JPS5844510Y2 - ヒユ−ズ構造体 - Google Patents

ヒユ−ズ構造体

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JPS5844510Y2
JPS5844510Y2 JP1888879U JP1888879U JPS5844510Y2 JP S5844510 Y2 JPS5844510 Y2 JP S5844510Y2 JP 1888879 U JP1888879 U JP 1888879U JP 1888879 U JP1888879 U JP 1888879U JP S5844510 Y2 JPS5844510 Y2 JP S5844510Y2
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JP
Japan
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melting point
low melting
point metal
metal film
terminal conductor
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JP1888879U
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JPS55118451U (ja
Inventor
光春 村瀬
Original Assignee
内橋金属工業株式会社
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はヒユーズ構造体の改良に関し、超小型温度ヒユ
ーズとして有用なものである。
電子機器の超小型化に伴い、この機器に組み込んで使用
する温度ヒユーズにおいても、超小型化が要請されてい
る。
第1図は公知の温度ヒユーズを示している。
第1図において、1′はガラス、セラミック、耐熱性プ
ラスチック等からなる絶縁基板、2’、2’は絶縁基板
1′上に導電塗料の塗布、焼付けにより設けられた膜状
の一対のターミナル導体、3′はターミナル導体2’、
2’間を導通するように絶縁基板1′上に一体的に形成
された低融点金属膜である。
この低融点金属膜3′は、電気機器の異常温度上昇で溶
融断路し、その金属には、機器の許容温度に応じ、錫、
鉛、ビスマス、カドミウム、アンチモン、インジウム、
銀または、これらの合金が選択される。
上記温度ヒユーズによれば、絶縁基板の薄肉化(1mm
以下)とその平面性のために、温度ヒユーズを容易に小
型化でき、超小型電子機器への組込みを簡単に行うこと
ができる。
しかしながら、本考案者等の実験結果によれば、温度ヒ
ユーズが溶断する温度(こ達するまえに、温度ヒユーズ
がヒートサイクルに頻繁に曝される間、ターミナル導体
の導電塗料中の金属粒子が低融点金属層と相互拡散し、
該低融点金属の温度溶融特性が変化して温度ヒユーズの
誤動作が往々に生じることが判明した。
すなわち、ターミナル導体を銀糸導電塗料(組成:銀粉
法70重量%、残部エポキシレジン、焼付温度:150
℃)の塗付焼付けにより形成し、低融点金属膜をカドミ
ウム添加の錫・鉛合金(融点145℃)により形成し、
140℃で7日間放置後、低融点金属膜の溶融温度を測
定したところ、9%の増大であった。
これに対し、ターミナル導体に銅箔を使用した以外、上
記と同じとした場合の上記と同一条件下での低融点金属
膜の溶融温度値の増大は3%であった。
以上の実験結果から明らかなように、ターミナル導体に
、導電塗料を塗布・焼付けたものを使用する場合は、そ
のターミナル導体中の金属成分の低融点金属膜への拡散
を防止することが、温度ヒユーズの正常な動作保障上、
不可欠である。
本考案は本出願人が提案した前記のヒユーズ構造体を上
述の点に鑑みて改良したものである。
すなわち、本考案に係るヒユーズ構造体は、一対の膜状
のターミナル導体が絶縁基板上に導電塗料の塗布・焼付
けにより一体形成され、該ターミナル導体間を導通せる
低融点金属膜が上記絶縁基板上に一体形成され、この低
融点金属膜とターミナル導体との界面には、ターミナル
導体の金属と低融点金属膜とが相互拡散するのを防止す
るための拡数量止層が設けられていることを特徴とする
構成である。
以下、図面により本考案を説明する。
第2図において、1は絶縁基板である。
2,2は絶縁基板1上に一体成形された一対の膜状ター
ミナル導体であり、導電塗料の塗布・焼付けによって設
けである。
3は絶縁基板1上に一体成形された低融点金属膜であり
、ターミナル導体2,2間がこの低融点金属膜により導
通されている。
この低融点金属には、錫、鉛、ビスマス、カドミウム、
アンチモン、インジウム、銀またはこれらの合金が用い
られる。
4はターミナル導体2と低融点金属膜3との界面に設け
られた拡散防止層であり、ターミナル導体2の導電塗料
中の金属粒子が低融点金属層3に拡散するのを防止して
いる。
この拡散防止層4には、メッキ層、蒸着層を用いること
ができる。
この拡散防止層4と低融点金属膜3との溶着性を図るた
めに、拡散防止層4上には、30,30で示す通り、低
融点金属を予め、薄くメッキまたは蒸着しておくことが
望ましい。
第3図はターミナル導体2の全面に拡散防止層4を設け
た別実施例を示し、低融点金属のメッキまたは蒸着薄膜
30も拡膜防止層4の全面に設けられている。
5,5はポンチ゛ングワイヤーであり、ハンダ付け(図
における6、6)されている。
このポンチ゛ングワイヤーのハンダ6と低融点金属のメ
ッキまたは蒸着薄膜30との界面にも拡散防止層を設け
ることが望ましい。
本考案に係るヒユーズ構造体は上述した通りの構成であ
り、導電塗料を塗付・焼付けてなる膜状ターミナル導体
と低融点金属膜との界面に拡散防止層が設けられている
から、ターミナル導体の金属粒子と低融点金属膜とが相
互拡散するのを阻止でき、低融点金属膜の温度溶融特性
を安定に維持できる。
従ってターミナル導体を導電塗料の塗布・焼付けによっ
て形成した温度ヒユーズの誤動作を確実に防止でき、同
ヒユーズの実用化を図ることができる。
なお、本考案は電流ヒユーズとしても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本出願人が別途提案したヒユーズ構造体を示す
説明図、第2図並びに第3図は本考案のヒユーズ構造体
の各種実施例を示す説明図である。 図において、1は絶縁基板、2,2はターミナル導体、
3は低融点金属膜、4,4は拡散防止層である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 膜状の一対のターミナル導体が絶縁基板上に導電塗料の
    塗布・焼付けにより一体形成され、該ターミナル導体間
    を導通せる低融点金属膜が上記絶縁基板上に一体形成さ
    れ、この低融点金属膜とターミナル導体との界面には、
    ターミナル導体の金属が低融点金属膜に拡散するのを防
    止するための拡散防止層が設けられていることを特徴と
    するヒユーズ構造体。
JP1888879U 1979-02-15 1979-02-15 ヒユ−ズ構造体 Expired JPS5844510Y2 (ja)

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JP1888879U JPS5844510Y2 (ja) 1979-02-15 1979-02-15 ヒユ−ズ構造体

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Publication Number Publication Date
JPS55118451U JPS55118451U (ja) 1980-08-21
JPS5844510Y2 true JPS5844510Y2 (ja) 1983-10-08

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