JPS5858702A - セラミックバリスタ等の電極構造 - Google Patents
セラミックバリスタ等の電極構造Info
- Publication number
- JPS5858702A JPS5858702A JP56158291A JP15829181A JPS5858702A JP S5858702 A JPS5858702 A JP S5858702A JP 56158291 A JP56158291 A JP 56158291A JP 15829181 A JP15829181 A JP 15829181A JP S5858702 A JPS5858702 A JP S5858702A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic substrate
- insulating layer
- electrode
- ceramic
- capacitance
- Prior art date
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- Granted
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミックバリスタやセラミックコンデンサ等
として使用するセラミック基板の電極構造Ｋｌｌするも
のでありて、その目的とするところは該セラミック基板
の静電容量の調整およびリード線の取付けが容易な電極
構造を提供することにある。
として使用するセラミック基板の電極構造Ｋｌｌするも
のでありて、その目的とするところは該セラミック基板
の静電容量の調整およびリード線の取付けが容易な電極
構造を提供することにある。
酸化亜鉛を主体とするセラミックバリスタは、酸化亜鉛
にビスブス、アンチモン、コバルト、マンガン等の金属
酸化物を添加して混合成形し、１０００〜１５００Ｃで
焼結して形成され、すぐれた非直線電圧抵抗特性を有す
るので各種電気回路のサージ吸収器として広く用いられ
ている。ところでこのセラミックバリスタをサージ吸収
器として使用する場合は、その電圧非ｉｆ線抵抗特性を
十分に活かすために静電容量を小さくしなければならな
い場合がある。
にビスブス、アンチモン、コバルト、マンガン等の金属
酸化物を添加して混合成形し、１０００〜１５００Ｃで
焼結して形成され、すぐれた非直線電圧抵抗特性を有す
るので各種電気回路のサージ吸収器として広く用いられ
ている。ところでこのセラミックバリスタをサージ吸収
器として使用する場合は、その電圧非ｉｆ線抵抗特性を
十分に活かすために静電容量を小さくしなければならな
い場合がある。
第１図および第２図において、１はセラミック基板で、
その表面および裏面には、銀又は銅あるいはアルミニ為
ム等の導電性金属の焼付け、メッキあるいは溶射等圧よ
って平面電極２．２′を形成している。６．６′は平面
電極２．２′に半田付けされたリード線である。ところ
でこのセラミックー（リスクの静電容量はセラミツ、り
基板１の比誘電率と平面電極２．２１の面積に正比例し
、セラミック基板の板厚ｔ（電極２．２１間の距離）に
反比例する。したがってセラミックバリスタとしての所
定の特性を保持した状態で静電容量を低下させるために
は電極面積を縮少するのが近道である。そのために従来
のセラミックバリスタにおいては、その静電容量を低下
させる必要がある場合に、第６図に示すように平面電極
４を小面積にしていた。しかし、この小面積の平面電極
４を採用するとリード線３．６１の半田付けの作業が困
難となり、作業性を著しく低下させるばかりでなく、脱
落、接着不要等の不良品の発生率が増加する。本発明は
この問題を解決することを意図するものである。
その表面および裏面には、銀又は銅あるいはアルミニ為
ム等の導電性金属の焼付け、メッキあるいは溶射等圧よ
って平面電極２．２′を形成している。６．６′は平面
電極２．２′に半田付けされたリード線である。ところ
でこのセラミックー（リスクの静電容量はセラミツ、り
基板１の比誘電率と平面電極２．２１の面積に正比例し
、セラミック基板の板厚ｔ（電極２．２１間の距離）に
反比例する。したがってセラミックバリスタとしての所
定の特性を保持した状態で静電容量を低下させるために
は電極面積を縮少するのが近道である。そのために従来
のセラミックバリスタにおいては、その静電容量を低下
させる必要がある場合に、第６図に示すように平面電極
４を小面積にしていた。しかし、この小面積の平面電極
４を採用するとリード線３．６１の半田付けの作業が困
難となり、作業性を著しく低下させるばかりでなく、脱
落、接着不要等の不良品の発生率が増加する。本発明は
この問題を解決することを意図するものである。
本発明の実施例を第５図について説明する。
１は比誘電率の高いセラミック基板５．５′はセラミッ
ク基板１の比誘電率に比し、はるかに低い比誘電率をも
つ無機物質又は有機物質よりなるリング状の絶縁層で、
セラミック基板１０表面および裏ｉ［Ｋ対称的に焼付け
、塗着等の手段によって形成される。６．６′はリング
状の絶縁層５．５′の上からセラミック基板１の表面お
よび裏面に焼付けその他の手段によって形成した円形の
平面電極で、その［径はＩＪ ｙグ状の絶縁層５．５１
の外径より着干小さくしである。したがりて平面電極６
．６１はリング状の絶縁層５．５１のリング内ａにおい
てセラミック基板１と直接１．接触し、リング上すにお
いて絶縁層飄５１と接触する。なお、リード線は平面電
極６．６’に第２図に示す従来法と同じ方法によって取
付ける。
ク基板１の比誘電率に比し、はるかに低い比誘電率をも
つ無機物質又は有機物質よりなるリング状の絶縁層で、
セラミック基板１０表面および裏ｉ［Ｋ対称的に焼付け
、塗着等の手段によって形成される。６．６′はリング
状の絶縁層５．５′の上からセラミック基板１の表面お
よび裏面に焼付けその他の手段によって形成した円形の
平面電極で、その［径はＩＪ ｙグ状の絶縁層５．５１
の外径より着干小さくしである。したがりて平面電極６
．６１はリング状の絶縁層５．５１のリング内ａにおい
てセラミック基板１と直接１．接触し、リング上すにお
いて絶縁層飄５１と接触する。なお、リード線は平面電
極６．６’に第２図に示す従来法と同じ方法によって取
付ける。
上記電極構造を有する本発明のセラミック基〔静電容量
を第５図。等価。興より１明スル。Ｃ，ハリング内ａの
部分のセラミック基板１の静電容量、０．はリング間す
の部分のセラミック基板１の静電容量、Ｃ８は絶縁層５
．５′の静電容量でおる。電極Ａ、Ｂ間の総合静電容置
Ｃは第５図に示すように％Ｃ３、Ｃ１、Ｃｓの直列回路
をＣ１と並列に接続したものと等価になり、Ｃ１の比誘
導率がきわめて小さいときは０ζＣ，となる。なお、絶
縁層５．５′の静電容量Ｃ１はその材料および厚さを適
宜採択するととＫよって自由に設定することができる。
を第５図。等価。興より１明スル。Ｃ，ハリング内ａの
部分のセラミック基板１の静電容量、０．はリング間す
の部分のセラミック基板１の静電容量、Ｃ８は絶縁層５
．５′の静電容量でおる。電極Ａ、Ｂ間の総合静電容置
Ｃは第５図に示すように％Ｃ３、Ｃ１、Ｃｓの直列回路
をＣ１と並列に接続したものと等価になり、Ｃ１の比誘
導率がきわめて小さいときは０ζＣ，となる。なお、絶
縁層５．５′の静電容量Ｃ１はその材料および厚さを適
宜採択するととＫよって自由に設定することができる。
次にその具体的な実施例を実験値によって説明する。直
径１０箇、厚さ１閣のセラミック基板の表面および裏面
に、外径８ｍ、内径５箇の芳香族ポリアミド酸ワニスよ
りなるリング状の絶縁層５．５′を形成し、さらにその
上に直径６ｍの銀電極を焼付けて静電容量を測定したと
ころ５０ ＰＦであった。なお絶縁層５．５′のない第
２図の従来の構造の場合は９０ ＰＩＦであった。
径１０箇、厚さ１閣のセラミック基板の表面および裏面
に、外径８ｍ、内径５箇の芳香族ポリアミド酸ワニスよ
りなるリング状の絶縁層５．５′を形成し、さらにその
上に直径６ｍの銀電極を焼付けて静電容量を測定したと
ころ５０ ＰＦであった。なお絶縁層５．５′のない第
２図の従来の構造の場合は９０ ＰＩＦであった。
上記実施例における絶縁層はリング状の屯のを例示した
がこねは第６図Ｈ）ｉｃ示すようなセラミック基板１の
表面および裏面の一部を部分的に覆うもの７、あるいは
同図（ロ）Ｋ示すような円形のもの８でもよい。また、
セラミック基板１の表面および裏面の双方に設けること
なく片面だけでよい場合もある。要するに電極とセラミ
ック基板との間に１部分的に比誘電率の低い絶［１があ
ればよい。第６図ｆ→はリング状の絶縁層５．５′の上
を全面的に電極６．６′で被覆した実施例を示している
。
がこねは第６図Ｈ）ｉｃ示すようなセラミック基板１の
表面および裏面の一部を部分的に覆うもの７、あるいは
同図（ロ）Ｋ示すような円形のもの８でもよい。また、
セラミック基板１の表面および裏面の双方に設けること
なく片面だけでよい場合もある。要するに電極とセラミ
ック基板との間に１部分的に比誘電率の低い絶［１があ
ればよい。第６図ｆ→はリング状の絶縁層５．５′の上
を全面的に電極６．６′で被覆した実施例を示している
。
以上述べたように本発明のセラミック基板の電極構造は
、比誘電率の高いセラミック基板の表面および裏面の双
方又はその片面に、該セラミック基板の比誘電率よりも
はるかに低い比誘電率をもつ誘電体よりなる絶縁層を部
分的に設け、部分的に絶縁層を設けた前記セラミック基
板の表面および裏面に電極を形成した構造を有するので
以下述べるような効果がある。
、比誘電率の高いセラミック基板の表面および裏面の双
方又はその片面に、該セラミック基板の比誘電率よりも
はるかに低い比誘電率をもつ誘電体よりなる絶縁層を部
分的に設け、部分的に絶縁層を設けた前記セラミック基
板の表面および裏面に電極を形成した構造を有するので
以下述べるような効果がある。
（１）絶縁層の材料、形状、厚さ等を適宜採択設定する
ことにより、セラミック基板および電極構造に変更を加
えることなく電極間の静電容量を自由Ｋｖ４整すること
ができる。したがって静電容量の小さいセラミックバリ
スタを必要とするとき、第６図に示すように電極面積を
小さくする必要がないからリード線の半田付けが容易と
なり、前述の本発明の目的を達成することができる。（
２）絶縁層を設けるととＫよりヤセラ老ツク基板の機械
的強度が増強され、かつ方面性がなくなるため取扱いが
容易になる。（６）絶縁層の材料に電極物質となじみ易
い物質を採択す暮ことによって電極形成を容易にする。
ことにより、セラミック基板および電極構造に変更を加
えることなく電極間の静電容量を自由Ｋｖ４整すること
ができる。したがって静電容量の小さいセラミックバリ
スタを必要とするとき、第６図に示すように電極面積を
小さくする必要がないからリード線の半田付けが容易と
なり、前述の本発明の目的を達成することができる。（
２）絶縁層を設けるととＫよりヤセラ老ツク基板の機械
的強度が増強され、かつ方面性がなくなるため取扱いが
容易になる。（６）絶縁層の材料に電極物質となじみ易
い物質を採択す暮ことによって電極形成を容易にする。
第１図：従来のセラミック基板を示す図で、０）は平面
図、仲）は側面図 第２図：従来のセラミックバリスタの平面図第３図：従
来の静電容量の小さいセラミックバリスタの平面図 第４図二本発明のセラミック基板を示す図で、０）は平
面図、←）は断面図 第５図：本発明のセラミック基板の静電容量の等価回路
図 第６７二本発明のセラミック基板の他の実施例で、（イ
）←）（ハ）はその平面図 〔記号〕１・・・セラミック基板、 ２．２１．４・−従来の電極、６．６′−・リード線、
５．５１−・絶縁層、６．６′・一本発明の電極、７．
８・・・絶縁層 牙１図 牙２図 牙３図 Ａｌ
図、仲）は側面図 第２図：従来のセラミックバリスタの平面図第３図：従
来の静電容量の小さいセラミックバリスタの平面図 第４図二本発明のセラミック基板を示す図で、０）は平
面図、←）は断面図 第５図：本発明のセラミック基板の静電容量の等価回路
図 第６７二本発明のセラミック基板の他の実施例で、（イ
）←）（ハ）はその平面図 〔記号〕１・・・セラミック基板、 ２．２１．４・−従来の電極、６．６′−・リード線、
５．５１−・絶縁層、６．６′・一本発明の電極、７．
８・・・絶縁層 牙１図 牙２図 牙３図 Ａｌ
Claims (1)
- 比誘電率の高いセラミック基板の光面および裏面の双方
又はその片面に、該セラミック基板の比誘電率よりもは
るかに低い比誘電率をもつ誘電体よりなる絶縁層を部分
的に設け、部分的に絶縁層を設けた前記セラミック基板
の表面および裏面に電極面を形成したことを特徴とする
セラミック基板の電極構造
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158291A JPS5858702A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | セラミックバリスタ等の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158291A JPS5858702A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | セラミックバリスタ等の電極構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5858702A true JPS5858702A (ja) | 1983-04-07 |
| JPH039604B2 JPH039604B2 (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15668388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56158291A Granted JPS5858702A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | セラミックバリスタ等の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858702A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6232681A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-12 | キヤノン株式会社 | 電子材料セラミツク及びこれを用いた電子回路用基体 |
-
1981
- 1981-10-05 JP JP56158291A patent/JPS5858702A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6232681A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-12 | キヤノン株式会社 | 電子材料セラミツク及びこれを用いた電子回路用基体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH039604B2 (ja) | 1991-02-08 |
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