JPS62261149A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62261149A JPS62261149A JP10587286A JP10587286A JPS62261149A JP S62261149 A JPS62261149 A JP S62261149A JP 10587286 A JP10587286 A JP 10587286A JP 10587286 A JP10587286 A JP 10587286A JP S62261149 A JPS62261149 A JP S62261149A
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Landscapes
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に多層配線
構造体の製造方法に関する。
構造体の製造方法に関する。
従来、多層配線構造体を有する半導体装置の層間絶縁膜
として、化学気相成長法により形成されたシリコン酸化
膜、又はプラズマ化学気相成長により形成されたシリコ
ン窒化膜等が主として用いられている。しかしながら、
これらの無機膜を層間膜として用いた場合、下地の微細
凹凸を平坦化することはできない。
として、化学気相成長法により形成されたシリコン酸化
膜、又はプラズマ化学気相成長により形成されたシリコ
ン窒化膜等が主として用いられている。しかしながら、
これらの無機膜を層間膜として用いた場合、下地の微細
凹凸を平坦化することはできない。
これらの無機膜に比べて、溶液塗布法によ多形成する有
機膜は平坦性が良いことは公知であり、これらの有機物
を層間絶縁膜として用いる検討が行われている。例えば
、電子通信学会予講集(1975年8月、CPM75−
58)にあるように、PIQ樹脂を用いる方法がある。
機膜は平坦性が良いことは公知であり、これらの有機物
を層間絶縁膜として用いる検討が行われている。例えば
、電子通信学会予講集(1975年8月、CPM75−
58)にあるように、PIQ樹脂を用いる方法がある。
しかしながら、PIQ等の有機樹脂膜を半導体装置のア
ルミニウム配線層間膜に適用した場合、下地にあるシリ
コン酸化膜あるいはシリコン窒化膜との密着性が不十分
である。さらに、PIQ樹脂膜上にシリコン窒化膜カバ
ーを形成する際に、PIQ樹脂膜に、しわ、あるいはク
ラックができやすい等の問題があるため、高信頼性が要
求される超微細高密度デバイスの製造には用いることが
できなかった。
ルミニウム配線層間膜に適用した場合、下地にあるシリ
コン酸化膜あるいはシリコン窒化膜との密着性が不十分
である。さらに、PIQ樹脂膜上にシリコン窒化膜カバ
ーを形成する際に、PIQ樹脂膜に、しわ、あるいはク
ラックができやすい等の問題があるため、高信頼性が要
求される超微細高密度デバイスの製造には用いることが
できなかった。
本発明の目的は、上記問題点を除去し、すなわち、下地
にあるシリコン酸化膜あるいは、シリコン窒化膜との密
着性に優れ、さらに、シリコン金化膜カバーをデバイス
上に形成しても、しわ、あるいはクラックが生じない有
機樹脂膜を層間絶縁膜に用いることKよシ、高信頼性が
要求される超微細高密度デバイスに適用できる多層配線
構造体の製造方法を提供することにある。
にあるシリコン酸化膜あるいは、シリコン窒化膜との密
着性に優れ、さらに、シリコン金化膜カバーをデバイス
上に形成しても、しわ、あるいはクラックが生じない有
機樹脂膜を層間絶縁膜に用いることKよシ、高信頼性が
要求される超微細高密度デバイスに適用できる多層配線
構造体の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、下記の式(1)で表
わされるテトラカルボン酸二無水物と式(2)で表わさ
れるジアミンと式(3)で表わされるアミノシリコン化
合物とを混合反応せしめることによって形成されるポリ
アミド酸シリコン型中間体を含有してなる溶液を金属配
線を形成した半導体基板上に塗布する工程と、100〜
450℃の温度で熱処理する工程とを含むことを特徴と
する。
わされるテトラカルボン酸二無水物と式(2)で表わさ
れるジアミンと式(3)で表わされるアミノシリコン化
合物とを混合反応せしめることによって形成されるポリ
アミド酸シリコン型中間体を含有してなる溶液を金属配
線を形成した半導体基板上に塗布する工程と、100〜
450℃の温度で熱処理する工程とを含むことを特徴と
する。
NH,−R2−NH2・・・・・・(2)(式(1)〜
(3)において、ル′は4価の炭素環式芳香族基を表わ
し、R2は炭素数6〜30個の芳香脂肪族基又は、炭素
数6〜30個の炭素環式芳香族基、1υ及び几4はそれ
ぞれ独立の炭素数1〜6のアルキル基、又はフェニル基
であシ、Kは1≦に≦3の値である。) 本発明に用いられるポリアミド酸の平均分子量の適量範
囲は前記一定条件下での対数粘度数測定値が0.05〜
5dlltであシ、適当な溶媒に可溶である。
(3)において、ル′は4価の炭素環式芳香族基を表わ
し、R2は炭素数6〜30個の芳香脂肪族基又は、炭素
数6〜30個の炭素環式芳香族基、1υ及び几4はそれ
ぞれ独立の炭素数1〜6のアルキル基、又はフェニル基
であシ、Kは1≦に≦3の値である。) 本発明に用いられるポリアミド酸の平均分子量の適量範
囲は前記一定条件下での対数粘度数測定値が0.05〜
5dlltであシ、適当な溶媒に可溶である。
前゛記対数粘度数(ηinh )とは、前記測定条件に
よシ定義された通りのものであるが、更に詳述すれば (ここにηはウベローデ粘度計を使用し、重合溶媒と同
一組成の溶媒中の濃度0.5重量%のものを温度30=
l=0.01℃で測定した値であシ、η0はウベローデ
粘度計を使用し、同温度における同溶媒の測定値であり
、Cは濃度0.5f/dlである。) で示される。
よシ定義された通りのものであるが、更に詳述すれば (ここにηはウベローデ粘度計を使用し、重合溶媒と同
一組成の溶媒中の濃度0.5重量%のものを温度30=
l=0.01℃で測定した値であシ、η0はウベローデ
粘度計を使用し、同温度における同溶媒の測定値であり
、Cは濃度0.5f/dlである。) で示される。
本発明の原料について説明する。
式(1)で表わされるテトラカルボン酸二無水物として
次の化合物を挙げることができる。
次の化合物を挙げることができる。
ピロメリット酸二無水物、3.3’、4.4’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、2.2’、3゜3′−
ビフェニルテトラカルボン酸二m水物、2 。
ニルテトラカルボン酸二無水物、2.2’、3゜3′−
ビフェニルテトラカルボン酸二m水物、2 。
3 、3’、 4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、3,3’、4,4’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、2,3.3’、4’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物、2.2’、3.3’ −ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4
−ジカルボキシフェニル)−エーテルニ無水物、ビス゛
(3,4−ジカルボキシフェニル)−スルホンニ無水物
、l 、2,5.6−ナフタリンテトラカルボン酸二無
水物、2,3,6.7−ナフタリンテトラカルボン酸二
無水物等。
水物、3,3’、4,4’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、2,3.3’、4’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物、2.2’、3.3’ −ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4
−ジカルボキシフェニル)−エーテルニ無水物、ビス゛
(3,4−ジカルボキシフェニル)−スルホンニ無水物
、l 、2,5.6−ナフタリンテトラカルボン酸二無
水物、2,3,6.7−ナフタリンテトラカルボン酸二
無水物等。
また式(2)で表わされるジアミンの具体例としては次
の化合物を挙げることができる。
の化合物を挙げることができる。
4.4′−ジアミノジフェニルエーテル、4.4’−ジ
アミノジフェニルメタン、4.4’−ジアミノジフェニ
ルスルホン、4.4’−ジアミノジフェニルスルフィド
、4.4’−ジアミノジフェニルチオエーテル、4.4
’−ジ(メタ−アミノフェノキ7)ジフェニルスルホン
4 、4’−シ(ハラ−アミノフェノキシ)ジフェニ
ルスルホン、オルト−フェニレンジアミン、メタ−フェ
ニレンジアミン、パラ−フェニレンジアミン、ベンジジ
ン、2.2’−ジアミノベンゾフェノン、4.4’−ジ
アミノベンゾフェノン、4,4−ジアミノジフェニル−
2゜2′−プロパン、1,5−ジアミノナフタレン、l
。
アミノジフェニルメタン、4.4’−ジアミノジフェニ
ルスルホン、4.4’−ジアミノジフェニルスルフィド
、4.4’−ジアミノジフェニルチオエーテル、4.4
’−ジ(メタ−アミノフェノキ7)ジフェニルスルホン
4 、4’−シ(ハラ−アミノフェノキシ)ジフェニ
ルスルホン、オルト−フェニレンジアミン、メタ−フェ
ニレンジアミン、パラ−フェニレンジアミン、ベンジジ
ン、2.2’−ジアミノベンゾフェノン、4.4’−ジ
アミノベンゾフェノン、4,4−ジアミノジフェニル−
2゜2′−プロパン、1,5−ジアミノナフタレン、l
。
8−ジアミノナフタレン等の芳香族ジアミン。
次に式(3)で表わされるアミノシリコン化合物として
は次の化合物を挙げることができる。
は次の化合物を挙げることができる。
上記の原料化合物を溶媒中で反応させるための好ましい
溶媒(以下反応溶媒と言うことがある)として、N−メ
チル−2−ピロリドン、N、N−ジメチルアセトアミド
、N、N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、
ヘキサメチルホルアミド、メチルホルムアミド、N−ア
セテルー2−ピロリドン、トルエン、キシレン、メチル
セロソルブ、エチルセロノルフ、メチルセロソルブ、ジ
エチレングリコール七ツメチルエーテル、ジエチレング
リコールジメチルエーテル、シクロペンタノン、シクロ
ヘキサノン吟の1種または2種以上を使用できる。
溶媒(以下反応溶媒と言うことがある)として、N−メ
チル−2−ピロリドン、N、N−ジメチルアセトアミド
、N、N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、
ヘキサメチルホルアミド、メチルホルムアミド、N−ア
セテルー2−ピロリドン、トルエン、キシレン、メチル
セロソルブ、エチルセロノルフ、メチルセロソルブ、ジ
エチレングリコール七ツメチルエーテル、ジエチレング
リコールジメチルエーテル、シクロペンタノン、シクロ
ヘキサノン吟の1種または2種以上を使用できる。
反応溶媒はこれと添加した原料との合計量基準で40重
量−以上使用するのがよい。これ以下では攪拌操作が困
難である場合がある。
量−以上使用するのがよい。これ以下では攪拌操作が困
難である場合がある。
反応は0℃以上60℃以下で行うのがよい。反応時間は
0.2〜20時間反応せしめるのがよい。
0.2〜20時間反応せしめるのがよい。
酸、アミンの混合比は式(1) 、 (2) 、 (3
)の化合物のモル量を各々A、B、Cとしたとき、2A
=2B+Cから両辺のずれが±10%以内くらいが特に
好ましい。
)の化合物のモル量を各々A、B、Cとしたとき、2A
=2B+Cから両辺のずれが±10%以内くらいが特に
好ましい。
さらに1本発明による樹脂膜上に圧縮応力のプラズマ化
学気相成長シリコン窒化膜を形成する点、又、接着性の
点から、0.1≦「τであることが好ましい。
学気相成長シリコン窒化膜を形成する点、又、接着性の
点から、0.1≦「τであることが好ましい。
次に、本発明を実施例に基づき図面を用いて説明する。
本実施例では、アミノシロキサンとして、で表わされる
P−アミノフェニルトリメトキシシランを用い、珪素原
子を含まないジアミンとして、4.4’−−ジアミノジ
フェニルニーデルを用い、また、芳香族テトラカルボン
酸二無水物として3゜3’、4.4’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物を用い、各原料の混合比を3
、3’ 、 4 、4’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物/4゜4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル/P−アミノフェニルトリメトキシシラン=2/1/
2 (モル比)にて、ジメチルアセトアミド溶媒中、ポ
リマー濃度20重量%で温度10℃で5時間、40℃で
2時間反応を行い、25℃での回転粘度300センチボ
イズの塗布液を得た。また、このポリマーの対数粘度数
はα43di/lであった。
P−アミノフェニルトリメトキシシランを用い、珪素原
子を含まないジアミンとして、4.4’−−ジアミノジ
フェニルニーデルを用い、また、芳香族テトラカルボン
酸二無水物として3゜3’、4.4’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物を用い、各原料の混合比を3
、3’ 、 4 、4’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物/4゜4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル/P−アミノフェニルトリメトキシシラン=2/1/
2 (モル比)にて、ジメチルアセトアミド溶媒中、ポ
リマー濃度20重量%で温度10℃で5時間、40℃で
2時間反応を行い、25℃での回転粘度300センチボ
イズの塗布液を得た。また、このポリマーの対数粘度数
はα43di/lであった。
以下に上記の溶液を塗布・熱処理形成した樹脂膜t−M
Oa型半導体集積回路装置の3層配線層間絶縁膜として
用いた例を示す。
Oa型半導体集積回路装置の3層配線層間絶縁膜として
用いた例を示す。
第1図は、本発明に基づいて作製したMO8型半導体集
積回路装置の製造工程を示す断面図である。第1図(a
)に示すように、P型シリコン基板101に下側にチャ
ンネルストッパー102゜102′を持つ厚さ0.8μ
m程度のシリコン酸化膜103.103’を形成し、次
に約40OAのゲート酸化膜104を形成した後、ゲー
ト電極となる約0.5μmのポリシリコン層105を形
成する。
積回路装置の製造工程を示す断面図である。第1図(a
)に示すように、P型シリコン基板101に下側にチャ
ンネルストッパー102゜102′を持つ厚さ0.8μ
m程度のシリコン酸化膜103.103’を形成し、次
に約40OAのゲート酸化膜104を形成した後、ゲー
ト電極となる約0.5μmのポリシリコン層105を形
成する。
さらにソース領域106.ドレイン領域107を形成し
、酸化によシボリシリコン層105.ソース領域106
.ドレイン領域107上にシリコン酸化膜108を形成
する。
、酸化によシボリシリコン層105.ソース領域106
.ドレイン領域107上にシリコン酸化膜108を形成
する。
次に第1図(b)に示すように、化学気相成長法により
、厚さ約1μmのリンガラス109を形成し、ゲートポ
リシリコン105.ソース領域106゜ドレイン領域1
07との電気的導通をとるべき部分に第1の開口110
を設ける。
、厚さ約1μmのリンガラス109を形成し、ゲートポ
リシリコン105.ソース領域106゜ドレイン領域1
07との電気的導通をとるべき部分に第1の開口110
を設ける。
次に第1図(C)に示すように約1μm厚のアルミニウ
ム金属膜を形成し、フォトエツチングにょシ第1のアル
ミニウム配線111を形成する。
ム金属膜を形成し、フォトエツチングにょシ第1のアル
ミニウム配線111を形成する。
次に第1図((1)に示すように上記の溶液を毎分20
00回転で30秒間回転塗布し、窒素ガス雰囲気中で1
00℃、1時間、続いて240℃で30分間のプリベー
クを行う。次に窒素ガス雰囲気中で400℃、1時間の
ボストベークを行うことによって約1.5μm厚の第1
の層間絶縁膜112が形成できる。
00回転で30秒間回転塗布し、窒素ガス雰囲気中で1
00℃、1時間、続いて240℃で30分間のプリベー
クを行う。次に窒素ガス雰囲気中で400℃、1時間の
ボストベークを行うことによって約1.5μm厚の第1
の層間絶縁膜112が形成できる。
続いて第1図(e)に示すように、第1と第2のアルミ
ニウム配線間の導通をとるための第2の開口113をC
11゛4と02の混合ガスを用いるフォトエツチングに
よシ形成する。
ニウム配線間の導通をとるための第2の開口113をC
11゛4と02の混合ガスを用いるフォトエツチングに
よシ形成する。
次に、アルミニウム金属膜をスパッタ法によシ約1μm
の厚さで埋積し、フォトエツチングによシ第1図(f)
に示すように第2のアルミニウム配線114を形成する
。
の厚さで埋積し、フォトエツチングによシ第1図(f)
に示すように第2のアルミニウム配線114を形成する
。
次に、上記の工程((1)〜(f)と同様に第2の層間
絶縁膜115.第3の開口116.第3のアルミニウム
配線117を形成し、カバーとして約1μm厚のプラズ
マ化学気相成長シリコン窒化膜118を形成することに
よって第1図(g) K示すように3層のアルミニウム
配線構造を有するMO8型半導体装置が形成できる。
絶縁膜115.第3の開口116.第3のアルミニウム
配線117を形成し、カバーとして約1μm厚のプラズ
マ化学気相成長シリコン窒化膜118を形成することに
よって第1図(g) K示すように3層のアルミニウム
配線構造を有するMO8型半導体装置が形成できる。
ポリアミド酸シリコン型中間体から形成される樹脂膜を
用いる本発明に基づく多層配線構造体においては以下の
効果がある。
用いる本発明に基づく多層配線構造体においては以下の
効果がある。
第1の効果は、本発明によるポリアミド酸シリコン型中
間体から350〜450℃の熱処Mを行うことによって
樹脂膜を形成する際に、第2図(a)K示すように、下
地基板(シリコン酸化膜、シリコン窒化膜)表面のシリ
コン原子に結合しているOH基とポリアミド酸シリコン
型中間体に含有される8i−ott’との脱アルコール
反応が起こるため、第2図(b)に示すように、下地基
板のシリコン原子未結合手と5i−0−8i結合をつく
る。その結果、第3図にAで示すように、本発明による
樹脂膜と下地基板との密着性は、第3図にBで示す通常
のポリイミド膜に比べ完全なものとなる。
間体から350〜450℃の熱処Mを行うことによって
樹脂膜を形成する際に、第2図(a)K示すように、下
地基板(シリコン酸化膜、シリコン窒化膜)表面のシリ
コン原子に結合しているOH基とポリアミド酸シリコン
型中間体に含有される8i−ott’との脱アルコール
反応が起こるため、第2図(b)に示すように、下地基
板のシリコン原子未結合手と5i−0−8i結合をつく
る。その結果、第3図にAで示すように、本発明による
樹脂膜と下地基板との密着性は、第3図にBで示す通常
のポリイミド膜に比べ完全なものとなる。
また、第2の効果は、本発明によって形成された樹脂膜
中には5i−0結合が含まれていることか・ らか、
熱膨張係数がP工Q等の樹脂膜よりも小さいため、本発
明による樹脂膜上にシリコン酸化膜あるいはシリコン窒
化膜全形成したときに、しわ。
中には5i−0結合が含まれていることか・ らか、
熱膨張係数がP工Q等の樹脂膜よりも小さいため、本発
明による樹脂膜上にシリコン酸化膜あるいはシリコン窒
化膜全形成したときに、しわ。
あるいはクラックが生じないという利点も有する。
本発明に基つく3層アルミニウム配線構造体を用いたM
O8型半導体集積回路装置の歩留シは良好であり、耐湿
信頼性試験を行った結果、配線の腐食、素子の劣化は全
くないものであった。
O8型半導体集積回路装置の歩留シは良好であり、耐湿
信頼性試験を行った結果、配線の腐食、素子の劣化は全
くないものであった。
上記の結果は、本発明による多層配線構造体は悄脂膜を
用いることくよる眉間絶縁膜の平坦化が当然の如く可能
であシ、アルミニウム配線の断糾を完全になくすること
が可能であること、さらに、本発明によって形成された
樹脂膜は、下地にあるシリコン酸化膜あるいは、シリコ
ン窒化膜との接着性に優れていることから、半導体基板
と該樹脂膜との界面からの水分の侵入が全くないことに
よるものである。
用いることくよる眉間絶縁膜の平坦化が当然の如く可能
であシ、アルミニウム配線の断糾を完全になくすること
が可能であること、さらに、本発明によって形成された
樹脂膜は、下地にあるシリコン酸化膜あるいは、シリコ
ン窒化膜との接着性に優れていることから、半導体基板
と該樹脂膜との界面からの水分の侵入が全くないことに
よるものである。
以上述べたように本発明は、高信頼性を要する半導体装
置の製造方法を提供することが可能となり、高集積、高
密度半導体集積回路形成に大きな効果をもたらす。
置の製造方法を提供することが可能となり、高集積、高
密度半導体集積回路形成に大きな効果をもたらす。
第1図は本発明の一実施例のMO8型半導体集積回路装
置の製造工程を示す断面図、第2図(a)。 (b)は半導体装置基板と本発明による樹脂膜との接着
の機構を示す説明図、第3図は化学気相成長によるリン
ガラス膜又はプラズマ化学気相成長によるシリコン窒化
膜と本発明による樹脂膜との接着性を示す一実測例図で
ある。 101・・・・・・P型シリコン基叛、102.102
’°゛°・°゛チヤンネルストツパー103,103’
・・・・・・シリコン酸化膜、104・・・・・・ゲー
ト酸化膜、105・・・・・・ゲートポリシリコン層、
106・・・・・・ソース領域、107・・・・・・ド
レイン領域、108・・・・・・シリコン酸化膜、10
9・・・・・・気相成長によるリンガラス膜、11o・
・・・−・第1の開口、111・・・・・・第1のアル
ミニウム配線、112・・・・・・第1の樹脂層間絶縁
膜、113・・・・°・第2の開口、114・・・・・
・第2のアルミニウム配線、115・・・・・・第2の
樹脂層間絶縁膜、116・・・・・・第3の開口、11
7・・・・・・第3のアルミニウム配線、118・・・
・・・プラズマ化学気相成長シリコン窒化膜。 $ 2 図 H 350 4t)0 46o 層ワーール逅戻(°C)
置の製造工程を示す断面図、第2図(a)。 (b)は半導体装置基板と本発明による樹脂膜との接着
の機構を示す説明図、第3図は化学気相成長によるリン
ガラス膜又はプラズマ化学気相成長によるシリコン窒化
膜と本発明による樹脂膜との接着性を示す一実測例図で
ある。 101・・・・・・P型シリコン基叛、102.102
’°゛°・°゛チヤンネルストツパー103,103’
・・・・・・シリコン酸化膜、104・・・・・・ゲー
ト酸化膜、105・・・・・・ゲートポリシリコン層、
106・・・・・・ソース領域、107・・・・・・ド
レイン領域、108・・・・・・シリコン酸化膜、10
9・・・・・・気相成長によるリンガラス膜、11o・
・・・−・第1の開口、111・・・・・・第1のアル
ミニウム配線、112・・・・・・第1の樹脂層間絶縁
膜、113・・・・°・第2の開口、114・・・・・
・第2のアルミニウム配線、115・・・・・・第2の
樹脂層間絶縁膜、116・・・・・・第3の開口、11
7・・・・・・第3のアルミニウム配線、118・・・
・・・プラズマ化学気相成長シリコン窒化膜。 $ 2 図 H 350 4t)0 46o 層ワーール逅戻(°C)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ▲数式、化学式、表等があります▼(R′:4価の炭素
環式芳香族)で表わされるテトラカルボン酸二無水物と
NH_2−R^2−NH_2(R^2:炭素数6〜30
個の芳香脂肪族基または炭素環式芳香族基)で表わされ
るジアミンと▲数式、化学式、表等があります▼ (R^3、R^4:それぞれ独立の炭素数1〜6のアル
キル基またはフェニル基、1≦K≦3)であらわされる
アミノシリコン化合物とを混合反応せしめることによっ
て形成されたポリアミド酸シリコン型中間体を含む溶液
を金属配線を形成した半導体基板上に塗布する工程と、
100〜450℃の温度で熱処理する工程とを含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61105872A JP2561244B2 (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61105872A JP2561244B2 (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62261149A true JPS62261149A (ja) | 1987-11-13 |
JP2561244B2 JP2561244B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=14419037
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61105872A Expired - Fee Related JP2561244B2 (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2561244B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63289840A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS63289839A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH01225339A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Nec Corp | 樹脂層間膜を用いた多層配線構造体の製造方法 |
JPH01235255A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-20 | Nec Corp | 多層配線樹脂層間絶縁膜の形成方法 |
JPH0563095A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-03-12 | Nec Corp | 多層配線の形成方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4767438B2 (ja) * | 2001-06-07 | 2011-09-07 | 株式会社シマノ | 釣竿 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61287926A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-18 | Chisso Corp | 高接着性シリコン含有ポリアミド酸の製造法 |
JPS6270423A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-03-31 | Hitachi Ltd | 有機ケイ素末端ポリイミド前駆体とポリイミドの製造方法 |
-
1986
- 1986-05-08 JP JP61105872A patent/JP2561244B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61287926A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-18 | Chisso Corp | 高接着性シリコン含有ポリアミド酸の製造法 |
JPS6270423A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-03-31 | Hitachi Ltd | 有機ケイ素末端ポリイミド前駆体とポリイミドの製造方法 |
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---|---|---|---|---|
JPS63289840A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS63289839A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH01225339A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Nec Corp | 樹脂層間膜を用いた多層配線構造体の製造方法 |
JPH01235255A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-20 | Nec Corp | 多層配線樹脂層間絶縁膜の形成方法 |
JPH0563095A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-03-12 | Nec Corp | 多層配線の形成方法 |
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---|---|
JP2561244B2 (ja) | 1996-12-04 |
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---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |