JPH0258744A - 光ディスクメモリー - Google Patents
光ディスクメモリーInfo
- Publication number
- JPH0258744A JPH0258744A JP63209723A JP20972388A JPH0258744A JP H0258744 A JPH0258744 A JP H0258744A JP 63209723 A JP63209723 A JP 63209723A JP 20972388 A JP20972388 A JP 20972388A JP H0258744 A JPH0258744 A JP H0258744A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- film
- optical disk
- disk memory
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 22
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003809 water extraction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ディスクメモリーの構造に関するものである
。
。
光ディスクメモリーの製造方法で一般的に知られている
ものとしては、ガラス基板にフォトレジストを塗布、レ
ーザーにより情報パターンを露光し、現像をした後スタ
ンバ−を作製するマスタリング工程、基板材料をスタン
パ−で射出成形した後に上記基板上の情報パターンに反
射膜を成膜し、その後その上に樹脂（ＰＭＭＡ等）の保
護膜を形成し、はり合わせるレプリケーション行程に別
れる。
ものとしては、ガラス基板にフォトレジストを塗布、レ
ーザーにより情報パターンを露光し、現像をした後スタ
ンバ−を作製するマスタリング工程、基板材料をスタン
パ−で射出成形した後に上記基板上の情報パターンに反
射膜を成膜し、その後その上に樹脂（ＰＭＭＡ等）の保
護膜を形成し、はり合わせるレプリケーション行程に別
れる。
反射膜の上に保護膜を塗布する方法として、スピンコー
ド、吹き付は域いはロールコータ−によるものがあるが
、いづれも大気中で行う為、反射膜（ＡＩ）に若干では
あるが水分、酸素等の吸着があり長期的に反射膜の酸化
等の劣化がおきることが予想される。更に光ディスクメ
モリーの基板としてＰＨＭＡ等が主に使われるが、吸湿
性が有り長期的に水の拡散による反射膜（ＡＩ）の劣化
が心配される。この為、酸素等の劣化がしにくいＡｕを
使う例もある。しかし、Ａｕは大変高価な為、コストを
引き上げ量産には不向きである。
ド、吹き付は域いはロールコータ−によるものがあるが
、いづれも大気中で行う為、反射膜（ＡＩ）に若干では
あるが水分、酸素等の吸着があり長期的に反射膜の酸化
等の劣化がおきることが予想される。更に光ディスクメ
モリーの基板としてＰＨＭＡ等が主に使われるが、吸湿
性が有り長期的に水の拡散による反射膜（ＡＩ）の劣化
が心配される。この為、酸素等の劣化がしにくいＡｕを
使う例もある。しかし、Ａｕは大変高価な為、コストを
引き上げ量産には不向きである。
又、保護膜を塗布する際、反射膜が大変やわらかい為取
り扱い等の作業性が悪いものであった。
り扱い等の作業性が悪いものであった。
本発明は以上の従来の問題点を解決する事を目的とし光
ディスクメモリーの長期信頼性を向上させ寿命を延ばす
ものである。
ディスクメモリーの長期信頼性を向上させ寿命を延ばす
ものである。
本願発明は上記目的を達成させる為に基板、反射膜及び
保護膜を有する光ディスクメモリーにおいて、反射膜に
密接して炭素または炭素を主成分とする被膜を形成した
ものである。
保護膜を有する光ディスクメモリーにおいて、反射膜に
密接して炭素または炭素を主成分とする被膜を形成した
ものである。
本発明は基板上の情報記録パターンに反射膜をスパッタ
リング法、蒸着法等で成膜する前後に、真空中で炭素又
は炭素を主成分とする被膜を形成することにより反射膜
に吸着物が付着したり、基板からの水等の反射膜への拡
散を防ぎ長寿命化、長期信顧性を向上させる。更に反射
膜を成膜した後に炭素又は炭素を主成分とする被膜を成
膜することにより、この後の作業に大きなマージンを与
えるものである。
リング法、蒸着法等で成膜する前後に、真空中で炭素又
は炭素を主成分とする被膜を形成することにより反射膜
に吸着物が付着したり、基板からの水等の反射膜への拡
散を防ぎ長寿命化、長期信顧性を向上させる。更に反射
膜を成膜した後に炭素又は炭素を主成分とする被膜を成
膜することにより、この後の作業に大きなマージンを与
えるものである。
本発明において、反射膜に密接させる炭素または炭素を
主成分とする被膜は、反射膜の一方の面に形成させても
良いし、反射膜を鋏むように形成させても良い。
主成分とする被膜は、反射膜の一方の面に形成させても
良いし、反射膜を鋏むように形成させても良い。
以下に本発明を実施例とともに詳細に説明する。
第１図は本発明の炭素または炭素を主成分とする被膜を
形成するためのプラズマＣＶＤ装置の概要を示す。
形成するためのプラズマＣＶＤ装置の概要を示す。
図面において、ドーピング系（１）において、添加物で
ある水素または酸素を（２）より、反応性気体である炭
化水素気体例えばメタン、エチレンを（３）より、■価
不純物のジボラン（水素希釈）（４）、Ｖ価不純物のア
ンモニアまたはフォスヒンを（５）よりバルブ（６）、
流量計（７）をへて反応系（８）中にノズル（９）より
導入される。このノズルに至る前に、反応性気体の励起
用にマイクロ波エネルギを００）で加えて予め活性化さ
せることは有効である。
ある水素または酸素を（２）より、反応性気体である炭
化水素気体例えばメタン、エチレンを（３）より、■価
不純物のジボラン（水素希釈）（４）、Ｖ価不純物のア
ンモニアまたはフォスヒンを（５）よりバルブ（６）、
流量計（７）をへて反応系（８）中にノズル（９）より
導入される。このノズルに至る前に、反応性気体の励起
用にマイクロ波エネルギを００）で加えて予め活性化さ
せることは有効である。
反応系（８）には第１の電極（１１）、第２の電極０２
）を設けた。一対の電極（１１）、（１２）間には高周
波電源（１３）、マツチングトランスθ滲、直流バイヤ
ス電源θωより電気エネルギが加えられ、プラズマが発
生する。排気系０ωは圧力調整バルブθ力、ターボ分子
ポンプ０８）、ロータリーポンプ０９）をへて不用気体
を排気する。
）を設けた。一対の電極（１１）、（１２）間には高周
波電源（１３）、マツチングトランスθ滲、直流バイヤ
ス電源θωより電気エネルギが加えられ、プラズマが発
生する。排気系０ωは圧力調整バルブθ力、ターボ分子
ポンプ０８）、ロータリーポンプ０９）をへて不用気体
を排気する。
反応性気体には、反応空間Ｃ！０における圧力が０゜０
０１〜１０ｔＯｒｒ代表的には０．０１〜０．５ｔｏｒ
ｒの下で高周波もしくは直流によるエネルギにより０．
１〜５ＫＷのエネルギが加えられる。
０１〜１０ｔＯｒｒ代表的には０．０１〜０．５ｔｏｒ
ｒの下で高周波もしくは直流によるエネルギにより０．
１〜５ＫＷのエネルギが加えられる。
特に励起源がＩＧ）１２以上、例えば２．４５ＧＨ２の
周波数にあっては、Ｃ−Ｈ結合より水素を分離し、さら
に周波数源が０．１〜５０ＭＦ１２例えば１３．５６Ｍ
Ｉ（ｚの周波数にあってはＣ−Ｃ結合、Ｃ＝Ｃ結合を分
解して、Ｃ−Ｃ−結合を作り、炭素の不対結合手同志を
互いに衝突させて共有結合させ、安定なダイヤモンド構
造を局部的に有した構造とさせ得る。
周波数にあっては、Ｃ−Ｈ結合より水素を分離し、さら
に周波数源が０．１〜５０ＭＦ１２例えば１３．５６Ｍ
Ｉ（ｚの周波数にあってはＣ−Ｃ結合、Ｃ＝Ｃ結合を分
解して、Ｃ−Ｃ−結合を作り、炭素の不対結合手同志を
互いに衝突させて共有結合させ、安定なダイヤモンド構
造を局部的に有した構造とさせ得る。
直流バイアスは一２００〜６００Ｖ（実質的には一４０
０〜＋４００Ｖ）を加える。なぜなら、直流バイアスが
零のときは自己バイアスが一２００Ｖ （第２の電極を
接地レベルとして）を有しているためである。
０〜＋４００Ｖ）を加える。なぜなら、直流バイアスが
零のときは自己バイアスが一２００Ｖ （第２の電極を
接地レベルとして）を有しているためである。
第１の電極は冷却手段を有しており、被形成面上の温度
を２５０〜−１００°Ｃに保持させた。
を２５０〜−１００°Ｃに保持させた。
第２図に実施例で作製した光ディスクメモリーの単板を
示した。
示した。
先ず、公知の方法によりマスクリング行程を経て作られ
たスタンパ−により射出成形された基板（２１） （Ｐ
ＭＭＡ）に炭素又は炭素を主成分とする被膜を第１図に
示した平行平板方式のプラズマＣＶＤにより次の条件で
約５００人成甲゛シた。（２２）使用ガス； ＣＨ４１
００Ｓ１＋ Ｈｚ ５０ＳＣＣＭ反応圧力；１０Ｐ、Ｒ
Ｆ電力１２〇− この条件により次の様な炭素又は炭素を主成分とした被
膜が得られた。
たスタンパ−により射出成形された基板（２１） （Ｐ
ＭＭＡ）に炭素又は炭素を主成分とする被膜を第１図に
示した平行平板方式のプラズマＣＶＤにより次の条件で
約５００人成甲゛シた。（２２）使用ガス； ＣＨ４１
００Ｓ１＋ Ｈｚ ５０ＳＣＣＭ反応圧力；１０Ｐ、Ｒ
Ｆ電力１２〇− この条件により次の様な炭素又は炭素を主成分とした被
膜が得られた。
ビッカーズ硬度； ２０００ｋｇ／ｎｕ＋＋以上透過率
；９０％（５５０ｍｍ） 汲水率；０％ 密度； ＞２．２５ｇ／ｃｍ３ この後、スパッタリング法により八１の反射膜（２３）
を約２０００人成膜を行い更に炭素または炭素を主成分
とした被膜（２４）を前回と同し条件で約５００人成膜
した。樹脂系の溶剤型塗料を吹きつけベーキング硬化す
ることにより保護膜（２５）とした。このようにして光
ディスクメモリーの単板を作製した。
；９０％（５５０ｍｍ） 汲水率；０％ 密度； ＞２．２５ｇ／ｃｍ３ この後、スパッタリング法により八１の反射膜（２３）
を約２０００人成膜を行い更に炭素または炭素を主成分
とした被膜（２４）を前回と同し条件で約５００人成膜
した。樹脂系の溶剤型塗料を吹きつけベーキング硬化す
ることにより保護膜（２５）とした。このようにして光
ディスクメモリーの単板を作製した。
この様にできた物を保護膜（２５）同志を接着剤により
張り合わせて光ディスクメモリーとした。又、（２２）
、 （２３） 、 （２４）の各膜はマルチチャンバ
一方式の装置により成膜されており、この間大気にさら
される事はない。
張り合わせて光ディスクメモリーとした。又、（２２）
、 （２３） 、 （２４）の各膜はマルチチャンバ
一方式の装置により成膜されており、この間大気にさら
される事はない。
以上のように作られた光ディスクメモリーを８０°ｃ、
ＲＨ９５％の恒温恒湿槽に入れ加速試験をした結果を第
３図に示す。炭素又は炭素を主成分とする被膜が入る事
により長期信頬性が向上する結果が得られた。図中、曲
線（２６）は炭素または炭素を主成分とする被膜を保護
膜とした光ディスクメモリーについて加速試験をした結
果を示すものであり、曲線（２７）は現状の光ディスク
メモリーについて加速試験をした結果を示すものである
。
ＲＨ９５％の恒温恒湿槽に入れ加速試験をした結果を第
３図に示す。炭素又は炭素を主成分とする被膜が入る事
により長期信頬性が向上する結果が得られた。図中、曲
線（２６）は炭素または炭素を主成分とする被膜を保護
膜とした光ディスクメモリーについて加速試験をした結
果を示すものであり、曲線（２７）は現状の光ディスク
メモリーについて加速試験をした結果を示すものである
。
また第２図における（２２）の炭素または炭素を主成分
とする被膜をなくしても良好な結果が得られた。
とする被膜をなくしても良好な結果が得られた。
更に、樹脂系の溶剤型塗料による保護膜がない状態でビ
ンセットで引っかく等の外力を与えても炭素又は炭素を
主成分とする被膜の硬度が高く平面平滑性が高い為、反
射膜に傷がつかなかった。
ンセットで引っかく等の外力を与えても炭素又は炭素を
主成分とする被膜の硬度が高く平面平滑性が高い為、反
射膜に傷がつかなかった。
本発明では、以上の様に光ディスクメモリーの反射膜に
炭素又は炭素を主成分とする被膜を形成したことにより
保護膜形成時に大気中の水分や酸素等の反射膜への吸着
を防ぐことができ、それと共に反射膜への保護膜からの
水の拡散による反射膜の劣化を防くことができ、光ディ
スクメモリーの長期信頼性を安価で大きく高め、作業性
を大きく向上させることができた。
炭素又は炭素を主成分とする被膜を形成したことにより
保護膜形成時に大気中の水分や酸素等の反射膜への吸着
を防ぐことができ、それと共に反射膜への保護膜からの
水の拡散による反射膜の劣化を防くことができ、光ディ
スクメモリーの長期信頼性を安価で大きく高め、作業性
を大きく向上させることができた。
第１図は本発明の炭素または炭素を主成分とする被膜形
成に使用する装置の概略を示す。 第２図は光ディスクメモリーの単板（張り合わせ前）の
断面図を表す。 第３図は反射膜の初期反射率を１とした時の反射率の経
時変化を示した図である。 （２１）基板 （２２）炭素又は炭素を主成分とする被膜（２３）反射
膜（ＡＩ） （２４）炭素又は炭素を主成分とする被膜（２５）樹脂
系保護膜 （２６）炭素または炭素を主成分とする被膜を保護膜と
した光ディスクメモリー （２７）現状の光ディスクメモリー
成に使用する装置の概略を示す。 第２図は光ディスクメモリーの単板（張り合わせ前）の
断面図を表す。 第３図は反射膜の初期反射率を１とした時の反射率の経
時変化を示した図である。 （２１）基板 （２２）炭素又は炭素を主成分とする被膜（２３）反射
膜（ＡＩ） （２４）炭素又は炭素を主成分とする被膜（２５）樹脂
系保護膜 （２６）炭素または炭素を主成分とする被膜を保護膜と
した光ディスクメモリー （２７）現状の光ディスクメモリー
Claims (1)
- 基板、反射膜及び保護膜を有する光ディスクメモリーに
おいて、反射膜に密接して炭素または炭素を主成分とす
る被膜を形成したことを特徴とする光ディスクメモリー
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209723A JP3015900B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 光ディスクメモリーの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209723A JP3015900B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 光ディスクメモリーの作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258744A true JPH0258744A (ja) | 1990-02-27 |
| JP3015900B2 JP3015900B2 (ja) | 2000-03-06 |
Family
ID=16577582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63209723A Expired - Lifetime JP3015900B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 光ディスクメモリーの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3015900B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6171674B1 (en) * | 1993-07-20 | 2001-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Hard carbon coating for magnetic recording medium |
| US6835523B1 (en) * | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61217943A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク |
| JPS62202629U (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-24 |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP63209723A patent/JP3015900B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61217943A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク |
| JPS62202629U (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-24 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6835523B1 (en) * | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
| US6171674B1 (en) * | 1993-07-20 | 2001-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Hard carbon coating for magnetic recording medium |
| US6183816B1 (en) | 1993-07-20 | 2001-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating the coating |
| US6468617B1 (en) | 1993-07-20 | 2002-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3015900B2 (ja) | 2000-03-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3884697T2 (de) | Verfahren zur gesteigerten Abscheidung von Siliciumoxid durch Plasma. | |
| US7820018B2 (en) | Process and apparatus for applying optical coatings | |
| JPH0258744A (ja) | 光ディスクメモリー | |
| JPS6362093B2 (ja) | ||
| JPS6050642A (ja) | 光情報記録用媒体の製造方法 | |
| JPH0541961B2 (ja) | ||
| JPS63247349A (ja) | シリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法 | |
| JPS6470917A (en) | Recording medium | |
| KR920006596B1 (ko) | 광자기기록매체 및 그 제조방법 | |
| JPH0536125A (ja) | 光デイスク用基板の製造方法 | |
| JPH04261439A (ja) | 有機複合物 | |
| JPH05281406A (ja) | 光学反射膜の形成方法 | |
| JPH0417666A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS6297149A (ja) | 光デイスク及びその製造方法 | |
| JPH09124344A (ja) | 撥水性透光材の製造方法 | |
| JPH03108136A (ja) | 光情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS63247351A (ja) | シリコン化合物被覆樹脂体の製造方法 | |
| JPH06101459B2 (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| JPS63274754A (ja) | 薄膜の被着方法 | |
| JPH0253242A (ja) | 光滋気ディスク用保護膜の製造法 | |
| JPH03108134A (ja) | 光情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH0952734A (ja) | 撥水性窓材とその製造方法 | |
| JPS62115425A (ja) | 液晶配向膜 | |
| JPS5546715A (en) | Production of plastic sunglasses | |
| JPS6278753A (ja) | 磁気光学記憶媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071224 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081224 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081224 Year of fee payment: 9 |