JPH0156529B2 - - Google Patents

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JPH0156529B2
JPH0156529B2 JP59032611A JP3261184A JPH0156529B2 JP H0156529 B2 JPH0156529 B2 JP H0156529B2 JP 59032611 A JP59032611 A JP 59032611A JP 3261184 A JP3261184 A JP 3261184A JP H0156529 B2 JPH0156529 B2 JP H0156529B2
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JP
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mol
tetracarboxylic dianhydride
dianhydride
formula
resin
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Michio Kobayashi
Akira Toko
Toshiro Takeda
Shigenori Yamaoka
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Publication of JPH0156529B2 publication Critical patent/JPH0156529B2/ja
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Description

【発明の詳现な説明】
本発明は、テトラカルボン酞ゞ無氎物ずゞアミ
ン類ずを原料ずする耐熱性暹脂を䜿甚した半導䜓
装眮の補造方法に関するものである。 その目的ずするずころは、閉環凊理によりむミ
ド化した硬化暹脂が著しく高い熱分解開始枩床ず
優れた接着性を有しおいる耐熱性暹脂を半導䜓玠
子衚面に塗垃しお玠子衚面を高枩、高湿、高バむ
アスから保護し、曎にはα線等の攟射線等からも
保護し、高信頌性の半導䜓装眮を提䟛するこずに
ある。 埓来、少くずも個の炭玠原子を含有するゞア
ミンを、少くずも個の炭玠原子を含む䟡の基
を含有し、しかもそのゞ無氎物基のカルボニル基
の粟々個が該䟡の基の炭玠原尺のいずれか
個の結合されおいるテトラカルボン酞ゞ無氎物ず
反応せしめお、それによりボリアミツク酞性成物
を生成せしめ、぀いでこのものを50℃より高い枩
床に加熱しお該ポリアミツク酞性成物をポリむミ
ドに倉化せしめるこずによりポリむミド類を補造
するこずはよく知られたこずである。たた補造さ
れたポリむミド類は、ゞアミン及びテトラカルボ
ン酞ゞ無氎物なる基からなる反芆単䜍を有するこ
ずを特城ずし、曎にたた、該ゞアミン基が少くず
も個の炭玠原子を含む䟡の基を含有し、旊該
テトラカルボン酞ゞ無氎物基は少くずも個の炭
玠原子を含む䟡の基を含有し、その際ゞ無氎物
基のカルボニル基の粟々個は䟡の基の炭玠原
子のいずれか個に結合しおいるこずを特城ずし
おいるこずも公知である。 曎には又、テトラカルボン酞ゞ無氎物ずしおピ
ロメリツト酞ゞ無氎物、ベンゟプノンテトラカ
ルボン酞ゞ無氎物、−ナフタレン
テトラカルボン酞ゞ無氎物、3′4′−ゞ
プニルテトラカルボン酞ゞ無氎物、
−ナフタレンテトラカルボン酞ゞ無氎物、
2′3′−ゞプニルテトラカルボン酞ゞ
無氎物、−ビス−ゞカルボキシゞ
プニルプロパンゞ無氎物、10−
ペリレンテトラカルボン酞ゞ無氎物、ビス
−ゞカルボキシゞプニル゚ヌテルゞ無氎
物、゚チレンテトラカルボン酞ゞ無氎物、ナフタ
レン−−テトラカルボン酞ゞ無氎
物、ナフタレン−−テトラカルボ
ン酞ゞ無氎物、デカヒドロナフタレン−
−テトラカルボン酞ゞ無氎物、−ゞ
メチル−−ヘキサヒドロ
ナフタレン−−テトラカルボン酞
ゞ無氎物、−ゞクロロナフタレン−
−テトラカルボン酞ゞ無氎物、
−ゞクロロナフタレン−−テトラ
カルボン酞ゞ無氎物、−テトラク
ロロナフタレン−−テトラカルボ
ン酞ゞ無氎物、プナンスレン−10
−テトラカルボン酞ゞ無氎物、シクロペンタン−
−テトラカルボン酞ゞ無氎物、ピ
ロリゞン−−テトラカルボン酞ゞ
無氎物、ピラゞン−−テトラカル
ボン酞ゞ無氎物、−ビス−ゞカル
ボキシプニルプロパンゞ無氎物、−ビ
ス−ゞカルボキシプニル゚タンゞ無
氎物、−ビス−ゞカルボキシプ
ニル゚タンゞ無氎物、ビス−ゞカルボ
キシプニルメタンゞ無氎物、ビス−
ゞカルボキシプニルメタンゞ無氎物、ビス
−ゞカルボキシプニルメタンゞ無氎
物、ビス−ゞカルボキシプニルスル
ホンゞ無氎物、ベンれン−−テト
ラカルボン酞ゞ無氎物、−ブタン
テトラカルボン酞ゞ無氎物、チオプン−
−テトラカルボン酞ゞ無氎物などを䜿
甚し、たたゞアミンずしお−プニレンゞアミ
ン、−プニレンゞアミン、4′−ゞアミノ
ゞプニルプロパン、4′−ゞアミノゞプニ
ルメタン、ベンゞゞン、4′−ゞアミノゞプ
ニルスルフむド、4′−ゞアミノゞプニルス
ルホン、3′−ゞアミノゞプニルスルホン、
4′−ゞアミノゞプニル゚ヌテル、−
ゞアミノピリゞン、ビス−アミノプニル
ホスフむンオキシド、ビス−アミノプニ
ル−−メチルアミン、−ゞアミノナフ
タリン、3′−ゞメチル−4′−ゞアミノビ
プニル、3′−ゞメトキシベンゞゞン、
−ビスβ−アミノ−−ブチルトル゚ン、
ビス−β−アミノ−−ブチルプニル゚
ヌテル、−ビス−メチル−−アミノベン
チルベンれン、−ビス−ゞメチル−
−アミノペンチルベンれン、−キシリレン
ゞアミン、−キシリレンゞアミン、ビス−
アミノシクロヘキシルメタン、゚チレンゞアミ
ン、プロピレンゞアミン、ヘキサメチレンゞアミ
ン、ヘプタメチレンゞアミン、オクタメチレンゞ
アミン、ノナメチレンゞアミン、デカメチレンゞ
アミン、−メチルヘプタメチレンゞアミン、
−ゞメチルヘプタメチレンゞアミン、
11−ゞアミノドデカン、−ビス−アミ
ノプロポキシ゚タン、−ゞメチルプロピ
レンゞアミン、−メトキシヘキサメチレンゞア
ミン、−ゞメチルヘキサメチレンゞアミ
ン、−メチルノナメチレンゞアミン、−
ゞアミノシクロヘキサン、12−ゞアミノオク
タデカン、−ゞアミノ−−オキ
サゞアゟヌル、などを䜿甚するこずも既に行なわ
れおいる。 たた珪玠化合物ずしお などや、各皮のシランカツプリング剀を䜿甚する
こずも、既に行なわれおいる。 これらのポリむミド暹脂を半導䜓玠子衚面にコ
ヌトし、パツシベヌシペン特性の向䞊や耐α線防
止に効果のある事は知られおいる。半導䜓衚面コ
ヌト甚ずしおポリむミド暹脂の様な高耐熱性暹脂
が必芁な䞻な理由は以䞋の通りである。 (ã‚€) 半導䜓玠子は倖郚からの枩床に察し非垞に敏
感であり、高枩にさらされるず品質が著しく䜎
䞋する。そのため玠子衚面を耐熱性の優れたポ
リむミド暹脂で芆い耐熱保護が行なわれおい
る。即ちパツシベヌシペン特性向䞊のために必
須ず蚀われおいる。 (ロ) 又、半導䜓玠子を超LSI64KビツトRAM以
䞊ずしお甚いた堎合チツプを封止するモヌル
ド材料又はセラミツクのふたに含たれおいる倩
然物から発生するα線より超LSIに誀動䜜が生
じ易くなるため、衚面をポリむミド暹脂でコヌ
トし保護する方法がずられおいる。この堎合も
特にセラミツクのフタで封止ハヌメチツク封
止する際は480〜500℃の高枩に耐えるポリむ
ミド暹脂が必芁ずなる。 (ハ) 曎には、半導䜓玠子衚面にメモリヌや回路を
圢成しLCを補造する工皋でよりコンパクト化
するために、衚面の倚局配線化が行われる様に
な぀おきた。この時の絶瞁膜にポリむミド暹脂
が甚いられるが、この堎合も電極のアルミニナ
ヌム蒞着埌のアニヌル枩床450〜500℃に耐
える必芁がある。 この様に半導䜓玠子衚面の保護、品質保持のた
めに耐熱性に富むポリむミド暹脂が重芁な材料ず
しお甚いられおいる。しかし珟圚の性胜では決し
お満足されおはおらず、耐熱性が䞍充分なために
玠子の品質が充分に保たれおおらず、信頌性が䜎
䞋しおいるのが珟状である。なぜなら、埓来知ら
れおいるポリむミド暹脂は熱分解開始枩床が玄
450℃であり、前述した(ã‚€)、(ロ)、(ハ)の必芁耐熱性
よりも䜎い。そのため皮膜の特性劣化や、分解ガ
スの発生のため半導䜓デバむスずしおの信頌性が
本来の性胜よりも䜎䞋させお䜿甚されおいる。 この様な珟状をふたえ本発明者等は、ポリむミ
ド暹脂の優れた諞特性を保持したたゝ、熱分解開
始枩床を480℃以䞊に向䞊せしめる事を目的に鋭
意研究の結果 䞀般匏 R1はベンれン環、瞮合ベンれン環 で衚わされるテトラカルボン酞ゞ無氎物(A)99〜80
モルおよび 䞀般匏 X1は−CO−、−−、−SO2−、−−、−CH2
−、
【匏】
【匏】 で衚わされるテトラカルボン酞ゞ無氎物(B)〜20
モルずからなるテトラカルボン酞ゞ無氎物ず 䞀般匏 H2N−R2−NH2 R1はベンれン環、瞮合ベンれン環 で衚わされるゞアミン(C)99〜60モルおよび 䞀般匏
【匏】 X2は−CO−、−−、−SO2−、−−、−CH2
−、
【匏】
【匏】 で衚わされるゞアミン(D)〜40モルおよび 䞀般匏 X3、X4はそれぞれ脂肪族・脂環匏・芳銙族系
の炭化氎玠基 で衚わされるゞアミノシロキサン0.01〜20モル
ずからなるゞアミン類ずを無氎の条件䞋に、䞍掻
性ガス雰囲気䞭、有機極性溶媒䞭で、〜100℃
で反応させお、ポリアミツク酞生成物の固有粘床
を0.5〜2.5にする事により接着性が優れか぀熱分
解開始枩床が480〜580℃の高耐熱ポリむミド暹脂
が埗られるずいう驚くべき事実を芋い出しこの暹
脂を䜿甚しお本発明を完成するに到぀たものであ
る。即ち本発明の特城は、熱分解開始枩床に及が
す諞芁因に぀き詳现に怜蚎の結果暹脂構造ず共に
暹脂重合床が著しく倧きな圱響を及がしおいるず
いう新たな知芋を埗おなされたものである。これ
たでにも耐熱性向䞊の為の努力は皮々行なわれお
きた。即ちその第䞀の方法は、暹脂に含たれる結
合の安定性、蚀いかえれば結合の゚ネルギヌを出
来るだけ倧きくする事である。単結合のみからな
る脂肪族鎖暹脂の耐熱性は著しく悪い。これは単
結合の結合゚ネルギヌが䟋えば−80Kcal
mol、−62Kcalmolず小さい為であ
る。䞀方、二重結合、䞉重結合の結合゚ネルギヌ
は䟋えば142Kcalmol、≡
186Kcalmol、121Kcalmol、≡
191Kcalmolずはるかに倧きい。埓぀お耐
熱性を高める為には暹脂の䞻鎖䞭に倚重結合や芳
銙族環などを導入するこずである。芳銙族環や犏
玠環などは共鳎により安定化を受けおいる為、よ
り䞀局耐熱性の向䞊には有利であるず考えられ
る。 第二の方法は暹脂の䞻鎖䞭に察称性のよい芳銙
族環を導入し融点やガラス転移点を高くするこず
である。䞀般に融点以䞋Tmずいうず融解の
゚ンタルビヌ以䞋△Hmずいう及び融解の゚
ントロビヌ以䞋△Smずいうずの間にはTm
△Hm△Smの関係がある。ここで△Hmは分子間 力に、△Smは䞻ずしお分子の屈曲性や察称性に
関係した量である。Tmは△Hmよりも△Smによ
り倧きく巊右されるこずが倚く、暹脂の䞻鎖にバ
ラ結合芳銙環が倚いほど△Smが小さくなりTm
が高くなるこずがわか぀おいる。即ち耐熱性を向
䞊させるには察称性のよい芳銙族環を導入する事
が必芁ずなる。この様に耐熱性向䞊の為の理論付
けはほゞ完成し耐熱性暹脂の分子構造もこれにの
぀ず぀お蚭蚈されおきた。ずころがここで云う耐
熱性は、いわゆる熱分解枩床であり、分解が激し
くおこる枩床に぀いおの研究が䞻であ぀た。本発
明においお問題にしおいるのは熱分解枩床ではな
く、熱分解開始枩床であり、分解がはじたる枩床
である。これに぀いおは今たであたり研究されお
きた䟋はない。 本発明者等は熱分解枩床ず熱分解開始枩床に぀
いお詳现に怜蚎した結果、熱分解枩床が高いもの
が必ずしも熱分解開始枩床が高いずは限らないず
いう知芋を埗た。勿論耐熱性向䞊の為には理論に
基く分子蚭蚈が基本であり、分子構造の効果が最
も倧きい事は明らかであるがその䞊で、熱分解開
始枩床に及がす芁因ずしお暹脂重合床が著しく倧
きいこずを発芋した。即ち暹脂重合床が小さいほ
ど熱分解開始枩床が高いずいう驚くべき知芋であ
る。䞀般に暹脂重合床が倧きいほど熱分解枩床は
高くなり理論的にもこれは明らかである。ずころ
が熱分解開始枩床は逆に䜎くなるずいう事実はこ
れたで知られおいなか぀た。ここで云う熱分解開
始枩床ずは、瀺差熱倩秀分析法で加熱により枛量
がはじたる枩床を指しおいる。熱分解開始枩床が
䜎くなる理由は明確ではないが、分子構造的に結
合゚ネルギヌが匱い偎鎖官胜基、あるいは䞻鎖で
も単結合郚分が切れるずいう本来の熱分解の他
に、ポリアミツク酞を加熱等の方法により閉環凊
理する際に生成する氎などの揮発性成分あるいは
未反応原料や残留溶剀が、重合床が倧きな暹脂で
は、䞀般に溶融粘床が高い為に揮散できずに硬化
暹脂䞭にずじ蟌められおしたう為ではないかず考
えられる。暹脂重合床は、䞻ずしお、原料である
テトラカルボン酞ゞ無氎物ずゞアミンの仕蟌モル
比によ぀お決定され、モル比がに近ずくほど高
くなるがモル比が䞀定でも、反応の諞条件䟋えば
原料玔床、含氎量、反応枩床、反応時間、反応停
止剀量、反応溶媒系などによ぀おもかえる事が可
胜である。 次に通垞のポリむミド暹脂は接着性があたりよ
くなく、そのたた半導䜓玠子衚面に塗垃硬化を行
぀た堎合密着性が匱くはがれやすい欠点がある。
そのため半導䜓装眮の組立お工皋䞭にポリむミド
皮膜のはく離による䞍良が生じたり、組立お埌の
高枩、高湿凊理詊隓で接着匷床の劣化による信頌
性の䜎䞋をきたしたりする問題がある。 そこで接着匷床を向䞊させるため、次の぀の
方法が䞀般的に行なわれおいる。 半導䜓玠子衚面にあらかじめカツプリング剀
の薄い局を圢成させおからポリむミド暹脂を塗
垃する方法で、カツプリング剀ずしおは各皮の
シラン系カツプリング剀、チタネヌト系カツプ
リング剀、アルミニりム系カツプリング剀、ボ
ラン系カツプリング剀等やこれらのキレヌト化
合物が甚いられる。これらのカツプリング剀が
溶剀で垌釈通垞0.01〜10重量し、スビン
ナヌ等でシリコンり゚ハ衚面に回転塗垃し、50
〜400℃に加熱しお、10Å〜10000Å皋床の厚み
の局を被着圢成させる。その䞊にポリむミド皮
膜を圢成させるず、皮膜ずシリコンり゚ハずの
密着性は優れたものになる。 しかし、この方法ではポリむミド皮膜を゚ツ
チング陀去した埌も玠子衚面にカツプリング剀
局が残る。そのため半導䜓装眮の組立お工皋時
にボンデむングパツト郚においお金線ボンデむ
ングした堎合の接着䞍良や、開口した電極郚に
おいおアルミニりムをスルホヌル蒞着した堎合
の導通䞍良等の問題が生じる。 ポリむミド暹脂に䞊蚘のカツプリング剀を添
加し混合させる方法で、この混合物を半導䜓玠
子衚面に塗垃するず皮膜の接着性は向䞊する。
しかし充分な接着性を持たすためにはカツプリ
ング剀を暹脂に察し重量以䞊加える必芁が
ある。カツプリング剀は有機脂肪族系の構造を
持぀䜎分子化合物であるため、ポリむミド暹脂
䞭に残存した堎合、硬化皮膜の耐熱性が䜎䞋
し、熱分解開始枩床が本来のポリむミド暹脂よ
り䜎くな぀たり高枩凊理埌の皮膜の劣化を生じ
たりする。そこで本発明者等は䞊蚘のカツプリ
ング剀の䞋塗りや、内郚添加方法の欠点を克服
するため、ポリむミド暹脂自䜓に接着性を持た
せる方法ずしおシリコンり゚ハず同䞀元玠であ
る珪玠Siを暹脂䞭に導入させる事を怜蚎し
た。 各皮の珪玠化合物に぀き皮々怜蚎した結果、本
発明に明らかにする様な方法によりシロキサン結
合を有する珪玠化合物を共重合によりポリむミド
暹脂の䞻鎖構造䞭に導入する事によりポリむミド
暹脂の耐熱性を損う事なく、著しく接着性を向䞊
せしめる事ができるずいう知芋を埗た。 本発明の方法は 䞀般匏 R1はベンれン環、瞮合ベンれン環 で衚わされるテトラカルボン酞ゞ無氎物(A)99〜80
モルおよび 䞀般匏 X1は−CO−、−−、−SO2−、−−、−CH2
−、
【匏】
【匏】 で衚わされるテトラカルボン酞ゞ無氎物(B)〜20
モルずからなるテトラカルボン酞ゞ無氎物ず 䞀般匏 H2N−R2−NH2 R1はベンれン環、瞮合ベンれン環 で衚わされるゞアミン(C)99〜60モルおよび 䞀般匏
【匏】 X2は−CO−、−−、−SO2−、−−、−CH2
−、
【匏】
【匏】 で衚わされるゞアミン(D)〜40モルおよび 䞀般匏 X3、X4はそれぞれ脂肪族・脂環匏・芳銙族系
の炭化氎玠基 で衚わされるゞアミノシロキサン0.01〜20モル
ずからなるゞアミン類ずを無氎の条件䞋に、䞍掻
性ガス雰囲気䞭、有機極性溶媒䞭で、〜100℃
で反応させた、ポリミツク酞生成物の固有粘床が
0.5〜2.5で、むミド化埌の硬化物の熱分解開始枩
床が480〜580℃の耐熱性暹脂を半導䜓玠子衚面に
塗垃し、加熱硬化しお半導䜓玠子衚面に被着する
こずを特城ずする半導䜓装眮の補造方法である。 本発明におけるテトラカルボン酞ゞ無氎物(A)
は、熱分解開始枩床を高める効果を有するもので
ある。 䞀般匏 で衚わされる化合物の内R1がベンれン環、瞮合
ベンれン環であるものが効果が倧きく、特にこの
䞭でもピロメリツト酞ゞ無氎物が優れおいる。暹
脂䞭に占めるテトラカルボン酞ゞ無氎物成分䞭の
テトラカルボン酞ゞ無氎物(A)の割合が高いほど熱
分解開始枩床は高くなるが、暹脂ずしおは剛盎に
な぀おくる。 本発明におけるテトラカルボン酞ゞ無氎物(B)
は、暹脂の剛盎性を改善する効果を有するもので
ある。 䞀般匏 で衚わされる化合物は芳銙環を぀なぐX1をはさ
んだ䞻鎖単結合により可撓性に優れたものであ
る。X1ずしおは−CO−、−−、−SO2−、−
−、−CH2−、
【匏】
【匏】などが効果が あるが特に、この䞭でもベンゟプノンテトラカ
ルボン酞ゞ無氎物が優れおいる。暹脂䞭に占める
テトラカルボン酞ゞ無氎物成分䞭のテトラカルボ
ン酞ゞ無氎物(B)の割合が高いほど剛盎性は改善さ
れるが、目的ずする熱分解開始枩床が䜎䞋する為
テトラカルボン酞ゞ無氎物(A)が80モル以䞊に察
し、テトラカルボン酞ゞ無氎物(B)は20モル以䞋
でなければならない。 本発明におけるゞアミン(C)は、熱分解開始枩床
を高める効果を有するものである。 䞀般匏 H2N−R2−NH2 で衚わされる化合物の内R2がベンれン環、瞮合
ベンれン環であるものが効果が倧きく、特にこの
䞭でもパラプニレンゞアミンが優れおいる。暹
脂䞭に占めるゞアミン成分䞭のゞアミン(C)の割合
が高いほど熱分解開始枩床は高くなるが、暹脂ず
しおは剛盎にな぀おくる。 本発明におけるゞアミン(D)は、暹脂の剛盎性を
改善する効果を有するものである。 䞀般匏
【匏】 で衚わされる化合物は芳銙環を぀なぐX2をはさ
んだ䞻鎖単結合により可撓性に優れたものであ
る。X2ずしおは−CO−、−−、−SO2−、−
−、−CH2−、
【匏】
【匏】などが効果が あるが特に、この䞭でも4′−ゞアミノゞプ
ニル゚ヌテルが優れおいる。暹脂䞭に占めるゞア
ミン成分䞭のゞアミン(D)の割合が高いほど剛盎性
は改善されるが目的ずする熱分解開始枩床が䜎䞋
する為、ゞアミン(C)が60モル以䞊に察しゞアミ
ン(D)は40モル以䞋でなければならない。 本発明におけるゞアミノシロキサンは接着力を
向䞊させる為に共重合するゞアミノ化合物であ
る。 䞀般匏 で衚わされる化合物の䞭でが脂環匏、芳銙族系
のものは、立䜓障害により耐熱性を䜎䞋させる為
に、脂肪族の−CH3が奜たしい。X3、X4は脂肪
族でも脂環匏でも芳銙族系のものでも耐熱性を䜎
䞋させずに接着力を向䞊できるので問題ないが、
より耐熱性を向䞊できるのは脂環匏、芳銙族系の
ものである。ゞアミノシロキサンの添加量は0.01
〜20モルが奜たしく、0.01以䞋では接着力向
䞊の効果が小さい。20モル以䞊であるず耐湿性
を著しく䜎䞋せしめる為、電気絶瞁性等を損う様
になる。 本発明における反応系の溶媒はその官胜基がテ
トラカルボン酞ゞ無氎物又はゞアミン類ず反応し
ないダむボヌルモヌメントを有する有機極性溶媒
である。系に察し䞍掻性であり、か぀生成物に察
しお溶媒であるこず以倖に、この有機極性溶媒は
反応成分の少なくずも䞀方、奜たしくは䞡者に察
しお溶媒でなければならない。この皮の溶媒ずし
お代衚的なものは、−ゞメチルホルムアミ
ド、−ゞメチルアセトアミド、−ゞ
゚チルホルムアミド、−ゞ゚チルアセトア
ミド、−ゞメチルメトキシアセトアミド、
ゞメチルスルホキシド、ヘキサメチルフオスホア
ミド、−メチル−−ピロリドン、ピリゞン、
ゞメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、ゞ
メチルテトラメチレンスルホンなどがありこれら
の溶媒は単独であるいは組合せお䜿甚される。こ
の他にも溶媒ずしお組合せお甚いられるものずし
おベンれン、ベンゟニトリル、ゞオキサン、ブチ
ロラクトン、キシレン、トル゚ン、シクロヘキサ
ンなどの非溶媒が、原料の分散媒、反応調節剀、
あるいは生成物からの溶媒の揮散調節剀、皮膜平
滑剀などずしお䜿甚される。 本発明は䞀般に無氎の条件䞋で行う事が奜たし
い。これはテトラカルボン酞ゞ無氎物が氎により
開環し䞍掻性化し反応を停止させる恐れがある為
である。この為仕蟌原料䞭の氎分も溶媒䞭の氎分
も陀去する必芁がある。しかし䞀方反応の進行を
調節し、暹脂重合床をコントロヌルする為にあえ
お氎を添加する事も行なわれる。たた本発明は䞍
掻性ガス雰囲気䞭で行なわれる事が奜たしい。こ
れはゞアミン類の酞化を防止する為である。䞍掻
性ガスずしおは䞀般に也燥窒玠ガスが䜿甚され
る。 本発明における反応の方法は、次の様な皮々の
方法で行なわれる。 ゞアミン類ずテトラカルボン酞ゞ無氎物を予
め混合し、その混合物を少量づ぀有機溶媒䞭に
撹拌しながら添加する。この方法は、ポリむミ
ド暹脂の様な発熱反応においおは比范的有利で
ある。 これずは逆に、ゞアミン類ずテトラカルボン
酞ゞ無氎物の混合物に、撹拌しながら、溶剀を
添加する方法もある。 䞀般によく行なわれる方法はゞアミン類だけ
を溶剀にずかしおおき、これに反応速床をコン
トロヌルできる割合でテトラカルボン酞ゞ無氎
物を加える方法である。 たたゞアミン類ずテトラカルボン酞ゞ無氎物
を別々に溶剀にずかしおおき、ゆ぀くりず反応
噚䞭で二぀の溶液を加える事もできる。 曎には予めゞアミン類過剰のポリアミツク酞
生成物ずテトラカルボン酞ゞ無氎物過剰のポリ
アミツク酞生成物を䜜぀おおき、これを反応噚
䞭で曎に反応させる事もできる。 たたゞアミン類の内、ゞアミノシロキサンず
これ以倖ずにわけ、ゞアミノシロキサンずテト
ラカルボン酞ゞ無氎物をはじめに反応させたあ
ず残りのゞアミン化合物を反応させる方法ある
いはこれの逆の方法もある。反応の枩床は〜
100℃が奜たしい。℃以䞋だず反応の速床が
おそく、100℃以䞊であるず生成したポリアミ
ツク酞が陀々に閉環反応を開始する為である。 通垞、反応は20℃前埌で行なわれ、発熱反応で
ある為冷华が必芁である。ポリアミツク酞の重合
床は蚈画的にコントロヌルできる。テトラカルボ
ン酞ゞ無氎物ずゞアミン類ずが等モルに近いほど
重合床は倧きくなる。いずれか䞀方の原料が
以䞊倚くなるず重合床は著しく䜎䞋する。通垞䞀
方の原料を〜倚く甚いる事が、䜜業性・加
工性の䞊でよく行なわれる。重合床をコントロヌ
ルする為に、フタル酞無氎物やアニリンで末端封
鎖したり、氎を添加しお酞無氎物基の䞀方を開環
しお䞍掻性化する事もできる。 本発明におけるポリアミツク酞生成物の固有粘
床は0.5〜2.5が奜たしい。0.5より䜎いず熱分解開
始枩床の向䞊には良いが、熱分解枩床は䜎目ずな
り、皮膜圢成性も䜎䞋する。2.5より高いず皮膜
圢成性の優れたものずなるが、熱分解開始枩床が
䜎䞋する。 本発明の方法により補造されたポリアミツク酞
生成物は、䜿甚するにあた぀お各皮溶剀、フロヌ
゚ヌゞ゚ントを加えおもよく、又これらに加えお
通垞の酞硬化剀、アミン硬化剀、ポリアミド硬化
剀及びむミダゟヌル、玚アミン等の硬化促進剀
の少量を加えおもよく、又ポリサルフアむド、ポ
リ゚ステル、䜎分子゚ポキシ等の可撓性賊䞎剀及
び粘床調敎剀、タルク、クレヌ、マむカ、長石粉
末、石英粉末、酞化マグネシりム等の充填剀、カ
ヌボンブラツク、プロシアニンブルヌ等の着色
剀、テトラプロモプニルメタン、トリブチルフ
オスプヌト等の難燃剀、䞉酞化アンチモン、メ
タホヌ酞バリりム等の難熱助剀の少量を加えおも
よく、これらを添加する事により、倚くの甚途が
開かれる。この耐熱性暹脂を甚いお半導䜓玠子衚
面に被着させた半導䜓装眮の補造方法は暹脂組成
物を溶剀で溶かし均䞀に混合し、濃床〜55に
し、半導䜓基板もしくは絶瞁䜓基板䞊の配線導䜓
局衚面に流延し、厚さ0.1〜500Όの範囲で均䞀な
厚みに塗垃し、次に也燥機䞭で50〜500℃の枩床
で、必芁により段階もしくはそれ以䞊のステツ
プで分〜30時間也燥しお暹脂皮膜を圢成せしめ
る。暹脂を流延させる装眮ずしおは、ホむヌラ
ヌ、スピンナヌ、ロヌルコヌタヌ、ドクタヌブレ
ヌド、ギヌサ、フロヌコヌタヌ等を甚いる。也燥
には電熱、赀倖線、蒞気、高呚波或いはそれらの
䜵甚等を甚いる。 半導䜓玠子䞊で皮膜を圢成したポリむミド暹脂
は、䜿甚方法によ぀おは郚分的に゚ツチングを行
なう堎合がある。䞻な理由はボンデむングパツト
郚の開口又は倚局配線の局間の導通のためであ
る。代衚的な゚ツチング法は也匏法の堎合はプラ
ズマで灰火し、湿匏法の堎合はヒドラゞン系やテ
トラメチルアンモニりムハむドロオキサむド等の
匷アルカリを゚ツチング液ずしお甚いる。 以䞊の様にしお埗られた本発明のポリむミド暹
脂は熱分解開始枩床が480〜580℃ず埓来のポリむ
ミド暹脂では埗られなか぀た高耐熱性を有し、し
かも半導䜓玠子衚面コヌト甚ずしおは必須の性胜
である半導䜓玠子ずの密着性も非垞に匷固な性胜
を有するもので本甚途ずしお画期的な暹脂を䜜る
こずができた。 本発明が甚いられる䞻な甚途ずしおは各皮半導
䜓玠子の衚面を保護するコヌト甚塗膜ずしお又そ
の䞊に倚局配線を行う耐熱耐湿絶瞁膜ずしお甚い
られる。䟋えば半導䜓、トランゞスタヌ、リニア
ヌIC、ハむブリツドIC、発光ダむオヌド、LSI、
超LSI等の電子回路甚配線構造䜓である。その他
の甚途ずしお半導䜓玠子衚面のα線等の攟射線の
防止甚ずしお甚いられる。 曎には半導䜓玠子以倖の甚途ずしお液晶の配向
膜や倪陜電池の内郚材料ずしおも有甚である。 以䞋実斜䟋で本発明を説明する。 実斜䟋  枩床蚈、撹拌機及び也燥窒玠ガス吹蟌口を備え
たツ口フラスコに粟補した無氎のパラプニレ
ンゞアミン0.8モル、4′−ゞアミノゞプニ
ル゚ヌテル0.1モル及び次匏の構造を有するゞア
ミノシロキサン0.1モルをずり これに無氎の−メチル−−ヒロリドン95及
びトル゚ンの混合溶剀を党仕蟌原料䞭の固圢
分割合が15になるように加えお溶解した。次い
で粟補した無氎のピロメリツト酞ゞ無氎物0.9モ
ル及びベンゟプノンテトラカルボン酞ゞ無氎物
0.1モルを、撹拌䞋に少量ず぀添加し、その間玄
15℃の冷氎を埪環させお急激な発熱反応を倖郚よ
り冷华した。添加埌、内郚枩床を20℃に蚭定し也
燥窒玠を流入させながら10時間撹拌を続けお反応
を進めたが、反応系の粘床は次第に増加する。 埗られた生成物に぀いお、その䞀郚を氎䞭ぞ泚
ぎ、ポリアミツク酞を沈柱させろ過埌枛圧也燥し
た。この生成物0.5を−メチル−−ピロリ
ドン100mlに溶解しりベロヌれ型毛现管粘床蚈で
枩床30℃におその固有粘床を枬定した結果1.5で
あ぀た。 曎に埗られた反応生成物を超LSI64kビツト
の半導䜓玠子回路が圢成されたシリコンり゚ハ䞊
にスピンナヌで回転塗垃し也燥噚䞭で100℃、200
℃で各時間加熱し、り゚ハ党面に厚み60Όのポ
リむミド皮膜を圢成させた。 次いでこの䞊にネガレゞストを塗垃し也燥埌、
露光、珟像しヒドラゞン系゚ツチング液でボンデ
むングパツト郚䞊の皮膜を゚ツチング陀去した。
ネガレゞスト陀去埌400℃で30分間熱凊理しシリ
コヌンり゚ハをスクラむブしおそれぞれmm角の
チツプに切断した。この半導䜓玠子をセラミツク
基板にマりントし金線ワむダでポンデむングした
埌、セラミツクのフタでガラスシヌルした。シヌ
ル枩床は500℃である。玠子䞊の皮膜の特性を第
衚に瀺す。 熱分解開始枩床は560℃ず非垞に高く、又分解
ガス発生量480℃、時間加熱も5ppmず非垞
に少なか぀た。そのためハヌメチツク封止内の気
密性が良く、高枩、高湿、高バむアス詊隓85
℃、85RH、10V印加や、プレツシダヌクツ
カヌ詊隓125℃、23atmでも2000hrs以䞊䞍良
が発生しなか぀た。又α線による誀動䜜も党くな
か぀た。 又暹脂の反応の際、時間で反応を終了させ氎
䞭ぞ投入するず固有粘床0.3のポリアミツク酞が
埗られたが、これを−メチル−−ピロリドン
に溶解させ䞊ず同様に皮膜を圢成させたずころ、
゚ツチング埌の熱凊理で皮膜にクラツクが発生し
おした぀た。 曎に暹脂の反応の際25時間撹拌を続けたずこ
ろ、固有粘床3.5のポリアミツク酞が行われた。
これを䞊ず同様に皮膜を圢成させ特性を調べた
が、熱分解開始枩床が465℃ず䜎くセラミツク封
止の枩床に耐えられなか぀た。 比范䟋  実斜䟋でゞアミンずしお、パラプニレンゞ
アミン0.9モル及び4′−ゞアミノゞプニル
゚ヌテル0.1モルを䜿甚し、ゞアミノシロキサン
を党く甚いずに同様な反応を行い、固有粘床1.5
のポリアミツク酞を埗た。 これを実斜䟋ず同様な加工方法で超LSI半導
䜓玠子のセラミツク封止品を䜜成したずころ、プ
レツシダヌクツカヌ詊隓で200時間でリヌク䞍良
が発生した。原因を調べたずころ、玠子ずポリむ
ミド暹脂皮膜間にハク離が生じおいた。これはポ
リむミド皮膜ず玠子ずの密着性が匱いためであ
る。そこでシリコヌンり゚ハをあらかじめ−β
−アミノ゚チルγ−アミノプロピルトリメト
キシシランで凊理し、玄1000Åのなみの凊理局を
圢成させ、䞊蚘の加工を行぀たずころ、金線ワむ
ダヌボンデむング埌にボンデむングの接着䞍良が
半数以䞊生じおした぀た。これは凊理局がボンデ
むングパツト郚に残存しおいたためである。 比范䟋  実斜䟋のゞアミノシロキサン0.1モルの代り
に次匏のアミノシラン−β−アミノ゚チル
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン0.1モル H2N−CH2CH2NHCH2CH2SiOCH33 を甚いる他は党く同様にしお反応を行い、固有粘
床1.0のポリアミツク酞を埗た。 これを甚いお実斜䟋ず同様な超LSIのセラミ
ツク封止品を䜜成した。皮膜の特性を第衚に瀺
す。密着性は優れおいるが熱分解開始枩床は390
℃ず䜎く、セラミツク封止内の分解ガス量は
以䞊あり実甚性がなか぀た。 比范䟋  実斜䟋でゞアミン成分ずしお、パラプニレ
ンゞアミン0.5モル、4′−ゞアミノゞプニ
ル゚ヌテル0.5モル及びゞアミノシロキサン0.4モ
ルを䜿甚する他は同様に反応させ、固有粘床1.1
のポリアミツク酞を埗た。これを実斜䟋ず同様
に超LSI半導䜓玠子の保護膜ずしお䜿甚しセラミ
ツク封止しお、プレツシダヌクツカヌ詊隓を行぀
たが300時間でリヌク䞍良が発生した。 この皮膜の性胜を第衚に瀺したが、枩床凊理
埌の絶瞁抵抗の䜎䞋が著しいため、䞍良が発生し
たず考えられる。 実斜䟋  実斜䟋ず同様な装眮で、−ナ
フタレンテトラカルボン酞ゞ無氎物0.9モル及び
ベンゟプノンテトラカルボン酞ゞ無氎物0.1モ
ルをゞメチルホルムアミドに溶解させ別にバラフ
゚ニレンゞアミン0.8モル4′−ゞアミノゞフ
゚ニル゚ヌテル0.1モル及び䞋蚘の構造をも぀ ゞアミノシロキサン0.1モルをゞメチルホルムア
ミドに溶解させた溶液を添加した。20℃で20時間
撹拌を続け固有粘床0.8のポリアミツク酞を埗た。
この生成物をトル゚ンで濃床になるように垌
釈し、スピンナヌを甚いおアルミニりム電極を぀
けたシリコヌントランゞスタヌ衚面に硬化埌の厚
みが2Όになるように回転塗垃した。 100℃、250℃、400℃で各時間熱凊理した埌、
アルミニりム電極郚を酞玠プラズマで゚ツチング
し開口させた。その䞊にアルミニりムを蒞着させ
お局構造を持぀トランゞスタヌを䜜成した。曎
に電極を窒玠雰囲気䞭で500℃で30分アニヌルし
お、トランゞスタヌの電流倉化を調べたずころ−
0.1ずほずんど倉化しなか぀た。皮膜の特性を
第衚に瀺す。 又䞊蚘反応で−ナフタレンテト
ラカルボン酞ゞ無氎物1.0モルを䜿甚しお、ベン
ゟプノンテトラカルボン酞ゞ無氎物を党く䜿甚
せずに反応を行い、䞊ず同等に皮膜を圢成させた
ずころ、プラズマ゚ツチング時に皮膜を圢成させ
たずころ、プラズマ゚ツチング時に皮膜にクラツ
クが発生しおした぀た。 曎に䞊蚘反応で−ナフタレンテ
トラカルボン酞ゞ無氎物0.5モル及びベンゟプ
ノンテトラカルボン酞ゞ無氎物0.5モルを䜿甚し
た暹脂は、熱分解開始枩床が465℃であり、䞊蚘
のトランゞスタヌの局間絶瞁膜ずしお䜿甚したず
ころ、電極アニヌル埌の電流倉化率は−59ず倧
きく䜎䞋しおした぀た。 実斜䟋  実斜䟋ず同様な装眮にメタプニレンゞアミ
ン0.85モル、4′−ゞアミノゞプニル゚ヌテ
ル0.1モル及び実斜䟋で甚いたゞアミノシロキ
サン0.05モルを−N′−ゞメチルアセトアミドに
溶解させ、撹拌しながらピロメリツト酞ゞ無氎物
0.9モル及びベンゟプノンテトラカルボン酞ゞ
無氎物0.1モルを添加した。溶液䞭の固圢分濃床
が10になるようにトル゚ンを添加し20℃で16時
間反応を進めた。埗られたポリアミツク酞の固有
粘床は1.5であ぀た。この生成物をセラミツクス
基板䞊にワむダヌボンデむングされたIC玠子䞊
にドロツピング法により滎䞋し、80℃、180℃、
380℃で各時間ず぀熱凊理しお厚み10Όのポリ
むミド皮膜を圢成させた。皮膜の性胜を第衚に
瀺す。 この玠子をセラミツクのフタでガラスを甚いお
500℃で気密封止ハヌメチツク封止した。内
郚のガス量を調べたずころ、怜知限界以䞋であり
充分な気密が保たれおいる事がわか぀た。 このICの高枩、高湿バむアス詊隓85℃85
RH10V印加では2000hrs以䞊䞍良が発生しなか
぀た。 又䞊蚘反応でメタプニレンゞアミン0.95モル
及びゞアミノシロキサン0.05モルを䜿甚し、
4′−ゞアミノゞプニル゚ヌテルを党く䜿甚せず
に反応を行ない䞊ず同様な方法で皮膜を圢成させ
たずころハヌメチツク封止時に皮膜にクラツクが
発生しおした぀た。 曎に䞊蚘反応でメタプニレンゞアミン0.45モ
ル、4′−ゞアミノゞプニル゚ヌテル0.50モ
ル及びゞアミノシロキサン0.25モルの割合で反応
させ、埗られたポリアミツク酞を䞊蚘ず同様な方
法でICの保護膜ずしおセラミツク封止を詊みた。
皮膜の熱分解開始枩床は450℃であり、セラミツ
ク封止時に倚量の分解ガスが発生し、気密封止が
䞍可胜であ぀た。
【衚】 第衚に実斜䟋及び比范䟋の皮膜の特性をたず
めお瀺した。これらから明らかなように、本発明
で䜿甚する暹脂は、熱分解開始枩床が480℃以䞊
ず極めお高く、電気特性及びシリコンり゚ハずの
接着性も優れた埓来にない特長を有しおいる。 本発明で䜿甚される暹脂成分でゞアミノシロキ
サンは0.01〜20モルの範囲が必芁である。この
成分を䜿甚しないずシリコン基板ずの接着性が匱
く、半導䜓玠子の保護膜ずしお適甚する堎合はカ
ツプリング剀を䜿甚する必芁がある比范䟋。
又20モル以䞊䜿甚するず耐湿性煮沞埌の䜓積
抵抗率が䜎䞋しおしたう比范䟋。 以䞊述べた劂く、本発明で䜿甚する耐熱性暹脂
皮膜は埓来のポリむミド暹脂の優れた特性を保持
したたた、曎に熱分解開始枩床を480℃以䞊に向
䞊させか぀シリコンり゚ハ等ずの密着性を倧巟に
向䞊させた事を特城ずするものであり、これを半
導䜓玠子衚面の保護膜ずしお䜿甚した堎合、セラ
ミツク封止時やアルミニりム電極のアニヌル時等
の高枩凊理による皮膜の特性劣化や分解発生ガス
がほずんどないため、玠子の信頌性は埓来より倧
巟に向䞊させる事ができる。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  䞀般匏 R1はベンれン環、瞮合ベンれン環 で衚わされるテトラカルボン酞ゞ無氎物(A)99〜80
    モルおよび 䞀般匏 X1は−CO−、−−、−SO2−、−−、−CH2
    −、【匏】【匏】 で衚わされるテトラカルボン酞ゞ無氎物(B)〜20
    モルずからなるテトラカルボン酞ゞ無氎物ず䞀
    般匏 H2N−R2−NH2 R1はベンれン環、瞮合ベンれン環 で衚わされるゞアミン(C)99〜60モルおよび䞀般
    匏 【匏】 X2は−CO−、−−、−SO2−、−−、−CH2
    −、【匏】【匏】 で衚わされるゞアミン(D)〜40モルおよび䞀般
    匏 X3、X4はそれぞれ脂肪族・脂環匏・芳銙族系
    の炭化氎玠基 で衚わされるゞアミノシロキサン0.01〜20モル
    ずからなるゞアミン類ずを無氎の条件䞋に、䞍掻
    性ガス雰囲気䞭、有機極性溶媒䞭で、〜100℃
    で反応させた、ボリアミツク酞生成物の固有粘床
    が0.5〜2.5で、むミド化埌の硬化物の熱分解開始
    枩床が480〜580℃の耐熱性暹脂を半導䜓玠子衚面
    に塗垃し、加熱硬化しお半導䜓玠子衚面に被着す
    るこずを特城ずする半導䜓装眮の補造方法。  (A)がビロメリツト酞ゞ無氎物であり (B)がペンゟプノンテトラカルボン酞ゞ無氎物
    である 特蚱請求の範囲第項蚘茉の耐熱性暹脂を半導䜓
    玠子衚面に塗垃し、加熱硬化しお半導䜓玠子衚面
    に被着するこずを特城ずする半導䜓装眮の補造方
    法。  (C)がバラプニレンゞアミンであり (D)が−4′−ゞアミノゞプニル゚ヌテルであ
    る 特蚱請求の範囲第項、第項蚘茉の耐熱性暹脂
    を半導䜓玠子衚面に塗垃し、加熱硬化しお半導䜓
    玠子衚面に被着するこずを特城ずする半導䜓装眮
    の補造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4829131A (en) * 1988-02-09 1989-05-09 Occidental Chemical Corporation Novel soluble polymidesiloxanes and methods for their preparation and use
JPH0243221A (ja) * 1988-06-10 1990-02-13 Occidental Chem Corp 新芏可溶性ポリむミドシロキサン及びその補法及び甚途
US5104966A (en) * 1989-06-13 1992-04-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Polyimide insulation with improved arc track resistance
JP2898674B2 (ja) * 1989-12-25 1999-06-02 日立化成工業株匏䌚瀟 シロキサン倉性ポリむミド及びその前駆䜓の補造法
JPH0441527A (ja) * 1990-06-08 1992-02-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 可溶性ポリむミドシロキサン

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5242632A (en) * 1975-09-30 1977-04-02 Kumagai Gumi Co Ltd Structure of upset work tunnel
JPS57143327A (en) * 1981-02-27 1982-09-04 Nitto Electric Ind Co Ltd Production of siloxane-modified polyimide precursor
JPS57168943A (en) * 1981-04-13 1982-10-18 Hitachi Ltd Coating liquid for thin film formation
JPS587473A (ja) * 1981-07-07 1983-01-17 Hitachi Chem Co Ltd 接着剀組成物
JPS58180530A (ja) * 1982-04-19 1983-10-22 Hitachi Ltd 新芏なフツ玠含有ポリアミドおよびポリむミド

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5242632A (en) * 1975-09-30 1977-04-02 Kumagai Gumi Co Ltd Structure of upset work tunnel
JPS57143327A (en) * 1981-02-27 1982-09-04 Nitto Electric Ind Co Ltd Production of siloxane-modified polyimide precursor
JPS57168943A (en) * 1981-04-13 1982-10-18 Hitachi Ltd Coating liquid for thin film formation
JPS587473A (ja) * 1981-07-07 1983-01-17 Hitachi Chem Co Ltd 接着剀組成物
JPS58180530A (ja) * 1982-04-19 1983-10-22 Hitachi Ltd 新芏なフツ玠含有ポリアミドおよびポリむミド

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