JPH01259168A - 反応性イオンビームスパッタ装置 - Google Patents
反応性イオンビームスパッタ装置Info
- Publication number
- JPH01259168A JPH01259168A JP8318988A JP8318988A JPH01259168A JP H01259168 A JPH01259168 A JP H01259168A JP 8318988 A JP8318988 A JP 8318988A JP 8318988 A JP8318988 A JP 8318988A JP H01259168 A JPH01259168 A JP H01259168A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- substrate
- reactive gas
- ion beam
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 16
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 12
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 ivy ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ビーム状のスパッタ用イオンをターゲットに
照射し、スパッタ時に反応性ガスを添加して、基板上に
化合物の薄膜を形成する反応性イオンビームスパッタ装
置の改良に関する。
照射し、スパッタ時に反応性ガスを添加して、基板上に
化合物の薄膜を形成する反応性イオンビームスパッタ装
置の改良に関する。
［従来の技術］
この種の従来装置の方式としては、第２図に示されるも
のが知られている。
のが知られている。
すなわち、（ａ）の方式はイオン源１に不活性ガス６を
導入し、そこからターゲット２に向けてイオンビームを
照射するとともに、スパッタ時に反応性ガス７を添加し
て、基板５の近傍でターゲット粒子と反応性ガスとを反
応せしめ、基板５上に化合物の薄膜を形成するものであ
る。
導入し、そこからターゲット２に向けてイオンビームを
照射するとともに、スパッタ時に反応性ガス７を添加し
て、基板５の近傍でターゲット粒子と反応性ガスとを反
応せしめ、基板５上に化合物の薄膜を形成するものであ
る。
（ｂ）の方式は、イオン源１に不活性ガス６と反応性ガ
ス７とを導入し、そこからターゲット２に向けてイオン
ビームを照射し、ターゲット２上で反応させて、基板５
上に化合物の薄膜を形成するものである。
ス７とを導入し、そこからターゲット２に向けてイオン
ビームを照射し、ターゲット２上で反応させて、基板５
上に化合物の薄膜を形成するものである。
（ｃ）の方式は（、）の改良型とも言うべきもので、反
応性ガス７をイオン化し、それを基板５上に照射すると
ころがみそであり、基板５上における薄膜形成効率の向
上を図った方式である。
応性ガス７をイオン化し、それを基板５上に照射すると
ころがみそであり、基板５上における薄膜形成効率の向
上を図った方式である。
しかしながら、上述した従来例はいづれも問題点を抱え
ている。
ている。
すなわち、（ａ）や（ｃ）の方式では化合物の形成効率
が不十分で、膜中に未反応ガスが取込まれ易い。
が不十分で、膜中に未反応ガスが取込まれ易い。
たとえば、これらの方式を光磁気記録媒体の保論膜とし
てのＳｉＮ膜の形成に適用すると、未反応ガスの取込み
によって磁気特性の耐久性が悪くなる。
てのＳｉＮ膜の形成に適用すると、未反応ガスの取込み
によって磁気特性の耐久性が悪くなる。
また、（ｃ）の方式では基板にイオンビームを照射する
ため、その基板がアクリル樹脂やポリカーゼネート樹脂
等のプラスチック製であると、基板の温度上昇が著しく
カリ、それが変形したり緻密な薄膜が得られない。
ため、その基板がアクリル樹脂やポリカーゼネート樹脂
等のプラスチック製であると、基板の温度上昇が著しく
カリ、それが変形したり緻密な薄膜が得られない。
一方、（ｂ）の方式は他の２方式に比べ比較的高い効率
で薄膜を形成することができる反面、その薄膜の組成が
化学量論的なそれからずれる割合が大きく、しかも成膜
速度を大きくすることができ々い。さらに詳しく説明す
ると、たとえば第３図に示すように成膜速度を大きくす
るためにイオンビームのイオンエネルギーを大きくする
と、薄膜の組成が化学量論的なそれからずれて、薄膜の
屈折率ノコントロールができない場合がある。成膜速度
は第４図に示すようにイオン電流の増加に比例して増加
するが、薄膜の組成が化学量論的なそれからずれてし”
まう。
で薄膜を形成することができる反面、その薄膜の組成が
化学量論的なそれからずれる割合が大きく、しかも成膜
速度を大きくすることができ々い。さらに詳しく説明す
ると、たとえば第３図に示すように成膜速度を大きくす
るためにイオンビームのイオンエネルギーを大きくする
と、薄膜の組成が化学量論的なそれからずれて、薄膜の
屈折率ノコントロールができない場合がある。成膜速度
は第４図に示すようにイオン電流の増加に比例して増加
するが、薄膜の組成が化学量論的なそれからずれてし”
まう。
そのため、化学量論的組成に近い薄膜が得られるイオン
エネルギーでイオン電流を増加させ、現状のイオン源で
得られる最大値にすれば、成膜速度を大幅に向上させる
ことができない。
エネルギーでイオン電流を増加させ、現状のイオン源で
得られる最大値にすれば、成膜速度を大幅に向上させる
ことができない。
一方、反応ガスと不活性ガスの割合を変えて、後者の比
率を大きくした場合は、第５図に例示するように成膜速
度は犬きくなるが、薄膜の組成が化学量論的々それから
大きくずれてしまう。
率を大きくした場合は、第５図に例示するように成膜速
度は犬きくなるが、薄膜の組成が化学量論的々それから
大きくずれてしまう。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、薄膜の屈折率、組成を制御でき、化合
物の形成効率と成膜速度を増大可能にするとともに、基
板の温度上昇の著しく少ない反応性イオンビームス・母
ツタ装置を提供することにある。
物の形成効率と成膜速度を増大可能にするとともに、基
板の温度上昇の著しく少ない反応性イオンビームス・母
ツタ装置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段及び作用］本発明は、ス
ノぐツタ用イオンのビームをターゲットに照射し、スパ
ッタ時に反応性ガスを添加して基板上に化合物の薄膜を
形成する反応性イオンビームスパッタ装置において、上
記反応性ガスとスパッタ時に発生するターゲット粒子の
両者に電子ビームを照射しながら、上記基板上に化合物
の薄膜を形成することを特徴とする。
ノぐツタ用イオンのビームをターゲットに照射し、スパ
ッタ時に反応性ガスを添加して基板上に化合物の薄膜を
形成する反応性イオンビームスパッタ装置において、上
記反応性ガスとスパッタ時に発生するターゲット粒子の
両者に電子ビームを照射しながら、上記基板上に化合物
の薄膜を形成することを特徴とする。
以下、第１図の模式図に基づいて本発明の反応性イオン
ビームスノやツタ装置を詳しく説明する。
ビームスノやツタ装置を詳しく説明する。
１はスパッタ用イオンビームを形成するためのイオン源
で、１）、これには酸素や窒素、メタン等のガスも導入
できるが、アルコゞンをはじめとする不活性ガス６を導
入することが好ましい。
で、１）、これには酸素や窒素、メタン等のガスも導入
できるが、アルコゞンをはじめとする不活性ガス６を導
入することが好ましい。
上記イオンビームは、好ましくは負のＤＣ電圧にバイア
スされたターゲット２に照射される。３はＤＣ電源を示
す。このようにターケゝット２に負のＤＣ電圧を印加す
るのは、イオンをさらに加速するためと、集中してター
ゲット２に照射させるためである。この場合、印加電圧
は適当に選ばれるが、一般には−５０〜−３００Ｖの範
囲が望丑しい。
スされたターゲット２に照射される。３はＤＣ電源を示
す。このようにターケゝット２に負のＤＣ電圧を印加す
るのは、イオンをさらに加速するためと、集中してター
ゲット２に照射させるためである。この場合、印加電圧
は適当に選ばれるが、一般には−５０〜−３００Ｖの範
囲が望丑しい。
ターゲット２の材料としては導体に限らず、ｓｉなどの
半金属も使用可能であり、とくに後者の場合は、膜質に
影響を与えない程度に、Ｂ（ボロン）やＰ（リン）をド
ープした抵抗率〜５Ω・錆のＳｔを用いることが好まし
ｂｏ 前記ビームによってターゲット２がスノやツタされると
、そこからターゲット粒子が発生し、それが基板５の方
向に向って殆ど衝突しないで飛翔する。そしてスパッタ
時に反応性ガス７、たとえば窒素ガスが添加される。こ
の反応性ガス７はターゲット２と基板５の間に供給し、
且つ基板５に向って流れるようにすることが望ましい。
半金属も使用可能であり、とくに後者の場合は、膜質に
影響を与えない程度に、Ｂ（ボロン）やＰ（リン）をド
ープした抵抗率〜５Ω・錆のＳｔを用いることが好まし
ｂｏ 前記ビームによってターゲット２がスノやツタされると
、そこからターゲット粒子が発生し、それが基板５の方
向に向って殆ど衝突しないで飛翔する。そしてスパッタ
時に反応性ガス７、たとえば窒素ガスが添加される。こ
の反応性ガス７はターゲット２と基板５の間に供給し、
且つ基板５に向って流れるようにすることが望ましい。
上記ターゲット粒子は基板５に衝突するまでに反応性ガ
ス７と衝突させて、化合物を形成するわけであるが、そ
のためにはターゲット粒子と反応性ガスは励起状態にあ
るが又はイオン化していなければならない。
ス７と衝突させて、化合物を形成するわけであるが、そ
のためにはターゲット粒子と反応性ガスは励起状態にあ
るが又はイオン化していなければならない。
そこで、本発明ではクーグツト粒子と反応性ガスの両者
に対し電子ビーム源４から電子ビームを照射させる。
に対し電子ビーム源４から電子ビームを照射させる。
基板５上に形成される化合物の薄膜は、この電子ビーム
の加速電圧及びエミッション電流によって、屈折率や組
成を制御できるし、また薄膜の内部応力も制御可能であ
る。
の加速電圧及びエミッション電流によって、屈折率や組
成を制御できるし、また薄膜の内部応力も制御可能であ
る。
［実施例］
以下、実施例１と比較例１に基づいて本発明をさらに具
体的に説明する。
体的に説明する。
実施例１
第１図において、イオン源１としてビーム径ＩＱＯｍφ
のバケット型イオン源を用い、それに導入する不活性ガ
ス６としてＡｒを用いた。イオンエネルギーは４００〜
１０００ｅＶ、最大イオン電流は２００ｍＡである。タ
ーゲット２としてＢをドープしたＰ型の抵抗率０．０１
Ω・αのＳｉを用い、これに対するバイアス電圧は一１
００Ｖとした。
のバケット型イオン源を用い、それに導入する不活性ガ
ス６としてＡｒを用いた。イオンエネルギーは４００〜
１０００ｅＶ、最大イオン電流は２００ｍＡである。タ
ーゲット２としてＢをドープしたＰ型の抵抗率０．０１
Ω・αのＳｉを用い、これに対するバイアス電圧は一１
００Ｖとした。
イオンビームはターゲット２に対して４５°の入射角で
照射した。反応性ガス７としては窒素ガスを用いた。反
応室内の真空度は２Ｘ１０ ’ＴｏｒｒになるようＡｒ
および窒素ガスの量を調整した。
照射した。反応性ガス７としては窒素ガスを用いた。反
応室内の真空度は２Ｘ１０ ’ＴｏｒｒになるようＡｒ
および窒素ガスの量を調整した。
電子ビーム源４の設定加速電圧は０．５ ｋＶ、エミッ
ション電流は１００ｍＡとした。また、イオン源１の設
定エネルギーは１０００ｅＶで、イオン電流は１６０ｍ
Ａとした。基板５はポリカーゴネート樹脂製で、この上
にＳｉＮ薄膜を形成した。得られた薄膜の成膜速度は４
００Ｘ／分、屈折率は２．ｌ１組成はＮ／８１ ＝ １
．２５であった。
ション電流は１００ｍＡとした。また、イオン源１の設
定エネルギーは１０００ｅＶで、イオン電流は１６０ｍ
Ａとした。基板５はポリカーゴネート樹脂製で、この上
にＳｉＮ薄膜を形成した。得られた薄膜の成膜速度は４
００Ｘ／分、屈折率は２．ｌ１組成はＮ／８１ ＝ １
．２５であった。
成膜した基板５は温度上昇による変形等は認められず、
テープテストによる薄膜の密着力も良好であった。捷だ
、薄膜の内部応力は圧縮応力で４０ ｋｌ？／ｍｍ
と小さな値を示した。
テープテストによる薄膜の密着力も良好であった。捷だ
、薄膜の内部応力は圧縮応力で４０ ｋｌ？／ｍｍ
と小さな値を示した。
比較例１
実施例１と同一のイオン源１に対して不活性ガス６の代
わシに窒素ガスを導入し、ターゲット２に窒素イオンビ
ームを照射した。なお、ターゲット２は実施例１と同じ
ものを用いた。
わシに窒素ガスを導入し、ターゲット２に窒素イオンビ
ームを照射した。なお、ターゲット２は実施例１と同じ
ものを用いた。
イオンエネルギーは１０００ｅＶ、イオン電流は１６０
ｍＡである。電子ビーム源４の使用を省いて基板５土
に成膜したところ、成膜速度は２３０Ｖ分、得られたＳ
ｉＮ薄膜の屈折率は２．３、組成はＮ／５ｉ＝０．９で
あった。捷た、薄膜の内部応力は圧縮応力で１００ ｋ
ｌ？／朋 と大きな値を示した。
ｍＡである。電子ビーム源４の使用を省いて基板５土
に成膜したところ、成膜速度は２３０Ｖ分、得られたＳ
ｉＮ薄膜の屈折率は２．３、組成はＮ／５ｉ＝０．９で
あった。捷た、薄膜の内部応力は圧縮応力で１００ ｋ
ｌ？／朋 と大きな値を示した。
［発明の効果］
以上で明らかなように、本発明の反応性イオンビームス
ノやツタ装置は反応性ガスとターゲット粒子の両者に電
子ビームを照射しなから成膜を行なうものであるだめ、
得られる薄膜の屈折率および組成を制御でき、化合物の
形成効率と成膜速度を増大させることが可能となるばか
りか、基板の温度上昇ならびにそれに伴なう変形等の弊
害を著しく少なくでき、さらには薄膜の内部応力も小さ
く制御することが可能となった。
ノやツタ装置は反応性ガスとターゲット粒子の両者に電
子ビームを照射しなから成膜を行なうものであるだめ、
得られる薄膜の屈折率および組成を制御でき、化合物の
形成効率と成膜速度を増大させることが可能となるばか
りか、基板の温度上昇ならびにそれに伴なう変形等の弊
害を著しく少なくでき、さらには薄膜の内部応力も小さ
く制御することが可能となった。
第１図は本発明の反応性イオンビームスパッタ装置の模
式図、第２図（ａ）〜（ｃ）は従来の反応性イオンスノ
Ｒツタ装置の模式図である。第３図（ａ）は従来の反応
性イオンスパッタ装置における成膜速度とイオンエネル
ギーの関係を示す線図、第３図（ｂ）は同装置における
イオンエネルギーと薄膜の屈折率、組成（Ｎ／８１ ）
との関係を示す線図、第４図は同装置における成膜速度
とイオン電流の関係を示す線図、第５図は同装置におけ
る不活性ガス（Ａｒ ）の割合と成膜速度、薄膜の組成
（Ｎ／Ｓｔ）との関係を示す線図である。 １・・・イオン源、２・・・ターグット、３・・・ＤＣ
電源、４−電子ビーム源、５・・・基板、６・・・不活
性ガス、７・・・反応性ガス。 代理人 弁理士 山 下 穣 平
式図、第２図（ａ）〜（ｃ）は従来の反応性イオンスノ
Ｒツタ装置の模式図である。第３図（ａ）は従来の反応
性イオンスパッタ装置における成膜速度とイオンエネル
ギーの関係を示す線図、第３図（ｂ）は同装置における
イオンエネルギーと薄膜の屈折率、組成（Ｎ／８１ ）
との関係を示す線図、第４図は同装置における成膜速度
とイオン電流の関係を示す線図、第５図は同装置におけ
る不活性ガス（Ａｒ ）の割合と成膜速度、薄膜の組成
（Ｎ／Ｓｔ）との関係を示す線図である。 １・・・イオン源、２・・・ターグット、３・・・ＤＣ
電源、４−電子ビーム源、５・・・基板、６・・・不活
性ガス、７・・・反応性ガス。 代理人 弁理士 山 下 穣 平
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）スパッタ用イオンのビームをターゲットに照射し
、スパッタ時に反応性ガスを添加して基板上に化合物の
薄膜を形成する反応性イオンビームスパッタ装置におい
て、上記反応性ガスとスパッタ時に発生するターゲット
粒子の両者に電子ビームを照射しながら、上記基板上に
化合物の薄膜を形成することを特徴とする反応性イオン
ビームスパッタ装置。（２）前記スパッタ用イオンが不
活性ガスのイオンである特許請求の範囲第（１）項記載
の反応性イオンビームスパッタ装置。 （３）前記反応性ガスが前記ターゲットと基板との間に
供給され、且つ該基板に向って流れるようにした特許請
求の範囲第（１）項記載の反応性イオンビームスパッタ
装置。 （４）前記ターゲットが抵抗率５Ω・ｃｍ以下の材料か
らなり、且つこのターゲットにバイアス電圧か印加され
るようにした特許請求の範囲第（１）項記載の反応性イ
オンビームスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8318988A JPH01259168A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 反応性イオンビームスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8318988A JPH01259168A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 反応性イオンビームスパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01259168A true JPH01259168A (ja) | 1989-10-16 |
Family
ID=13795377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8318988A Pending JPH01259168A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 反応性イオンビームスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01259168A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04292802A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-16 | G T C:Kk | Ｉｔｏ透明導電膜の形成方法 |
| JP2007308808A (ja) * | 2007-08-23 | 2007-11-29 | Canon Anelva Corp | スパッタリング方法 |
| JP2008017491A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | スパッタリング工程を利用するフィルム型アンテナの製造方法 |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP8318988A patent/JPH01259168A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04292802A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-16 | G T C:Kk | Ｉｔｏ透明導電膜の形成方法 |
| JP2008017491A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | スパッタリング工程を利用するフィルム型アンテナの製造方法 |
| JP2007308808A (ja) * | 2007-08-23 | 2007-11-29 | Canon Anelva Corp | スパッタリング方法 |
| JP4719195B2 (ja) * | 2007-08-23 | 2011-07-06 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| George | Preparation of thin films | |
| US20040089535A1 (en) | Process and apparatus for pulsed dc magnetron reactive sputtering of thin film coatings on large substrates using smaller sputter cathodes | |
| JPH01259168A (ja) | 反応性イオンビームスパッタ装置 | |
| JPS58199862A (ja) | マグネトロン形スパツタ装置 | |
| JPS63238270A (ja) | 化合物薄膜の製造方法 | |
| JP2698416B2 (ja) | ３次元光導波路クラッド膜の形成方法 | |
| JPS6043481A (ja) | スパツタリング法及びその装置 | |
| JPS6321297A (ja) | 酸化亜鉛圧電結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH0261130B2 (ja) | ||
| JPS62151561A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPH0253242A (ja) | 光滋気ディスク用保護膜の製造法 | |
| JPS628409A (ja) | 透明電導性金属酸化物膜の形成方法 | |
| JPH04358058A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| JP2636577B2 (ja) | 窒化チタン膜の形成方法 | |
| JPS63262457A (ja) | 窒化ホウ素膜の作製方法 | |
| JP2595009B2 (ja) | プラズマ生成装置およびプラズマを利用した薄膜形成装置 | |
| JPH01279748A (ja) | 反応性プラズマビーム製膜装置 | |
| JPS63317659A (ja) | 窒化珪素膜の製造方法 | |
| JP2995443B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0243357A (ja) | 超伝導薄膜の製造方法 | |
| JPH033743B2 (ja) | ||
| JPH0722405A (ja) | 化学気相成長法およびその装置 | |
| JPS63161168A (ja) | イオンビ−ムスパツタによる成膜方法 | |
| JPS62263962A (ja) | 窒化ホウ素膜の形成方法 | |
| JPS61141591A (ja) | カルコゲナイド系酸化物からなる光記録媒体の製造方法 |