JPS59205471A - 被処理物品の表面に黒色被膜を形成する方法 - Google Patents
被処理物品の表面に黒色被膜を形成する方法Info
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- JPS59205471A JPS59205471A JP7786683A JP7786683A JPS59205471A JP S59205471 A JPS59205471 A JP S59205471A JP 7786683 A JP7786683 A JP 7786683A JP 7786683 A JP7786683 A JP 7786683A JP S59205471 A JPS59205471 A JP S59205471A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、主として、メガネフレーム、ライターケース
、時計ケース、あるいは時計バンド等の装飾品の表面に
黒色被膜を形成する方法に関するものである。
、時計ケース、あるいは時計バンド等の装飾品の表面に
黒色被膜を形成する方法に関するものである。
従来、例えば時計バンドの表面に黒色被膜を形成する方
法としては、黒色の塗料を施すことが実用化された方法
として知られているが、一般に塗料は硬度が低く耐摩耗
性が悪いという欠点があった。
法としては、黒色の塗料を施すことが実用化された方法
として知られているが、一般に塗料は硬度が低く耐摩耗
性が悪いという欠点があった。
本発明は、上述した従来技術の欠点を解消し、被処理物
品の表面に高硬度の黒色被膜を形成する方法を提供する
ことを目的とする。
品の表面に高硬度の黒色被膜を形成する方法を提供する
ことを目的とする。
以下、図面に基づき本発明の詳細な説明する。
図は本発明の方法で使用される装置であり、１は真空槽
で、この真空槽１は真空槽排気用配管２を介して真空ポ
ンプ８に連結されている。４は・前記真空槽１に一体に
設けた放電室であり、この放電室４にはガス供給用のパ
イプ５が設けである。
で、この真空槽１は真空槽排気用配管２を介して真空ポ
ンプ８に連結されている。４は・前記真空槽１に一体に
設けた放電室であり、この放電室４にはガス供給用のパ
イプ５が設けである。
そして、このバイブ５は、流量計６．７及びニードル弁
８．９を介して、メタン系、エチレン系゛またはアセチ
レンガス等の直鎖状炭化水素ガス源１０、及びアルゴン
ガスやヘリウムガス等の不活性ガス源１１にそれぞれ通
じている。
８．９を介して、メタン系、エチレン系゛またはアセチ
レンガス等の直鎖状炭化水素ガス源１０、及びアルゴン
ガスやヘリウムガス等の不活性ガス源１１にそれぞれ通
じている。
前記放電室４の左端には、放電室４内に供給された混合
ガスを放電分解、イオン化するための電極１２が設けて
あり、この電極１２にはｉｏｖ乃至１００Ｖの正電圧が
印加される。一方、前記放電室４の右開口端にはフィラ
メント１８が配設してあり、前記電極１２とフィラメン
ト１８間でアーク放電を起こさせるようになっている。
ガスを放電分解、イオン化するための電極１２が設けて
あり、この電極１２にはｉｏｖ乃至１００Ｖの正電圧が
印加される。一方、前記放電室４の右開口端にはフィラ
メント１８が配設してあり、前記電極１２とフィラメン
ト１８間でアーク放電を起こさせるようになっている。
１４は磁石で、前記放電室４内にその軸線に平行な磁束
を発生するように放電室４の外周囲に設けである。
を発生するように放電室４の外周囲に設けである。
被処理物品である基板１５は、前記真空槽１内に、前記
電極１２やフィラメント１８とほぼ同軸的に配設され、
Ｏｖ乃至１ｏｏｏｖの負電圧が印加される。
電極１２やフィラメント１８とほぼ同軸的に配設され、
Ｏｖ乃至１ｏｏｏｖの負電圧が印加される。
次に、上述した装置によって基板の表面に黒色被膜を形
成する方法について説明する。まず、真空ポンプ８を動
作させて真空槽１内を１０’）−ル程度才で排気減圧し
た後、ニードル弁８．９を徐々に開き、直鎖状炭化水素
ガス１０と不活性ガス１１の混合ガスを１０−３乃至５
０トールを保つよう真空槽ｌ内に供給する。そして、電
極１２に１０Ｖ乃至１００Ｖの正電圧を印加し、フィラ
メント１３を約２０００℃に加熱し、電極１２とフィラ
メント１３間でアーク放電を起こさせ、混合ガスを放電
分解、イオン化させる０ここで、不活性ガスを混合する
理由は、上述の放電が起こり易くするためであり、混合
ガス中の不活性ガスの流量比が多くなると放電はスムー
ズになるが、目的の直鎖状炭化水素ガスが少なすぎると
被膜の形成速度が遅くなるため、直鎖状炭化水素ガスと
不活性カスの混合比は、流量比で１対０．５乃至１対５
００割合が適当である。また、電極１２に印加する電圧
は、ＩＯＶ以下では放電が弱く混合ガスが十分に分解さ
れず、１００Ｖ以上では異常な短絡状態の放電が起こる
ため、正のＩＯＶ乃至１ｏｏｖが適当である。
成する方法について説明する。まず、真空ポンプ８を動
作させて真空槽１内を１０’）−ル程度才で排気減圧し
た後、ニードル弁８．９を徐々に開き、直鎖状炭化水素
ガス１０と不活性ガス１１の混合ガスを１０−３乃至５
０トールを保つよう真空槽ｌ内に供給する。そして、電
極１２に１０Ｖ乃至１００Ｖの正電圧を印加し、フィラ
メント１３を約２０００℃に加熱し、電極１２とフィラ
メント１３間でアーク放電を起こさせ、混合ガスを放電
分解、イオン化させる０ここで、不活性ガスを混合する
理由は、上述の放電が起こり易くするためであり、混合
ガス中の不活性ガスの流量比が多くなると放電はスムー
ズになるが、目的の直鎖状炭化水素ガスが少なすぎると
被膜の形成速度が遅くなるため、直鎖状炭化水素ガスと
不活性カスの混合比は、流量比で１対０．５乃至１対５
００割合が適当である。また、電極１２に印加する電圧
は、ＩＯＶ以下では放電が弱く混合ガスが十分に分解さ
れず、１００Ｖ以上では異常な短絡状態の放電が起こる
ため、正のＩＯＶ乃至１ｏｏｖが適当である。
そして、アーク放電で分解、イオン化された直鎖状炭化
水素ガスは、Ｏｖ乃至１（１００Ｖの負電圧が印加され
た基板１５上に堆積し、高硬度の黒色被膜を形成する。
水素ガスは、Ｏｖ乃至１（１００Ｖの負電圧が印加され
た基板１５上に堆積し、高硬度の黒色被膜を形成する。
基板１５に上述した範囲の負電圧を印加する理由は、イ
オンを引きつけて被膜の密着性を向上させるためであり
、イオンの衝撃による昇温で熱的に変形したり寸法変化
を起こす基板１５の場合は、電圧を印加しないでＯＶと
することもある。また、この時の真空槽ｌ内の圧力は、
１０”ｌ−−ル以下では前述の電極１２とフィラメント
１３間のアーク放電が起こりにくく、しかも被膜の形成
速度が遅すぎて透明がかった色の被膜になってしまい、
５０ト一ル以上になると、ガス同志の衝突により基板１
５へ到達するエネルギーが失われてしまうため、ｉｏ”
乃至５０トールが適当である。
オンを引きつけて被膜の密着性を向上させるためであり
、イオンの衝撃による昇温で熱的に変形したり寸法変化
を起こす基板１５の場合は、電圧を印加しないでＯＶと
することもある。また、この時の真空槽ｌ内の圧力は、
１０”ｌ−−ル以下では前述の電極１２とフィラメント
１３間のアーク放電が起こりにくく、しかも被膜の形成
速度が遅すぎて透明がかった色の被膜になってしまい、
５０ト一ル以上になると、ガス同志の衝突により基板１
５へ到達するエネルギーが失われてしまうため、ｉｏ”
乃至５０トールが適当である。
次に実施例を示す。まず、直鎖状炭化水素ガスとしてエ
チレンガスを用い、不活性ガスとしてアルゴンガスを用
い、これらを流量比で１対５の割合で混合して真空槽１
内に導入し、真空槽１内を１０”）−ルを保つよう調整
する。そして、４０Ｖの正電圧を印加した電極１２と２
０００℃に加熱したフィラメント１８間でアーク放電を
起こさせ、フィラメント１８から１ｓｃ＋ｎＪすれた位
置匹１００Ｖの負電圧を印加した被処理物品（時計バン
ド）１５を配置し、この被処理物品１５０表面に１０分
間で１μｍの黒色被膜を形成し、その硬度を測定したと
ころ、この黒色被膜のマイクロとノカース硬度は１００
ＯＫり／ｒＩｈｎ２であった。
チレンガスを用い、不活性ガスとしてアルゴンガスを用
い、これらを流量比で１対５の割合で混合して真空槽１
内に導入し、真空槽１内を１０”）−ルを保つよう調整
する。そして、４０Ｖの正電圧を印加した電極１２と２
０００℃に加熱したフィラメント１８間でアーク放電を
起こさせ、フィラメント１８から１ｓｃ＋ｎＪすれた位
置匹１００Ｖの負電圧を印加した被処理物品（時計バン
ド）１５を配置し、この被処理物品１５０表面に１０分
間で１μｍの黒色被膜を形成し、その硬度を測定したと
ころ、この黒色被膜のマイクロとノカース硬度は１００
ＯＫり／ｒＩｈｎ２であった。
以上説明したように、本発明の方法によれば、メガネフ
レームやライターケース、時計ケース、あるいは時計バ
ンド等の被処理物品の表面に、黒色で耐摩耗性に優れた
被膜を形成することが可能となる。
レームやライターケース、時計ケース、あるいは時計バ
ンド等の被処理物品の表面に、黒色で耐摩耗性に優れた
被膜を形成することが可能となる。
図面は本発明による被処理物品の表面に黒色被膜を形成
する方法で使用される装置の一例を示す図である。 １・・真空槽、１０・・直鎖状炭化水素ガス源、１１・
・不活性ガス源、１２・・電極、１８・・フィラメント
、１５・・被処理物品。 特許出願人 宏和エンジニアリング株式会社
する方法で使用される装置の一例を示す図である。 １・・真空槽、１０・・直鎖状炭化水素ガス源、１１・
・不活性ガス源、１２・・電極、１８・・フィラメント
、１５・・被処理物品。 特許出願人 宏和エンジニアリング株式会社
Claims (1)
- 直鎖状炭化水素ガスと不活性ガスを流量比で１対０．５
乃至１対５００割合で混合して、１０”乃至５０トール
を保つように真空槽に導入し、この混合ガスを、加熱し
たフィラメントとＩＯＶ乃至１００Ｖの正電圧を印加し
た電極との間のアーク放電により分解、イオン化し、こ
の分解、イオン化したガスを、前記真空槽内に配置した
被処理物品上に堆積してなる、被処理物品の表面に黒色
被膜を形成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7786683A JPS59205471A (ja) | 1983-05-02 | 1983-05-02 | 被処理物品の表面に黒色被膜を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7786683A JPS59205471A (ja) | 1983-05-02 | 1983-05-02 | 被処理物品の表面に黒色被膜を形成する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59205471A true JPS59205471A (ja) | 1984-11-21 |
Family
ID=13645970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7786683A Pending JPS59205471A (ja) | 1983-05-02 | 1983-05-02 | 被処理物品の表面に黒色被膜を形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59205471A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61130487A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ・インジエクシヨン・ｃｖｄ装置 |
| JPS61238962A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 膜形成装置 |
| JPS62294160A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | バルツエルス アクチエンゲゼルシヤフト | 反応性気体プラズマ中での材料の熱化学的表面処理方法 |
-
1983
- 1983-05-02 JP JP7786683A patent/JPS59205471A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61130487A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ・インジエクシヨン・ｃｖｄ装置 |
| JPS6326195B2 (ja) * | 1984-11-29 | 1988-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS61238962A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 膜形成装置 |
| JPS62294160A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | バルツエルス アクチエンゲゼルシヤフト | 反応性気体プラズマ中での材料の熱化学的表面処理方法 |
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