JPH072852B2 - シリコン変性ポリイミドフィルムおよびその製造法 - Google Patents
シリコン変性ポリイミドフィルムおよびその製造法Info
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- JPH072852B2 JPH072852B2 JP3117858A JP11785891A JPH072852B2 JP H072852 B2 JPH072852 B2 JP H072852B2 JP 3117858 A JP3117858 A JP 3117858A JP 11785891 A JP11785891 A JP 11785891A JP H072852 B2 JPH072852 B2 JP H072852B2
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- Japan
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- modified polyimide
- silicon
- bis
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- polyimide film
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/12—Chemical modification
- C08J7/123—Treatment by wave energy or particle radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/005—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor characterised by the choice of material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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- B29C59/10—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by electric discharge treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2079/00—Use of polymers having nitrogen, with or without oxygen or carbon only, in the main chain, not provided for in groups B29K2061/00 - B29K2077/00, as moulding material
- B29K2079/08—PI, i.e. polyimides or derivatives thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2379/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
- C08J2379/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、接着性を改良したシリ
コン変性ポリイミドに関するものである。
コン変性ポリイミドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミドフィルムは、耐熱性、耐寒
性、耐薬品性、電気絶縁性、機械的強度などの優れた諸
特性を有し、これらの諸特性を利用して電気絶縁フィル
ム、耐熱フィルム、フレキシブルプリント配線板のベー
スフィルムなどに広く利用されている。近年、シリコン
ウエハーやガラス基板などへの接着性向上、ポリイミド
への溶媒可溶性付加、曲げ弾性率、引っ張せん断強度等
の改善のためシリコン変性ポリイミドが開発され用いら
れるようになってきた。しかしながら、シリコン変性ポ
リイミドのフィルムは、接着剤との密着性に劣り、高接
着性を要求される用途には使用できないという欠点があ
った。
性、耐薬品性、電気絶縁性、機械的強度などの優れた諸
特性を有し、これらの諸特性を利用して電気絶縁フィル
ム、耐熱フィルム、フレキシブルプリント配線板のベー
スフィルムなどに広く利用されている。近年、シリコン
ウエハーやガラス基板などへの接着性向上、ポリイミド
への溶媒可溶性付加、曲げ弾性率、引っ張せん断強度等
の改善のためシリコン変性ポリイミドが開発され用いら
れるようになってきた。しかしながら、シリコン変性ポ
リイミドのフィルムは、接着剤との密着性に劣り、高接
着性を要求される用途には使用できないという欠点があ
った。
【０００３】その改良方法として、サンドブラスト処
理、アルカリ処理およびポリイミドフィルム中に無機フ
ィラーを添加などが提案されている。例えば、公知の方
法であるサンドブラスト処理などによるマット加工（例
えば、特公昭３８−１１８３８号公報）では、フィルム
両端部が傷つき裂け易くなるため、マット加工後フィル
ム両端部をスリットしなければならず、このフィルムロ
スによりフィルムコストが高くなる問題がある。また、
サンドブラスト処理はポリイミドフィルムの上から粒を
うちつけるため、ポリイミドフィルムに微小な亀裂が生
じ、中には反対面に達するような亀裂が発生して耐電圧
が低下するなどの問題があった。
理、アルカリ処理およびポリイミドフィルム中に無機フ
ィラーを添加などが提案されている。例えば、公知の方
法であるサンドブラスト処理などによるマット加工（例
えば、特公昭３８−１１８３８号公報）では、フィルム
両端部が傷つき裂け易くなるため、マット加工後フィル
ム両端部をスリットしなければならず、このフィルムロ
スによりフィルムコストが高くなる問題がある。また、
サンドブラスト処理はポリイミドフィルムの上から粒を
うちつけるため、ポリイミドフィルムに微小な亀裂が生
じ、中には反対面に達するような亀裂が発生して耐電圧
が低下するなどの問題があった。
【０００４】また、アルカリ処理においては、高濃度の
アルカリ溶液と共に後処理として洗浄、乾燥が必要とな
り、安全性、作業性、生産性において問題があった。ま
た、無機フィラーを添加して接着性を向上をさせる方法
（例えば特開昭６２−６８８５２号）は、フィルムに無
機フィラーを添加しているためポリイミド本来の物性を
損なう問題があった。
アルカリ溶液と共に後処理として洗浄、乾燥が必要とな
り、安全性、作業性、生産性において問題があった。ま
た、無機フィラーを添加して接着性を向上をさせる方法
（例えば特開昭６２−６８８５２号）は、フィルムに無
機フィラーを添加しているためポリイミド本来の物性を
損なう問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、接着
性が改良されたシリコン変性ポリイミドフィルムおよび
その製造法を提供することである。
性が改良されたシリコン変性ポリイミドフィルムおよび
その製造法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らはかかる実情
に鑑み、これらの技術課題を解決すべく鋭意研究を重ね
た結果、特定のシリコン変性ポリイミドフィルムに特定
のコロナ放電処理することにより、接着性の改良された
シリコン変性ポリイミドフィルムを得ることに成功し、
本発明の接着性の改良されたシリコン変性ポリイミドフ
ィルムとその製造法を完成するに至った。
に鑑み、これらの技術課題を解決すべく鋭意研究を重ね
た結果、特定のシリコン変性ポリイミドフィルムに特定
のコロナ放電処理することにより、接着性の改良された
シリコン変性ポリイミドフィルムを得ることに成功し、
本発明の接着性の改良されたシリコン変性ポリイミドフ
ィルムとその製造法を完成するに至った。
【０００７】本発明の接着性の改良されたシリコン変性
ポリイミドフィルムは、シリコン変性ポリイミドまたは
シリコン変性ポリイミドと芳香族ポリイミドとの複合体
からなるポリイミドフィルムからなり、フィルム表面の
赤外線吸収スペクトル吸光度比Ｎ1 ／Ｎ2 （１０７４cm
-1の吸光度／８２４cm-1の吸光度）が０．７以下である
ことを特徴とする。
ポリイミドフィルムは、シリコン変性ポリイミドまたは
シリコン変性ポリイミドと芳香族ポリイミドとの複合体
からなるポリイミドフィルムからなり、フィルム表面の
赤外線吸収スペクトル吸光度比Ｎ1 ／Ｎ2 （１０７４cm
-1の吸光度／８２４cm-1の吸光度）が０．７以下である
ことを特徴とする。
【０００８】本発明の接着性の改良されたシリコン変性
ポリイミドフィルムの製造法は、シリコン変性ポリイミ
ドまたはシリコン変性ポリイミドと芳香族ポリイミドと
の複合体からなるポリイミドフィルムに２５００〜８７
０００Ｗ．min ／ｍ2 のコロナ放電処理をすることから
なる。
ポリイミドフィルムの製造法は、シリコン変性ポリイミ
ドまたはシリコン変性ポリイミドと芳香族ポリイミドと
の複合体からなるポリイミドフィルムに２５００〜８７
０００Ｗ．min ／ｍ2 のコロナ放電処理をすることから
なる。
【０００９】本発明のシリコン変性ポリイミドフィルム
におけるフィルム表面の赤外線吸収スペクトルの吸光度
Ｎ1 ／Ｎ2 （１０７４cm-1の吸光度／８２４cm-1の吸光
度）とは、フィルム表面層の赤外線吸収スペクトルの測
定においてＳｉ−Ｏに基づく１０７４cm-1の吸収スペク
トルの吸光度Ｎ1 とベンゼン環に基づく８２４cm-1の吸
収スペクトルの吸光度Ｎ2 との比を表す。
におけるフィルム表面の赤外線吸収スペクトルの吸光度
Ｎ1 ／Ｎ2 （１０７４cm-1の吸光度／８２４cm-1の吸光
度）とは、フィルム表面層の赤外線吸収スペクトルの測
定においてＳｉ−Ｏに基づく１０７４cm-1の吸収スペク
トルの吸光度Ｎ1 とベンゼン環に基づく８２４cm-1の吸
収スペクトルの吸光度Ｎ2 との比を表す。
【００１０】本発明のシリコン変性ポリイミドフィルム
の上記吸光度比Ｎ1／Ｎ2 は０．７以下が必要である。
Ｎ1 ／Ｎ2 が０．７をこえると接着性はなくなり、本発
明の接着性の改良されたシリコン変性ポリイミドフィル
ムではない。
の上記吸光度比Ｎ1／Ｎ2 は０．７以下が必要である。
Ｎ1 ／Ｎ2 が０．７をこえると接着性はなくなり、本発
明の接着性の改良されたシリコン変性ポリイミドフィル
ムではない。
【００１１】本発明の製造法におけるコロナ放電処理の
条件は、２５００〜８７００Ｗ．min ／ｍ2 であり、好
ましくは５７００〜１８０００Ｗ．min ／ｍ2 である。
２５００Ｗ．min ／ｍ2 未満の処理条件では充分な接着
強度を安定して得ることが困難である。又、８７０００
Ｗ．min ／ｍ2 以上の処理条件ではコロナ放電処理によ
るものと思われる有機分解物が析出するブロッキング現
象がおこると共にフィルムの機械的強度に悪影響をおよ
ぼすため実用的な処理として問題がある。
条件は、２５００〜８７００Ｗ．min ／ｍ2 であり、好
ましくは５７００〜１８０００Ｗ．min ／ｍ2 である。
２５００Ｗ．min ／ｍ2 未満の処理条件では充分な接着
強度を安定して得ることが困難である。又、８７０００
Ｗ．min ／ｍ2 以上の処理条件ではコロナ放電処理によ
るものと思われる有機分解物が析出するブロッキング現
象がおこると共にフィルムの機械的強度に悪影響をおよ
ぼすため実用的な処理として問題がある。
【００１２】本発明におけるシリコン変性ポリイミドま
たはシリコン変性ポリイミドと芳香族ポリイミドとの複
合体からなるポリイミドフィルムは、シリコン変性ポリ
イミド前駆体の溶液を塗布液として、ガラス板、銅板、
アルミニウム板、ガラス箔、銅箔、アルミニウム箔、ま
たはシリコンウェーハーなどの基板上に塗布した後、約
１４０℃で溶媒を除去した約２００〜４００℃でイミド
化を行なうことにより得ることができる。またＰＥＴフ
ィルムの上に塗布液を流延して塗布し、これを１４０℃
で乾燥し、ポリイミド前駆体フィルムをはく離し、金属
枠に挾み込み１４０℃から３５０℃位まで約１時間で昇
温し３５０℃〜４００℃焼成して得ることもできる。
たはシリコン変性ポリイミドと芳香族ポリイミドとの複
合体からなるポリイミドフィルムは、シリコン変性ポリ
イミド前駆体の溶液を塗布液として、ガラス板、銅板、
アルミニウム板、ガラス箔、銅箔、アルミニウム箔、ま
たはシリコンウェーハーなどの基板上に塗布した後、約
１４０℃で溶媒を除去した約２００〜４００℃でイミド
化を行なうことにより得ることができる。またＰＥＴフ
ィルムの上に塗布液を流延して塗布し、これを１４０℃
で乾燥し、ポリイミド前駆体フィルムをはく離し、金属
枠に挾み込み１４０℃から３５０℃位まで約１時間で昇
温し３５０℃〜４００℃焼成して得ることもできる。
【００１３】塗布液の溶媒としては、Ｎ‐メチル‐２‐
ピロリドン、Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ‐
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラ
メチル尿素、ピリジン、ヘキサメチルホスホルアミド、
メチルホルムアミド、Ｎ‐アセチル‐２‐ピロリドン、
２‐メトキシエタノール、２‐エトキシエタノール、２
‐ブトキシエタノール、ジエチレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、シクロ
ペンタノン、シクロヘキサノン、クレゾール、γ‐ブチ
ロラクトン、イソヘホロン、Ｎ，Ｎ，‐ジエチルアセト
アミド、Ｎ，Ｎ‐ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメ
チルメトキシアセトアミド、テトラヒドロフラン、Ｎ‐
アセチル‐２‐ピロリドン、Ｎ‐メチル‐ε‐カプロラ
クタム、テトラヒドロチオフェンジオキシド｛スルフォ
ラン（sulpholane）｝をあげることができる。また、上
記のような有機溶媒を、混合して得られる混合溶媒でも
よい。更に、上記の好ましい有機溶媒を、他の非プロト
ン性（中性）有機溶媒、例えば、芳香族、脂環式もしく
は脂肪族炭化水素、またはそれらの塩素化誘導体（例え
ば、ベンゼン、トルエン、キシレン類、シクロヘキサ
ン、ペンタン、ヘキサン、石油エーテル、塩化メチレン
等）、またはジオキサン等で希釈したものを用いること
もできる。
ピロリドン、Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ‐
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラ
メチル尿素、ピリジン、ヘキサメチルホスホルアミド、
メチルホルムアミド、Ｎ‐アセチル‐２‐ピロリドン、
２‐メトキシエタノール、２‐エトキシエタノール、２
‐ブトキシエタノール、ジエチレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、シクロ
ペンタノン、シクロヘキサノン、クレゾール、γ‐ブチ
ロラクトン、イソヘホロン、Ｎ，Ｎ，‐ジエチルアセト
アミド、Ｎ，Ｎ‐ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメ
チルメトキシアセトアミド、テトラヒドロフラン、Ｎ‐
アセチル‐２‐ピロリドン、Ｎ‐メチル‐ε‐カプロラ
クタム、テトラヒドロチオフェンジオキシド｛スルフォ
ラン（sulpholane）｝をあげることができる。また、上
記のような有機溶媒を、混合して得られる混合溶媒でも
よい。更に、上記の好ましい有機溶媒を、他の非プロト
ン性（中性）有機溶媒、例えば、芳香族、脂環式もしく
は脂肪族炭化水素、またはそれらの塩素化誘導体（例え
ば、ベンゼン、トルエン、キシレン類、シクロヘキサ
ン、ペンタン、ヘキサン、石油エーテル、塩化メチレン
等）、またはジオキサン等で希釈したものを用いること
もできる。
【００１４】本発明のシリコン変性ポリイミドフィルム
の厚みは、特に限定されるものではないが、下限として
は１０μｍ好ましくは２５μｍ、上限としては１７５μ
ｍ好ましくは１５０μｍのものである。又、シリコン変
性ポリイミドフィルムの製法はイミド化剤を用いる方法
（ケミカルキュア法）であるか、加熱だけによる方法
（ドライアップ法）であるかにはこだわらない。
の厚みは、特に限定されるものではないが、下限として
は１０μｍ好ましくは２５μｍ、上限としては１７５μ
ｍ好ましくは１５０μｍのものである。又、シリコン変
性ポリイミドフィルムの製法はイミド化剤を用いる方法
（ケミカルキュア法）であるか、加熱だけによる方法
（ドライアップ法）であるかにはこだわらない。
【００１５】本発明のシリコン変性ポリイミドフィルム
およびその製造法において、適用されるシリコン変性ポ
リイミドとは、芳香族テトラカルボン酸二無水物とジア
ミノシロキサン、芳香族ジアミンを主成分として得られ
るシリコン変性ポリイミドであり、シリコン変性ポリイ
ミド単独、シリコン変性ポリイミドとポリイミドとの混
合物いずれでもよい。このシリコン変性ポリイミドは、
つぎの式
およびその製造法において、適用されるシリコン変性ポ
リイミドとは、芳香族テトラカルボン酸二無水物とジア
ミノシロキサン、芳香族ジアミンを主成分として得られ
るシリコン変性ポリイミドであり、シリコン変性ポリイ
ミド単独、シリコン変性ポリイミドとポリイミドとの混
合物いずれでもよい。このシリコン変性ポリイミドは、
つぎの式
【化１】 （ここにＲ1 は４価の炭素環式芳香族基または複素環式
基などの有機基を、Ｒ2 は２価の有機基であり炭素数２
以上の脂肪族基、環式脂肪族基、炭素環式芳香族基、複
素環式基またはポリシロキサン基等である。また、Ｒ1
またはＲ2 は、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素ま
たは臭素）または炭素原子数１〜４のアルキレン基など
の１個以上で置換されたものでもよい。Ｒ3 およびＲ4
は、それぞれ同一または異なる低級アルキレン基、また
はフェニレン基を表し、Ｒ5、Ｒ6 、Ｒ7 およびＲ
8 は、それぞれ同一または異なる低級アルキル基、低級
アルコシキ基、フェニル基、フェノキシ基を示しｍは１
〜１００の整数を示す。）で示される構造単位から本質
的に構成される。
基などの有機基を、Ｒ2 は２価の有機基であり炭素数２
以上の脂肪族基、環式脂肪族基、炭素環式芳香族基、複
素環式基またはポリシロキサン基等である。また、Ｒ1
またはＲ2 は、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素ま
たは臭素）または炭素原子数１〜４のアルキレン基など
の１個以上で置換されたものでもよい。Ｒ3 およびＲ4
は、それぞれ同一または異なる低級アルキレン基、また
はフェニレン基を表し、Ｒ5、Ｒ6 、Ｒ7 およびＲ
8 は、それぞれ同一または異なる低級アルキル基、低級
アルコシキ基、フェニル基、フェノキシ基を示しｍは１
〜１００の整数を示す。）で示される構造単位から本質
的に構成される。
【００１６】本発明のフィルムに用いるシリコン変性ポ
リイミドは、式
リイミドは、式
【化２】 で表されるポリイミド前駆体と、式
【化３】 で表されるテトラカルボン酸二無水物とを、式
【化４】 Ｈ２Ｎ−Ｒ２−ＮＨ２ で表されるジアミンおよび式
【化５】 で表されるα，ω‐ジアミノシロキサンを有機溶媒中で
反応して得られる。
反応して得られる。
【００１７】（化２〜５において、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 、
Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、およびＲ8 は前述と同じ、ｘ
は０〜９０、ｙは１０〜１００、ｘ＋ｙ＝１００を示
す。）
Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、およびＲ8 は前述と同じ、ｘ
は０〜９０、ｙは１０〜１００、ｘ＋ｙ＝１００を示
す。）
【００１８】上記低級アルキレン基としては、メチレ
ン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタ
メチレン、ヘキサメチレン基などの炭素数１〜６のアル
キレン基が例示される。低級アルキル基としては、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピルブチル、イソブチ
ル、ｔｅｒｔ‐ブチル、ペンチル、ヘキシル基などの炭
素数１〜６のアルキル基が例示される。低級アルコキシ
基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプ
ロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ‐ブトキ
シ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基などの炭素数１
〜６のアルコキシ基が例示される。
ン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタ
メチレン、ヘキサメチレン基などの炭素数１〜６のアル
キレン基が例示される。低級アルキル基としては、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピルブチル、イソブチ
ル、ｔｅｒｔ‐ブチル、ペンチル、ヘキシル基などの炭
素数１〜６のアルキル基が例示される。低級アルコキシ
基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプ
ロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ‐ブトキ
シ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基などの炭素数１
〜６のアルコキシ基が例示される。
【００１９】式〔化３〕で表されるテトラカルボン酸二
無水物の代表的なものとしては、例えば、ピロメリト酸
二無水物、ベンゼン‐１，２，３，４，‐テトラカルボ
ン酸二無水物、２，２′，３，３′‐ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４′‐ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，
４′‐ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，
２′，３，３′‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、３，３′，４，４′‐ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、２，３，３′，４′‐ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、２，３，６，７‐ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、３，４，９，１０‐ペリレンテトト
ラカルボン酸二無水物、２，３，６，７‐アントラセン
テトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８‐フェナン
トレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（２，３‐ジカ
ルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４‐ジ
カルボキシフェニル）メタン二無水物、１，２，５，６
‐ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，２，‐ビ
ス（２，３‐ジカルボキシフェニル）プロパン二無水
物、２，２‐ビス（３，４‐ジカルボキシフェニル）プ
ロパン二無水物、１，１‐ビス（２，３‐ジカルボキシ
フェニル）エタン二無水物、ビス（３，４‐ジカルボキ
シフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４‐ジカル
ボキシフェニル）エーテル二無水物、３，３′，４，
４′‐テトラカルボキシベンゾイルオキシベンゼン二無
水物、Ｎ，Ｎ‐（３，４‐ジカルボキシフェニル）Ｎ‐
メチルアミン二無水物、チオフェン‐２，３，４，５‐
テトラカルボン酸二無水物、ピラジン‐２，３，５，６
‐テトラカルボン酸二無水物、ピリジン‐２，３，５，
６‐テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４‐ブタ
ンテトラカルボン酸二無水物、ペンタンテトラカルボン
酸二無水物、１，２，３，４‐シクロペンタンテトラカ
ルボン酸二無水物、１，２，３，４‐ビシクロヘキセン
テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４‐テトラヒ
ドロフランテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４
‐シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５
‐トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物などがあ
げられる。これらの酸二無水物は単独もしくは複数のも
のを同時に使用することができる。
無水物の代表的なものとしては、例えば、ピロメリト酸
二無水物、ベンゼン‐１，２，３，４，‐テトラカルボ
ン酸二無水物、２，２′，３，３′‐ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４′‐ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，
４′‐ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，
２′，３，３′‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、３，３′，４，４′‐ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、２，３，３′，４′‐ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、２，３，６，７‐ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、３，４，９，１０‐ペリレンテトト
ラカルボン酸二無水物、２，３，６，７‐アントラセン
テトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８‐フェナン
トレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（２，３‐ジカ
ルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４‐ジ
カルボキシフェニル）メタン二無水物、１，２，５，６
‐ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，２，‐ビ
ス（２，３‐ジカルボキシフェニル）プロパン二無水
物、２，２‐ビス（３，４‐ジカルボキシフェニル）プ
ロパン二無水物、１，１‐ビス（２，３‐ジカルボキシ
フェニル）エタン二無水物、ビス（３，４‐ジカルボキ
シフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４‐ジカル
ボキシフェニル）エーテル二無水物、３，３′，４，
４′‐テトラカルボキシベンゾイルオキシベンゼン二無
水物、Ｎ，Ｎ‐（３，４‐ジカルボキシフェニル）Ｎ‐
メチルアミン二無水物、チオフェン‐２，３，４，５‐
テトラカルボン酸二無水物、ピラジン‐２，３，５，６
‐テトラカルボン酸二無水物、ピリジン‐２，３，５，
６‐テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４‐ブタ
ンテトラカルボン酸二無水物、ペンタンテトラカルボン
酸二無水物、１，２，３，４‐シクロペンタンテトラカ
ルボン酸二無水物、１，２，３，４‐ビシクロヘキセン
テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４‐テトラヒ
ドロフランテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４
‐シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５
‐トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物などがあ
げられる。これらの酸二無水物は単独もしくは複数のも
のを同時に使用することができる。
【００２０】式〔化４〕で表されるジアミン化合物とし
ては、炭素環式ジアミン、複素環式ジアミン、脂肪族ジ
アミン、脂環式ジアミン、芳香脂肪族ジアミンなどがあ
げられる。
ては、炭素環式ジアミン、複素環式ジアミン、脂肪族ジ
アミン、脂環式ジアミン、芳香脂肪族ジアミンなどがあ
げられる。
【００２１】炭素環式芳香族ジアミン類としては、ｏ
‐、ｍ‐及びｐ‐フェニレンジアミン、ジアミノトルエ
ン類（例えば、２，４‐ジアミノトルエン）、１，４‐
ジアミノ‐２‐メトキシベンゼン、２，５‐ジアミノキ
シレン類、１，３‐ジアミノ‐４‐クロルベンゼン、
１，４‐ジアミノ‐２，５‐ジクロルベンゼン、１，４
‐ジアミノ‐２‐ブロムベンゼン、１，３‐ジアミノ‐
４‐イソプロピルベンゼン、Ｎ，Ｎ‐ジフェニル‐１，
４‐フェニレンジアミン、４，４′‐ジアミノフェニル
‐２，２‐ブロパン、４，４′‐ジアミノフェニルメタ
ン、２，２‐ジアミノスチルベン、４，４′‐ジアミノ
スチルベン、４，４′ジアミノフェニルエーテル、４，
４′ジアミノフェニル‐チオエーテル、４，４′‐ジア
ミノジフェニルスルホン、３，３′‐ジアミノジフェニ
ルスルホン、４，４′‐ジアミノ安息香酸フェニルエス
テル、２，２′‐ジアミノベンゾフェノン、４，４′‐
ジアミノベンゾフェノン、４，４′‐ジアミノベンジ
ル、４‐（４′アミノフェニルカルバモイル）‐アニリ
ン、ビス（４‐アミノフェニル‐ホスフィンオキシド、
ビス（４‐アミノフェニル）‐メチル‐ホスフィンオキ
シド、ビス（３‐アミノフェニル）‐メチルスルフィン
オキシド、ビス（４‐アミノフェニル）‐フェニルホス
フィンオキシド、ビス（４‐アミノフェニル）‐クロヘ
キシルホスフィンオキシド、Ｎ，Ｎ‐ビス（４‐アミノ
フェニル）‐Ｎ‐フェニルアミン、Ｎ，Ｎ‐ビス（４‐
アミノフェニル）‐Ｎ‐メチルアミン、４，４′‐ジア
ミノジフェニル尿素、１，８‐ジアミノナフタレン、
１，５‐ジアミノナフタレン、１，５‐ジアミノアント
ラキノン、ジアミノフルオランテンなどがあげられる。
‐、ｍ‐及びｐ‐フェニレンジアミン、ジアミノトルエ
ン類（例えば、２，４‐ジアミノトルエン）、１，４‐
ジアミノ‐２‐メトキシベンゼン、２，５‐ジアミノキ
シレン類、１，３‐ジアミノ‐４‐クロルベンゼン、
１，４‐ジアミノ‐２，５‐ジクロルベンゼン、１，４
‐ジアミノ‐２‐ブロムベンゼン、１，３‐ジアミノ‐
４‐イソプロピルベンゼン、Ｎ，Ｎ‐ジフェニル‐１，
４‐フェニレンジアミン、４，４′‐ジアミノフェニル
‐２，２‐ブロパン、４，４′‐ジアミノフェニルメタ
ン、２，２‐ジアミノスチルベン、４，４′‐ジアミノ
スチルベン、４，４′ジアミノフェニルエーテル、４，
４′ジアミノフェニル‐チオエーテル、４，４′‐ジア
ミノジフェニルスルホン、３，３′‐ジアミノジフェニ
ルスルホン、４，４′‐ジアミノ安息香酸フェニルエス
テル、２，２′‐ジアミノベンゾフェノン、４，４′‐
ジアミノベンゾフェノン、４，４′‐ジアミノベンジ
ル、４‐（４′アミノフェニルカルバモイル）‐アニリ
ン、ビス（４‐アミノフェニル‐ホスフィンオキシド、
ビス（４‐アミノフェニル）‐メチル‐ホスフィンオキ
シド、ビス（３‐アミノフェニル）‐メチルスルフィン
オキシド、ビス（４‐アミノフェニル）‐フェニルホス
フィンオキシド、ビス（４‐アミノフェニル）‐クロヘ
キシルホスフィンオキシド、Ｎ，Ｎ‐ビス（４‐アミノ
フェニル）‐Ｎ‐フェニルアミン、Ｎ，Ｎ‐ビス（４‐
アミノフェニル）‐Ｎ‐メチルアミン、４，４′‐ジア
ミノジフェニル尿素、１，８‐ジアミノナフタレン、
１，５‐ジアミノナフタレン、１，５‐ジアミノアント
ラキノン、ジアミノフルオランテンなどがあげられる。
【００２２】複素環式ジアミン類としては、２，６‐ジ
アミノピリジン、２，４‐ジアミノピリジン、２，４‐
ジアミノ‐ｓ‐トリアジン、２，７‐ジアミノ‐ジベン
ゾフラン、２，７‐ジアミノカルバゾール、３，７‐ジ
アミノフェノチアジン、２，５‐ジアミノ‐１，３，４
‐チアジアゾールなどがあげられる。
アミノピリジン、２，４‐ジアミノピリジン、２，４‐
ジアミノ‐ｓ‐トリアジン、２，７‐ジアミノ‐ジベン
ゾフラン、２，７‐ジアミノカルバゾール、３，７‐ジ
アミノフェノチアジン、２，５‐ジアミノ‐１，３，４
‐チアジアゾールなどがあげられる。
【００２３】脂肪族ジアミンとしては、ジメチレンジア
ミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミ
ン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミ
ン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、
デカメチレンジアミン、２，２‐ジメチルプロピレンジ
アミン、２，５‐ジメチルヘキサメチレンジアミン、
２，５‐ジメチルヘプタメチレンジアミン、４，４‐ジ
メチルヘプタメチレンジアミン、３‐メトキシヘキサメ
チレンジアミン、５‐メチルノナメチレンジアミン、
２，１１‐ジアミノドデカン、１，１２‐ジアミノオク
タデカン、１，２‐ビス（３‐アミノプロポキシ）‐エ
タン、Ｎ，Ｎ‐ジメチル‐エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ′
‐ジエチル‐１，３‐ジアミノプロパン、Ｎ，Ｎ′‐ジ
メチル‐１，６‐ジアミノヘキサンなどがあげられる。
また、式：Ｈ2 Ｎ（ＣＨ2 ）3 Ｏ（ＣＨ2 ）2 Ｏ（ＣＨ
2 ）3 ＮＨ2 で表されるジアミン、式：Ｈ2 Ｎ（Ｃ
Ｈ2 ）3 Ｓ（ＣＨ2 ）3 ＮＨ2 で表されるジアミンなど
があげられる。
ミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミ
ン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミ
ン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、
デカメチレンジアミン、２，２‐ジメチルプロピレンジ
アミン、２，５‐ジメチルヘキサメチレンジアミン、
２，５‐ジメチルヘプタメチレンジアミン、４，４‐ジ
メチルヘプタメチレンジアミン、３‐メトキシヘキサメ
チレンジアミン、５‐メチルノナメチレンジアミン、
２，１１‐ジアミノドデカン、１，１２‐ジアミノオク
タデカン、１，２‐ビス（３‐アミノプロポキシ）‐エ
タン、Ｎ，Ｎ‐ジメチル‐エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ′
‐ジエチル‐１，３‐ジアミノプロパン、Ｎ，Ｎ′‐ジ
メチル‐１，６‐ジアミノヘキサンなどがあげられる。
また、式：Ｈ2 Ｎ（ＣＨ2 ）3 Ｏ（ＣＨ2 ）2 Ｏ（ＣＨ
2 ）3 ＮＨ2 で表されるジアミン、式：Ｈ2 Ｎ（Ｃ
Ｈ2 ）3 Ｓ（ＣＨ2 ）3 ＮＨ2 で表されるジアミンなど
があげられる。
【００２４】脂環式ジアミンとしては、１，４‐ジアミ
ノシクロヘキサンおよび４，４′‐ジアミノ‐ジシクロ
ヘキシルメタンであり、芳香族脂肪族ジアミンとして
は、１，４‐ビス（２‐メチル‐４‐アミノペンチル）
‐ベンゼン、１，４‐ビス（１，１‐ジメチル‐５‐ア
ミノペンチル）‐ベンゼン、１，３‐ビス（アミノメチ
ル）‐ベンゼンおよび１，４‐ビス（アミノメチル）‐
ベンゼンが適当である。これらのジアミンの単独もしく
は複数のもを同時に使用することができる。
ノシクロヘキサンおよび４，４′‐ジアミノ‐ジシクロ
ヘキシルメタンであり、芳香族脂肪族ジアミンとして
は、１，４‐ビス（２‐メチル‐４‐アミノペンチル）
‐ベンゼン、１，４‐ビス（１，１‐ジメチル‐５‐ア
ミノペンチル）‐ベンゼン、１，３‐ビス（アミノメチ
ル）‐ベンゼンおよび１，４‐ビス（アミノメチル）‐
ベンゼンが適当である。これらのジアミンの単独もしく
は複数のもを同時に使用することができる。
【００２５】式〔化５〕で表されるα，ω‐ジアミノシ
ロキサンの例としては、１，１，３，３‐テトラメチル
‐１，３‐ビス（４‐アミノフェニル）ジシロキサン、
１，１，３，３‐テトラフェノキシ‐１，３‐ビス（４
‐アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３，５，
５‐ヘキサメチル‐１，５‐ビス（４‐アミノフェニ
ル）トリシロキサン、１，１，３，３‐テトラフェニル
‐１，３‐ビス（２‐アミノエチル）ジシロキサン、
１，１，３，３‐テトラフェニル‐１，３‐ビス（３‐
アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，５，５‐テト
ラフェニル‐３，３‐ジメチル‐１，５‐ビス（３‐ア
ミノプロピル）トリシロキサン、１，１，５，５‐テト
ラフェニル‐３，３‐ジメトキシ‐１，５‐ビス（４‐
アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５‐テト
ラフェニル‐３，３‐ジメトキシ‐１，５‐ビス（５‐
アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，３，３‐テ
トラメチル‐１，３‐ビス（２‐アミノエチル）ジシロ
キサン、１，１，３，３‐テトラメチル‐１，３‐ビス
（３‐アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３
‐テトラメチル‐１，３‐ビス（４‐アミノブチル）ジ
シロキサン、１，３‐ジメチル‐１，３‐ジメトキシ‐
１，３‐ビス（４‐アミノブチル）ジシロキサン、１，
１，５，５‐テトラメチル‐３，３‐ジメトキシ‐１，
５‐ビス（２‐アミノエチル）トリシシロキサン、１，
１，５，５‐テトラメチル‐３，３‐ジメトキシ‐１，
５‐ビス（３‐アミノプロピル）トリシロキサン、１，
１，５，５‐テトラメチル‐３，３‐ジメトキシ‐１，
５‐ビス（４‐アミノブチル）トリシロキサン、１，
１，５，５‐テトラメチル‐３，３‐ジメトキシ‐１，
５‐ビス（５‐アミノペンチル）トリシロキサン、１，
１，３，３，５，５‐ヘキサメチル‐１，５‐ビス（３
‐アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，
５，５‐ヘキサメチル‐１，５‐ビス（３‐アミノプロ
ピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５‐ヘキ
サプロピル‐１，５‐ビス（３‐アミノプロピル）トリ
シロキサンなどがあげられる。これらは単独もしくは複
数のものを同時に使用することができる。
ロキサンの例としては、１，１，３，３‐テトラメチル
‐１，３‐ビス（４‐アミノフェニル）ジシロキサン、
１，１，３，３‐テトラフェノキシ‐１，３‐ビス（４
‐アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３，５，
５‐ヘキサメチル‐１，５‐ビス（４‐アミノフェニ
ル）トリシロキサン、１，１，３，３‐テトラフェニル
‐１，３‐ビス（２‐アミノエチル）ジシロキサン、
１，１，３，３‐テトラフェニル‐１，３‐ビス（３‐
アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，５，５‐テト
ラフェニル‐３，３‐ジメチル‐１，５‐ビス（３‐ア
ミノプロピル）トリシロキサン、１，１，５，５‐テト
ラフェニル‐３，３‐ジメトキシ‐１，５‐ビス（４‐
アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５‐テト
ラフェニル‐３，３‐ジメトキシ‐１，５‐ビス（５‐
アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，３，３‐テ
トラメチル‐１，３‐ビス（２‐アミノエチル）ジシロ
キサン、１，１，３，３‐テトラメチル‐１，３‐ビス
（３‐アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３
‐テトラメチル‐１，３‐ビス（４‐アミノブチル）ジ
シロキサン、１，３‐ジメチル‐１，３‐ジメトキシ‐
１，３‐ビス（４‐アミノブチル）ジシロキサン、１，
１，５，５‐テトラメチル‐３，３‐ジメトキシ‐１，
５‐ビス（２‐アミノエチル）トリシシロキサン、１，
１，５，５‐テトラメチル‐３，３‐ジメトキシ‐１，
５‐ビス（３‐アミノプロピル）トリシロキサン、１，
１，５，５‐テトラメチル‐３，３‐ジメトキシ‐１，
５‐ビス（４‐アミノブチル）トリシロキサン、１，
１，５，５‐テトラメチル‐３，３‐ジメトキシ‐１，
５‐ビス（５‐アミノペンチル）トリシロキサン、１，
１，３，３，５，５‐ヘキサメチル‐１，５‐ビス（３
‐アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，
５，５‐ヘキサメチル‐１，５‐ビス（３‐アミノプロ
ピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５‐ヘキ
サプロピル‐１，５‐ビス（３‐アミノプロピル）トリ
シロキサンなどがあげられる。これらは単独もしくは複
数のものを同時に使用することができる。
【００２６】本発明のシリコン変性ポリイミドフィルム
は、従来のフィルムに比べて著しく接着性が改善された
ものである。すなわち、従来のシリコン変性ポリイミド
フィルムは表面にシロキサン含有量の高い層が形成さ
れ、これが接着性を阻害するものと考えられる。コロナ
放電処理によってフィルム表面の接触角が小さくなり、
酸素基が導入され、極性基の増加やフィルム表面に形成
されている高濃度シロキサン層が除去されて接着に有効
な界面が出現し、結果としてフィルム全体が良好な接着
性が得られるものと推察される。
は、従来のフィルムに比べて著しく接着性が改善された
ものである。すなわち、従来のシリコン変性ポリイミド
フィルムは表面にシロキサン含有量の高い層が形成さ
れ、これが接着性を阻害するものと考えられる。コロナ
放電処理によってフィルム表面の接触角が小さくなり、
酸素基が導入され、極性基の増加やフィルム表面に形成
されている高濃度シロキサン層が除去されて接着に有効
な界面が出現し、結果としてフィルム全体が良好な接着
性が得られるものと推察される。
【００２７】
【実施例】以下、本発明を実施例、比較例をあげて説明
するが、本発明はこれらにより制限されるものではな
い。実施例に使用するシリコン変性ポリイミド前駆体、
およびシリコン変性ポリイミドフィルムの製造ならび
に、フィルムの接着強度および吸光度比Ｎ1 ／Ｎ2 の測
定はつぎの方法で行なった。 シリコン変性ポリイミド前駆体の製造：温度計、かくは
ん機、窒素吹き込み口を付けた三つ口フラスコに窒素ガ
スを吹き込みながら、ジアミンとしてパラフェニレンジ
アミン（以下ｐ−ＰＤＡと略記する。）の０．１mol 、
α，ωジアミノシロキサンとして、１，１，３，３，
５，５‐ヘキサメチル‐１，５‐ビス（３‐アミノプロ
ピル）トリシロキサンの０．１mol 、溶媒としてＮ，Ｎ
‐ジメチルアセトアミド４００ｇを仕込み、２０℃に冷
却し、かくはんしながら、酸無水物として３，３，４，
４‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（以下ｓ−Ｂ
ＰＤＡと略記する）４００ｇを徐々に加え、６時間重合
反応させ、固形分濃度１５重量％のポリイミド前駆体を
得た。このポリイミド前駆体溶液の粘度は２５０００ｃ
ｐｓであった。 シリコン変性ポリイミドフィルムの製造：このポリイミ
ド前駆体をＰＥＴフィルム上にフィルム厚さが２５μｍ
になるように流延塗布し、１４０℃のオーブンで１０分
間乾燥した。その後、自己支持性となったポリイミド前
駆体フィルムを剥離し金属枠に挾み込み１４０℃から３
５０℃まで１時間かけて昇温を行い、３５０℃にて３０
分間焼成しイミド化してシリコン変性ポリイミドフィル
ムを得た。
するが、本発明はこれらにより制限されるものではな
い。実施例に使用するシリコン変性ポリイミド前駆体、
およびシリコン変性ポリイミドフィルムの製造ならび
に、フィルムの接着強度および吸光度比Ｎ1 ／Ｎ2 の測
定はつぎの方法で行なった。 シリコン変性ポリイミド前駆体の製造：温度計、かくは
ん機、窒素吹き込み口を付けた三つ口フラスコに窒素ガ
スを吹き込みながら、ジアミンとしてパラフェニレンジ
アミン（以下ｐ−ＰＤＡと略記する。）の０．１mol 、
α，ωジアミノシロキサンとして、１，１，３，３，
５，５‐ヘキサメチル‐１，５‐ビス（３‐アミノプロ
ピル）トリシロキサンの０．１mol 、溶媒としてＮ，Ｎ
‐ジメチルアセトアミド４００ｇを仕込み、２０℃に冷
却し、かくはんしながら、酸無水物として３，３，４，
４‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（以下ｓ−Ｂ
ＰＤＡと略記する）４００ｇを徐々に加え、６時間重合
反応させ、固形分濃度１５重量％のポリイミド前駆体を
得た。このポリイミド前駆体溶液の粘度は２５０００ｃ
ｐｓであった。 シリコン変性ポリイミドフィルムの製造：このポリイミ
ド前駆体をＰＥＴフィルム上にフィルム厚さが２５μｍ
になるように流延塗布し、１４０℃のオーブンで１０分
間乾燥した。その後、自己支持性となったポリイミド前
駆体フィルムを剥離し金属枠に挾み込み１４０℃から３
５０℃まで１時間かけて昇温を行い、３５０℃にて３０
分間焼成しイミド化してシリコン変性ポリイミドフィル
ムを得た。
【００２８】接着強度（はく離強度）の測定：デュポン
（株）製パイララックスを用いて、シリコン変性ポリイ
ミドとパイララックスを温度１８０℃、圧力４０kg／cm
2 、時間１時間の条件で加熱圧着した後、サンプル幅１
０mm、はく離角度１８０゜、はく離速度５０mm／min で
はく離強度を測定した。 赤外線吸収スペクトル吸光度比の測定：フィルムの赤外
線吸収スペクトルのチャートにより、１０７４cm-1の吸
光度（Ｎ1 ）８２４cm-1の吸光度（Ｎ2 ）の強度を測定
し、その比Ｎ1／Ｎ2 を算出した。
（株）製パイララックスを用いて、シリコン変性ポリイ
ミドとパイララックスを温度１８０℃、圧力４０kg／cm
2 、時間１時間の条件で加熱圧着した後、サンプル幅１
０mm、はく離角度１８０゜、はく離速度５０mm／min で
はく離強度を測定した。 赤外線吸収スペクトル吸光度比の測定：フィルムの赤外
線吸収スペクトルのチャートにより、１０７４cm-1の吸
光度（Ｎ1 ）８２４cm-1の吸光度（Ｎ2 ）の強度を測定
し、その比Ｎ1／Ｎ2 を算出した。
【００２９】実施例１〜３ シリコン変性ポリイミドフィルムを春日電気（株）製Ｈ
ＦＳ−４００Ｆ−１型コロナ表面処理装置（発振周波数
１５ＫＨz 、高周波出力４ＫＷ）を用いて８０５０〜６
８４００Ｗ．min ／ｍ2 範囲の種々条件下でコロナ処理
を施した。これらのフィルムを用いてフィルム表面のＮ
1 ／Ｎ2 の増加及び接着強度等を測定した。結果を表１
に示す。（実施例２におけるＮ1 ／Ｎ2 の算出のための
赤外スペクトルは図１に示す。） 比較例１ ２５μｍ厚みのシリコン変性ポリイミドフィルムを作製
しコロナ表面処理を施さず、Ｎ1 ／Ｎ2 、接着強度を調
べた結果を表１に示した。（Ｎ1 ／Ｎ2 の算出のための
赤外スペクトルは図２に示す。）
ＦＳ−４００Ｆ−１型コロナ表面処理装置（発振周波数
１５ＫＨz 、高周波出力４ＫＷ）を用いて８０５０〜６
８４００Ｗ．min ／ｍ2 範囲の種々条件下でコロナ処理
を施した。これらのフィルムを用いてフィルム表面のＮ
1 ／Ｎ2 の増加及び接着強度等を測定した。結果を表１
に示す。（実施例２におけるＮ1 ／Ｎ2 の算出のための
赤外スペクトルは図１に示す。） 比較例１ ２５μｍ厚みのシリコン変性ポリイミドフィルムを作製
しコロナ表面処理を施さず、Ｎ1 ／Ｎ2 、接着強度を調
べた結果を表１に示した。（Ｎ1 ／Ｎ2 の算出のための
赤外スペクトルは図２に示す。）
【００３０】
【表１】 ＊赤外線吸収スペクトルの吸光度比
【発明の効果】本発明のシリコン変性ポリイミドフィル
ムは、従来のフィルムに比べて著しく接着強度（はく離
強度）が優れている。また、本発明のフィルムの製造法
は従来のシリコン変性ポリイミドフィルムに特定のコロ
ナ放電処理を施すことにより簡便に接着性の改善された
シリコン変性ポリイミドフィルムを提供する。
ムは、従来のフィルムに比べて著しく接着強度（はく離
強度）が優れている。また、本発明のフィルムの製造法
は従来のシリコン変性ポリイミドフィルムに特定のコロ
ナ放電処理を施すことにより簡便に接着性の改善された
シリコン変性ポリイミドフィルムを提供する。
【図面の簡単な説明】
【図１】シリコン変性ポリイミドフィルム（コロナ処
理）の赤外吸収スペクトル
理）の赤外吸収スペクトル
【図２】シリコン変性ポリイミドフィルム（未処理）の
赤外吸収スペクトル
赤外吸収スペクトル
Ｎ1 １０７４cm-1の吸光度 Ｎ2 ８２４cm-1の吸光度
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン変性ポリイミドまたはシリコン
変性ポリイミドと芳香族ポリイミドとの複合体からなる
ポリイミドフィルムであって、フィルム表面の赤外線吸
収スペクトル吸光度比Ｎ1 ／Ｎ2 （１０７４cm-1の吸光
度／８２４cm-1の吸光度）が０．７以下であることを特
徴とする接着性の改良されシリコン変性ポリイミドフィ
ルム。 - 【請求項２】 シリコン変性ポリイミドまたはシリコン
変性ポリイミドと芳香族ポリイミドとの複合体からなる
ポリイミドフィルムに２５００〜８７０００Ｗ．min ／
ｍ2 のコロナ放電処理をすることからなる接着性の改良
されたシリコン変性ポリイミドフィルムの製造法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3117858A JPH072852B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | シリコン変性ポリイミドフィルムおよびその製造法 |
| EP19920106943 EP0510638B1 (en) | 1991-04-23 | 1992-04-23 | Silicon-modified polyimide film and process for producing same |
| DE1992605322 DE69205322T2 (de) | 1991-04-23 | 1992-04-23 | Silicon-modifizierter Polyimidfilm und Verfahren zu seiner Herstellung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3117858A JPH072852B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | シリコン変性ポリイミドフィルムおよびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04356534A JPH04356534A (ja) | 1992-12-10 |
| JPH072852B2 true JPH072852B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=14722039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3117858A Expired - Fee Related JPH072852B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | シリコン変性ポリイミドフィルムおよびその製造法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0510638B1 (ja) |
| JP (1) | JPH072852B2 (ja) |
| DE (1) | DE69205322T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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