CN115896695A - 耐氙灯测试的复合板材及其镀膜方法 - Google Patents
耐氙灯测试的复合板材及其镀膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115896695A CN115896695A CN202310024097.9A CN202310024097A CN115896695A CN 115896695 A CN115896695 A CN 115896695A CN 202310024097 A CN202310024097 A CN 202310024097A CN 115896695 A CN115896695 A CN 115896695A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- coating
- composite board
- carbon
- xenon lamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及镀膜技术领域，尤其是涉及一种耐氙灯测试的复合板材及其镀膜方法。耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，包括如下步骤：（a）对待镀膜的复合板基材进行等离子活化处理；（b）再进行预沉积形成碳层，然后在所述碳层上沉积Si、Zr、Ti和Mo中的任一种或多种，形成第二沉积层；其中，步骤（a）中，所述等离子活化处理的气氛中包括含碳气体。本发明的镀膜方法，在镀膜前增加预处理并沉积过渡层，实现从有机类材料到无机材料的过渡，膜层与复合板基材的结合力得到有效提升，可以有效提升耐氙灯测试性能，并兼顾保持原有的光学性能。
Description
技术领域
本发明涉及镀膜技术领域，尤其是涉及一种耐氙灯测试的复合板材及其镀膜方法。
背景技术
随着5G时代的到来，因为信号问题，手机后盖不再使用金属材质，转而使用玻璃或复合板。但采用玻璃材质时，特别是采用3D玻璃，成本高，工艺难，因而在手机后盖占比越来越少。而复合板/膜片材料因为工艺简单，性价比高，越来越受到欢迎。但是复合板本身光泽感不足，需要进行镀膜增加光泽感，再印刷油墨衬底膜层。但生产工艺中复合板与镀膜层的结合力不好，一直未得到彻底解决。结合力差的根本原因是复合板是有机材质而镀膜膜层是无机非金属材质。由于物相不相似，结合力差。一般的镀膜只能通过紫外72h测试，而随着客户端要求的提升，增加了的氙灯72h测试的要求。紫外测试的光谱是只有紫外段，而氙灯测试是全光谱波段，氙灯测试对产品的要求更加严格，原来的镀膜工艺无法满足要求。
有鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明的一个目的在于提供耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，以解决现有技术中存在的镀膜工艺无法满足氙灯测试要求的技术问题。
本发明的另一目的在于提供采用上述耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法制备得到的含过渡层的中间板。
本发明的又一目的在于提供一种含过渡层的复合板材。
为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：
耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，包括如下步骤：
（a）对待镀膜的复合板基材进行等离子活化处理；
（b）再进行预沉积形成碳层，然后在所述碳层上沉积Si、Zr、Ti和Mo中的任一种或多种，形成第二沉积层；
其中，步骤（a）中，所述等离子活化处理的气氛中包括含碳气体。
在本发明的具体实施方式中，所述含碳气体包括CO2和/或C2H2。进一步的，所述等离子活化处理的气氛中还包括氩气。
在本发明的具体实施方式中，所述等离子活化处理的气氛中包括氩气和含碳气体。进一步的，所述氩气和所述含碳气体的体积比为1﹕（0.25~1）。
在本发明的具体实施方式中，所述碳层的厚度为1~5nm。
在本发明的具体实施方式中，所述第二沉积层的厚度为1~5nm。
在本发明的具体实施方式中，所述等离子活化处理中，真空度为1×10-1~1×100Pa，优选为1×10-1~5×10-1Pa。
在本发明的具体实施方式中，所述等离子活化处理的时间为1~15min。
在本发明的具体实施方式中，所述预沉积形成碳层的方法为PVD镀膜。进一步的，所述PVD镀膜的参数包括：真空度为1×100~1×10-1Pa，优选为1×10-1~5×10-1Pa；工作气体包括氩气；靶材为石墨靶材。
在本发明的具体实施方式中，所述形成第二沉积层的方法为PVD镀膜。进一步的，所述PVD镀膜的参数包括：真空度为1×100~1×10-1Pa，优选为1×10-1~5×10-1Pa；工作气体包括氩气；靶材为Si靶材、Zr靶材、Ti靶材和Mo靶材中的任一种或多种。
本发明还提供了采用上述任意一种所述方法制备得到的含过渡层的中间板。
在本发明的具体实施方式中，所述含过渡层的中间板包括复合板基材和形成于所述复合板基材表面的过渡层；所述过渡层包括顺次设置的等离子活化层、碳层和第二沉积层；所述碳层与所述第二沉积层相接触的部分形成有碳化物层；碳化物为SiC、ZrC、TiC和MoC中的任一种或多种。
本发明还提供了一种含过渡层的复合板材，包括上述任意一种所述含过渡层的中间板和镀设于所述中间板的过渡层表面的膜层。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
（1）本发明的镀膜方法，在镀膜前增加预处理并沉积过渡层，实现从有机类材料到无机材料的过渡，从而提升膜层与复合板结合力；并且本发明的方法操作方便，可以连续稳定生产；
（2）采用本发明的镀膜方法得到的复合板材，膜层与复合板基材的结合力得到有效提升，可以有效提升耐氙灯测试性能，由不满足24h氙灯测试，提升至可通过72h以上的氙灯测试，并兼顾保持原有的光学性能。
具体实施方式
下面将结合具体实施方式对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，但是本领域技术人员将会理解，下列所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，包括如下步骤：
（a）对待镀膜的复合板基材进行等离子活化处理；
（b）再进行预沉积形成碳层，然后在所述碳层上沉积Si、Zr、Ti和Mo中的任一种或多种，形成第二沉积层；
其中，所述等离子活化处理的气氛中包括含碳气体。
本发明的镀膜方法中，在镀膜前先对复合板基材在含碳气体的气氛下进行等离子活化，等离子离化的C键与复合板基材的有机分子链结合；然后预沉积形成碳层，再沉积Si、Zr、Ti和/或Mo，形成稳定的中间化合物如SiC、TiC、ZrC、MoC等，从而实现由复合板基材的有机材质向镀膜层的SiO2、Nb2O5等无机非金属材质的过渡，为后续的镀膜奠定良好的基础。
本发明的镀膜方法，在常用无机膜层与有机复合板基材之间，增加了原子分子级别的过渡层，提升膜层和复合板基材的结合力，进而有效提升产品的耐氙灯测试性能，并兼顾保持原有的光学性能等。
在本发明的具体实施方式中，所述含碳气体包括CO2和/或C2H2。进一步的，所述等离子活化处理的气氛中还包括氩气。
在本发明的具体实施方式中，所述等离子活化处理的气氛中包括氩气和含碳气体。进一步的，所述氩气和所述含碳气体的体积比为1﹕（0.25~1）。
如在不同实施方式中，示例性的，所述氩气和所述含碳气体的体积比可以为1﹕0.25、1﹕0.3、1﹕0.4、1﹕0.5、1﹕0.6、1﹕0.7、1﹕0.8、1﹕0.9、1﹕1等等。
在本发明的具体实施方式中，所述碳层的厚度为1~5nm，优选为1~3nm。
如在不同实施方式中，示例性的，所述碳层的厚度可以为1nm、2nm、3nm、4nm、5nm等等。
在本发明的具体实施方式中，所述第二沉积层的厚度为1~5nm，优选为2~4nm。
如在不同实施方式中，示例性的，所述第二沉积层的厚度可以为1nm、2nm、3nm、4nm、5nm等等。
在本发明的具体实施方式中，所述等离子活化处理中，真空度为1×10-1~1×100Pa，优选为1×10-1~5×10-1Pa。
在本发明的具体实施方式中，所述等离子活化处理的时间为1~15min，优选为3~10min。
如在不同实施方式中，所述等离子活化处理的时间可以为1min、2min、3min、5min、8min、10min、12min、15min等等。
在实际操作中，所述等离子活化处理可以包括：将待镀膜的复合板基材置于真空腔体中，抽真空至真空度≤10-2Pa，然后通入含碳气体和氩气，直至体系真空度达到1×10-1~1×100Pa，进行活化处理1~15min。其中，含碳气体和氩气的通入量根据腔体大小不同而有差异，保证通入后真空度达到要求即可。
在本发明的具体实施方式中，所述复合板基材包括PC和PMMA复合板。所述等离子活化处理、所述预沉积均是在复合板基材的PC一面。
复合板是PC与PMMA复合，接触膜层的一侧为PC，是以C键为基础的有机热塑材料，以片材的方式投入生产。长期的运输及保存环节，使其表面键处于不活跃状态。本发明先进行等离子活化，气氛中的含碳气体，由于等离子的电离作用，一方面有机物表面得到放电活化，一方面新分解的C与有机基结合，形成新的C键，为后续的材料结合提供基础。
在本发明的具体实施方式中，所述预沉积形成碳层的方法为PVD镀膜。进一步的，所述PVD镀膜的参数包括：真空度为1×10-1~1×100Pa，优选为1×10-1~5×10-1Pa；工作气体包括氩气；靶材为石墨靶材。
在本发明的具体实施方式中，所述形成第二沉积层的方法为PVD镀膜。进一步的，所述PVD镀膜的参数包括：真空度为1×10-1~1×100Pa，优选为1×10-1~5×10-1Pa；工作气体包括氩气；靶材为Si靶材、Zr靶材、Ti靶材和Mo靶材中的任一种或多种。
在本发明的具体实施方式中，预沉积形成碳层和第二沉积层时，PVD镀膜中，可对靶材施加350~550V的电压，3.5~6A的电流。
在实际操作中，在等离子活化处理后进行预沉积。先沉积碳层，具体可以用石墨靶装载于真空腔体中，抽真空至真空度≤10-2Pa，然后通入氩气或者氩气和氧气，直至体系真空度达到1×100~1×10-1Pa，在靶上加电压500V，形成辉光放电，实现C的转移，补充表面C键的量，直至沉积的碳层的厚度达到1~5nm，停止沉积碳层。然后再采用对应的靶材，在碳层上继续沉积第二沉积层，直至第二沉积层的厚度达到1~5nm，停止沉积第二沉积层。在真空等离子状态下，原子从靶材表面飞往复合板基材，基材捕获到原子后与碳层的C相结合形成SiC或ZrC或TiC或MoC等中间结合物材料，这些中间材料也有机基材之间形成有力结合，并与后续镀膜的Nb2O5/SiO2等同为无机非金属材料，结构相似，结合力好。
本发明还提供了采用上述任意一种所述方法制备得到的含过渡层的中间板。
在本发明的具体实施方式中，所述含过渡层的中间板包括复合板基材和形成于所述复合板基材表面的过渡层；所述过渡层包括顺次设置的等离子活化层、碳层和第二沉积层；所述碳层与所述第二沉积层相接触的部分形成有碳化物层；碳化物为SiC、ZrC、TiC和MoC中的任一种或多种。
其中，等离子活化层是指对复合板基材表面进行活化处理，一方面有机物表面得到放电活化，一方面新分解的C与有机基结合，形成新的C键，在复合板基材表面对应得到等离子活化层。
本发明还提供了一种含过渡层的复合板材，包括上述任意一种所述含过渡层的中间板和镀设于所述中间板的过渡层表面的膜层。
在本发明的具体实施方式中，所述膜层镀制在所述中间板的过渡层上。所述膜层可以为各种颜色膜系。在一些实施方式中，所用颜色膜为两种高低折射率材料组成的膜系，膜系是由高折射率材料和低折射率材料根据设定的光学要求进行叠加设置的。在本发明的具体实施方式中，所述高折射材料为Nb2O5、Ti3O5和ZrO2的任一种或多种；所述第二膜层的材质为SiO2和/或Al2O3。
在实际操作中，高、低折射率对应的材料厚度，按照膜系需求进行调整。
在本发明的具体实施方式中，所述复合板材还包括设置于所述膜层表面的油墨层。进一步的，所述油墨层印刷设置于所述膜层的表面。
在实际操作中，油墨层的种类、厚度、印刷方式等可根据实际需求进行调整。
实施例1
本实施例提供了耐氙灯测试的复合板材的制备方法，包括如下步骤：
（1）在真空腔体中放入待镀膜处理的PC/PMMA复合板基材，所需要使用的石墨靶及金属靶先安装在镀膜机中。抽真空至真空度达到1×10-2Pa，然后通入体积比为1﹕0.25的氩气和C2H2，直至真空度达到5×10-1Pa，进行活化处理，处理时间为10min。
（2）活化完成后，抽真空至真空度恢复到1×10-2Pa，在靶上加电压500V，电流4A，然后通入氩气150sccm,直至体系真空度达到5×10-1Pa，沉积碳层2nm，然后停止石墨靶通电，将电通向Si靶，沉积Si层4nm，完成过渡层的制作。
（3）在过渡层表面按常规工艺完成镀膜，具体的本实例所用膜系为Nb2O5 99nm/SiO2 137nm/Nb2O5 52nm/SiO2 90nm/Nb2O5 36nm，完成后进行印刷，得到含过渡层的复合板材。
实施例2
（1）在真空腔体中放入待镀膜处理的PC/PMMA复合板基材，所需要使用的石墨靶及金属靶先安装在镀膜机中。抽真空至真空度达到1×10-2Pa，然后通入体积比为1﹕0.75的氩气和二氧化碳，直至真空度达到5×10-1Pa，进行活化处理，处理时间为5min。
（2）活化完成后，抽真空至真空度恢复到1×10-2Pa，在靶上加电压500V，电流4A，然后通入氩气150sccm,直至体系真空度达到5×10-1Pa，沉积碳层2nm，然后停止石墨靶通电，将电通向Si靶，沉积Si层3nm，完成过渡层的制作。
（3）在过渡层表面按常规工艺完成镀膜，具体的本实例所用膜系为Nb2O5 99nm/SiO2 137nm/Nb2O5 52nm/SiO2 90nm/Nb2O5 36nm，完成后进行印刷，得到含过渡层的复合板材。
实施例3
本实施例提供了耐氙灯测试的复合板材的制备方法，包括如下步骤：
（1）在真空腔体中放入待镀膜处理的PC/PMMA复合板基材，所需要使用的石墨靶及金属靶先安装在镀膜机中。抽真空至真空度达到1×10-2Pa，然后通入体积比为1﹕0.1的氩气和二氧化碳，直至真空度达到5×10-1Pa，进行活化处理，处理时间为5min。
（2）活化完成后，抽真空至真空度恢复到1×10-2Pa，在靶上加电压500V，电流4A，然后通入氩气150sccm，直至体系真空度达到5×10-1Pa，沉积碳层3nm，然后停止石墨靶通电，将电通向Zr靶，沉积Zr层2nm，完成过渡层的制作。
（3）在过渡层表面按常规工艺完成镀膜，具体的本实例所用膜系为Nb2O5 99nm/SiO2 137nm/Nb2O5 52nm/SiO2 90nm/Nb2O5 36nm，完成后进行印刷，得到含过渡层的复合板材。
实施例4
本实施例提供了耐氙灯测试的复合板材的制备方法，包括如下步骤：
（1）在真空腔体中放入待镀膜处理的PC/PMMA复合板基材，所需要使用的石墨靶及金属靶先安装在镀膜机中。抽真空至真空度达到1×10-2Pa，然后通入体积比为1﹕0.75的氩气和二氧化碳，直至真空度达到5×10-1Pa，进行活化处理，处理时间为5min。
（2）活化完成后，抽真空至真空度恢复到1×10-2Pa，在靶上加电压500V，电流4A，然后通入氩气150sccm，直至体系真空度达到5×10-1Pa，沉积碳层3nm，然后停止石墨靶通电，将电通向Ti靶，沉积Ti层3nm，完成过渡层的制作。
（3）在过渡层表面按常规工艺完成镀膜，具体的本实例所用膜系为Nb2O5 99nm/SiO2 137nm/Nb2O5 52nm/SiO2 90nm/Nb2O5 36nm，完成后进行印刷，得到含过渡层的复合板材。
实施例5
本实施例提供了耐氙灯测试的复合板材的制备方法，包括如下步骤：
（1）在真空腔体中放入待镀膜处理的PC/PMMA复合板基材，所需要使用的石墨靶及金属靶先安装在镀膜机中。抽真空至真空度达到1×10-2Pa，然后通入体积比为1﹕0.75的氩气和二氧化碳，直至真空度达到5×10-1Pa，进行活化处理，处理时间为5min。
（2）活化完成后，抽真空至真空度恢复到1×10-2Pa，在靶上加电压500V，电流4A，然后通入氩气150sccm，直至体系真空度达到5×10-1Pa，沉积碳层2nm，然后停止石墨靶通电，将电通向Mo靶，沉积Mo层3nm，完成过渡层的制作。
（3）在过渡层表面按常规工艺完成镀膜，具体的本实例所用膜系为Nb2O5 99nm/SiO2 137nm/Nb2O5 52nm/SiO2 90nm/Nb2O5 36nm，完成后进行印刷，得到含过渡层的复合板材。
比较例1
比较例1参考实施例1的制备方法，区别在于，不包括步骤（1）和（2），直接在待镀膜处理的PC/PMMA复合板基材表面按常规工序完成镀膜（Nb2O5 99nm/SiO2 137nm/Nb2O5 52nm/SiO2 90nm/Nb2O5 36nm），完成后进行印刷，得到复合板材。
比较例2
比较例2提供了复合板材的制备方法，包括如下步骤：
（1）在真空腔体中放入待镀膜处理的PC/PMMA复合板基材，所需要使用的石墨靶及金属靶先安装在镀膜机中。抽真空至真空度达到1×10-2Pa，然后通入体积比为1﹕0.75的氩气和二氧化碳，直至真空度达到5×10-1Pa，进行活化处理，处理时间为5min。
（2）活化完成后，抽真空至真空度恢复到1×10-2Pa，在靶上加电压500V，电流4A，然后通入氩气150sccm，直至体系真空度达到5×10-1Pa，沉积碳层1nm，然后停止石墨靶通电，将电通向Al靶，沉积Al层3nm，完成过渡层的制作。
（3）在过渡层表面按常规工艺完成镀膜，具体的本实例所用膜系为Nb2O5 99nm/SiO2 137nm/Nb2O5 52nm/SiO2 90nm/Nb2O5 36nm，完成后进行印刷，得到含过渡层的复合板材。
比较例3
比较例3提供了复合板材的制备方法，包括如下步骤：
（1）在真空腔体中放入待镀膜处理的PC/PMMA复合板基材，所需要使用的石墨靶及金属靶先安装在镀膜机中。抽真空至真空度达到1×10-2Pa，然后通入体积比为1﹕0.1的氩气和二氧化碳，直至真空度达到5×10-1Pa，进行活化处理，处理时间为5min。
（2）活化完成后，抽真空至真空度恢复到1×10-2Pa，在靶上加电压500V，电流4A，然后通入氩气150sccm，直至体系真空度达到5×10-1Pa，沉积碳层2nm，然后停止石墨靶通电，将电通向Si靶，沉积Si层3nm，完成过渡层的制作。
（3）在过渡层表面按常规工艺完成镀膜，具体的本实例所用膜系为Nb2O5 99nm/SiO2 137nm/Nb2O5 52nm/SiO2 90nm/Nb2O5 36nm，完成后进行印刷，得到含过渡层的复合板材。
比较例4
比较例4提供了复合板材的制备方法，包括如下步骤：
（1）在真空腔体中放入待镀膜处理的PC/PMMA复合板基材，所需要使用的石墨靶及金属靶先安装在镀膜机中。抽真空至真空度达到1×10-2Pa，然后通入体积比为1﹕0.75的氩气和二氧化碳，直至真空度达到5×10-1Pa，进行活化处理，处理时间为5min。
（2）活化完成后，抽真空至真空度恢复到1×10-2Pa，在靶上加电压500V，电流4A，然后通入氩气150sccm，直至体系真空度达到5×10-1Pa，沉积碳层2nm，然后停止石墨靶通电，将电通向Mo靶，沉积Mo层10nm，完成过渡层的制作。
（3）在过渡层表面按常规工艺完成镀膜，具体的本实例所用膜系为Nb2O5 99nm/SiO2 137nm/Nb2O5 52nm/SiO2 90nm/Nb2O5 36nm，完成后进行印刷，得到含过渡层的复合板材。
实验例1
为了对比说明不同实施例和比较例的复合板材的耐氙灯测试性能，对不同实施例和比较例制备得到的复合板材的性能进行检测，测试结果见表1。
耐氙灯测试方法：将印刷完成后的复合板材放在氙灯下照射一定时间，用百格刀划成2mm*2mm方格，用3M310胶带做粘拉测试，如果膜层脱落小于4B视为未通过，如在4B以上则为通过。
水煮测试方法：将印刷完成后的复合板材放在100℃水中煮一定时间h，用百格刀划成2mm*2mm方格，用3M310胶带做粘拉测试，如果膜层脱落小于4B视为未通过，如在4B以上则为通过。
表1 不同复合板材的耐氙灯/水煮测试结果
| 编号 | 氙灯时间 | 水煮时间 | 测试结果 |
| 实施例 1 | 72h | 8h | 通过 |
| 实施例 2 | 72h | 8h | 通过 |
| 实施例 3 | 72h | 8h | 通过 |
| 实施例 4 | 72h | 8h | 通过 |
| 实施例 5 | 72h | 8h | 通过 |
| 比较例 1 | 24h | 6h | 未通过 |
| 比较例 2 | 24h | 6h | 未通过 |
| 比较例 3 | 48h | 8h | 未通过 |
为了对比说明不同实施例和比较例的复合板材的光学性能等，对不同实施例和比较例制备得到的复合板材的性能进行检测，测试结果见表2。
百格测试：出炉后，用百格刀划成2mm*2mm方格，用3M310胶带做粘拉测试，如果膜层脱落小于4B视为未通过，如在4B以上则为通过。
高温高湿：温度设定85℃，湿度设定85％，持续48h，再进行百格测试，如果百格大于4B，则判定高温温湿通过。
表2 不同复合板材的光学性能测试结果
| 编号 | 平均透过率（ 380~780nm ） | 百格 | 高温高湿 |
| 实施例 1 | 53.7 ％ | 5 B | 通过 |
| 实施例 2 | 53.6 ％ | 5 B | 通过 |
| 实施例 3 | 53.85 ％ | 5 B | 通过 |
| 实施例 4 | 53.78 ％ | 5 B | 通过 |
| 实施例 5 | 53.80% | 5 B | 通过 |
| 比较例 1 | 53.06 ％ | 5 B | 通过 |
| 比较例 2 | 53.07 ％ | 5 B | 通过 |
| 比较例 4 | 55.01 ％ | 5 B | 通过 |
从上表中可知，当Mo层厚度为10nm时，透光率发生变化1.94个百分点，影响膜系曲线。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，其特征在于，包括如下步骤：
（a）对待镀膜的复合板基材进行等离子活化处理；
（b）再进行预沉积形成碳层，然后在所述碳层上沉积Si、Zr、Ti和Mo中的任一种或多种，形成第二沉积层；
其中，步骤（a）中，所述等离子活化处理的气氛中包括含碳气体。
2.根据权利要求1所述的耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，其特征在于，所述含碳气体包括CO2和/或C2H2。
3.根据权利要求1所述的耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，其特征在于，所述等离子活化处理的气氛中包括氩气和含碳气体；
所述氩气和所述含碳气体的体积比为1﹕（0.25~1）。
4.根据权利要求1所述的耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，其特征在于，所述碳层的厚度为1~5nm；所述第二沉积层的厚度为1~5nm。
5.根据权利要求1所述的耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，其特征在于，所述等离子活化处理中，真空度为1×10-1~1×100Pa；
所述等离子活化处理的时间为1~15min。
6.根据权利要求1所述的耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，其特征在于，所述预沉积形成碳层的方法为PVD镀膜，所述PVD镀膜的参数包括：真空度为1×100~1×10-1Pa；工作气体包括氩气；靶材为石墨靶材。
7.根据权利要求1所述的耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，其特征在于，所述形成第二沉积层的方法为PVD镀膜，所述PVD镀膜的参数包括：真空度为1×100~1×10-1Pa；工作气体包括氩气；靶材为Si靶材、Zr靶材、Ti靶材和Mo靶材中的任一种或多种。
8.采用权利要求1~7任一项所述的耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法制备得到的含过渡层的中间板。
9.根据权利要求8所述的含过渡层的中间板，其特征在于，包括复合板基材和形成于所述复合板基材表面的过渡层；所述过渡层包括顺次设置的等离子活化层、碳层和第二沉积层；所述碳层与所述第二沉积层相接触的部分形成有碳化物层；碳化物为SiC、ZrC、TiC和MoC中的任一种或多种。
10.含过渡层的复合板材，其特征在于，包括权利要求8或9所述的含过渡层的中间板和镀设于所述中间板的过渡层表面的膜层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310024097.9A CN115896695B (zh) | 2023-01-09 | 2023-01-09 | 耐氙灯测试的复合板材及其镀膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310024097.9A CN115896695B (zh) | 2023-01-09 | 2023-01-09 | 耐氙灯测试的复合板材及其镀膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115896695A true CN115896695A (zh) | 2023-04-04 |
| CN115896695B CN115896695B (zh) | 2023-06-23 |
Family
ID=86484726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310024097.9A Active CN115896695B (zh) | 2023-01-09 | 2023-01-09 | 耐氙灯测试的复合板材及其镀膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115896695B (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000144374A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-26 | Ulvac Japan Ltd | プラスチック製基材の表面処理法および被覆プラスチック物品 |
| WO2014136861A1 (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-12 | 株式会社ニコン | 金属光沢を有する装飾膜を備えた複合部材 |
| CN109023232A (zh) * | 2018-10-22 | 2018-12-18 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种塑料基体表面形成非晶碳膜的方法 |
| CN111172512A (zh) * | 2020-02-10 | 2020-05-19 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 聚醚醚酮表面防护用非晶碳基薄膜及其制备方法与应用 |
| CN111850470A (zh) * | 2020-08-04 | 2020-10-30 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 一种超滑性能金属/含氢碳复合薄膜及其制备方法 |
| CN112030107A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-12-04 | 深圳市沃阳精密科技有限公司 | 复合膜材及其制备方法、中框及电子设备 |
-
2023
- 2023-01-09 CN CN202310024097.9A patent/CN115896695B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000144374A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-26 | Ulvac Japan Ltd | プラスチック製基材の表面処理法および被覆プラスチック物品 |
| WO2014136861A1 (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-12 | 株式会社ニコン | 金属光沢を有する装飾膜を備えた複合部材 |
| CN109023232A (zh) * | 2018-10-22 | 2018-12-18 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种塑料基体表面形成非晶碳膜的方法 |
| CN111172512A (zh) * | 2020-02-10 | 2020-05-19 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 聚醚醚酮表面防护用非晶碳基薄膜及其制备方法与应用 |
| CN112030107A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-12-04 | 深圳市沃阳精密科技有限公司 | 复合膜材及其制备方法、中框及电子设备 |
| CN111850470A (zh) * | 2020-08-04 | 2020-10-30 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 一种超滑性能金属/含氢碳复合薄膜及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115896695B (zh) | 2023-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111621752B (zh) | AlCrSiN/AlCrN/AlCrON/AlCrN多层纳米复合涂层的制备工艺 | |
| US9234272B2 (en) | Gas barrier film and method for producing gas barrier film | |
| US20090169845A1 (en) | Structural material of diamond like carbon composite layers and method of manufacturing the same | |
| KR20120136938A (ko) | 금형 모재의 코팅층 구조 | |
| KR20130001705A (ko) | 그래핀/고분자 복합 보호막, 이의 제조 방법, 및 이의 용도 | |
| WO2022241952A1 (zh) | 一种纳米多层结构过渡金属氮化物涂层及其制备方法和应用 | |
| JP2001295032A (ja) | 光学複合薄膜の形成方法およびそれを用いた光学物品 | |
| JP5295102B2 (ja) | 導電性保護膜及びその製造方法 | |
| CN115896695A (zh) | 耐氙灯测试的复合板材及其镀膜方法 | |
| CN108425089B (zh) | 碳化铬复合膜层及其制备方法 | |
| CN110438461A (zh) | 一种TiBx/Cr（x=1.9~3.5）抗氧化多层涂层的制备方法 | |
| CN107881469B (zh) | 类金刚石复合涂层及其制备方法与用途以及涂层工具 | |
| CN110214080A (zh) | 阻气性膜 | |
| CN112877642B (zh) | 防指纹膜、玻璃制品及其制备方法 | |
| CN114941123A (zh) | 一种医疗器械用多元氮化物复合涂层及其制备方法 | |
| CN110783595B (zh) | 一种金属双极板及其制备方法以及燃料电池 | |
| CN117888062B (zh) | 一种黑蓝色pvd装饰薄膜及其制备方法 | |
| CN110055495A (zh) | 一种CrFe+(Cr,Fe)N代铬镀层及其制备方法 | |
| CN111172500B (zh) | 一种pet镀膜方法、镀膜pet | |
| CN113954563B (zh) | 一种纳米微雕防伪烫金工艺 | |
| CN114429832A (zh) | 导电薄膜及其制备方法、电子产品盖板和电子产品 | |
| CN116988032A (zh) | 基于磁控溅射镀膜工艺的咖啡色镀膜方法及车灯装饰件 | |
| KR20090130459A (ko) | 투명산화물박막과 실리콘계화합물을 포함하는 투습방지막이구비된 기판 및 이의 제조방법 | |
| CN101748359B (zh) | Ni基合金多层板的制备方法 | |
| CN112760597A (zh) | 一种具有多层反射膜的铝板材及其真空镀膜工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |