JP2007308808A - スパッタリング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 チタン等の金属製のターゲット2をスパッタして基板50に所定の薄膜を作成するスパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入手段4は、ターゲット2から放出されるスパッタ粒子に反応して、ホール500の側面501に対する付着性がスパッタ粒子単体の場合よりもより低く且つホール500の底面502において解離可能な化合物を生成する水素等の反応性ガスを導入することが可能である。狭いホール500の底面502まで効率よくスパッタ粒子が到達できるので、ホール500の底面502での膜堆積が促進され、ボトムカバレッジ率が向上する。
【選択図】 図2
Description
基板が保持されたスパッタチャンバー内に、所定のスパッタ放電用のガスを導入してスパッタ放電を生じさせ、スパッタ放電によりターゲットから放出されるスパッタ粒子を前記表面に到達させて前記薄膜を作成する方法であり、
スパッタ粒子と反応して、基板の表面に対する付着性が当該スパッタ粒子単体の場合よりもより低く且つ基板の表面において解離する化合物を生成する反応性ガスを前記スパッタ用ガスとともに導入しながら行うという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項2記載の発明は、上記請求項1の構成において、前記反応性ガスは、前記スパッタ粒子と反応した際に化合物を生成するガスであり、この化合物は、最初に基板の表面に達した際の表面に対する付着性がスパッタ粒子単体の場合よりもより低く且つ再度基板の表面に達した際に解離するものであるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項3記載の発明は、表面に微細なホールが形成された基板に対し、そのホールの内面に薄膜を作成するスパッタリング方法であって、
基板が保持されたスパッタチャンバー内に、所定のスパッタ放電用のガスを導入してスパッタ放電を生じさせ、スパッタ放電によりターゲットから放出されるスパッタ粒子を前記表面に到達させて前記薄膜を作成する方法であり、
スパッタ粒子と反応して、当該スパッタ粒子単体よりも前記ホールの側壁に対する付着性がより低く且つホールの底面において解離する化合物を生成する反応性ガスを前記スパッタ用ガスとともに導入しながら行うという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項4記載の発明は、上記請求項3の構成において、前記反応性ガスは、前記スパッタ粒子と反応した際に化合物を生成するガスであり、この化合物は、最初にホールの側壁に達した際の側壁に対する付着性がスパッタ粒子単体の場合よりもより低く且つその後ホールの底面に達した際に解離するものである。
また、上記課題を解決するため、請求項5記載の発明は、上記請求項1乃至4いずれかの構成において、前記反応性ガスは、イオン化した際にスパッタ粒子から電子を奪ってスパッタ粒子をイオン化させることが可能なものであるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項6記載の発明は、上記請求項5の構成において、前記ターゲットはチタンから形成されており、前記反応性ガスは水素であるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項7記載の発明は、上記請求項6の構成において、水素ガスよりなる反応性ガスとともに、アルゴンガスと窒素ガスとを導入しながら行ういう構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項8記載の発明は、上記請求項1乃至5いずれかの構成において、前記ターゲットはチタンから形成されており、窒素を導入せずに前記反応性ガスとして水素を導入しながら行うという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項9記載の発明は、上記請求項6乃至8いずれかの構成において、前記水素を活性化させて水素ラジカルを生成しながら行うという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項10記載の発明は、上記請求項1乃至9いずれかの構成において、前記ターゲットから基板へのスパッタ粒子の飛行経路に、前記スパッタ放電によって形成されるプラズマとは別のプラズマを形成し、この別のプラズマ中で前記スパッタ粒子又は前記反応性ガスをイオン化させるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項11記載の発明は、上記請求項1乃至10いずれかの構成において、前記反応性ガスを活性化又はイオン化させた状態で導入する、という構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項12記載の発明は、上記請求項11の構成において、 前記活性化又はイオン化させた反応性ガスを基板の表面近傍の空間に向けて導入するという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項13記載の発明は、上記請求項1乃至12いずれかの構成において、基板に対して垂直にイオンを入射させるためのイオン入射用電界を設定しながら行うという構成を有する。
また、請求項3の発明によれば、ホールの底面に効率よくスパッタ粒子を到達させて薄膜を堆積させることができるので、ボトムカバレッジ率が向上する。このため、アスペクト比4以上のホールに対して充分なボトムカバレッジ率で成膜を行うことができ、256メガビット以降の次世代のデバイスの製作に特に好適なものとなる。
また、請求項5の発明によれば、上記効果に加え、スパッタ粒子がイオン化されるので、イオン化スパッタリングの効果も期待でき、この点でさらにボトムカバレッジ率の高い成膜が可能となる。
また、請求項6、7、8又は9の発明によれば、上記効果に加え、二つの層の相互拡散を防止するバリア膜を作成する場合に特に好適なものになる。
また、請求項10の発明によれば、スパッタ放電によるプラズマとは別にプラズマが形成されて当該プラズマ中で反応性ガスがイオン化したり活性化したりするので、上記効果がさらに増進される。
また、請求項11の発明によれば、反応性ガスがイオン化したり活性化したりした状態で導入されるので、上記請求項1又は3の発明の効果がさらに高く得られる。
また、請求項12の発明によれば、イオンしたり活性化したりした反応性ガスが基板に向けて供給されるので、上記請求項11の発明の効果がさらに高く得られる。
また、請求項13の発明によれば、基板に垂直なイオン入射用電界が設定されるので、イオンした反応性ガスを効率よく基板の表面近傍の空間に引きつけたり、イオン化スパッタリングの効果をより向上させたりする効果がある。このため、上記各請求項の発明の効果がさらに増進される。
図1は、本願発明の第一の実施形態のスパッタリング方法の実施に使用されるスパッタリング装置の構成を説明する正面概略図である。図1に示すスパッタリング装置は、排気系11を備えたスパッタチャンバー1と、このスパッタチャンバー1内に設けられたターゲット2と、このターゲット2をスパッタするスパッタ電源3と、スパッタチャンバー1内に所定のガスを導入するガス導入手段4と、ターゲット2から放出されたスパッタ粒子が入射する位置に基板50を保持する基板ホルダー5とを備えている。
スパッタ電源3は、所定の負の高電圧をターゲット2に印加するよう構成される。例えばチタンのスパッタの場合、700V程度の負の直流電圧を印加するよう構成されることが多い。
Ti+H+→Ti++H ……(1)
Ti+H+→(TiH)* ……(2)
Ti+H*→(TiH)* ……(3)
式(1)は、Tiスパッタ原子が水素イオンに電子を奪われることによってTiイオンに変化する反応、式(2)は、Tiスパッタ原子が水素イオンと反応してTiHラジカルを生成する反応、式(3)は、Tiスパッタ原子が水素ラジカルと反応してTiHラジカルを生成する反応をそれぞれ示している。
(TiH)*→TiH……(4)
TiH→Ti+H ……(5)
式(4)は、TiHラジカルが基板50の表面への衝突によって失活する過程を表しており、式(5)は、TiHがTi(固体)とH(気体)に解離する反応を表している。尚、Tiはチタン薄膜を堆積する素となり、HはH2となって再び空間に放出され、上記のような反応に再び利用されるか、又は、最終的に排気系11によって排気される。
11 排気系
2 ターゲット
3 スパッタ電源
30 磁石機構
4 ガス導入手段
41 アルゴンガス導入系
42 水素ガス導入系
43 窒素ガス導入系
424 エネルギー供給管
425 高周波アンテナ
426 反応性ガス用高周波電源
5 基板ホルダー
50 基板
6 電界設定手段
61 基板バイアス用電源
7 プラズマ形成手段
71 高周波コイル
72 プラズマ用高周波電源
8 防着シールド
Claims (13)
- 基板の表面に薄膜を作成するスパッタリング方法であって、
基板が保持されたスパッタチャンバー内に、所定のスパッタ放電用のガスを導入してスパッタ放電を生じさせ、スパッタ放電によりターゲットから放出されるスパッタ粒子を前記表面に到達させて前記薄膜を作成する方法であり、
スパッタ粒子と反応して、基板の表面に対する付着性が当該スパッタ粒子単体の場合よりもより低く且つ基板の表面において解離する化合物を生成する反応性ガスを前記スパッタ用ガスとともに導入しながら行うことを特徴とするスパッタリング方法。 - 前記反応性ガスは、前記スパッタ粒子と反応した際に化合物を生成するガスであり、この化合物は、最初に基板の表面に達した際の表面に対する付着性がスパッタ粒子単体の場合よりもより低く且つ再度基板の表面に達した際に解離するものであることを特徴とする請求項1記載のスパッタリング方法。
- 表面に微細なホールが形成された基板に対し、そのホールの内面に薄膜を作成するスパッタリング方法であって、
基板が保持されたスパッタチャンバー内に、所定のスパッタ放電用のガスを導入してスパッタ放電を生じさせ、スパッタ放電によりターゲットから放出されるスパッタ粒子を前記表面に到達させて前記薄膜を作成する方法であり、
スパッタ粒子と反応して、当該スパッタ粒子単体よりも前記ホールの側壁に対する付着性がより低く且つホールの底面において解離する化合物を生成する反応性ガスを前記スパッタ用ガスとともに導入しながら行うことを特徴とするスパッタリング方法。 - 前記反応性ガスは、前記スパッタ粒子と反応した際に化合物を生成するガスであり、この化合物は、最初にホールの側壁に達した際の側壁に対する付着性がスパッタ粒子単体の場合よりもより低く且つその後ホールの底面に達した際に解離するものであることを特徴とする請求項3記載のスパッタリング方法。
- 前記反応性ガスは、イオン化した際にスパッタ粒子から電子を奪ってスパッタ粒子をイオン化させることが可能なものであることを特徴とする請求項1乃至4いずれかに記載のスパッタリング方法。
- 前記ターゲットはチタンから形成されており、前記反応性ガスは水素であることを特徴とする請求項1乃至5いずれかに記載のスパッタリング方法。
- 水素ガスよりなる反応性ガスとともに、アルゴンガスと窒素ガスとを導入しながら行うことを特徴とする請求項6記載のスパッタリング方法。
- 前記ターゲットはチタンから形成されており、窒素を導入せずに前記反応性ガスとして水素を導入しながら行うことを特徴とする請求項1乃至5いずれかに記載のスパッタリング方法。
- 前記水素を活性化させて水素ラジカルを生成しながら行うことを特徴とする請求項6、7又は8記載のスパッタリング方法。
- 前記ターゲットから基板へのスパッタ粒子の飛行経路に、前記スパッタ放電によって形成されるプラズマとは別のプラズマを形成し、この別のプラズマ中で前記スパッタ粒子又は前記反応性ガスを活性化又はイオン化させることを特徴とする請求項1乃至9いずれかに記載のスパッタリング方法。
- 前記反応性ガスを活性化又はイオン化させた状態で導入することを特徴とする請求項1乃至10いずれかに記載のスパッタリング方法。
- 前記活性化又はイオン化させた反応性ガスを基板の表面近傍の空間に向けて導入することを特徴とする請求項11記載のスパッタリング方法。
- 基板に対して垂直にイオンを入射させるためのイオン入射用電界を設定しながら行うことを特徴とする請求項1乃至12いずれかに記載のスパッタリング方法。
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