JPS587473A - 接着剤組成物 - Google Patents
接着剤組成物Info
- Publication number
- JPS587473A JPS587473A JP10662381A JP10662381A JPS587473A JP S587473 A JPS587473 A JP S587473A JP 10662381 A JP10662381 A JP 10662381A JP 10662381 A JP10662381 A JP 10662381A JP S587473 A JPS587473 A JP S587473A
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- JP
- Japan
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- organic
- semiconductor element
- repeating units
- adhesive composition
- bonding
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の組立法における半導体素子と外部
支持電極（リードフレーム）との接合用接着剤組成物に
関し、その目的とするところは、有機接着剤を接合材と
−して用いた気密封止型半導体装置において、気密封止
温度に十分耐えるだけの耐熱性を有し、かつ半導体素子
と外部支持電極を強固に接着する能力をもつ接着剤組成
物を提供することにある。
支持電極（リードフレーム）との接合用接着剤組成物に
関し、その目的とするところは、有機接着剤を接合材と
−して用いた気密封止型半導体装置において、気密封止
温度に十分耐えるだけの耐熱性を有し、かつ半導体素子
と外部支持電極を強固に接着する能力をもつ接着剤組成
物を提供することにある。
従来、半導体素子と外部支持電極との接合には５００℃
根度の温度で形成されるＡｕと８ｉの共晶を接合材とし
て用いるいわゆるＡｕ−８ｉ共晶法が一般的であった。
根度の温度で形成されるＡｕと８ｉの共晶を接合材とし
て用いるいわゆるＡｕ−８ｉ共晶法が一般的であった。
しかしながら近年、Ａ ｕ価格の高騰によシ、半導体装
置に占める接合材の価格比が増大し、接合材の脱Ａｕ化
が図られている。
置に占める接合材の価格比が増大し、接合材の脱Ａｕ化
が図られている。
プラスチックパッケージの場合はＡｕ−８ｉ共晶に代る
接着剤としては、主としてエポキシ系接着剤が実用化さ
れている。ところがエポキシ系接着剤を気密封止型半導
体装置に適用した場合８通常エポキシ糸綴着剤は３θ０
及至３５０℃で熱分解を開始するため、封着温度（Ａｕ
−８ｎの場合的３５０℃、低融点ガラスの場合４５０乃
至４７５℃）では熱分解し、接着剤としての機能を果た
すことができない。このため最近気密封止型半導体装置
用接着剤としてポリイミド系接着剤が用いられるように
なってきているが。
接着剤としては、主としてエポキシ系接着剤が実用化さ
れている。ところがエポキシ系接着剤を気密封止型半導
体装置に適用した場合８通常エポキシ糸綴着剤は３θ０
及至３５０℃で熱分解を開始するため、封着温度（Ａｕ
−８ｎの場合的３５０℃、低融点ガラスの場合４５０乃
至４７５℃）では熱分解し、接着剤としての機能を果た
すことができない。このため最近気密封止型半導体装置
用接着剤としてポリイミド系接着剤が用いられるように
なってきているが。
通常のポリイミド系樹脂を用いた場合以下の問題点があ
る。即ち通常のポリイミド系樹脂はシリコンウェハーと
の接着力が小さく、その接着力を高めるために接着性付
与剤を併用することが必要である。接着性付与剤として
はシラン系カップリング剤が主として用いられ、％にア
ミノシラン系カップリング剤がポリイミド系樹脂には有
用であることが知られているが、アミノシラン系カップ
リング剤をポリイミド系樹脂の前駆体であるポリイミド
酸に添加するとポリアミド酸の経日による粘度低下の程
度が大きくなり、このため使用直前に添加しなければな
らない等の問題がある。これを避けるた□め予めウェハ
ー裏面にカップリング剤層を形成し、その後接着剤を塗
布する方法があるが、工程数が増加する欠点がある。そ
こで本発明者らは従来のポリイミド系接着剤のこれら欠
点を改良する目的で種々検討の結果１本発明を完成した
。
る。即ち通常のポリイミド系樹脂はシリコンウェハーと
の接着力が小さく、その接着力を高めるために接着性付
与剤を併用することが必要である。接着性付与剤として
はシラン系カップリング剤が主として用いられ、％にア
ミノシラン系カップリング剤がポリイミド系樹脂には有
用であることが知られているが、アミノシラン系カップ
リング剤をポリイミド系樹脂の前駆体であるポリイミド
酸に添加するとポリアミド酸の経日による粘度低下の程
度が大きくなり、このため使用直前に添加しなければな
らない等の問題がある。これを避けるた□め予めウェハ
ー裏面にカップリング剤層を形成し、その後接着剤を塗
布する方法があるが、工程数が増加する欠点がある。そ
こで本発明者らは従来のポリイミド系接着剤のこれら欠
点を改良する目的で種々検討の結果１本発明を完成した
。
本発明はジアミノシロキサン、ケイ素を含まない有機ジ
アミンおよび有機四塩基酸二無水物を反応させて得られ
る０、１乃至５０モルチの式（１）で表わされる反覆単
位と５０乃至９９．９モル−０式（２）で表わされる反
覆単位からなるポリイミド−シリコーン前駆体を含有す
る半導体素子と外部支持電極との接合用接着剤組成物に
関す（但し、Ｒは２価の炭化水素基、Ｒは１価の炭化水
素基、Ｒ“は４価の有機基、 Ｒ’はケイ素を含まない
有機ジアミンの残基である２価の有機基。
アミンおよび有機四塩基酸二無水物を反応させて得られ
る０、１乃至５０モルチの式（１）で表わされる反覆単
位と５０乃至９９．９モル−０式（２）で表わされる反
覆単位からなるポリイミド−シリコーン前駆体を含有す
る半導体素子と外部支持電極との接合用接着剤組成物に
関す（但し、Ｒは２価の炭化水素基、Ｒは１価の炭化水
素基、Ｒ“は４価の有機基、 Ｒ’はケイ素を含まない
有機ジアミンの残基である２価の有機基。
ｎは１以上の整数である）。
上記の式（１）で表わされる反覆単位と式（２）で表わ
される反覆単位とからなるボリイｉドーシリコーン前駆
体の製造法の一例は特公昭４３−２７４３９号公報に述
べられていｂ０即ち、ケイ素を含まない有機ジアミン、
ジアミノシロキサンおよび有機四塩基酸二無水物を溶媒
中で反応させ、ポリイミド−シリコーン前駆体であるポ
リアミド酸が生成される。
される反覆単位とからなるボリイｉドーシリコーン前駆
体の製造法の一例は特公昭４３−２７４３９号公報に述
べられていｂ０即ち、ケイ素を含まない有機ジアミン、
ジアミノシロキサンおよび有機四塩基酸二無水物を溶媒
中で反応させ、ポリイミド−シリコーン前駆体であるポ
リアミド酸が生成される。
本発明においては、上記の式（１）で宍わされる反覆単
位は０．１乃至５０モルチ９式（２）で表わされる反覆
単位は５０乃至９９．９モルチの範囲とされるが、これ
は、ジアミノシロキサンを０．１乃至５０モルチ、ケイ
素を含まない有機ジアミンを５０乃至９９．９モル−の
範囲で反応させてこの範囲に調整される。
位は０．１乃至５０モルチ９式（２）で表わされる反覆
単位は５０乃至９９．９モルチの範囲とされるが、これ
は、ジアミノシロキサンを０．１乃至５０モルチ、ケイ
素を含まない有機ジアミンを５０乃至９９．９モル−の
範囲で反応させてこの範囲に調整される。
本発明において用いられるジアミノシロキサンとしては
一般式 （Ｒ，、Ｒ’およびｎは前記に同じ） で示される化合物が用いられ９例えば などがあり、これらは１種又は２種以上が用いられる。
一般式 （Ｒ，、Ｒ’およびｎは前記に同じ） で示される化合物が用いられ９例えば などがあり、これらは１種又は２種以上が用いられる。
ケイ素を含まない有機ジアミンとしては例えば、４．４
’−ジアミノジフェニルエーテル、４．４’−ジアミノ
ジフェニルメタン、４．４’−ジアミノジフェニルスル
ホンｌ ４１ ” −ジアミノジフェニルサルファイド
、ベンジジン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレ
ンジアミン、１．５−ナフタレンジアミン、２．６−ナ
フタレンジアミンなどが１種又は２種以上用いられる。
’−ジアミノジフェニルエーテル、４．４’−ジアミノ
ジフェニルメタン、４．４’−ジアミノジフェニルスル
ホンｌ ４１ ” −ジアミノジフェニルサルファイド
、ベンジジン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレ
ンジアミン、１．５−ナフタレンジアミン、２．６−ナ
フタレンジアミンなどが１種又は２種以上用いられる。
また有機四塩基酸二無水物としては例えば。
ピロメリット酸二無水物、＆３．’４．４’−ジフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、 ３，３．’４．４’−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、シクロペン
タンテトラカルボン酸二無水物、１．２，５．６−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、４λ６．７−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物。
ルテトラカルボン酸二無水物、 ３，３．’４．４’−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、シクロペン
タンテトラカルボン酸二無水物、１．２，５．６−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、４λ６．７−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物。
２、３．５．６−ピリジンテトラカルボン酸二無水物。
１、４．５．８−ナフタレンナト２カルボン酸二無水４
６Ｌ３＋４．９．ｉｏ−ペリレンテトラカルボン酸二無
水物、 ４．４’−スルホニルシフタル酸二無水物など
があシ、これらは１種又は２種以上が用いられる。
６Ｌ３＋４．９．ｉｏ−ペリレンテトラカルボン酸二無
水物、 ４．４’−スルホニルシフタル酸二無水物など
があシ、これらは１種又は２種以上が用いられる。
前記単量体化合物より前駆体であるポリアミド酸を製造
するに際しては不活性の溶媒が使用されるが、特に好ま
しいものとしては生成するポリアミド酸を溶解するもの
である。例えば。
するに際しては不活性の溶媒が使用されるが、特に好ま
しいものとしては生成するポリアミド酸を溶解するもの
である。例えば。
Ｎ−７’チル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド。
トアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド。
Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミド、ジメチルスルホキサイ
ド、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレンスル
ホンなどの１種若しくは２種以上が用いられる。
ド、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレンスル
ホンなどの１種若しくは２種以上が用いられる。
ポリアミド酸の合成は、ケイ素を含まない有機ジアミン
、ジアミノシロキサンおよび有機四塩基酸二無水物を精
製された不活性溶媒にできるだけよく溶解し、この系を
約８０℃以下特に室温付近ないしそれ以下の温度に保ち
ながら攪拌する。これによって反応は速やかに進行し。
、ジアミノシロキサンおよび有機四塩基酸二無水物を精
製された不活性溶媒にできるだけよく溶解し、この系を
約８０℃以下特に室温付近ないしそれ以下の温度に保ち
ながら攪拌する。これによって反応は速やかに進行し。
かつ反応系の粘度は次第に上昇し、ポリイミド−シリコ
ーン前駆体が生成する。
ーン前駆体が生成する。
前記の単量体化合物よりポリイミド−シリコーン前駆体
を製造するに際して、最良の耐熱性を得るためには、ケ
イ素を含まない有機ジアミ／とジアミノシロキサンの総
量に対して等モルの有機四塩基酸二無水物を用いること
が好ましい。
を製造するに際して、最良の耐熱性を得るためには、ケ
イ素を含まない有機ジアミ／とジアミノシロキサンの総
量に対して等モルの有機四塩基酸二無水物を用いること
が好ましい。
本発明におけるポリイミド−シリコーン前駆体において
９式（１） （１） （Ｒ，Ｒ’、Ｒ“及びｎは前記に同じ）で表わされる反
覆単位の全共重合体に占める割合は０．１乃至５０モル
チである。これは上記反覆単位の割合が０．１モルチ未
満モあると半導体素子との接着性が悪く、接着性を確保
するためにはカップリング剤を使用することが必要とな
り本発明の目的を満足しないからである。また。
９式（１） （１） （Ｒ，Ｒ’、Ｒ“及びｎは前記に同じ）で表わされる反
覆単位の全共重合体に占める割合は０．１乃至５０モル
チである。これは上記反覆単位の割合が０．１モルチ未
満モあると半導体素子との接着性が悪く、接着性を確保
するためにはカップリング剤を使用することが必要とな
り本発明の目的を満足しないからである。また。
上記反覆単位の含有量の増大に伴い、共重合体の耐熱性
は低下し、５０モルチを超えるとその重置減少開始温度
は３５０℃以下となシ、封止層封止時に加えられる熱処
理に耐えることができない。
は低下し、５０モルチを超えるとその重置減少開始温度
は３５０℃以下となシ、封止層封止時に加えられる熱処
理に耐えることができない。
本発明になる接着剤組成物は、上記のポリイミド−シリ
コーン前駆体を製造する際に用いた溶媒を含むものであ
る。上記の製造の際に用いた溶媒にキシレン、トルエン
等の芳香族系溶媒。
コーン前駆体を製造する際に用いた溶媒を含むものであ
る。上記の製造の際に用いた溶媒にキシレン、トルエン
等の芳香族系溶媒。
アセトン等のケトン系溶媒、プチルセロンルフ等のエー
テルグリコール系溶媒などをポリイミド−シリコーン前
駆体が析出しない範囲９通常２０重鷺チ以下の範囲で加
えることもできる。
テルグリコール系溶媒などをポリイミド−シリコーン前
駆体が析出しない範囲９通常２０重鷺チ以下の範囲で加
えることもできる。
本考案においては、目的に応じて接着剤組成物に無機系
光てん剤を混合することができる。
光てん剤を混合することができる。
無機光てん剤としては接着力の向上、揺変性の付与を目
的として、ノリ力、金属酸化物２石英ガラス粉末などを
用いることができる。また素子の電極部が素子の外部支
持電極側にある場合。
的として、ノリ力、金属酸化物２石英ガラス粉末などを
用いることができる。また素子の電極部が素子の外部支
持電極側にある場合。
熱放散を必要とする場合には導電性光てん剤が用いられ
２通常Ａｇ粉末が好ましいが、グラファイト、カーボン
ブラック等の炭素粉末とＡｇ粉末との併用も行なわれる
。
２通常Ａｇ粉末が好ましいが、グラファイト、カーボン
ブラック等の炭素粉末とＡｇ粉末との併用も行なわれる
。
導電性光てん剤としてＡｇ粉末を用いる場合その粒度は
最大粒径５μｍ未満であることが好ましい。これは半導
体素子と外部支持電極間の接着剤層の厚さは通常１０乃
至３０μｍとされるが、５μｍ以上のＡｇ粉末が凝集し
たような場合にはギャップが１０乃至３０μｍ以上とな
り半導体素子と外部支持電極とが均一に接合されず十分
な接着力が得られないためである。またＡｇ粉末の含量
については特に制限はないが。
最大粒径５μｍ未満であることが好ましい。これは半導
体素子と外部支持電極間の接着剤層の厚さは通常１０乃
至３０μｍとされるが、５μｍ以上のＡｇ粉末が凝集し
たような場合にはギャップが１０乃至３０μｍ以上とな
り半導体素子と外部支持電極とが均一に接合されず十分
な接着力が得られないためである。またＡｇ粉末の含量
については特に制限はないが。
ポリイミド−シリコーン前駆体に対して５０乃至９０重
量％の範囲で用いるのが、接着性、導電性の観点から望
ましい。
量％の範囲で用いるのが、接着性、導電性の観点から望
ましい。
本発明の接着剤組成物による半導体素子と外部支持電極
の接着は例えば以下の様にして行なわれる。予め良く洗
浄された外部支持電極のタブ上にディスペンサーあるい
は印刷法により前記接着剤を塗布し、半導体素子を乗せ
軽く圧力を加えて半導体素子と外部支持電極とをよく密
着させた後に、、２００乃至５００℃好ましくは３００
乃至４５０℃で３０秒以上熱処理する。
の接着は例えば以下の様にして行なわれる。予め良く洗
浄された外部支持電極のタブ上にディスペンサーあるい
は印刷法により前記接着剤を塗布し、半導体素子を乗せ
軽く圧力を加えて半導体素子と外部支持電極とをよく密
着させた後に、、２００乃至５００℃好ましくは３００
乃至４５０℃で３０秒以上熱処理する。
尚この際溶媒の揮散をゆっくり行ない、泡等の発生をな
くすために、予め８０乃至１２０℃で５乃至６０分子備
加熱することもできる。この際タブ上に塗布する接着剤
の量は半導体素子と外部支持電極とを密着させた時、半
導体素子の外周にわずかに接着剤がはみ出る程度が接着
性の点から有効である。
くすために、予め８０乃至１２０℃で５乃至６０分子備
加熱することもできる。この際タブ上に塗布する接着剤
の量は半導体素子と外部支持電極とを密着させた時、半
導体素子の外周にわずかに接着剤がはみ出る程度が接着
性の点から有効である。
以Ｆに実施列により本発明を具体的に説明する。
実施例１
溶媒として、ｎ−ブタノールを用いて再結晶した４、４
′−ジアミノジフェニルエーテル９．０）、減圧蒸留に
よって精製した１、３−ビス（アミノプロピル）−テト
ラメチルジシロキサン１．２Ｐ、無水酢酸を用いて再結
晶した無水ピロメリット酸１０．９１を威圧蒸留によっ
て精製したＮ−メチル−２−ビ０ リド／ｌ１９．６）
中で反応させ、樹脂分１４．５重址優、粘度１２５ポア
ズのポリイミド−シリコーン前駆体溶液を得た（式（１
）で表わされる反覆単位は１０モルチ９式（２）で表わ
される反覆単位は９０モルｓ）、この溶液を外部支持電
極のタグ上に滴下し、半導体素子を接着した後１００℃
で３０分、３５０℃で３０分熱処理した。半導体素子と
外部支持電極との接着力をプツシプルゲージによシ測定
したところ３５０℃で１８４Ｚ蒲１であり、ボンディン
グ圧に十分耐え得るだけの接着力を有していることがわ
かった。また熱天秤で測定した重量減少開始温度は４５
０℃であり、セラミック封止温度にも十分耐え得ること
がわかった。
′−ジアミノジフェニルエーテル９．０）、減圧蒸留に
よって精製した１、３−ビス（アミノプロピル）−テト
ラメチルジシロキサン１．２Ｐ、無水酢酸を用いて再結
晶した無水ピロメリット酸１０．９１を威圧蒸留によっ
て精製したＮ−メチル−２−ビ０ リド／ｌ１９．６）
中で反応させ、樹脂分１４．５重址優、粘度１２５ポア
ズのポリイミド−シリコーン前駆体溶液を得た（式（１
）で表わされる反覆単位は１０モルチ９式（２）で表わ
される反覆単位は９０モルｓ）、この溶液を外部支持電
極のタグ上に滴下し、半導体素子を接着した後１００℃
で３０分、３５０℃で３０分熱処理した。半導体素子と
外部支持電極との接着力をプツシプルゲージによシ測定
したところ３５０℃で１８４Ｚ蒲１であり、ボンディン
グ圧に十分耐え得るだけの接着力を有していることがわ
かった。また熱天秤で測定した重量減少開始温度は４５
０℃であり、セラミック封止温度にも十分耐え得ること
がわかった。
比較例１
実施例１と同様な方法で精製した４４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル１０． Ｏｆと無水ピロメリット酸１０
．９）とを蒸留精製したＮ−メチル−２−ピロリドン１
１８．４Ｐ中で反応させ、樹脂分濃度１４．７重量−１
粘度１３５ポアズのポリアミド酸溶液を得た。このポリ
アミド酸溶液を用いて、実施例１と同様な方法で半導体
素子と外部支持電極とを接着し、３５０℃での接着力を
測定したところ８ Ｋｆ／ａｔｒ”でポンディング時の
圧力に対し十分な接着力を有していないことがわかつ九
。
ェニルエーテル１０． Ｏｆと無水ピロメリット酸１０
．９）とを蒸留精製したＮ−メチル−２−ピロリドン１
１８．４Ｐ中で反応させ、樹脂分濃度１４．７重量−１
粘度１３５ポアズのポリアミド酸溶液を得た。このポリ
アミド酸溶液を用いて、実施例１と同様な方法で半導体
素子と外部支持電極とを接着し、３５０℃での接着力を
測定したところ８ Ｋｆ／ａｔｒ”でポンディング時の
圧力に対し十分な接着力を有していないことがわかつ九
。
実施例２
実施例１で用いたポリイミド−シリコーン前駆体溶液１
００？に平均粒径１．２μｆｆＨ７）Ａｇ粉末１０．５
Ｐを添加し、乳鉢で均一に混合した。これをガラス板上
に塗布し、１００℃で３０分、３５０℃で３０分熱処理
後その体積抵抗率を測定したところ１０−４０・錦であ
った。また実施例１と同様な方法で半導体素子と外部支
持電極を接着し、その接着力を測定したところ２０Ｋｉ
ｙ／ｃｍ”であった。
００？に平均粒径１．２μｆｆＨ７）Ａｇ粉末１０．５
Ｐを添加し、乳鉢で均一に混合した。これをガラス板上
に塗布し、１００℃で３０分、３５０℃で３０分熱処理
後その体積抵抗率を測定したところ１０−４０・錦であ
った。また実施例１と同様な方法で半導体素子と外部支
持電極を接着し、その接着力を測定したところ２０Ｋｉ
ｙ／ｃｍ”であった。
本発明になる接着剤組成物はカップリング剤等の接着助
剤なしに半導体素子と外部支持電極とを強固に接着する
ことを可能とし、また上２ミック封止時の熱処理に対・
しても十分な耐熱性を有するものである。このため、従
来のＡｕ−８ｉ共晶からの置換が可能で、半導体装置の
コスト低減に大きな効果をもたらすものである。
剤なしに半導体素子と外部支持電極とを強固に接着する
ことを可能とし、また上２ミック封止時の熱処理に対・
しても十分な耐熱性を有するものである。このため、従
来のＡｕ−８ｉ共晶からの置換が可能で、半導体装置の
コスト低減に大きな効果をもたらすものである。
５５７−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ジアミノシロキサン、ケイ素を含まない有機ジア
ミンおよび有機四塩基酸二無水物を反応させて得られる
０、１乃至５０モルー〇式（１）で表わされる反覆単位
と５０乃至９９．９モル−の式（２）で表わされる反覆
単位からなるポリイミド−シリコーン前駆体を含有して
なる半導体素子と外部支持電極との接合用接着剤組成物
。 （但し、Ｒは２価の炭化水素基、Ｒ′は１価の炭化水素
基、Ｒ″は４価の有機基、Ｒ′ａケイ素を含まない有機
ジアミンの残基である２価の有機基、ｎは１以上の整数
である）。 ２ 無機光てん剤を含有する特許請求の範囲第１項記載
の半導体素子と外部支持電極との接合用接着剤組成物。 ＆ 導電性光てん剤を含有する特許請求の範囲第１項記
載の半導体素子と外部支持電極との接合用接着剤組成物
。 ４、最大粒径５μｍ未満のＡｇ粉末を含有する特許請求
の範囲第１項記載の半導体素子と外部支持電極との接合
用接着剤組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10662381A JPS5844712B2 (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 接着剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10662381A JPS5844712B2 (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 接着剤組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587473A true JPS587473A (ja) | 1983-01-17 |
| JPS5844712B2 JPS5844712B2 (ja) | 1983-10-05 |
Family
ID=14438231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10662381A Expired JPS5844712B2 (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 接着剤組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5844712B2 (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5844712B2 (ja) | 1983-10-05 |
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