JPH0253242A - 光滋気ディスク用保護膜の製造法 - Google Patents
光滋気ディスク用保護膜の製造法Info
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- JPH0253242A JPH0253242A JP20342588A JP20342588A JPH0253242A JP H0253242 A JPH0253242 A JP H0253242A JP 20342588 A JP20342588 A JP 20342588A JP 20342588 A JP20342588 A JP 20342588A JP H0253242 A JPH0253242 A JP H0253242A
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- nitrogen
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は光磁気ディスク用保！ＦＩ膜の１１造法に関
する。
する。
（従来の技術）
周知のように光磁気ディスクは、ポリカーボネイトなど
のような樹脂製の基板の表面に、保！！！膜。
のような樹脂製の基板の表面に、保！！！膜。
記録媒体、保護膜の順で成膜することによって構成され
ている。これらの成膜にイオンビームスパッタリング法
が広く利用されている。
ている。これらの成膜にイオンビームスパッタリング法
が広く利用されている。
これはイオンビームを用いていることから、膜作製条件
の制御性に富み、高真空での成膜により不純物ガスの混
入が少なく、さらに低温成膜が可能である、などの幾多
の利点があるからである。
の制御性に富み、高真空での成膜により不純物ガスの混
入が少なく、さらに低温成膜が可能である、などの幾多
の利点があるからである。
ところでこの種光磁気ディスクに使用される保護膜は、
その利用目的から明らかなように、屈折率が大きく（た
とえば１．９以上）、また透過率も大きい（たとえば′
８０％以上）が要求される。
その利用目的から明らかなように、屈折率が大きく（た
とえば１．９以上）、また透過率も大きい（たとえば′
８０％以上）が要求される。
イオンビームスパッタ法によれば、これらを同時に満足
するような保護膜の作製は、イオンエネルギー次第によ
っては可能であるが、これらの他に圧縮応力が小さいこ
と（たとえば７．５ Ｘ １０″ｄｙｎ／ｃｍ”以下）
が保Ｓ膜に要求される。
するような保護膜の作製は、イオンエネルギー次第によ
っては可能であるが、これらの他に圧縮応力が小さいこ
と（たとえば７．５ Ｘ １０″ｄｙｎ／ｃｍ”以下）
が保Ｓ膜に要求される。
このような圧縮応力が大きいと、膜にクラックが発生し
易くなったり、腹が基板から剥離し易くなったりするば
かりでなく、基板にもそりが発生するなどの、幾多の欠
点が生ずる。
易くなったり、腹が基板から剥離し易くなったりするば
かりでなく、基板にもそりが発生するなどの、幾多の欠
点が生ずる。
従来ではイオンビームスパッタ法により保護膜を作製す
るのに、シリコンターゲットを窒素イオンビームでスパ
ッタするようにしていた。
るのに、シリコンターゲットを窒素イオンビームでスパ
ッタするようにしていた。
（発明が解決しようとする課題）
前記した従来方法によれば、５ｉＮｌｌｉからなる保護
膜が作製できるが、得られる保護膜は、その圧縮応力が
大きい欠点がある。また圧縮応力の小さい保護膜が得ら
れたとしても、屈折率なり、透過率が満足する値を呈し
ないようになる。
膜が作製できるが、得られる保護膜は、その圧縮応力が
大きい欠点がある。また圧縮応力の小さい保護膜が得ら
れたとしても、屈折率なり、透過率が満足する値を呈し
ないようになる。
この発明は、透過率、屈折率のみならず、圧縮応力をも
充分に満足できる保護膜の作製を可能にすることを目的
とする。
充分に満足できる保護膜の作製を可能にすることを目的
とする。
（課題を解決するための手段）
この発明は、窒素ビーム、または窒素とアルゴンとの混
合ビームによってシリコンターゲットをスパッタすると
同時に、膜被着面に＃Ｒ素ガスを吹き付け、酸素と窒素
との比が０．２７〜０．７１の５ｉＯＮ膜を前記膜被着
面に、保護膜として成膜するようにしたことを特徴とす
る。
合ビームによってシリコンターゲットをスパッタすると
同時に、膜被着面に＃Ｒ素ガスを吹き付け、酸素と窒素
との比が０．２７〜０．７１の５ｉＯＮ膜を前記膜被着
面に、保護膜として成膜するようにしたことを特徴とす
る。
（作用）
膜被着面に酸素ガスを吹き付けると、そこには５ｉＯＮ
膜が作製される。供給する酸素のガス圧を調整すること
によって、酸素と窒素との比が０．２７〜０．７１のＳ
ｉＯＮ膜を作製すると、その膜は透過率、屈折率ならび
に圧縮応力がいずれも満足し得る値を呈するようになる
。
膜が作製される。供給する酸素のガス圧を調整すること
によって、酸素と窒素との比が０．２７〜０．７１のＳ
ｉＯＮ膜を作製すると、その膜は透過率、屈折率ならび
に圧縮応力がいずれも満足し得る値を呈するようになる
。
（実施例）
この発明の実施例方法を図によって説明する。
図は反応性イオンビームスパッタ法による場合を示し、
１はイオン源（図に示すものはパケット型イオンｇ）、
２はそのフィラメント、３は電極、４は周囲を囲む磁石
である。イオン源ｌの内部には窒素ガスが導入路５より
導入され、ここで窒素イオンビームが生成され、外部に
引き出される。
１はイオン源（図に示すものはパケット型イオンｇ）、
２はそのフィラメント、３は電極、４は周囲を囲む磁石
である。イオン源ｌの内部には窒素ガスが導入路５より
導入され、ここで窒素イオンビームが生成され、外部に
引き出される。
６はＳｉからなるターゲット、７はターゲットホルダー
、８はターゲットホルダー７を冷却する冷却水が供給さ
れる水路、９は光磁気ディスクの基板、１０は基板ホル
ダーである。
、８はターゲットホルダー７を冷却する冷却水が供給さ
れる水路、９は光磁気ディスクの基板、１０は基板ホル
ダーである。
イオン源１から引き出された窒素イオンビームは、ター
ゲット７をスパッタリングし、基板９の表面に、窒化物
薄膜を成膜する。これらの方法は従来の方法と特に相違
するものではない。
ゲット７をスパッタリングし、基板９の表面に、窒化物
薄膜を成膜する。これらの方法は従来の方法と特に相違
するものではない。
この発明にしたがい、前記した成膜時に、酸素ガスを基
板９の表面に吹き付ける。具体的には酸素ガス導入路１
１を用意し、その先端を基板９の表面に向けて、これよ
り酸素ガスを吹き付ければよい。
板９の表面に吹き付ける。具体的には酸素ガス導入路１
１を用意し、その先端を基板９の表面に向けて、これよ
り酸素ガスを吹き付ければよい。
前記したスパッタリングによる実験の結果を示したのが
、次の第１表である。比較のために酸素ガス（０１ガス
）を導入しない場合の実験結果（試料Ｎ１１ｌ、５）に
ついても併示しである。
、次の第１表である。比較のために酸素ガス（０１ガス
）を導入しない場合の実験結果（試料Ｎ１１ｌ、５）に
ついても併示しである。
なお第１表および次の第２表において、窒素ガスの圧力
は、いずれも２．ＯＸ １０−’ｔｏｒｒである。また
Ｏ、ガスの圧力の単位は、（Ｘ １０−’ｔｏｒｒ）、
圧縮応力の単位は、（Ｘ １０’ｄｙｎ／ｃｊ）である
、更に表中における０／Ｎとは、得られた膜の酸素量と
窒素量どの比を表す。
は、いずれも２．ＯＸ １０−’ｔｏｒｒである。また
Ｏ、ガスの圧力の単位は、（Ｘ １０−’ｔｏｒｒ）、
圧縮応力の単位は、（Ｘ １０’ｄｙｎ／ｃｊ）である
、更に表中における０／Ｎとは、得られた膜の酸素量と
窒素量どの比を表す。
上記の表の実験結果から理解されるように、酸素ガスを
吹き付ける方が、これを吹き付けない場合よりも、圧縮
応力が小さくなることが判明する。
吹き付ける方が、これを吹き付けない場合よりも、圧縮
応力が小さくなることが判明する。
しかし酸素ガス圧が低い場合、および高い場合は、屈折
率なり、透過率が所望の値の範囲を超えてしまう（ＮＧ
４，６．９）ことがある。したがってここでは走２，３
，７．８のもの、すなわち０／Ｎが、０．２７〜０．７
１のものが好適であるといえる。
率なり、透過率が所望の値の範囲を超えてしまう（ＮＧ
４，６．９）ことがある。したがってここでは走２，３
，７．８のもの、すなわち０／Ｎが、０．２７〜０．７
１のものが好適であるといえる。
なおアルゴンガスを窒素ガスに加え、その混合ビームを
もってスパッタリングするようにしてもよい、そのため
には図に示すように、アルゴンガスを導入する導入路１
２を用意し、これからのアルゴンガスを窒素ガスととも
に、イオン源１内に導入させればよい。
もってスパッタリングするようにしてもよい、そのため
には図に示すように、アルゴンガスを導入する導入路１
２を用意し、これからのアルゴンガスを窒素ガスととも
に、イオン源１内に導入させればよい。
第２表に前記した混合ガスを利用した場合の実験結果を
示す、なお導入したアルゴンガスのガス圧は、＆１ｌ−
１８については、４，０ＸＩＯ−’ｔｏｒｒであり、ま
た＆１９．２０については、 ８．ＯＸ １０−’ｔｏ
ｒｒである。
示す、なお導入したアルゴンガスのガス圧は、＆１ｌ−
１８については、４，０ＸＩＯ−’ｔｏｒｒであり、ま
た＆１９．２０については、 ８．ＯＸ １０−’ｔｏ
ｒｒである。
上記の表から理解されるように、この場合は酸素ガス圧
を高めていくと、圧縮応力は若干増大するが、適度の酸
素ガス圧の範囲では、支障のない程度の圧縮応力のもの
が得られるようになる。しかし酸素ガスを供給しなかっ
たり、供給しても酸素ガス圧が低い場合、および高い場
合は、屈折率なり、透過率が所望の値の範囲を超えてし
まう（ＮＱＩＩ、 １２．１５．１６．１１３．１９）
ことがある、したがってここではＮ（１１３，１４，１
７，２０のもの、すなわちＯ／Ｎが、０．２７〜０．７
１のものが好適であるといえる。
を高めていくと、圧縮応力は若干増大するが、適度の酸
素ガス圧の範囲では、支障のない程度の圧縮応力のもの
が得られるようになる。しかし酸素ガスを供給しなかっ
たり、供給しても酸素ガス圧が低い場合、および高い場
合は、屈折率なり、透過率が所望の値の範囲を超えてし
まう（ＮＱＩＩ、 １２．１５．１６．１１３．１９）
ことがある、したがってここではＮ（１１３，１４，１
７，２０のもの、すなわちＯ／Ｎが、０．２７〜０．７
１のものが好適であるといえる。
（発明の効果）
以上詳述したようにこの発明によれば、光磁気ディスク
の保護膜として、圧縮応力が小さく、かつ屈折率、透過
率などの諸特性も充分に満足できるものが得られるとい
った効果を奏する。
の保護膜として、圧縮応力が小さく、かつ屈折率、透過
率などの諸特性も充分に満足できるものが得られるとい
った効果を奏する。
図はこの発明の実施例方法を示す装置の断面図である。
１・・・イオン発生源、５・・・窒素ガス導入路、６・
・・Ｓｉターゲット、９・・・基板、１１・・・酸素ガ
ス導入路、１２・・・アルゴンガス導入路、 特性出願人 日新電機株式会電芦−
・・Ｓｉターゲット、９・・・基板、１１・・・酸素ガ
ス導入路、１２・・・アルゴンガス導入路、 特性出願人 日新電機株式会電芦−
Claims (1)
- 窒素ビーム、または窒素とアルゴンとの混合ビームに
よってシリコンターゲットをスパッタすると同時に、膜
被着面に酸素ガスを吹き付け、酸素と窒素との比が０．
２７〜０．７１のＳｉＯＮ膜を、前記膜被着面に、保護
膜として成膜するようにしたことを特徴とする光磁気デ
ィスク用保護膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20342588A JPH0253242A (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 光滋気ディスク用保護膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20342588A JPH0253242A (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 光滋気ディスク用保護膜の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0253242A true JPH0253242A (ja) | 1990-02-22 |
Family
ID=16473869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20342588A Pending JPH0253242A (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 光滋気ディスク用保護膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0253242A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8680766B2 (en) * | 2007-11-06 | 2014-03-25 | Japan Display Inc. | Organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof |
-
1988
- 1988-08-16 JP JP20342588A patent/JPH0253242A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8680766B2 (en) * | 2007-11-06 | 2014-03-25 | Japan Display Inc. | Organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof |
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