JPS5877253A - 集積回路抵抗の作成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路抵抗器の分野に関するものである。

集積回路（以下、ＩＯと記す）の製造においては抵抗器
をしばしば必要とする。ある場合には、ポリシリコンの
ように比較的高い抵抗直會有する材料が用いられる。低
い導電度を有する能動素子も抵抗器の九めに用いられる
。金属−酸化物一半導体（ＭＯＳ）スタチック・ランダ
ム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）の製造においては、双
安定（フリップフロップ）メモリ・セルにおける負荷と
してポリシリコン抵抗器がしばしば用いられる米国特許
第４１７８６７４号には、ポリシリコン層と導体ポリシ
リコン抵抗器との接触領域を形成する方法が開示されて
いる。この抵抗器は抵抗領域を含み、この抵抗領域には
低抵抗区域が接続される。抵抗器は第１の細長いポリシ
リモノ条ｔ−第１の濃度レベルまでまずドーピングする
ことにより作られる。このレベルによって抵抗領域の抵
抗率が希望の値になる。次に、抵抗領域の上にマスキン
グ部材を置き、ポリシリコンを第２のより高いレベルま
でドープしてその導電度を高くシ、抵抗領域の両側に低
抵抗値領域（リード＞１形成する０ 米国特許第４１７８６７４号に開示されているような抵
抗器の形成においては、抵抗領域に接続される導電領域
（リード）の抵抗値を低くすることが望ましい。それら
の領域の抵抗値が低いと回路はより高速で動作できる。

ある場合には抵抗値を低くするために導電領域には（た
とえばりんまた゛はひ素が）高濃度にドープされる。し
かし、これらのドーパントはポリシリコン中での拡散長
が比較的長い（リンの場合には約６．５ミクロン）。長
さが約５ミクロンの抵抗領域が求められたとすると、導
電領域から抵抗領域の中ヘトーバントが横方向に拡散す
るために、ポリシリコンの全長は少くとも約１８ミクロ
ンなければならない。したがって、高密度ＩＯの場合に
はそれらのポリシリコン抵抗器にはかなりの長さを要求
される。

以下に説明するように、抵抗器の導電領域の長さ、した
がって抵抗器の全長を大幅に短くした抵抗器の製造方法
を本発明は提供するものである。

導電領域の抵抗値を低くするためにはポリシリコンの高
濃度ドーピングは用いられない。この理由から、導電領
域からの横方向拡散にともなう諸問題は大幅に解決され
る。

この明細書では二酸化シリコン層のような第１の絶縁層
の上に集積回路抵抗器を製造する方法を説明する。第１
に上に重ねられる窒化シリコン部材をマスキング部材と
して用いて、絶縁層の上に細長いポリシリコン条を形成
する。このポリシリコン条の所定領域の上に重ねられて
いるポリシリコン条から窒化シリコン部材の一部を除去
する。

次に、細長いポリシリコン条のうち窒化シリコ／部材に
よって保護されていない領域の上に酸化物層を成長させ
る。酸化物は少くとも細長いポリシリコン条の側面に成
長させる。ここで、窒化シリコン部材の残りの部分を除
去し、細長いポリシリコン条の両端上に金属部材を形成
する。細長いポリシリコン条の所定の領域上には金属は
形成されない。このようにして、細長いポリシリコン条
の所定領域は抵抗領域を形成し、金桐部材はこの領域の
ための低抵抗リードを形成する。この明細書で説明する
実施例では細長いポリシリコン条の上にタ／ゲステン部
材を形成する。

以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

抵抗領域と、この領域に接続された＾導電度領域を含む
集積回路抵抗器を以下に説明する。また、本発明の抵抗
器を製造する方法についても説明する。以下の説明にお
いては、本発明を完全に理解できるように導電型層の厚
さ、ドーパントのａ度などの工すな数多くの特定事項を
述べである。しかし、それらの特定事項を用いることな
しに本発明′ｆｔ実施できることが当業者には明らかで
あろう。

他の場合には、不必要に詳しく説明して本発明の要旨を
不明瞭にしないＬうに、周知の処理工程および集積回路
構造についての詳しい説明は省略する。

まず第１図を参照して、本発明の抵抗器は細長いポリシ
リコン部材２８ａを含む。この細長いポリシリコン部材
の少くとも抵抗領域３１に所定レベルまでドープして領
域３７に所定の抵抗値を持たせる。

抵抗領域３Ｔに接続される導電度領域は、その上の金属
部材３５ａ、３５ｂのために抵抗値が低い０一方の金属
部材３５ａはポリシリコン条２８ａの一端に沿って抵抗
領域３Ｔまで延び、他方の金属部材３５ｂはポリシリコ
ン条２８ａの他端部に沿って抵抗領域３７の他端部まで
延びる。金属部材３５ａ。

３５ｂはポリシリコン条２Ｂに電気的に接触し、しした
がって抵抗領域３１のリードとして機能する。

ここで説明している実施例においては、金属部材３５ａ
、３５ｂは夕／ゲステンで構成する。

細長いポリシリコ７条２８ａは二酸化シリコン層２１の
ような絶縁層の上に形成させる。また、付加酸化物層３
８が部材３５ａ、３５ｂの上を延びて、領域３７におい
てポリシリコン部材２８１に接触する。

説明のために、１′）の接点５１がポリシリコン条２８
ａの一端と金属部材３５ａに接触し、別の接点５２がポ
リシリコン条２８ｂの他端と金属部材３５ｂに接触して
いる様子が示されている。実際には、上側の層から金属
部材３５ａ、３５ｂへ接触が行われ、ポリシリコン条２
８ａへの接触は、ポリシリコン構造体の基板領域に接触
する埋込まれている接点により行われる。

次に第２図を参照する。ある周知の処理を行った後の基
板１２の一部が第２図に示されている。

ここで説明している実施例では、基板１２としては低抵
抗率（５０オーム儂）の導結晶基板が用いられる。約２
５０オングストロームの厚さまでゲート酸化物層１６が
成長した後で、このゲート酸化物層の上にｓｌのポリシ
リコン層を形成する〇このポリシリコン層からゲート部
材ＩＴのようなポリシリコン部材を形成する。それから
、領域１４ａ、１４ｂのようなソース領域とドレイン領
域をゲート部材に整列して形成する。この実施例では、
ポリシリコン層の厚さは約ａｏｏｏオ／ゲストロームで
、リンｔ４オーム／正方形のレベルまでドープする。ソ
ース領域とドレイン領域は約１ｏ意０／、ｌのレベルま
でひ素イオン１に注入することにより形成する。

次に、基板を再び酸化して約５００オングストロームの
より厚い二酸化シリコン層１５１形成する。それから、
基板（層１９）の上に約３０００オングストロームの厚
さの二酸化シリコン層２１１に付着する。この実施例に
おいてはこの二酸化シリコン層は低圧化学蒸着プロセス
（ＬＰ−ＯＶＤ）で形成する。

次に第３図を参照する。通常のホトリッグラフイ一工程
を用いて層１９．２１に開口部２３．２４をあけ、ゲー
ト部材１７と領域１４ｂとの部分を露出させる。次に、
基板にリンをト°−プして周知のプラグ領域を形成する
。

それから、基板上に第２のポリシリコン層２８を形成す
る。この層は開口部２３と２４においてゲート部材１７
，１４ｂにそれぞれ接触する。この実施例では、層２８
の厚さは約２０００オングストロームである。第２図に
示すように、ポリシリコン層２８にひ素イオンを一面に
注入して約４×１０１ｓ／ｌｔのレベルまでドープする
。この濃度レベルはポリシリコン層２Ｂから作られる抵
抗領域の抵抗率を大幅に決定する。

次に第４図を参照する。第４図には第３図に示されてい
る層２８から形成された細長いポリシリコン条２８ａが
、このポリシリコン条ｚａａ　ｔ−含ｔｒ基板の上に二
酸化シリコン層３０が形成された後の状態として示され
ている。ポリシリコン層から。

部材を形成するために通常のホトリックラフ技術、ここ
で説明している実施例ではプラズマ・エツチングが用い
られる。この実施例では、酸化物層３０の厚さは約１５
００オングストロームで、低圧化学蒸着法で形成する。

次″に第５１．５ｂ図を参照する。基板の上にホトレジ
スト層が形成されており、次に通常のホトリックラフ技
術を用いて、ポリシリコン層２８ａＯ上の酸化物層３０
の上にマスキング部材３２を形成スル。ポリシリコン条
２８ａに沿うマスキンク部材３２０寸法は、ポリシリコ
ン条２８ａの中に形成する抵抗領域の長さｔはぼ決定す
る。

マスキンク部材３２に所定位置に置いてから、基板にエ
ツチング操作を施して、マスキング部材３２の下になっ
ている部分を除いて層３０を除去する。このようにして
作られ九構造を、マスキング部材３２を除いた状態で第
６ａ、６ｂに示す。

この構造は細長いポリシリコン条２Ｂと、このポリシリ
コン条の領域の上に付着された酸化物部材３０ａとより
成る。

次に第７図を示す。ここで説明している実施例では、ポ
リシリコン条を含めた基板に９んを比較的低濃度にドー
プする。ポリシリコン条には約４０〜５０オーム／ｄの
レベルまでドープする。っこの工程の間にドーピングさ
れる不純物は酸化物部材３Ｑａの下側まで漢方向に十分
な拡散を行わせるほど十分高い濃度ではないから、米国
特許第４１７８６７４号に開示されている先行技術とは
異り、ポリシリコン条２８ａを十分に短くできる。

しかし、この付加ドーピング工程により、ポリシリコン
条２８ａと、このポリシリコン条２８ａの上に後で形成
された金属部材３５ａ、３５ｂとの間の接触抵抗値が低
くなる。また、このドーピング工程により、基板領域に
接触している接点のような埋込まれた接点の領域内のポ
リシリコンの導電度が高くなる。

再び第７図ｔ−参照して、りん拡散工程の間に、ポリシ
リコンＬ！Ｉｅ２８ａを含執基板の上に薄い酸化物層３
３を形成する。この酸化物層３３はエツチング（たとえ
ばＨＦ浸し）により除去する。

第８図に示すように、酸化物部材３０ａ（除いて、ポリ
シリコン条２８Ｈの上に金属部ｔ−杉成する。

この実施例では、ＡＭＴ社（ＡＭＴ　　０ｏｒｐｏｒａ
ｔ　ｉｏｎ　）から入手できる化学蒸着法でこの金属部
形成を行うことがで色る。この方法でタングステンが露
出ポリシリコンの上に形成されるが、二酸化シリコンま
たは窒化シリコン上にはタングステンは付着されない。

したがって、この方法でポリシリコン条２８ａににけタ
ングステン部材３５ａ、３５ｂが形成される。ポリシリ
コン条２８Ｈの領域３Ｔ上の酸化物部材に加えて、基板
の他の区域に第２図の絶縁層２１が゛露出されること、
および゛この酸化物層がそれらの他の区域にタングステ
ン層が付着することを阻止することに注意すべきである
。この実施例では、金属部材３５ａ、３５ｂの厚さは約
１５００〜２０００オングストロームである。

部材３５ｍ、３５ｂの形成には他の金属、たとえばアル
ミニウム／鋼合金を用いることができる。

もつとも、ポリシリコン条２８ａとの位置合わせ付着は
、この合金では現在の所可能ではない。アルミニウム／
銅合金を用いる場合には、前記したひ素の全面注入後に
ポリシリコン層の上にこの合金を付着させるようにする
。ポリシリコン条２８ａは、その上に付着されている金
４をエツチングで除去することにより形成する。次に、
ポリシリコン条２８ａの領域３１の上の金属を除去する
ために付加金属マスキングエフ俣を用いる。

次に第９図を参照する。この実施例では、夕／グステ／
の付着に続いて、金属部材３５ａ、３５ｂと酸化物部材
５ｏａｔ−含む基板上に酸化物１３８を更に付着する。

この酸化物層３８は二酸化シリコンの付着に用いた低圧
化学蒸着法で付着させる。

次に第１１図を参照する。この図には第１図乃至第９図
に示した抵抗が集積回路中に含まれている様子が示され
ている。領域１４ａ　、１４ｂとゲート部材１１含むト
ランジスタ４２が別のトランジスタ４４の一部とともに
示されている。領域１４ｂはトランジスタ４４のゲート
部材の縁部まで延びる。金属線４７から延びた金属接点
４６が金蝿部材３７ｂに接触する。第９−の層３８と、
しばしば用いられる他の保護層を含むｍ５ｏｔ−接点４
６が貫通する。別の金属線４８も示されている。第１θ
図に示す等価回路においては、抵抗領域３１はリード３
５ａ、３５ｂを有する抵抗器３７として示されている。

リード３５ａはトランジスタ４２のゲートおよびソース
とトランジスタ４４の１つの端子とに接続される。

第１０図および第１１図は、抵抗領域に形成されている
１つの可能な相互接続と、本発明の低抵抗頭載とｔ示す
ものである。本発明の抵抗器はその他の数多くの回路に
使用でき′る。

以上説明した抵抗器の製造中に問題が起ることが見出さ
れている。とくに、第３図と第４図に示されている層２
８からポリシリコン条ｚａａｔ−エツチングしている時
と、第５図と４６図に関連するエツチング工程中にポリ
シリコン条２８ａのアンダーカットが起ることがある。

このアンダーカットは８に１２図にポリシリコン条２８
ａの下の酸化物層の侵食として示されている。タングス
テンのような金属がポリシリコン条の選択された部分の
上に形成されると、ポリシリコン条の下側にある金属領
域６２（第１２図）が形成される。このためにポリシリ
コン条に機械的応力が生じて、その応力のためにポリシ
リコン条は持ち上げられる力を受ける。更に、アンダー
カット領域に空所が生ずる。それらの空所は上に付着さ
れる誘′域体によっては埋められない。それらの空所の
存在により腐食のような別の問題も起ることがらる。

第１３図乃至１Ｊ１７ｂ図はアンダーカットの間−を解
消した別の方法を示すものである。第２図と４３図を参
照して説明した工程は、第３図に示す第２のポリシリコ
ン層のイオン注入を含めて行われる。しかし、第４図に
示す二酸化シリコンの低圧化学蒸着は行わない。その代
りに、ｔ４２のポリシリコン層２Ｂの上に薄い酸化物層
を成長させる。

たとえば、９２０℃の乾燥酸素雰囲気中に基板上１０分
間置く。次に、酸化物層の上に、この実施例では約４０
０オングストロームの厚さの窒化シリコン層を形成する
。ここで、通常のマスキングおよびエツチング工程を用
いて、本発明の抵抗構造体の形成に用いたポリシリコン
条２８ａのような第２のポリシリコン層２８から各種の
部材を形成する。酸化物層と窒化シリコ／層とから形成
された上側に付着された酸化物部材と窒化シリコン部材
はポリシリコン部材のエツチング中にマスキング部材と
して用いられるから、ポリシリコン上の所定位置に残る
。

酸化物層５２と窒化シリコン条５３が上に形成されてい
る多結晶条２８ａが第１３図に示されている。ウェハ上
にホトレジスト層５１付着し、抵抗領域のために開口部
５５のような開口部を形成するために通常のマスキ／グ
エａｔ用いる。これは先に説明した方法とは異って′お
り、抵抗領域の形成に逆の分野が用いられることに注意
すべきであるｏ　ＭＬ　５　ａ図では抵抗領域の上にホ
トレジスト部材が残っているのに反して、第１３図では
ホトレジスト層は抵抗領域の開口部５５から除去されて
いることに注意すべきである。

開口部５５の下側の窒化シリコン層５３を除去してＩＡ
９の部材５３ａ（４１４図）を残す。このエツチング工
程後の構造を、ホトレジスト層５４が除去されている８
１４図に乗す。

次に、基板に対して酸化工程を施す。それによリ、抵抗
領域５５とポリシリコン条５３ａの側面に酸化物が成長
する。窒化シリコン部材５３ａの下側には酸化物は成長
しないことに注意すべきである。

このようにして得た構造の端面図ｔ　４１５　ａ図と第
１５ｂ図に示す。抵抗領域においてはポリシリコン条２
８ａ≠の周囲に比較的厚い酸化物層５１が成長させられ
る。リード領域においては、酸化物層５１はポリシリコ
ン条２８Ｈの側面では比較的、享いが、ポリシリコン条
の表面では薄い層５２ａが残っている。たとえば、この
酸化工程においては酸化物は酸化物層５２ａの厚さの２
倍まで成長させられる。

残っている窒化シリコン層金除去してから基準に酸化物
エツチング剤を付着する。このエツチング工程で、層５
２ａの厚さに対応する厚さの酸化物を除去する。このエ
ツチングによってポリシリコン条２８Ｈの上面のポリシ
リコンが露出させられ、抵抗領域となる。しかし、ポリ
シリコン条の側面の酸化物層は窒化シリコン層の下側の
酸化物層より厚いから、ポリシリコン条２８Ｈの側面と
ポリシリコン条の抵抗領域は酸化物層で保護されたまま
である。

ここで、金属部材が、先にのべた方法で説明したように
、ポリシリコン−１２８ａの露出部分上に形成される。

この実施例においては、部材ｓｓａ、ｓｓｂのようなタ
ングステン部材ｔ″第１６図に示すように形成する。抵
抗領域は層５Ｔのエツチング後にも残っている酸化物層
５７ａにより覆われる。

１／４１７　ａ図に示されている抵抗領域の横ｌｒ？面
図においては、ポリシリコン条の側面と上面が抵抗領域
における酸化物層５７ａにより覆われていることが明ら
かに示されている。ｇ１７ｂ図においては、抵抗領域へ
のリードはタングステン部材により覆われ、ポリシリコ
ン条の側面は酸化物で覆われる。

以上説明し九本発明の別の実施例ではアンダーカットは
生じない。また、タングステ／部材はポリシリコンの上
面にのみ形成されるから、ポリシリコン条の側面に金属
、層が形成されたことによりひき起される応力の問題は
解消される。また、最初に述べた本発明の第１の実施例
と対比すると、熱成長させられた酸化物が第２のポリシ
リコン層の上に形成され、その酸化物は化学蒸着された
酸化物よりも絶縁機能は良い。この第２の′Ａ捲例の別
の利点は、第２のレベルのポリシリコン上に酸化物が熱
成長さ鷺られるために、得られる構造が一層平らなこと
である。そのために、金属付着工程にむける金属化の問
題が少くなる。

１９８１年６月２９日付の本願出願人が譲り受けた未決
の米国特許出願第２７８６５６号には、金属で覆われた
別のポリシリコン回路部材と、その製造方法が開示され
ている。

以上、楽積回路抵抗体の構造と、その製造方法について
説明した。本発明の抵抗器はポリシリコン抵抗領域とそ
の抵抗領域を相互に接続する高導電度領域を含む。従来
のポリシリコン抵抗器と比較すると、本発明の抵抗器が
基板に占める面積は十分に小さい。

【図面の簡単な説明】

第１図は一体の導電領域を有する本発明の抵抗器の構造
を示す横断面図、第２図はゲート部材とソース領域およ
びゲート領域ならびにその上の酸化物層を含む基板の横
断面図、第３図はゲート部材と基板中の１つの領域を露
出させるために酸化物層にあけられた開口部と、酸化物
層の上に形成された第２のポリシリコン１＠とｔ有する
第２図の基板の横断面図、第４図は第３図に示す第２の
ポリシリコン層から形成され、かつ上に酸化物層が形成
されているポリシリコン条の横断面図、第５ａ図はマス
キング部材が付着されている第４図のポリシリコン条と
酸化物層を示す横断面図、第５ｂ図は第５ａ図の構造体
の平面図、’Ａｅａ図は酸化物層をエツチングした第５
ａ図の構造体の慣ｖＲ面図、第６ｂ図は第６ａ図の構造
体の平面図、第７図はドーピング工程の第６ａ図の構造
体を示す横断面図、第８図はポリシリコン条の露出され
ている領域上に金属部材が形成された第７図の構造体の
横Ｉｒ′ｒ面図、第９図は付加酸化物層金有する第８図
の構造体の横断面図、第１０図は一対のトランジスタと
本発明の抵抗体を含む基板の横断面図、第１１図は第１
０図に示す構造体の等価回路、第１２図は第３図乃至第
９図に示す工程に従って作られ九本発明の抵抗体の一部
部の、起り得る間ｗＡｔ−示すために用いられる、横断
面図、第１３図乃至第１７ｂ図は第１２図に示す問題を
解消するための別の方法を示すもので、第１３図は第３
図に示されている第２の酸化物ポリシリコン層から形成
され、かつ上に酸化物層と、窒化シリコン層と、開口部
が設けられているホトレジスト層が形成されているポリ
シリコン条の横断面図、第１４図は付加エツチング工程
後の第１３図のポリシリコン条の横断面図、第１５ａ図
は酸化物成長工程後の第１４図に示す構造体を示す第１
４図の１５ａ＝１５ａ線に沿う断面図、ｔｉ１ｇ１５ｂ
図は付加酸化工程後における第１４図の構造体を示す＃
１１４図の１５ｂ−１５ｂ線に沿う断面図、第１６図は
付加エツチング工程と金属化工程後の第１５ａ図と１ｌ
１５ｂ図に示す構造体の横断面図、第１７ａ図は第１６
図の１７８−１７ａ？ｍに沿う横ｆＷＪ図、＠１７ｂ図
はＭ１６図の１７ｂ−１７ｂ線に沿う断面□図である。 １２・・・・基板、１６・・・・ゲート酸化物層、１９
．２１．３３，３８・・・・絶縁層、２８ｍ・・・・ポ
リシリコン条、３０，５２．５７・・・・酸化物層、３
２・・・・マスキング部材、３５ａ、３５ｂ・・・・金
属部材、３１・・・・抵抗領域、４６・・・・金属緘点
。 特許出願人　　イ／チル・コーボレーショ／代理人　山
　川　政　樹 （はが１名） ９Ｊ ４砂６８ Ｆ２！７．／４ ４孕７ｋ　　　　　　ｌ′２９め

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｊｌの絶縁層と、この第１の絶縁層上に設けられ
   九延在するポリシリコン条と、このポリシリコン条の第
   １の端部に沿って設けられ、ポリシリコン条に電気的に
   接触する第１の金属部材と、前記第１の端部の反対側に
   あるポリシリコン条の４２の端部に沿って設けられ、ポ
   リシリコン条と電気に接触する第２の金ｍ部材と、前記
   第１および第２の金属部材上に設けられた第２の絶縁層
   とからなり、前記第２の金属部材と第１の金属部材とは
   その隣接端によって分離されてポリシリコン条内に抵抗
   領域を定義し、前記第２絶縁層はこの抵抗領域のポリシ
   リコン条の上にも設けられ、これＫよってこの抵抗領域
   が集積回路の抵抗を形成し、かつ第１．第２の金属部材
   が積積高導伝性領域を形成することを特徴とする一対の
   高導伝性領域を含んだ集積回路抵抗。
2. （２）第１の絶縁層上にポリシリコ７条を形成する工程
   と、このポリシリコン条の上に第２の絶縁層を形成する
   工程と、ポリシリコン条の対向端から第２絶縁層を除去
   し、ポリシリコン条の一領域に絶縁部材を残す工程と、
   この領域を除いてポリシリコン条の対向端の上に金属部
   材を形成する工程とからなり、これによって前記ポリシ
   リコン領域が抵抗領域を形成し、かつ前記金部部材が抵
   抗領域に対する低抵抗リードを形成するようにしたこと
   を特徴とする第１の絶縁層上に集積回路抵抗を形成する
   方法。
3. （３）上に重ねられる窒化シリコン部材を用いて第１の
   絶縁層の上に細長いポリシリコン条を形成する工程と、
   前記細長いポリシリコン条からその細長いポリシリコン
   条の所定の領域の上に重ねられている前記窒化シリコン
   の部分を除去する工程と、前記細長いポリシリコン条の
   少くとも側面に酸化物が形成されるように、前記細長い
   ポリシリコン条の前記窒化シリコン部材により保護され
   ていな−い領域上に酸化物層を成長させる工程と、前記
   窒化シリコン部材を除去する工程と、前記細長いポリシ
   リコン条の前記所定の領域上に金属を形成することなし
   に前記細長いポリシリコン条の両端上に金属部材を形成
   する工程と、會備え、それにより前記細長いポリシリコ
   ンの前記所定・領域は抵抗領域を形成し、前記金属部材
   は前記抵抗領域のため低抵抗値リードを形成することを
   特徴とする第１の絶縁層上に集積回路抵抗器を作る方法
   。
4. （４）絶縁層上にポリシリコン層を形成する工程と、前
   記ポリシリコン層の上に第１の酸化物層を成長させる工
   程と、前記ポリシリコン層の上に窒化シリコン層を形成
   する工程と、前記酸化物層から形成された酸化物部材と
   前記窒化シリコン層から形成された窒化シリコン部材と
   が上に重ねられている細長いポリシリコン条よ前記ポリ
   シリコン層からエツチングする工程と、前記細長いポリ
   シリコン条の所定領域において前記窒化シリコン部材ノ
   一部を除去する工程と、前記細長いボリンリコ／条の側
   面に第２の酸化物層が形成されるように前記細長いポリ
   シリコン条を酸化する工程と前記窒化シリコン部材を除
   去する工程と、前記第１の酸化物部材のうち、前記窒化
   シリコン部材の下で、前記所定の領域から離隔されてい
   る部分を除去して前記細長いポリシリコン条の両端を露
   出させる工程と、前記細長いポリシリコン条の前記露出
   端部の上に金属部材を形成する工程と、を備え、それに
   より前記細長いポリシリコン条の前記所定領域が抵抗領
   域を形成し、前記金属部材が前記抵抗領域から低抵抗リ
   ードを形成することを特徴とする絶縁層の上に集積回路
   抵抗器を作る方法。