JPS5853836A - 有機樹脂材料の付着性を増すための方法 - Google Patents
有機樹脂材料の付着性を増すための方法Info
- Publication number
- JPS5853836A JPS5853836A JP57104024A JP10402482A JPS5853836A JP S5853836 A JPS5853836 A JP S5853836A JP 57104024 A JP57104024 A JP 57104024A JP 10402482 A JP10402482 A JP 10402482A JP S5853836 A JPS5853836 A JP S5853836A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic resin
- substrate
- resin material
- adhesion
- organophosphine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- OZHUWVSXUOMDDU-UHFFFAOYSA-N tris(ethenyl)phosphane Chemical compound C=CP(C=C)C=C OZHUWVSXUOMDDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000597318 Hercus Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- GEKAWPIATFUQJW-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-phenylphosphane Chemical compound C=CP(C=C)C1=CC=CC=C1 GEKAWPIATFUQJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- AJVBXLXLODZUME-UHFFFAOYSA-N ethenyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=C)C1=CC=CC=C1 AJVBXLXLODZUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
- C08F2/52—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by electric discharge, e.g. voltolisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F30/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal
- C08F30/02—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing phosphorus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の分野
本発明は有機樹脂と基板、脣・てシリコン、二酸化シリ
コン、アルミニウム及び貴金属の如き基板、との間の付
着性を増すだめの方法に係る。
コン、アルミニウム及び貴金属の如き基板、との間の付
着性を増すだめの方法に係る。
本発明の方法は、基板を重合されたオルガノホスフィン
の層で被覆することによって、その様な付着性の増加を
達成する。
の層で被覆することによって、その様な付着性の増加を
達成する。
先住技監
付着促進剤の使用は当技術分野に於て例句である。それ
らの使用については、例えば、Ａｄｈｅａｉｖｅｓ四１
９７２年３月、第３７頁乃至第３９頁に於けるＢｅｒｓ
ｉｎ による’ Ｈｏｗ ｔｏ ＯｂｔａｉｎＳｔ
ｒｏｎｇ Ａｄｈｅｓｉｖｅ Ｂｏｎｄｓ Ｖｉａ
ＰｌａｓｍａＴｒｅａＭｎｅｎｔ” と題する文献、Ｉ
ＢＭＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕ
ｌｌｅｔｉｎ、第２０巻、第１２号、１９７８年５月、
第５２３６頁に於けるＢ ｒ Ｄ ；Ｗａｓｈｏ によ
る” Ａｄｈｅｓｉｏｎｏｆ Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏ
ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｏ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ”と題
する文献、及び米国特許第４１７３００．５号の明細書
等に示されている。燐を含む化合物を付着促進剤として
用いることについても、Ｊｏｕｒｎａ１１９７１年、第
１頁乃至第５０頁に於けるｔＣａｓｓｊｄｙａｎｄ Ｙ
ａｇｅｒによる” Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ａｇｅｎｔｓａ
ｓ Ａｄｈｅｓｉｏｎ Ｐｒｏｍｏｔｏｒｓ ”
と題する文献に於て示されている。
らの使用については、例えば、Ａｄｈｅａｉｖｅｓ四１
９７２年３月、第３７頁乃至第３９頁に於けるＢｅｒｓ
ｉｎ による’ Ｈｏｗ ｔｏ ＯｂｔａｉｎＳｔ
ｒｏｎｇ Ａｄｈｅｓｉｖｅ Ｂｏｎｄｓ Ｖｉａ
ＰｌａｓｍａＴｒｅａＭｎｅｎｔ” と題する文献、Ｉ
ＢＭＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕ
ｌｌｅｔｉｎ、第２０巻、第１２号、１９７８年５月、
第５２３６頁に於けるＢ ｒ Ｄ ；Ｗａｓｈｏ によ
る” Ａｄｈｅｓｉｏｎｏｆ Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏ
ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｏ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ”と題
する文献、及び米国特許第４１７３００．５号の明細書
等に示されている。燐を含む化合物を付着促進剤として
用いることについても、Ｊｏｕｒｎａ１１９７１年、第
１頁乃至第５０頁に於けるｔＣａｓｓｊｄｙａｎｄ Ｙ
ａｇｅｒによる” Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ａｇｅｎｔｓａ
ｓ Ａｄｈｅｓｉｏｎ Ｐｒｏｍｏｔｏｒｓ ”
と題する文献に於て示されている。
それらの従来技術は、本発明の方法に於ける如き重合法
による付着の促進については伺ら開示していない。
による付着の促進については伺ら開示していない。
本発明の要旨
本発明の方法に従って、有機樹脂と基板との間にプラズ
マ重合された不飽和のオルガノポスフィンの層を挿入す
ることによシ、上記有機樹脂と基板との間の不着性が著
しく増加される。本発明の方法に於ては、気体状の不飽
和のオルガノホスフィンが反応チェンバ内に導入され、
そこで放射エネルギにさらされる。この放射エネルギは
、旨周波（ＲＦ ）エネルギ又はマイクロ波族波数エネ
ルギのいずれでもよい。この照射は、不飽和のオルガノ
ホスフィンのプラズマ重合を生ぜじめて、その重合体の
膜を基板上に付着させる。基板が上記の重合されたオル
ガノホスフィンの、嗅て被覆された後、上記膜上に有機
樹脂が被覆される。
マ重合された不飽和のオルガノポスフィンの層を挿入す
ることによシ、上記有機樹脂と基板との間の不着性が著
しく増加される。本発明の方法に於ては、気体状の不飽
和のオルガノホスフィンが反応チェンバ内に導入され、
そこで放射エネルギにさらされる。この放射エネルギは
、旨周波（ＲＦ ）エネルギ又はマイクロ波族波数エネ
ルギのいずれでもよい。この照射は、不飽和のオルガノ
ホスフィンのプラズマ重合を生ぜじめて、その重合体の
膜を基板上に付着させる。基板が上記の重合されたオル
ガノホスフィンの、嗅て被覆された後、上記膜上に有機
樹脂が被覆される。
本発明による方法は、シリコン元素を含む基板に特に有
用である。それらの基板は、特にシリコン元素、二酸化
シリコン及び窒化シリコン等である。本発明は又、金属
の基板にも適用され得る。
用である。それらの基板は、特にシリコン元素、二酸化
シリコン及び窒化シリコン等である。本発明は又、金属
の基板にも適用され得る。
それらの具体的な例としては、アルミニウムや、ロジウ
ムの如き貴金属が挙げられ得る。
ムの如き貴金属が挙げられ得る。
電子的装置の製造に於ては、半導体の如き基板を有機樹
脂材料の表面安定化被膜又は絶縁被膜で被覆することが
望ましい場合が多い。その様な材料は当技術分野に於て
数多く知られている。本発明の方法に於て特に有用なそ
れらの材料は、ポリメタクリル酸メチル、特にポリメタ
クリル酸メチルを基材とする樹脂材料、及びＨｅｒｃｕ
ｌｅｓ社製のＨ樹脂（商品名）として知られている樹脂
である。しかしながら、従来においては、その様な被膜
と基板との間に良好な付着を得ることがしばしば困難で
あった。
脂材料の表面安定化被膜又は絶縁被膜で被覆することが
望ましい場合が多い。その様な材料は当技術分野に於て
数多く知られている。本発明の方法に於て特に有用なそ
れらの材料は、ポリメタクリル酸メチル、特にポリメタ
クリル酸メチルを基材とする樹脂材料、及びＨｅｒｃｕ
ｌｅｓ社製のＨ樹脂（商品名）として知られている樹脂
である。しかしながら、従来においては、その様な被膜
と基板との間に良好な付着を得ることがしばしば困難で
あった。
本発明の方法の実施に於ては、不飽和のオルガノホスフ
ィン材料が用いられる。その好ましい材料ハトリビニル
オスフインである。他の有用な材料には、ジビニルフェ
ニルホスフィン、ビニルジフェニルホスフィン、及ヒビ
ニルアルキルポスフィン等がある。
ィン材料が用いられる。その好ましい材料ハトリビニル
オスフインである。他の有用な材料には、ジビニルフェ
ニルホスフィン、ビニルジフェニルホスフィン、及ヒビ
ニルアルキルポスフィン等がある。
本発明の方法の実施に於ては、重合されたオルガノホス
フィンの付着膜は約４００乃至約６０ＯＡの厚さを有す
ると、とが好捷しい。ホスフィン重合体が付着された後
、最も好ましくは、Ｈ樹脂の如き樹脂が回転被覆によっ
て付着される。その付着膜は、例えば３５０℃でベーク
することにより硬化され得る。ＨＩＮ脂の膜の厚さは、
一般的には１乃至２μｍのオーダーである。本発明の方
法を用いて形成された場合には、それらの膜は反復され
たテストに於ても半導体基板から剥離され得なかった。
フィンの付着膜は約４００乃至約６０ＯＡの厚さを有す
ると、とが好捷しい。ホスフィン重合体が付着された後
、最も好ましくは、Ｈ樹脂の如き樹脂が回転被覆によっ
て付着される。その付着膜は、例えば３５０℃でベーク
することにより硬化され得る。ＨＩＮ脂の膜の厚さは、
一般的には１乃至２μｍのオーダーである。本発明の方
法を用いて形成された場合には、それらの膜は反復され
たテストに於ても半導体基板から剥離され得なかった。
これは、本発明の方法を用いずに形成された参照用試料
に於ける極めて容易に剥離された膜の場合と極めて対照
的である。
に於ける極めて容易に剥離された膜の場合と極めて対照
的である。
上記のプラズマ重合されたホスフィンをＥＳＣＡスペク
トルにより分析した結果、その重合体はその単量体と同
一の化学量論的組成を有しそして燐が２つの状態（恐ら
く、三価及び三価）で存在していることが示された。
トルにより分析した結果、その重合体はその単量体と同
一の化学量論的組成を有しそして燐が２つの状態（恐ら
く、三価及び三価）で存在していることが示された。
主聚肚Δ統夫嵐匹
次に示す実施例は本発明の範囲を何ら限定するものでは
なく、単に説明のために示されたものであって、多くの
変更が可能である。
なく、単に説明のために示されたものであって、多くの
変更が可能である。
（トリビニルホスフィンのプラズマ付ｆＦ）トリビニル
ホスフィンが、６５ｎｍの圧力を維持する様にミ排気さ
れた管状のガラス反応炉中に注入される（該有機物が存
在していない時の圧力は略５乃至１０ｎｍである）。上
記反応炉の下手に接続されているチェンバ（直径略２５
ｍ１高さ略１５ｔＭ）は、付着促進剤を付着される基板
ウェハが保持されるプラテン（直径略１８ｃｒｎ）を有
している。該プラテンは毎分略８回の速度で回転する。
ホスフィンが、６５ｎｍの圧力を維持する様にミ排気さ
れた管状のガラス反応炉中に注入される（該有機物が存
在していない時の圧力は略５乃至１０ｎｍである）。上
記反応炉の下手に接続されているチェンバ（直径略２５
ｍ１高さ略１５ｔＭ）は、付着促進剤を付着される基板
ウェハが保持されるプラテン（直径略１８ｃｒｎ）を有
している。該プラテンは毎分略８回の速度で回転する。
上記反応炉の周囲のコイルを経て結合されている１ ３
．５ ＭＨｚ の高周波電力を加えることにより、グ
ロー放電が維持される。スローン（’５ｌｏａｎ）・ゲ
ージを用いた結晶モニタによシ厚さがモニタされる。そ
の結晶は回転されている基板よりも約１ｍ上方に配置さ
れている。被覆は略１５ワツトの電力を加えることによ
って行われる。その付着速度は毎分路３０Ｘである。
．５ ＭＨｚ の高周波電力を加えることにより、グ
ロー放電が維持される。スローン（’５ｌｏａｎ）・ゲ
ージを用いた結晶モニタによシ厚さがモニタされる。そ
の結晶は回転されている基板よりも約１ｍ上方に配置さ
れている。被覆は略１５ワツトの電力を加えることによ
って行われる。その付着速度は毎分路３０Ｘである。
出願 人 インターナショナル・ビジネス・マシーン
ズ・コーホｌづタン代理人 弁理士 岡 １）
次 生（外１名）
ズ・コーホｌづタン代理人 弁理士 岡 １）
次 生（外１名）
Claims (1)
- 不飽和のオルガノホスフィンの蒸気を反応チェンバ内に
導入し、基板上に重合されたオルガノホスフィンの膜が
付着される様に上記オルガノホスフィンの気体を放射エ
ネルギにさらし、上記の重合されたオルガノホスフィン
の膜上に有機樹脂の被嘆を付着することを含む、基板へ
の有機樹脂材料の付着性を増すための方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/299,273 US4371565A (en) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | Process for adhering an organic resin to a substrate by means of plasma polymerized phosphines |
| US299273 | 2002-11-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5853836A true JPS5853836A (ja) | 1983-03-30 |
| JPS6362093B2 JPS6362093B2 (ja) | 1988-12-01 |
Family
ID=23154081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57104024A Granted JPS5853836A (ja) | 1981-09-04 | 1982-06-18 | 有機樹脂材料の付着性を増すための方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4371565A (ja) |
| EP (1) | EP0073924B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5853836A (ja) |
| CA (1) | CA1184149A (ja) |
| DE (1) | DE3275632D1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4497890A (en) * | 1983-04-08 | 1985-02-05 | Motorola, Inc. | Process for improving adhesion of resist to gold |
| IT1191646B (it) * | 1985-12-19 | 1988-03-23 | Montedison Spa | Processo per l'adesione di poli-p.xililene a substrati e articoli ottenuti |
| JP2555732Y2 (ja) * | 1991-12-12 | 1997-11-26 | 松下電器産業株式会社 | 洗濯機の脚装置 |
| WO1995016715A1 (en) * | 1993-12-16 | 1995-06-22 | Ciba-Geigy Ag | Process for flame-proofing organic polymeric materials |
| KR100325526B1 (ko) * | 1998-10-26 | 2002-04-17 | 윤종용 | 잉크 분사 장치의 제조 방법 |
| JP5432602B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2014-03-05 | 富士フイルム株式会社 | バリア性積層体、ガスバリアフィルム、デバイス |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3387991A (en) * | 1964-10-13 | 1968-06-11 | Rexall Drug Chemical | Glow discharge polymerization coating of polyolefin surfaces to render them receptive to adhesives, inks, and the like |
| GB1146550A (en) * | 1966-07-26 | 1969-03-26 | Standard Telephones Cables Ltd | Polymeric product preparation method |
| JPS53109703A (en) * | 1977-03-08 | 1978-09-25 | Teijin Ltd | Improved supporting plate |
| US4176003A (en) * | 1978-02-22 | 1979-11-27 | Ncr Corporation | Method for enhancing the adhesion of photoresist to polysilicon |
| US4279723A (en) * | 1978-08-18 | 1981-07-21 | The Regents Of The University Of California | Polymerization of inorganic element-containing monomers using plasma |
| US4283481A (en) * | 1978-09-11 | 1981-08-11 | Napp Systems (Usa) Inc. | Element having phosphine activated photosensitive compositions therein |
| JPS6053675B2 (ja) * | 1978-09-20 | 1985-11-27 | 富士写真フイルム株式会社 | スピンコ−テイング方法 |
-
1981
- 1981-09-04 US US06/299,273 patent/US4371565A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-06-18 JP JP57104024A patent/JPS5853836A/ja active Granted
- 1982-07-15 CA CA000407313A patent/CA1184149A/en not_active Expired
- 1982-07-30 EP EP82106896A patent/EP0073924B1/en not_active Expired
- 1982-07-30 DE DE8282106896T patent/DE3275632D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1184149A (en) | 1985-03-19 |
| EP0073924B1 (en) | 1987-03-11 |
| JPS6362093B2 (ja) | 1988-12-01 |
| DE3275632D1 (en) | 1987-04-16 |
| EP0073924A3 (en) | 1984-03-28 |
| EP0073924A2 (en) | 1983-03-16 |
| US4371565A (en) | 1983-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5364666A (en) | Process for barrier coating of plastic objects | |
| GB2155862A (en) | Plasma surface processing | |
| JPS61220863A (ja) | インク・ジエツト・ノズル・プレ−ト | |
| EP0541916A1 (de) | Verfahren zur Oberflächenpassivierung von Sensoren | |
| US4465738A (en) | Wettable coatings for inorganic substrates | |
| KR20070085888A (ko) | 플라스마 중합에 의한 표면의 화학적 기능화 방법 | |
| JPS5853836A (ja) | 有機樹脂材料の付着性を増すための方法 | |
| JP2850834B2 (ja) | 非晶質炭素膜の製造方法及び半導体装置 | |
| Mittal et al. | Vapor deposited silanes and other coupling agents | |
| ATE24941T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer polymerisierten schicht auf einem substrat. | |
| JPS63277593A (ja) | ダイヤモンド被覆素子およびその製造方法 | |
| EP0501694A2 (en) | Method of manufacturing a colour filter and colour electrooptical device | |
| JPS59195832A (ja) | エツチング装置 | |
| JP3513811B2 (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 | |
| JPH09511193A (ja) | 炭素−被覆された高エネルギー表面を有する遮断フィルム | |
| JP4372962B2 (ja) | 有機−無機複合積層構造体 | |
| JPH06228344A (ja) | 表面改質方法 | |
| JPH0258744A (ja) | 光ディスクメモリー | |
| JPH0418456B2 (ja) | ||
| JP2000144374A (ja) | プラスチック製基材の表面処理法および被覆プラスチック物品 | |
| JP2586012B2 (ja) | 錫薄膜の形成方法 | |
| JP2906475B2 (ja) | アルコールガス検出素子 | |
| JPH0660404B2 (ja) | カ−ボン硬質膜を被覆した金属部材 | |
| JPH0656831B2 (ja) | リソグラフィー用マスク構造体の製造方法、及び薄膜の製造方法 | |
| JPS61233366A (ja) | キヤピラリイ・カラム用基板 |