JP2561243B2 - 半導体装置の配線層間膜およびその形成用塗布溶液 - Google Patents
半導体装置の配線層間膜およびその形成用塗布溶液Info
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- JP2561243B2 JP2561243B2 JP61105871A JP10587186A JP2561243B2 JP 2561243 B2 JP2561243 B2 JP 2561243B2 JP 61105871 A JP61105871 A JP 61105871A JP 10587186 A JP10587186 A JP 10587186A JP 2561243 B2 JP2561243 B2 JP 2561243B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に用いる配線層間膜および配線
層間膜形成用塗布溶液に関する。
層間膜形成用塗布溶液に関する。
従来、この種の配線層関膜形成用塗布溶液としては、
芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを
等モルで反応せしめることによって形成したポリアミド
酸、例えば、無水ピロメリット酸と４・４′−ジアノジ
フェニルエーテルとを等モルで反応せしめることによっ
て形成したポリアミド酸が用いられている。
芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを
等モルで反応せしめることによって形成したポリアミド
酸、例えば、無水ピロメリット酸と４・４′−ジアノジ
フェニルエーテルとを等モルで反応せしめることによっ
て形成したポリアミド酸が用いられている。
しかしながら、これらの芳香族テトラカルボン酸と芳
香族ジアミンとを等モルで反応せしめることによって形
成したポリアミド酸溶液を、シリコン酸化膜あるいはシ
ロン窒化膜におおわれた半導体基板表面に塗布，熱処理
しポリイミド膜としたときに、該ポリイミド膜と半導体
基板表面のシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜との
接着性が悪く、さらに、ポリイミド膜上に圧縮応力を有
する膜、例えば、プラズマ化学気相成長シリコン窒素膜
を形成することにより、ポリイミド膜にしわ、あるいは
クラックが発生しやすいという問題がある。
香族ジアミンとを等モルで反応せしめることによって形
成したポリアミド酸溶液を、シリコン酸化膜あるいはシ
ロン窒化膜におおわれた半導体基板表面に塗布，熱処理
しポリイミド膜としたときに、該ポリイミド膜と半導体
基板表面のシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜との
接着性が悪く、さらに、ポリイミド膜上に圧縮応力を有
する膜、例えば、プラズマ化学気相成長シリコン窒素膜
を形成することにより、ポリイミド膜にしわ、あるいは
クラックが発生しやすいという問題がある。
本発明の目的は、上記問題点を解消した、すなわち、
接着性に優れ、さらに、圧縮応力を有する膜を上層に形
成することが可能な半導体装置の配線層間膜およびそれ
を形成するための塗布溶液を提供することにある。
接着性に優れ、さらに、圧縮応力を有する膜を上層に形
成することが可能な半導体装置の配線層間膜およびそれ
を形成するための塗布溶液を提供することにある。
本発明の配線層間膜形成用塗布溶液は、下記の式
（１）で表されるテトラカルボン酸二無水化物Ａモル
と、式（２）で表されるジアミンＢモルと、式（３）で
表されるアミノシリコン化合物ＣモルとをC/（Ｂ＋Ｃ）
≧0.1なる関係で混合反応せしめることによって形成さ
れるポリアミド酸シリコン型中間体を含有してなること
を特徴とし、本発明の半導体装置の配線層間膜は、該溶
液を多層配線を形成するための半導体基板の主面に塗布
し、100〜450℃の温度で熱処理せしめることによって形
成されたことを特徴とする。
（１）で表されるテトラカルボン酸二無水化物Ａモル
と、式（２）で表されるジアミンＢモルと、式（３）で
表されるアミノシリコン化合物ＣモルとをC/（Ｂ＋Ｃ）
≧0.1なる関係で混合反応せしめることによって形成さ
れるポリアミド酸シリコン型中間体を含有してなること
を特徴とし、本発明の半導体装置の配線層間膜は、該溶
液を多層配線を形成するための半導体基板の主面に塗布
し、100〜450℃の温度で熱処理せしめることによって形
成されたことを特徴とする。
NH2−R2−NH2 ……………（２） （式（１）〜（３）において、R1は４価の炭素環式芳香
族基を表わし、R2は炭素数６〜30個の芳香脂肪族基、又
は炭素数６〜30個の炭素環式芳香族基、R3及びR4はそれ
ぞれ独立の炭素数１〜６のアルキル基、又はフェニル基
であり、Ｋは１≦Ｋ≦３の値である。） 本発明に用いられるポリアミド酸の平均分子量の適量
範囲は前記一定条件下での対数粘度数（η inh）の測定
値が0.05〜5dl/gであり、適当な溶媒に可溶である。
族基を表わし、R2は炭素数６〜30個の芳香脂肪族基、又
は炭素数６〜30個の炭素環式芳香族基、R3及びR4はそれ
ぞれ独立の炭素数１〜６のアルキル基、又はフェニル基
であり、Ｋは１≦Ｋ≦３の値である。） 本発明に用いられるポリアミド酸の平均分子量の適量
範囲は前記一定条件下での対数粘度数（η inh）の測定
値が0.05〜5dl/gであり、適当な溶媒に可溶である。
前記対数粘度数（η inh）とは、前記測定条件により
定義された通りのものであるが、更に詳述すれば （ここにηはウベローデ粘度計を使用し、重合溶媒と同
一組成の溶媒中の濃度0.5重量％のものを温度30±0.01
℃で測定した値であり、η０はウベローデ粘度計を使用
し、同温度における同溶媒の測定値であり、Ｃは濃度0.
5g/dlである。） で示される。
定義された通りのものであるが、更に詳述すれば （ここにηはウベローデ粘度計を使用し、重合溶媒と同
一組成の溶媒中の濃度0.5重量％のものを温度30±0.01
℃で測定した値であり、η０はウベローデ粘度計を使用
し、同温度における同溶媒の測定値であり、Ｃは濃度0.
5g/dlである。） で示される。
本発明に使用するポリアミド酸合成の原料について説
明する。
明する。
式（１）で表わされるテトラカルボン酸二無水物とし
て次の化合物を挙げることができる。
て次の化合物を挙げることができる。
ピロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフエニル
テトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ビフエニル
テトラカルボン酸二無水物、2,3,3′,4′−ビフエニル
テトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフエ
ノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3′,4′−ベンゾ
フエノンテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ベ
ンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物、ビス（3,4−
ジカルボキシフエニル）−エーテル二無水物、ピス（3,
4−ジカルボキシフエニル）−スルホン二無水物、1,2,
5,6−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−
ナフタリンテトラカルボン酸二無水物等。
テトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ビフエニル
テトラカルボン酸二無水物、2,3,3′,4′−ビフエニル
テトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフエ
ノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3′,4′−ベンゾ
フエノンテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ベ
ンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物、ビス（3,4−
ジカルボキシフエニル）−エーテル二無水物、ピス（3,
4−ジカルボキシフエニル）−スルホン二無水物、1,2,
5,6−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−
ナフタリンテトラカルボン酸二無水物等。
また式（２）で表わされるジアミンの具体例としては
次の化合物を挙げることができる。
次の化合物を挙げることができる。
4,4′−ジアミノジフエニルエーテル、4,4′−ジアミ
ノジフエニルメタン、4,4′−ジアミノジフエニルスル
ホン、4,4′−ジアミノジフエニルスルフイド、4,4′−
ジアミノジフエニルチオエーテル、4,4′−ジ（メタ−
アミノフエノキシ）ジフエニルスルホン、4,4′−ジ
（パラ−アミノフエノキシ）ジフエニルスルホン、オル
ト−フエニレンジアミン、メタ−フエニレンジアミン、
パラ−フエニレンジアミン、ペンジジン、2,2′−ジア
ミノベンゾフエノン、4,4′−ジアミノベンゾフエノ
ン、4,4′−ジアミノジフエニル−2,2′−プロパン、1,
5−ジアミノナフタレン、1,8−ジアミノナフタレン等の
芳香族ジアミン。
ノジフエニルメタン、4,4′−ジアミノジフエニルスル
ホン、4,4′−ジアミノジフエニルスルフイド、4,4′−
ジアミノジフエニルチオエーテル、4,4′−ジ（メタ−
アミノフエノキシ）ジフエニルスルホン、4,4′−ジ
（パラ−アミノフエノキシ）ジフエニルスルホン、オル
ト−フエニレンジアミン、メタ−フエニレンジアミン、
パラ−フエニレンジアミン、ペンジジン、2,2′−ジア
ミノベンゾフエノン、4,4′−ジアミノベンゾフエノ
ン、4,4′−ジアミノジフエニル−2,2′−プロパン、1,
5−ジアミノナフタレン、1,8−ジアミノナフタレン等の
芳香族ジアミン。
次に式（３）で表わされるアミノシリコン化合物とし
ては次の化合物を挙げることができる。
ては次の化合物を挙げることができる。
上記の原料化合物を溶媒中で反応させるための好まし
い溶媒（以下反応溶媒と言うことがある）として、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N,N−ジメチルホムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、
ヘキサメチルホスホルアミド、メチルホルムアミド、Ｎ
−アセチル−２−ピロリドン、トルエン、キシレン、メ
チルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソル
ブ、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、シクロベンタノン、
シクロヘキサノン等の１種または２種以上を使用でき
る。
い溶媒（以下反応溶媒と言うことがある）として、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N,N−ジメチルホムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、
ヘキサメチルホスホルアミド、メチルホルムアミド、Ｎ
−アセチル−２−ピロリドン、トルエン、キシレン、メ
チルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソル
ブ、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、シクロベンタノン、
シクロヘキサノン等の１種または２種以上を使用でき
る。
反応溶媒はこれと添加した原料との合計量基準で40重
量％以上使用するのがよい。これ以下では撹拌操作が困
難である場合がある。
量％以上使用するのがよい。これ以下では撹拌操作が困
難である場合がある。
反応が０℃以上60以下で行うのがよい。反応時間は0.
2〜20時間反応せしめるのがよい。
2〜20時間反応せしめるのがよい。
酸，アミノの混合比は、式（１），（２），（３）の
化合物のモル量を各々A,B,Cとしたとき、2A＝2B＋Ｃか
ら両辺のずれが±10％以内くらいが特に好ましい。
化合物のモル量を各々A,B,Cとしたとき、2A＝2B＋Ｃか
ら両辺のずれが±10％以内くらいが特に好ましい。
さらに、本発明による樹脂膜上に、圧縮応力のプラズ
マ化学気相成長シリコン窒化膜を形成する点、又、接着
性の点から、 であることが好ましい。
マ化学気相成長シリコン窒化膜を形成する点、又、接着
性の点から、 であることが好ましい。
次に、本発明を実施例に基づき、図面を用いて説明す
る。本実施例では、アミノシロキサンとして で表わされるＰ−アミノフェニルトリメトキシシランを
用い、珪素原子を含まないジアミンとして４・４′−ジ
アミノジフエニルエーテルを用い、また、芳香族テトラ
カルボン酸二無水物として３・３′−４・４′−ベンゾ
フエノンテトラカルボン酸二無水物を用い、各原料の混
合比を３・３′・４・４′−ベンゾフエノンテトラカル
ボン酸二無水物/4・４′−ジアミノジフエニルエーテル
/P−アミノフエニルトリメトキシシラン＝2/1/2（モル
比）にて、ジメチルアセトアミド溶媒中、ポリマー濃度
20重量％で、温度10℃で５時間、40℃で２時間反応を行
い、25℃での回転粘度300センチポイズの塗布液を得
た。また、このポリマーの対数粘度数は、0.43dl/gであ
った。
る。本実施例では、アミノシロキサンとして で表わされるＰ−アミノフェニルトリメトキシシランを
用い、珪素原子を含まないジアミンとして４・４′−ジ
アミノジフエニルエーテルを用い、また、芳香族テトラ
カルボン酸二無水物として３・３′−４・４′−ベンゾ
フエノンテトラカルボン酸二無水物を用い、各原料の混
合比を３・３′・４・４′−ベンゾフエノンテトラカル
ボン酸二無水物/4・４′−ジアミノジフエニルエーテル
/P−アミノフエニルトリメトキシシラン＝2/1/2（モル
比）にて、ジメチルアセトアミド溶媒中、ポリマー濃度
20重量％で、温度10℃で５時間、40℃で２時間反応を行
い、25℃での回転粘度300センチポイズの塗布液を得
た。また、このポリマーの対数粘度数は、0.43dl/gであ
った。
本発明による配線層間膜の下地基板との接着強度を調
べるために、Ｐ型シリコン基板の主面に、化学気相成長
シリコン酸化膜、プラズマ化学気相成長シリコン窒化膜
をそれぞれ形成し、これらの基板上に、前述した塗布−
溶液を、毎分2000回転で30秒間回転塗布し、100℃,1時
間、さらに240℃,30分間、窒素ガス雰囲気中で熱処理
し、続いて350℃,400℃、または450℃で各１時間、窒素
ガス雰囲気中で熱処理した。これらの基板と本発明に基
づいて形成した樹脂膜との接着強度を調べ、同様な工程
で形成した珪素原子の含まれていないポリイミド樹脂膜
（例えば、東レ（株）製、商品名，セミコンファイン）
と比較した結果を第１図に示す。同図（ａ）は、気相成
長シリコン酸化膜との接着強度であり、同図（ｂ）はプ
ラズマ化学気相成長シリコン窒化膜との接着強度であ
る。同図から、本発明に基づく樹脂膜と化学気相成長シ
リコン酸化膜、およびプラズマ化学気相成長シリコン窒
化膜との接着強度は、ポリイミド樹脂膜（東レ（株）製
セミコンファイン）の場合よりも大きく、最終アニール
温度が350℃〜450℃で充分なものであることがわかる。
べるために、Ｐ型シリコン基板の主面に、化学気相成長
シリコン酸化膜、プラズマ化学気相成長シリコン窒化膜
をそれぞれ形成し、これらの基板上に、前述した塗布−
溶液を、毎分2000回転で30秒間回転塗布し、100℃,1時
間、さらに240℃,30分間、窒素ガス雰囲気中で熱処理
し、続いて350℃,400℃、または450℃で各１時間、窒素
ガス雰囲気中で熱処理した。これらの基板と本発明に基
づいて形成した樹脂膜との接着強度を調べ、同様な工程
で形成した珪素原子の含まれていないポリイミド樹脂膜
（例えば、東レ（株）製、商品名，セミコンファイン）
と比較した結果を第１図に示す。同図（ａ）は、気相成
長シリコン酸化膜との接着強度であり、同図（ｂ）はプ
ラズマ化学気相成長シリコン窒化膜との接着強度であ
る。同図から、本発明に基づく樹脂膜と化学気相成長シ
リコン酸化膜、およびプラズマ化学気相成長シリコン窒
化膜との接着強度は、ポリイミド樹脂膜（東レ（株）製
セミコンファイン）の場合よりも大きく、最終アニール
温度が350℃〜450℃で充分なものであることがわかる。
さらに、本発明による樹脂膜は、前記ポリイミド樹脂
膜と同様に、アルミニウム金属との接着強度は充分大き
いものである。
膜と同様に、アルミニウム金属との接着強度は充分大き
いものである。
さらに、前記ポリイミド樹脂膜を、アニール温度を、
350,400、または450℃で熱処理後、プラズマ化学気相成
長シリコン窒化膜を形成したところ、すべてのアニール
温度で熱処理したものについても、しわが発生した。し
かしながら、本発明に基づく樹脂膜上に同様な熱処理を
し、プラズマ化学気相成長シリコン窒化膜を形成したと
ころ、しわ，あるいはクラック等の異常は全くないもの
であった。
350,400、または450℃で熱処理後、プラズマ化学気相成
長シリコン窒化膜を形成したところ、すべてのアニール
温度で熱処理したものについても、しわが発生した。し
かしながら、本発明に基づく樹脂膜上に同様な熱処理を
し、プラズマ化学気相成長シリコン窒化膜を形成したと
ころ、しわ，あるいはクラック等の異常は全くないもの
であった。
本発明によると、ポリアミド酸のアミン成分中に珪素
原子を含有せしめることによって、下地に珪素原子の未
結合手を持つ無機膜、例えば、化学気相成長シリコン酸
化膜、プラズマ化学気相成長シリコン窒化膜との接着性
を良くすることができ、さらに、塗布時、膜中にカルボ
キシル基が存在する場合には、金属との密着性もよくす
ることができる。したがって、上述した無機膜と金属膜
の混在する基板との接着性が良いという利点を有するよ
うになる。
原子を含有せしめることによって、下地に珪素原子の未
結合手を持つ無機膜、例えば、化学気相成長シリコン酸
化膜、プラズマ化学気相成長シリコン窒化膜との接着性
を良くすることができ、さらに、塗布時、膜中にカルボ
キシル基が存在する場合には、金属との密着性もよくす
ることができる。したがって、上述した無機膜と金属膜
の混在する基板との接着性が良いという利点を有するよ
うになる。
さらに、又本発明に基づく、塗布溶液をアルミニウム
金属薄膜を有する基板上に塗布し、熱処理せしめて形成
した場合、アルミニウム金属表面に生じるアルミニウム
フロックを抑制せしめる効果が著しく顕著であることが
判明している。この原因は膜中にシリコンが含有されて
いる事によると考えられ、アルミニウム（Al）多層配線
の層間絶縁膜として、ヒロックの部分での上層Al−下層
Al間の電気的ショートの心配が全くないという大きな利
点をも併せもつものである。
金属薄膜を有する基板上に塗布し、熱処理せしめて形成
した場合、アルミニウム金属表面に生じるアルミニウム
フロックを抑制せしめる効果が著しく顕著であることが
判明している。この原因は膜中にシリコンが含有されて
いる事によると考えられ、アルミニウム（Al）多層配線
の層間絶縁膜として、ヒロックの部分での上層Al−下層
Al間の電気的ショートの心配が全くないという大きな利
点をも併せもつものである。
さらに、本発明に基づく樹脂膜上にプラズマ化学気相
成長シリコン窒化膜の形成が可能であり、プラズマ化学
気相成長シリコン窒化膜によるパッシベーションが可能
であるという利点を有する。
成長シリコン窒化膜の形成が可能であり、プラズマ化学
気相成長シリコン窒化膜によるパッシベーションが可能
であるという利点を有する。
以上述べたように、本発明による塗布溶液は、配線層
間膜材料として適したものであり、多層配線を有するデ
バイス製造に有効なものである。
間膜材料として適したものであり、多層配線を有するデ
バイス製造に有効なものである。
第１図は本発明の有効性を示す図であり、同図（ａ）は
本発明による樹脂膜と化学気相成長シリコン酸化膜との
接着強度を示す−実測例図、同図（ｂ）はプラズマ化学
気相成長シリコン窒化膜との接着強度を示す一実測例図
である。 同図において、横軸は最終熱処理温度であり、縦軸は接
着強度である。
本発明による樹脂膜と化学気相成長シリコン酸化膜との
接着強度を示す−実測例図、同図（ｂ）はプラズマ化学
気相成長シリコン窒化膜との接着強度を示す一実測例図
である。 同図において、横軸は最終熱処理温度であり、縦軸は接
着強度である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沓沢 吉也 横浜市金沢区乙舳町10番３号 (72)発明者 沼沢 陽一郎 東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 吉川 公麿 東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 浜野 邦幸 東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 此常 四郎 横須賀市ハイランド５丁目12番６号 (56)参考文献 特開 昭59−229839（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−143327（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−143328（ＪＰ，Ａ) 特公 平６−17474（ＪＰ，Ｂ２) 特公 平７−70592（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ｒ′:4価の炭素環式芳香族）で表されるテトラカルボ
ン酸二無水化物をＡモルとNH2−R2−NH2（R2:炭素数６
〜30個の芳香族脂肪族基または炭素環式芳香族基）で表
されるジアミンをＢモルと、 （R3、R4:それぞれ独立の炭素数１〜６のアルキル基ま
たはフェニル基、１≦Ｋ≦３）で表されるアミノシリコ
ン化合物ＣモルとをC/（Ｂ＋Ｃ）≧0.1なる関係で混合
反応せしめることによって形成されたポリアミド酸シリ
コン型中間体を含むことを特徴とする半導体装置の配線
層間膜形成用塗布溶液。 - 【請求項２】 （Ｒ′:4価の炭素環式芳香族）で表されるテトラカルボ
ン酸二無水化物をＡモルとNH2−R2−NH2（R2:炭素数６
〜30個の芳香族脂肪族基または炭素環式芳香族基）で表
されるジアミンをＢモルと、 （R3、R4:それぞれ独立の炭素数１〜６のアルキル基ま
たはフェニル基、１≦Ｋ≦３）で表されるアミノシリコ
ン化合物ＣモルとをC/（Ｂ＋Ｃ）≧0.1なる関係で混合
反応せしめることによって形成されたポリアミド酸シリ
コン型中間体を含む溶液を半導体型基板の主面に塗布・
熱処理することによって形成されたことを特徴とする半
導体装置の配線層間膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61105871A JP2561243B2 (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 半導体装置の配線層間膜およびその形成用塗布溶液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61105871A JP2561243B2 (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 半導体装置の配線層間膜およびその形成用塗布溶液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62261148A JPS62261148A (ja) | 1987-11-13 |
| JP2561243B2 true JP2561243B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=14419011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61105871A Expired - Fee Related JP2561243B2 (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 半導体装置の配線層間膜およびその形成用塗布溶液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2561243B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0828361B2 (ja) * | 1987-05-21 | 1996-03-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH10141929A (ja) | 1996-11-12 | 1998-05-29 | Hitachi Ltd | はんだ付け検査装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0617474B2 (ja) * | 1985-05-31 | 1994-03-09 | チッソ株式会社 | 高接着性シリコン含有ポリアミド酸の製造法 |
| JPH0768347B2 (ja) * | 1985-09-25 | 1995-07-26 | 株式会社日立製作所 | 有機ケイ素末端ポリイミド前駆体とポリイミドの製造方法 |
-
1986
- 1986-05-08 JP JP61105871A patent/JP2561243B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62261148A (ja) | 1987-11-13 |
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