JP2000144374A - プラスチック製基材の表面処理法および被覆プラスチック物品 - Google Patents
プラスチック製基材の表面処理法および被覆プラスチック物品Info
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- JP2000144374A JP2000144374A JP10316442A JP31644298A JP2000144374A JP 2000144374 A JP2000144374 A JP 2000144374A JP 10316442 A JP10316442 A JP 10316442A JP 31644298 A JP31644298 A JP 31644298A JP 2000144374 A JP2000144374 A JP 2000144374A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラスチック製基材上に、ＵＬ規格に合格す
る密着力が得られるように金属薄膜を形成するため、プ
ラスチック製基材の表面を処理する方法および被覆プラ
スチック物品の提供。 【解決手段】 真空成膜装置を用いて、スパッタリング
法、真空蒸着法、またはイオンプレーティング法等によ
り、プラスチック製基材上にアモルファス炭素を形成
し、次いでクロム、またはチタンの膜を形成する。さら
に、該表面処理済みの基材上に、スパッタ法等によりア
ルミニウム、銅、またはニッケルの被膜を形成する。
る密着力が得られるように金属薄膜を形成するため、プ
ラスチック製基材の表面を処理する方法および被覆プラ
スチック物品の提供。 【解決手段】 真空成膜装置を用いて、スパッタリング
法、真空蒸着法、またはイオンプレーティング法等によ
り、プラスチック製基材上にアモルファス炭素を形成
し、次いでクロム、またはチタンの膜を形成する。さら
に、該表面処理済みの基材上に、スパッタ法等によりア
ルミニウム、銅、またはニッケルの被膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチック製基
材の表面処理法、および被覆プラスチック物品に関す
る。これらの表面処理は、スパッタリング装置、真空蒸
着装置、イオンプレーティング装置等の真空成膜装置を
用いて行われ、例えば携帯電話内面にコーティングされ
る電磁波シールド被膜形成、鏡等の反射金属被膜の形
成、プラスチック製基材への金属被膜形成の前処理等に
利用される。
材の表面処理法、および被覆プラスチック物品に関す
る。これらの表面処理は、スパッタリング装置、真空蒸
着装置、イオンプレーティング装置等の真空成膜装置を
用いて行われ、例えば携帯電話内面にコーティングされ
る電磁波シールド被膜形成、鏡等の反射金属被膜の形
成、プラスチック製基材への金属被膜形成の前処理等に
利用される。
【０００２】
【従来の技術】従来、電化製品のためのプラスチック筺
体材料として、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン
−スチレン）樹脂が一般的に知られている。この樹脂
は、ゴム成分およびブタジエン成分の効果によりもたら
される、優れた柔軟性、かつ、優れた２次加工性（プラ
スチック表面への金属被膜形成）を有する材料であるの
で、その表面に、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ等の電磁波シールド
被膜を湿式メッキまたは真空蒸着等で０．５μｍの厚さ
に形成することにより、電磁波シールド被膜を形成して
いた。
体材料として、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン
−スチレン）樹脂が一般的に知られている。この樹脂
は、ゴム成分およびブタジエン成分の効果によりもたら
される、優れた柔軟性、かつ、優れた２次加工性（プラ
スチック表面への金属被膜形成）を有する材料であるの
で、その表面に、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ等の電磁波シールド
被膜を湿式メッキまたは真空蒸着等で０．５μｍの厚さ
に形成することにより、電磁波シールド被膜を形成して
いた。
【０００３】また、近年、エンジニアリングプラスチッ
クといわれるポリカーボネート（ＰＣ）からなる筺体が
高強度を有し、かつ、耐熱性に優れていることから注目
され、多くの電化製品に採用されている。また、ＰＣと
ＡＢＳとを混合したＰＣ／ＡＢＳ混合体も同様な効果を
持つことから多く使われるようになっている。
クといわれるポリカーボネート（ＰＣ）からなる筺体が
高強度を有し、かつ、耐熱性に優れていることから注目
され、多くの電化製品に採用されている。また、ＰＣと
ＡＢＳとを混合したＰＣ／ＡＢＳ混合体も同様な効果を
持つことから多く使われるようになっている。
【０００４】しかし、これらのＰＣを含む合成プラスチ
ックは、耐衝撃性に優れている反面、プラスチック表面
の分子の末端が不活性分子により覆われているため、そ
の表面が安定していることから、２次加工性が悪い。従
って、ＰＣまたはＰＣ／ＡＢＳへ直接金属被膜を形成す
ると、密着性が極めて弱くなり、電磁波シールドの密着
性の規格として知られるＵＬ規格に合格できるものを作
製することはできなかった。そのため、密着性をあげる
方法として、以下に示す前処理が検討されていたが、い
ずれの前処理を行った場合も、ＵＬ規格に合格できる電
磁波シールド被膜を形成することはできなかった。
ックは、耐衝撃性に優れている反面、プラスチック表面
の分子の末端が不活性分子により覆われているため、そ
の表面が安定していることから、２次加工性が悪い。従
って、ＰＣまたはＰＣ／ＡＢＳへ直接金属被膜を形成す
ると、密着性が極めて弱くなり、電磁波シールドの密着
性の規格として知られるＵＬ規格に合格できるものを作
製することはできなかった。そのため、密着性をあげる
方法として、以下に示す前処理が検討されていたが、い
ずれの前処理を行った場合も、ＵＬ規格に合格できる電
磁波シールド被膜を形成することはできなかった。
【０００５】（１）高分子被膜のスプレー塗布によるア
ンダーコート処理（プライマー処理） （２）コロナ放電照射による表面改質 （３）紫外線照射による表面改質 （４）有機溶剤（アセトン、メタクレン等）による表面
改質 上記（１）に示す前処理では、基材材料のＰＣまたはＰ
Ｃ／ＡＢＳと異なる高分子材料を該基材表面上にスプレ
ーにより塗布し、電磁波シールド被膜の密着力を向上さ
せる方法であるが、結合力が弱く、ＵＬ規格に合格でき
る密着力を得ることは不可能であった。また、人間が手
作業により個々の基材に塗布し、乾燥も半日以上の時間
が必要なため、手間がかかる方法でもあった。上記
（２）および（３）に示す前処理は、プラズマまたは紫
外線をＰＣ、ＰＣ／ＡＢＳに直接照射してプラスチック
材料表面にＣ＝Ｏ基を生成し表面を親水化することで密
着力を向上させる方法であるが、経時変化があるため密
着性の劣化が起こるという問題がある。さらに、上記
（４）の場合も同様に、プラスチック表面を改質し、密
着力を向上させる方法であるが、ＵＬ規格を満足するも
のは得られなかった。これは、有機溶剤によりプラスチ
ック表面処理を行うと、該溶剤が表面より深い位置まで
浸透し、表面が荒れると共に、その処理された領域は一
時的に表面改質が行われたに過ぎず、表面が非常に不安
定であるからである。
ンダーコート処理（プライマー処理） （２）コロナ放電照射による表面改質 （３）紫外線照射による表面改質 （４）有機溶剤（アセトン、メタクレン等）による表面
改質 上記（１）に示す前処理では、基材材料のＰＣまたはＰ
Ｃ／ＡＢＳと異なる高分子材料を該基材表面上にスプレ
ーにより塗布し、電磁波シールド被膜の密着力を向上さ
せる方法であるが、結合力が弱く、ＵＬ規格に合格でき
る密着力を得ることは不可能であった。また、人間が手
作業により個々の基材に塗布し、乾燥も半日以上の時間
が必要なため、手間がかかる方法でもあった。上記
（２）および（３）に示す前処理は、プラズマまたは紫
外線をＰＣ、ＰＣ／ＡＢＳに直接照射してプラスチック
材料表面にＣ＝Ｏ基を生成し表面を親水化することで密
着力を向上させる方法であるが、経時変化があるため密
着性の劣化が起こるという問題がある。さらに、上記
（４）の場合も同様に、プラスチック表面を改質し、密
着力を向上させる方法であるが、ＵＬ規格を満足するも
のは得られなかった。これは、有機溶剤によりプラスチ
ック表面処理を行うと、該溶剤が表面より深い位置まで
浸透し、表面が荒れると共に、その処理された領域は一
時的に表面改質が行われたに過ぎず、表面が非常に不安
定であるからである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するものであり、プラスチック製基材上に、ＵＬ
規格に合格する密着力が得られるように金属薄膜を形成
するために、プラスチック製基材の表面を処理する方
法、および被覆プラスチック物品を提供することを課題
とする。
を解決するものであり、プラスチック製基材上に、ＵＬ
規格に合格する密着力が得られるように金属薄膜を形成
するために、プラスチック製基材の表面を処理する方
法、および被覆プラスチック物品を提供することを課題
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のプラスチック製
基材の表面処理法は、真空成膜装置を用いて、例えばス
パッタ法、真空蒸着法、またはイオンプレーティング法
等により、プラスチック製基材上にアモルファス炭素を
形成し、次いで、その上にクロム、またはチタンの膜を
形成するものである。
基材の表面処理法は、真空成膜装置を用いて、例えばス
パッタ法、真空蒸着法、またはイオンプレーティング法
等により、プラスチック製基材上にアモルファス炭素を
形成し、次いで、その上にクロム、またはチタンの膜を
形成するものである。
【０００８】該プラスチック製基材としては、例えば、
ポリカーボネート、ポリカーボネートとＡＢＳ樹脂との
混合体、アクリル樹脂、ポリプロピレン、ポリイミド、
フルオロカーボン樹脂（例えば、ポリテトラフルオロエ
チレン）、またはこれらの混合体からなる基材を用いる
ことができる。
ポリカーボネート、ポリカーボネートとＡＢＳ樹脂との
混合体、アクリル樹脂、ポリプロピレン、ポリイミド、
フルオロカーボン樹脂（例えば、ポリテトラフルオロエ
チレン）、またはこれらの混合体からなる基材を用いる
ことができる。
【０００９】該プラスチック製基材の表面を前記したよ
うに処理し、次いで、例えばスパッタ法等により表面処
理済みの基材上にアルミニウム、銅、またはニッケルの
金属薄膜を形成することができる。表面処理工程におい
て、基材表面がクロム、またはチタンの金属表面に改質
されているので、通常のスパッタにおいて使用可能な金
属は殆ど表面処理された基材上に密着性良く形成するこ
とができる。
うに処理し、次いで、例えばスパッタ法等により表面処
理済みの基材上にアルミニウム、銅、またはニッケルの
金属薄膜を形成することができる。表面処理工程におい
て、基材表面がクロム、またはチタンの金属表面に改質
されているので、通常のスパッタにおいて使用可能な金
属は殆ど表面処理された基材上に密着性良く形成するこ
とができる。
【００１０】また、本発明の被覆プラスチック物品は、
プラスチック製基材と、その上に形成されたアモルファ
ス炭素層とクロム、またはチタンの層とからなる中間層
と、該中間層の上に形成されたアルミニウム、銅、また
はニッケルの被膜とからなっている。
プラスチック製基材と、その上に形成されたアモルファ
ス炭素層とクロム、またはチタンの層とからなる中間層
と、該中間層の上に形成されたアルミニウム、銅、また
はニッケルの被膜とからなっている。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。 （実施例１）スパッタ法によりＡｌ膜からなる電磁波シ
ールド被膜をＰＣ／ＡＢＳ基材上に形成せしめた。その
際、表１に示すように、被膜の密着性改善のための前処
理（ＡおよびＢ）を行って、アモルファスＣ層とＣｒ層
とからなる中間層を設け、該電磁波シールド被膜の密着
性改善を行った。
する。 （実施例１）スパッタ法によりＡｌ膜からなる電磁波シ
ールド被膜をＰＣ／ＡＢＳ基材上に形成せしめた。その
際、表１に示すように、被膜の密着性改善のための前処
理（ＡおよびＢ）を行って、アモルファスＣ層とＣｒ層
とからなる中間層を設け、該電磁波シールド被膜の密着
性改善を行った。
【００１２】
【表１】 次いで、前処理された基材上に、図１（Ａ）および
（Ｂ）に示すスパッタ装置を用いて金属被膜の形成を行
った。真空槽１には、スパッタカソード２基とプラスチ
ック基材２に対向させて配置したプラズマＣＶＤ用の電
極３とを設けてあり、プラスチック基材２は基材ホルダ
ー４に固定されている。基材ホルダー４を回転させて、
各基材を各カソードおよび電極２上に移動させ、それぞ
れの基材上に成膜を行った。真空槽１は、１．３×１０
-3Ｐａ以下に排気し、Ｃ2Ｈ2ガスを所定の圧力まで導入
した後、該電極にＲＦ電力を印加し、基材にアモルファ
スＣを形成した。その後、基材をＣｒターゲット５上に
移動し、Ｃｒを５０ｎｍの厚さまで成膜した。最後に、
該基材をＡｌターゲット６上に移動し、Ａｌのスパッタ
成膜を行い５００ｎｍのＡｌ膜を形成した。プラズマＣ
ＶＤによるアモルファスＣおよび金属被膜の成膜条件を
表２に示す。なお、スパッタ出力は約１．２ｋＷ（６０
０Ｖ×２．０Ａ）であった。
（Ｂ）に示すスパッタ装置を用いて金属被膜の形成を行
った。真空槽１には、スパッタカソード２基とプラスチ
ック基材２に対向させて配置したプラズマＣＶＤ用の電
極３とを設けてあり、プラスチック基材２は基材ホルダ
ー４に固定されている。基材ホルダー４を回転させて、
各基材を各カソードおよび電極２上に移動させ、それぞ
れの基材上に成膜を行った。真空槽１は、１．３×１０
-3Ｐａ以下に排気し、Ｃ2Ｈ2ガスを所定の圧力まで導入
した後、該電極にＲＦ電力を印加し、基材にアモルファ
スＣを形成した。その後、基材をＣｒターゲット５上に
移動し、Ｃｒを５０ｎｍの厚さまで成膜した。最後に、
該基材をＡｌターゲット６上に移動し、Ａｌのスパッタ
成膜を行い５００ｎｍのＡｌ膜を形成した。プラズマＣ
ＶＤによるアモルファスＣおよび金属被膜の成膜条件を
表２に示す。なお、スパッタ出力は約１．２ｋＷ（６０
０Ｖ×２．０Ａ）であった。
【００１３】
【表２】 上記のようにして形成したＡｌ被膜の密着性を、以下の
ようにして評価し、その結果を表３に示す。
ようにして評価し、その結果を表３に示す。
【００１４】
【表３】 密着性評価試験は、ＵＬ７４６Ｃ、第５０章の方法Ｂに
記載のＡＮＳＩ／ＡＳＴＭＤ３３５９、方法Ｂ−クロス
カットテープテストに従って行った。この試験は、試料
に対し、表面被膜を通して下地材まで碁盤目にカット
し、碁盤目上に感圧テープを貼り、このテープを剥がす
際に、カットした表面からの金属薄片の剥離状態を観察
し、剥離なしの場合を「５Ｂ」として評価し、６５％以
上剥離した場合を「０Ｂ」として評価した。なお、５％
未満剥離を「４Ｂ」、５〜１５％を「３Ｂ」として評価
し、４Ｂ以上がＵＬ規格合格とされる。
記載のＡＮＳＩ／ＡＳＴＭＤ３３５９、方法Ｂ−クロス
カットテープテストに従って行った。この試験は、試料
に対し、表面被膜を通して下地材まで碁盤目にカット
し、碁盤目上に感圧テープを貼り、このテープを剥がす
際に、カットした表面からの金属薄片の剥離状態を観察
し、剥離なしの場合を「５Ｂ」として評価し、６５％以
上剥離した場合を「０Ｂ」として評価した。なお、５％
未満剥離を「４Ｂ」、５〜１５％を「３Ｂ」として評価
し、４Ｂ以上がＵＬ規格合格とされる。
【００１５】表３から明らかなように、本発明の金属被
膜の密着性は十分ＵＬ規格に合格するものであった。か
くして、ＵＬ規格に合格しうる密着性を有する金属被膜
の形成されたプラスチック物品が得られた。 （実施例２）実施例１における中間層を形成する際に、
実施例１の場合と異なり、Ｃターゲットを用いてスパッ
タし、アモルファスＣを得た。このスパッタは、所定の
圧力のＣ2Ｈ2またはＨ2をスパッタガス中に導入して行
った。スパッタ条件は表２に示したＣｒ、Ａｌのスパッ
タ条件に準じた。但し、スパッタ出力のみ、ＲＦ１ｋＷ
にして行った。かくして形成されたアモルファスＣの膜
質は実施例１の場合と同様であった。得られた中間層の
上に実施例１と同様にして金属被膜を形成せしめたとこ
ろ金属被膜の密着性は実施例１の場合と同様に良好であ
り、十分ＵＬ規格に合格するものであった。 （実施例３）本実施例では、プラスチック基材にアモル
ファスＣを形成する方法を、実施例１記載のように基材
に対向させた電極にＲＦ電力を印加して行う代わりに、
基材ホルダーに直接ＲＦ電力を印加し、表２に示したア
モルファスＣ形成条件の下で行った。次いで、実施例１
の方法を繰り返して、金属被膜を形成せしめたところ、
実施例１と同様の密着性が得られ、十分ＵＬ規格に合格
するものであった。 （実施例４）本実施例では、実施例１のＡｌターゲット
の代わりに、銅またはニッケルのターゲットを用いて、
実施例１と同様にして各金属被膜を形成した。これらの
金属被膜の密着性は実施例１の場合と同様であり、十分
ＵＬ規格に合格するものであった。 （実施例５）本実施例では、Ｃｒターゲットの代わり
に、Ｔｉターゲットを用いて実施例１の方法を繰り返し
た。得られた金属被膜の密着性は実施例１の場合と同様
であり、十分ＵＬ規格に合格するものであった。 （実施例６）本実施例では、プラスチック基材の材質と
して、ＰＣ／ＡＢＳの代わりに、ポリカーボネート単
独、アクリル樹脂、ポリプロピレン、ポリイミド、また
はポリテトラフルオロエチレンからなる基材を用いて、
実施例１の方法を繰り返した。得られた金属被膜の密着
性は実施例１の場合と同様であり、十分ＵＬ規格に合格
するものであった。
膜の密着性は十分ＵＬ規格に合格するものであった。か
くして、ＵＬ規格に合格しうる密着性を有する金属被膜
の形成されたプラスチック物品が得られた。 （実施例２）実施例１における中間層を形成する際に、
実施例１の場合と異なり、Ｃターゲットを用いてスパッ
タし、アモルファスＣを得た。このスパッタは、所定の
圧力のＣ2Ｈ2またはＨ2をスパッタガス中に導入して行
った。スパッタ条件は表２に示したＣｒ、Ａｌのスパッ
タ条件に準じた。但し、スパッタ出力のみ、ＲＦ１ｋＷ
にして行った。かくして形成されたアモルファスＣの膜
質は実施例１の場合と同様であった。得られた中間層の
上に実施例１と同様にして金属被膜を形成せしめたとこ
ろ金属被膜の密着性は実施例１の場合と同様に良好であ
り、十分ＵＬ規格に合格するものであった。 （実施例３）本実施例では、プラスチック基材にアモル
ファスＣを形成する方法を、実施例１記載のように基材
に対向させた電極にＲＦ電力を印加して行う代わりに、
基材ホルダーに直接ＲＦ電力を印加し、表２に示したア
モルファスＣ形成条件の下で行った。次いで、実施例１
の方法を繰り返して、金属被膜を形成せしめたところ、
実施例１と同様の密着性が得られ、十分ＵＬ規格に合格
するものであった。 （実施例４）本実施例では、実施例１のＡｌターゲット
の代わりに、銅またはニッケルのターゲットを用いて、
実施例１と同様にして各金属被膜を形成した。これらの
金属被膜の密着性は実施例１の場合と同様であり、十分
ＵＬ規格に合格するものであった。 （実施例５）本実施例では、Ｃｒターゲットの代わり
に、Ｔｉターゲットを用いて実施例１の方法を繰り返し
た。得られた金属被膜の密着性は実施例１の場合と同様
であり、十分ＵＬ規格に合格するものであった。 （実施例６）本実施例では、プラスチック基材の材質と
して、ＰＣ／ＡＢＳの代わりに、ポリカーボネート単
独、アクリル樹脂、ポリプロピレン、ポリイミド、また
はポリテトラフルオロエチレンからなる基材を用いて、
実施例１の方法を繰り返した。得られた金属被膜の密着
性は実施例１の場合と同様であり、十分ＵＬ規格に合格
するものであった。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、真空槽内で一貫した金
属被覆を行っており、すなわちプラスチック製基材上に
アモルファス炭素層とクロム等の金属の層とからなる中
間層を設けているので、該中間層の上にアルミニウム等
の金属被膜を形成することができ、この金属被膜の密着
性がＵＬ規格に合格できるものとなる。かくして、本発
明の方法は、種々の用途に利用でき、例えば電磁波シー
ルド被膜の形成等に利用できる。
属被覆を行っており、すなわちプラスチック製基材上に
アモルファス炭素層とクロム等の金属の層とからなる中
間層を設けているので、該中間層の上にアルミニウム等
の金属被膜を形成することができ、この金属被膜の密着
性がＵＬ規格に合格できるものとなる。かくして、本発
明の方法は、種々の用途に利用でき、例えば電磁波シー
ルド被膜の形成等に利用できる。
【図１】（Ａ）本発明の実施例で用いたスパッタ装置の
構成を示す概念的平面図。 （Ｂ）図１（Ａ）のスパッタ装置の断面図。
構成を示す概念的平面図。 （Ｂ）図１（Ａ）のスパッタ装置の断面図。
１ 真空槽 ２ プラスチック
製基材 ３ プラズマＣＶＤ用電極 ４ 基材ホルダー ５ Ｃｒターゲット ６ Ａｌターゲッ
ト
製基材 ３ プラズマＣＶＤ用電極 ４ 基材ホルダー ５ Ｃｒターゲット ６ Ａｌターゲッ
ト
フロントページの続き (72)発明者 松崎 封徳 茨城県つくば市東光台５−９−７ 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内 (72)発明者 倉内 利春 茨城県つくば市東光台５−９−７ 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内 Ｆターム(参考） 4K029 AA11 BA03 BA07 BA08 BA12 BA17 BB02 BC06 CA05 DC03 DC16 DC35 FA01 JA01
Claims (2)
- 【請求項１】 真空成膜装置を用いて、プラスチック製
基材上にアモルファス炭素を形成し、次いで、その上に
クロム、またはチタンの膜を形成することを特徴とする
プラスチック製基材の表面処理法。 - 【請求項２】 プラスチック製基材と、その上に形成さ
れたアモルファス炭素層とクロムまたはチタンの層とか
らなる中間層と、該中間層の上に形成されたアルミニウ
ム、銅、またはニッケルの被膜とからなることを特徴と
する被覆プラスチック物品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31644298A JP4138971B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | プラスチック製基材の表面処理法および被覆プラスチック物品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31644298A JP4138971B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | プラスチック製基材の表面処理法および被覆プラスチック物品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000144374A true JP2000144374A (ja) | 2000-05-26 |
| JP4138971B2 JP4138971B2 (ja) | 2008-08-27 |
Family
ID=18077142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31644298A Expired - Fee Related JP4138971B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | プラスチック製基材の表面処理法および被覆プラスチック物品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4138971B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7572658B2 (en) | 2005-09-23 | 2009-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing display panel for flexible display device |
| CN102766875A (zh) * | 2012-07-09 | 2012-11-07 | 珠海承鸥卫浴用品有限公司 | Pvd拉丝产品的表面处理工艺 |
| KR101616908B1 (ko) | 2009-12-24 | 2016-05-02 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 플라즈마를 이용한 건식 금속 코팅 방법 |
| CN115896695A (zh) * | 2023-01-09 | 2023-04-04 | 北京华锐臻隆技术有限公司 | 耐氙灯测试的复合板材及其镀膜方法 |
-
1998
- 1998-11-06 JP JP31644298A patent/JP4138971B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7572658B2 (en) | 2005-09-23 | 2009-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing display panel for flexible display device |
| KR101616908B1 (ko) | 2009-12-24 | 2016-05-02 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 플라즈마를 이용한 건식 금속 코팅 방법 |
| CN102766875A (zh) * | 2012-07-09 | 2012-11-07 | 珠海承鸥卫浴用品有限公司 | Pvd拉丝产品的表面处理工艺 |
| CN115896695A (zh) * | 2023-01-09 | 2023-04-04 | 北京华锐臻隆技术有限公司 | 耐氙灯测试的复合板材及其镀膜方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4138971B2 (ja) | 2008-08-27 |
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