 赛奎拉公司 | 用于诊断和治疗感染性疾病的组合物和制药方法 |
| US20040033986A1 (en) * | 2002-05-17 | 2004-02-19 | Protopopova Marina Nikolaevna | Anti tubercular drug: compositions and methods |
| US7456222B2 (en) * | 2002-05-17 | 2008-11-25 | Sequella, Inc. | Anti tubercular drug: compositions and methods |
| US7884097B2 (en) * | 2003-09-05 | 2011-02-08 | Sequella, Inc. | Methods and compositions comprising diamines as new anti-tubercular therapeutics |
| US20090281054A1 (en) * | 2008-05-06 | 2009-11-12 | Venkata Reddy | Compositions and methods comprising capuramycin analogues |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES369952A1 (es) * | 1969-07-28 | 1971-07-16 | Ferrer Labor | Procedimiento de fabricacion de un nuevo derivado dihidra- cinico de accion antituberculosa. |
-
1981
- 1981-07-07 KR KR1019810002455A patent/KR820002345B1/ko active
-
1982
- 1982-06-10 US US06/387,037 patent/US4450274A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-06-24 JP JP57107679A patent/JPS588065A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR820002345B1 (ko) | 1982-12-23 |
| US4450274A (en) | 1984-05-22 |
| JPS612668B2 (ja) | 1986-01-27 |
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