JPH03108136A

JPH03108136A - 光情報記録媒体およびその製造方法

Info

Publication number: JPH03108136A
Application number: JP1245479A
Authority: JP
Inventors: Toru Takahashi; 徹高橋; Takenobu Hatasawa; 畠澤　剛信
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 1989-09-20
Filing date: 1989-09-20
Publication date: 1991-05-08

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、耐湿性、耐食性、耐擦傷性に優れ、かつ、吸
水による形状変化の小さい光情報記録媒体とその製造方
法に関する。

〔従来の技術］近年、光ディスクやビデオディスクなどの多種類の光情
報記録媒体が開発され、市販されている。これらの光情
報記録媒体は、回転するディスク上にレーザー光を集光
し、ディスクからの反射光の強弱を検出する基本構成を
採用しており、ポリカーボネートやポリメチルメタクリ
レートなどの透明な合成樹脂からなる基板上に記録層を
設けたものが代表的なものである。

ところで、記録層に用いられる記録媒体用材料として、
Ｔｅ、Ｔｉなどの金属または金属合金、Ｔｅ低酸化物、
有機染料薄膜、銀塩薄膜、フォトクロミック化合物など
が広く提案され、また、使用されているが、これらはい
ずれも酸化や加水分解されやすい材料であるため、記録
層の劣化を防ぐための保護層の開発が進められている。

また、合成樹脂製の基板を用いた光情報記録媒体におい
ては、基板の吸水・膨潤によるソリが生じ、それに起因
して記録層が剥離したり、信号読み取りが不可能になっ
たり、あるいは透過水分により記録層が劣化するなどの
問題がある。そこで、これらの問題を解決して、光情報
媒体の長期信頼性をいかにして確保するかが重要な課題
となっている。

従来、保護層として、各種合成樹脂層や二酸化ケイ素な
どの透明誘電体層を記録層面上に設けることなどが提案
されている。例えば、特開昭６１−３９９４９号公報に
は、透明基板の片面に設けられた光情報記録層の表面に
シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤を
１〜２分子層設け、記録層の面上あるいは記録層および
基板の両表面にポリ塩化ビニリデン共重合物含有層を形
成することにより、防湿性や耐食性を向上させることが
提案されている。

しかしながら、記録層の表面のみをポリ塩化ビニリデン
共重合物含有層で保護した場合には、基板面側からの透
過水分を遮断することができないので、基板の吸水によ
るソリおよびそれに起因する記録層の剥離や透過水分に
よる記録層の劣化等を防ぐことはできない。この問題は
、記録層の表面を誘電体層で被覆した場合も同様である
。また、記録層の面上に反射層、あるいは誘電体層を介
して反射層を設けた構造の光情報記録媒体でも、基板側
からの吸水問題は解決されない。

一方、記録層および基板の両表面にポリ塩化ビニリデン
共重合物含有層を形成すると、光の通路となる基板表面
に耐擦傷性に劣る樹脂層が形成されることになるので、
信号劣化や感度の劣化など光情報記録媒体としての基本
的性能を著しく損なう恐れがある。しかも、このように
両表面にポリ塩化ビニリデン共重合物含有層を形成して
も、耐湿性は充分ではなく、透過水分による記録層の劣
化を完全に防ぐことはできない。

さらに、光情報記録媒体には、接着張り合せ構造やエア
ーサンドイッチ構造などの構造のものがあり、それらは
記録層を中心層とする両面張り合せ構造のため、ソリの
問題は軽減されるが、透過水分による記録層の劣化を防
ぐことはできない。

また、記録層の上面または上下面にＳｉＯやＳ　ｉ　Ｏ
ｘ　、Ｍ　ｇ　Ｆ　ｚ　、Ａ　Ｉ２Ｎなどの透明誘電体
層を積層すれば、記録層を酸化や加水分解から防ぐこと
ができるが、これらの透明誘電体材料は、基板となる合
成樹脂との密着性に劣るため、基板の保護層に用いるこ
とは困難である。

最近、基板上にプラズマ重合膜を形成することにより、
基板と保護層または誘電体層との密着性等を改善するこ
とが提案されている（特開昭６１−１８４７４３号、特
開昭６２−４０６５２号、特開昭６２−４２３４９号、
特開昭６２−４６４４７号、特開昭６２−６７７４３号
、特開昭６２−４６４４８号、特開昭６２−９２２５０
号、特開昭６３−１０３５５号、特開昭６２−１９５７
４２号など）。

しかしながら、これらのプラズマ重合膜では、その表面
特性が不充分であるため、光情報記録媒体の全面または
透明基板の保護膜としては充分な機能を果たすものでは
ない。

また、合成樹脂成形体の表面を二酸化ケイ素膜で被覆す
る技術が開発されているが（特開昭６１−１２７３４号
）、二酸化ケイ素膜は、合成樹脂との密着性に劣り、ま
た、合成樹脂成形体と二酸化ケイ素膜の両者と密着性に
優れたブライマーがないため、この技術を単に光情報記
録媒体の保護用に適用しても、優れた性能を付与するこ
とは困難である。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明の目的は、耐湿性、耐食性、耐擦傷性が向上し、
かつ吸水による形状変化が極めて小さい光情報記録媒体
を提供することにある。

本発明者らは、前記従来技術の有する問題点を克服する
ために鋭意研究した結果、合成樹脂製の透明基板上に記
録層、誘電体層および／または保護層を設けた光情報記
録媒体において、その全面または透明基板表面に有機ケ
イ素化合物のプラズマ重合膜を形成すると、該プラズマ
重合膜が合成樹脂や誘電体層、保護層などと密着性に優
れていることを見出した。

しかし、このプラズマ重合膜は、炭素原子等を含んでい
るため、純粋な二酸化ケイ素膜と比較すると、耐透湿性
や耐吸水性などのバリアー性の点でいまだ不充分であっ
た。そこで、プラズマ重合膜を形成した後、さらに該プ
ラズマ重合膜を酸素の存在下でプラズマ処理すると、プ
ラズマ重合膜の表面層が選択的に二酸化ケイ素（ｓｉｏ
、）となり□、純粋な二酸化ケイ素膜を形成したのとほ
とんど同様の性能を示すことを見出した。しかも、これ
らの操作は、二酸化ケイ素膜を形成するのと対比して簡
単であり、かつ、合成樹脂基板との密着性の点では格段
に優れている。

そして、有機ケイ素化合物のプラズマ重合と酸素による
プラズマ処理とを連続的に適用することにより、耐湿性
、耐食性および耐擦傷性が顕著に向上し、かつ吸水性が
極めて小さい光情報記録媒体の得られることを見出した
。

本発明は、これらの知見に基づいて完成するに至ったも
のである。

〔課題を解決するための手段〕

か（して、本発明によれば、合成樹脂製の透明基板上に
記録層、誘電体層および／または保護層を設けた光情報
記録媒体において、その全面または透明基板表面に、有
機ケイ素化合物のプラズマ重合膜を形成した後、該プラ
ズマ重合膜を酸素の存在下でプラズマ処理して成ること
を特徴とする光情報記録媒体およびその製造方法が提供
される。

以下、本発明の各構成要素について説明する。

（光情報記録媒体）本発明で使用する光情報記録媒体は、合成樹脂製の透明
基板上に記録層、誘電体層および／または保護層を設け
た多層構造の光情報記録媒体である。

基板の材料となる合成樹脂としては、ポリカーボネート
樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂など一般に光情報記
録媒体用として用いられている透明性に優れた合成樹脂
であれば良く、特に制限されない。

記録層としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＴｂＣｏ、
ＤｙＦｅ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅＢ１
％ＧｄＴｂＦｅなどからなる記録膜、あるいは相変化型
記録材料や色素系記録材料からなる膜など従来公知のも
のがいずれも使用可能である。

誘電体層および／または保護膜の材料としては、５ｉｎ
ｓ　＋　ＳｉＮｘ　、５ｉＡ４２ＯＮ、ＳｔＡβＮなど
Ｓｉ系の透明な層を形成する誘電体が好ましく使用でき
る。

本発明で使用する光情報記録媒体の積層構成は、特に限
定されないが、通常、基板／誘電体層／記録層／保護層
または基板／記録層／保護層が代表的なものである。

また、単板構成のものだけではなく、合成樹脂製の透明
基板上に記録層、誘電体層および／または保護層を設け
た２枚の光情報記録媒体を、接着層を介して記録層側の
面どうし張り合せた構造のもの、例えば、基板／誘電体
層／記録層／保護層／／接着Ｍｌ／保護層／記録層／誘
電体層／基板などの構造のものであってもよい。このよ
うな張り合せ構造のものは、ソリの問題が少ない。

（有機ケイ素化合物）本発明では、広範な種類の有機ケイ素化合物を使用する
ことができるが、その中でも特に、下記一般式［Ｉｌな
いし〔Ｖ〕で表わされる少なくとも１種の有機ケイ素化
合物が好ましい。

（ただし、式中、Ｒ１は炭素数１〜６の炭化水素基、Ｒ
２はアルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アセトキ
シ基から選ばれ、互いに同一または相異なっていてもよ
く、ｎは０〜３の整数を表わす。）一般式（Ｉｌで示される有機ケイ素化合物としては、例
えば、トリエトキシ（ビニル）シラン、トリメトキシ（
ビニル）シラン、メトキシ（ジメチル）ビニルシラン、
エトキシ（ジメチル）ビニルシラン、ジメトキシ（メチ
ル）ビニルシラン、ジェトキシ（メチル）ビニルシラン
、ジメトキシ（アセトキシ）ビニルシラン、トリブトキ
シ（ビニル）シラン、トリアセトキシ（ビニル）シラン
、トリス（β−メトキシエトキシ）（ビニル）シラン、
などが挙げられる。

（Ｒ’）＋ａ（ただし１式中、Ｒ１は水素原子またはメチル基、Ｒ２
は炭素数１〜５の（−ＣＨ禽−）基、Ｒ３はアルコキシ
基、アルコキシアルコキシ基、アセトキシ基から選ばれ
、互いに同一または相異なっていてもよ（、Ｒ４は炭素
数１〜６の炭化水素基であり、ｍはＯ〜３の整数を表わ
す。）一般式［ＩＩ］で示される有機ケイ素化合物としては、
例えば、γ−メタクリロキシプロピル（トリメトキシ）
シラン、γ−メタクリロキシプロピル（ジメトキシ）メ
チルシラン、γ−メタクリロキシプロピル（トリエトキ
シ）シラン、γ−メタクリロキシプロピル（ジェトキシ
）メチルシランなどが挙げられる。

（Ｒ’）ｉ、　ｓ　ｔ　　（Ｒ”）４−、　　　　　　
　［ｍｌ（ただし、式中、Ｒ１は炭素数１〜６の炭化水
素基、メタクリロキシ基、エポキシ基、アミノ基、メル
カプト基、イソシアノ基、フッ素または塩素を有する有
機基から選ばれ、Ｒ２はアルコキシ基、アルコキシアル
コキシ基、塩素原子から選ばれ、それぞれ互いに同一ま
たは相異なっていてもよく、ｋはＯ〜４の整数を表わす
。）一般式［１１１］で表わされる有機ケイ素化合物と
しては、例えば、トリメチルメトキシシラン、ジメチル
ジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、テトラ
エトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニ
ルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキ
シシラン、Ｎ−（β−アミノエチル）−丁−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス−（β−ヒドロキシ
エチル−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−
（β−アミノエチル）−γ−アミノプロピル（メチル）
ジメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３
，３．３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、
γ−グリドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３
，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシ
ラン、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラ
ン、トリメチルクロロシラン、テトラクロロシラン等を
挙げることができる。

（ただし、式中、Ｒ１およびＲ３は同種または異種のア
ルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アセトキシ基ま
たは塩素原子で　Ｒ８およびＲ４は置換または非置換の
一価の炭化水素基であり、Ａは二価の炭化水素基、酸素
原子または硫黄原子を含有する二価の有機基から選ばれ
、ｍ右よびｎは１〜３の整数を表わす。）一般式［ＴＶ］において、Ａが二価の炭化水素基である
ときは、炭素数２〜６のものが好ましい。

具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基な
どのアルキレン基、フェニレン基などのアリーレン基、
フェニレン基などのアルカリレン基、またはこれらの基
の水素原子が部分的にハロゲン原子、アルキル基などで
置換された基を挙げることができる。

また、Ａが酸素原子または硫黄原子を含有する二価の有
機基であるときは、炭素数が３〜１０のものが好ましい
。具体的には、 −ＣＨ！−ＣＨ，（：Ｈ，−５−ＣＨ，−ＣＨ，−−Ｃ
ＨＭ−ＣＨ，−５−ＣＨ，−ＣＨ２−５−ＣＨ，−ＣＨ
２−−ＣＨａ−ＣＨＭ−ＣＨｇ−３−ＣＨｚ−ＣＨＭ−
ＣＨｚ−−ＣＨＭ−ＣＨＭ−ＣＨＭ−８−’ＣＨｘ−Ｃ
Ｈｚ−ＣＨｘ−ＣＨｚ−−Ｓ−ＣＨ，−ＣＨヨーＣＨ，
− −ＣＨｔ−ＣＨ＊−０−ＣＨｘ−ＣＨｉ−０−ＣＨｚ−
ＣＨｇ−−ＣＨｚ−ＣＨＭ−ＣＨＭ−０−ＣＨａ−ＣＨ
Ｍ−ＣＨｘ−などがある。

このような一般式［ＩＶ］で表わされる有機ケイ素化合
物としては、例えば、１，１，３．３−テトラメチルジ
シロキサン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルジ
シロキサンなどを挙げることができる。

Ｒ，、、ＳＬ　（ＯＯＲ’　）。　　　　　　［Ｖ）（
ただし、式中、Ｒは炭素数１〜６の炭化水素基、ビニル
基、メタクリロキシ基、エポキシ基、アミノ基、メルカ
プト基、フッ素または塩素を含有する有機基から選ばれ
、Ｒ′はアルキル基、アシル基、アリールアルキル基か
ら選ばれ、それぞれ互いに同一または相異なっていても
よく、ｎは１〜４の整数を表わす、）一般式〔Ｖ〕で表わされる有機ケイ素化合物としては、
例えば、ビニルトリス（ｔ−ブチルパーオキシ）シラン
、ビニルトリス（キュメンバーオキシ）シラン、ビニル
トリス（アセチルパーオキシ）シラン、ビニルトリス（
ベンゾイルパーオキシ）シラン、ビニルトリス（ラウロ
イルパーオキシ）シラン、γ−グリドキシプロピルトリ
ス（を−ブチルパーオキシ）シラン、γ−グリドキシプ
ロピルトリス（キュメンバーオキシ）シラン、γ−グリ
ドキシプロピルトリス（アセチルパーオキシ）シラン、
γ−グリドキシプロピルトリス（ベンゾイルパーオキシ
）シラン、γ−グリドキシプロピルトリス（ラウロイル
パーオキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリ
ス（ｔ−ブチルパーオキシ）シラン、γ−メタクリロキ
シプロピルトリス（キュメンバーオキシ）シラン、γ−
メタクリロキシプロピルトリス（アセチルパーオキシ）
シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリス（ベンゾイ
ルパーオキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルト
リス（ラウロイルパーオキシ）などを挙げることができ
る。

これらの有機ケイ素化合物は、それぞれ単独で、あるい
は複数種組み合わせて用いることができる。

（プラズマ重合膜の形成）本発明においては、前記有機ケイ素化合物なモノマーと
して、プラズマ重合法により合成樹脂基板表面または光
情報記録媒体全面にプラズマ重合膜を形成する。

プラズマ重合装置としては、ペルジャー型の内部電極型
または外部電極型、あるいは管型の誘導結合型などの公
知の装置を用いることができる。

プラズマ重合条件は、用いる装置の形状と太きさ、モノ
マーの種類と流量、キャリヤーガスの圧力、放電電圧、
減圧度、放電周波数、基板温度などの数多（のパラメー
ターがあり、当業者であれば、適宜予備実験を行なうこ
となどにより、好適な条件設定を行ない、プラズマ重合
膜の生成速度やプラズマ重合膜の膜厚等を制御すること
ができる。

プラズマ発生源としては、高周波放電の他に、マイクロ
波放電、交流放電等いずれも使用できるが、プラズマ重
合膜の形成には、通常、低圧下でのグロー放電による低
温プラズマを用いることが好ましい。キャリヤーガスと
しては、酸素、アルゴン、窒素等の通常のガスが使用で
きる。

本発明におけるプラズマ重合の好ましい条件は、例えば
、ペルジャー型の内部電極型プラズマ重合装置を使用す
る場合、放電電力は１０〜１００Ｗ、ガス圧力０．５〜
２、ＯＴｏｒｒ、ケイ素化合物モノマー流量０．１〜２
０ｍＩ２／分、また、キャリヤーガスを使用するときは
ガス圧力を０、　１〜１．０Ｔｏｒｒ程度とし、重合時
間は３０秒〜５分程度とすることが望ましい。

プラズマ中には、電子、イオン、ラジカルなどの種々の
活性種が存在し、プラズマ重合膜は、これらの活性種が
結合・解離を次々と起こすことにより、気相中から直接
基材表面上に形成される。

前記有機ケイ素化合物なモノマーとするプラズマ重合膜
の構造は、正確には不明であるが、重合中のラジカルや
イオン等の活性種の発生により合成樹脂基材表面と強固
な化学結合を生じ、かつ、高度に橋かけした網目構造の
平滑な膜を形成するものと考えられる。

（プラズマ処理）プラズマ重合膜を形成した後、酸素の存在下にプラズマ
処理を行なう。

プラズマ処理は、通常、プラズマ重合に使用した装置を
用いて、連続的に行なう。プラズマ重合終了後、プラズ
マ重合装置内からモノマーガスを排気し、次いで、酸素
ガスを導入する。

プラズマ処理の条件は、用いる装置の大きさや放電電力
等に依存するが、通常、放電電力１０〜１００Ｗ、ガス
圧力０．５〜２．０Ｔｏｒｒ、ガス流量５０〜２００ｍ
β／分が好ましく、プラズマ処理時間は３０秒〜２分程
度でよい。

〔作　用〕

本発明で使用する有機ケイ素化合物は、プラズマ重合に
よって、−０−３ｉ−０−結合を骨格とする高度に橋か
けした網目構造のプラズマ重合膜を形成する。しかも、
物理的な堆積による蒸着膜などと異なり、ラジカルやイ
オンの発生により合成樹脂基板および誘電体層や保護層
などの無機物質と化学結合により強固に結合しており、
密着力が優れている。

一方、プラズマ重合膜は、使用した有機ケイ素化合物に
由来する炭素原子等を含んでいるが、酸素の存在下での
プラズマ処理により、その表面層が選択的にＳ　ｉ　Ｏ
＊に変性され、純粋な二酸化ケイ素膜を形成したのと同
様の性能を発揮する。

また、低圧ガスのグロー放電を使うプラズマ重合によれ
ば、合成樹脂成形体を変質させず、しかもグロー放電の
性質から均一な表面処理が可能である。

このように、本発明の光情報記録媒体は、その全面また
は合成樹脂基板を、密着性に優れ、がっ、表面層が二酸
化ケイ素膜と同様のプラズマ重合膜で被覆した構造であ
るため、耐湿性、耐食性、耐擦傷性が向上し、かつ吸水
による形状変化が極めて小さ（、耐熱性にも優れている
。

（以下余白）〔実施例〕以下、本発明について実施例および比較例を挙げて具体
的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定され
るものではない。

なお、実施例および比較例における加速劣化試験の方法
は、次のとおりである。

〈加速劣化試験〉恒温恒湿機にて、６５℃、９５％ＲＨの条件で、酸化ケ
イ素被覆光情報記録媒体（ディスク）を３週間保持した
後、Ｃ／Ｎ、媒体欠陥の最大バースト長、機械特性の評
価を行なった。

旦ＺΔ：回転数１．８０Ｏｒｐｍ、周波数３．７ＭＨｚで測定。

書き込みレーザーパワーは、２次高周波が最小になるよ
うにした結果、約５ｍＷであった。測定位置は、ディス
クの最内周部、結果はｉｏｏトラック測定の平均値であ
る。

の　　バースト　　バイト（２・７）ＲＬＬ変調方式により信号を書き込み、加速
劣化試験前後での比較を行なった。測定位置は、ディス
クの最内周部、結果は１００トラック分の測定結果であ
る。

１五竺上６５℃、９５％ＲＨの雰囲気下に３週間保持した後、デ
ィスクの半径方向傾きを測定した。測定位置はディスク
中心より半径方向に４５ｍｍの位置である。なお、単板
仕様ディスクについてのみ評価を行なった。

［実施例１］ポリカーボネート樹脂からなる光デイスク基板（直径１
３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）の上に、誘電体層（Ｓ　Ｌ
ＡｆｆＯＮ）／記録層（ＴｂＦｅＣ。

）／保護層（Ｓ　１Ａ１２ＯＮ）をこの順に設けた構造
の光情報記録媒体を作成した。

ペルジャー型の内部電極型プラズマ重合装置を用い、電
極板上に基板として上記の光情報記録媒体を載せ、モノ
マーとしてトリメトキシ（ビニル）シランを使用して、
下記の条件でプラズマ重合を行なって、プラズマ重合膜
を形成した。

ヱ１Ａヱ１豆逢丑トリメトキシ（ビニル）シラン一一一ガス流量１ｍｎ／分アルゴンガス（キャリヤーガス）一一一ガス流量１００ｍｊ２７分ガス圧力　　　　−−−１、５Ｔｏｒｒ放電周波数　　
　−−−１３，５６ＭＨｚ放電電力　　　　−１００Ｗ放電時間　　　　−ｍ−１分まず、ガラス製ペルジャーの中に基板を入れ、−旦１０
−”　Ｔｏｒｒの真空に引いた後、キャリヤーガスとし
てアルゴンガスな導入してガス圧力を１　、５　Ｔｏｒ
ｒにする。その後、トリメトキシ（ビニル）シランな１
ｍ！！、／分の割合で導入し、放電電力１００Ｗ、放電
周波数１３．５６ＭＨｚにて１分間重合を行なった。

得られたブライマーの膜厚は、１００人であった。

次ぎに、ペルジャー内のモノマーガスを排気し、−旦、
１０−”Ｔｏｒｒの真空に引いた後、下記の条件でプラ
ズマ処理を行なった。

１１１と乙肛埋酸素ガス　　　　−ｍ−ガス流量５０ｍｊ２／分ガス圧
カ　　　　−−−１，５Ｔｏｒｒ放電周波数　　　−一
−１３，５６ＭＨｚ放電電力　　　　−１００Ｗ放電時間　　　　−１分かくして得られた光情報記録媒体の加速劣化試験の結果
は、第１表に示す。

［実施例２］プラズマ重合条件を下記のとおりにかえた以外は、実施
例１と同様にプラズマ重合およびプラズマ処理を行なっ
て光情報記録媒体を得た。

工１Ａヱ１豆逢豆 γ−メタクリロキシプロピル（トリメトキシ）シランーーーガス流量０．５ｍｌ／分トリメトキシ（ビニル）シラン一一一ガス流量０．５ｍＪ２／分アルゴンガス（キャリヤーガス）一一一ガス流量１００ｍｊ２／分ガス圧力　　　　−−−１、５Ｔｏｒｒ放電周波数　　
　−−−１３，５６ＭＨｚ放電電力　　　　−１００Ｗ放電時間　　　　−ｍ−９０秒［実施例３］プラズマ重合条件を下記のとおりにかえた以外は、実施
例１と同様にしてプラズマ重合およびプラズマ処理を行
なって光情報記録媒体を得た。

ム１Ａ二重立逢丑メトキシ（ジメチル）ビニルシランーーーガス流量０．５ｍρ／分ジメトキシ（アセトキシ）ビニルシランーーーガス流量
０．５ｍＩ２／分窒素ガス（キャリヤーガス）一一一ガス流量１００ｍＪ２７分ガス圧力　　　　−−−１、５Ｔｏｒｒ放電周波数　　
　−−−１３，５６ＭＨｚ放電電力　　　　−１ｏＯＷ放電時間　　　　−一−９０秒［比較例１］比較のために、プラズマ重合およびプラズマ処理を行な
わなかった光情報記録媒体についても同様に評価した。

［比較例２］プラズマ重合膜形成後、プラズマ処理を行なわなかった
こと以外は、実施例１と同様にして光情報記録媒体を得
、同様に評価した。

実施例１〜３および比較例１〜２で得られた光情報記録
媒体の加速劣化試験の結果を一括して第１表に示す。

（以下余白）［実施例４Ｊ実施例１で作成した単板仕様の光デイスク２枚を、記録
層側どうしをアクリル系接着剤で張り合せて、張り合せ
構造の光情報記録媒体を作成した。

この張り合せ構造の光情報記録媒体を使用した以外は、
実施例１と同様にプラズマ重合およびプラズマ処理を行
なって光情報記録媒体を得、同様に評価した。

［実施例５］プラズマ重合を実施例２と同様にした以外は実施例４と
同様にして光情報記録媒体を得、同様に評価した。

［実施例６］プラズマ重合を実施例３と同様にした以外は実施例４と
同様にして光情報記録媒体を得、同様に評価した。

［比較例３］比較のために、プラズマ重合およびプラズマ処理を行な
わなかった前記張り合せ構造の光情報記録媒体について
も同様に評価した。

［比較例４］プラズマ重合膜形成後、プラズマ処理を行なわなかった
こと以外は、実施例４と同様にして光情報記録媒体を得
、同様に評価した。

実施例４〜６および比較例３〜４で得られた光情報記録
媒体の加速劣化試験の結果を一括して第２表に示す。

（以下余白）［実施例７］ポリカーボネート樹脂からなる光デイスク基板（直径１
３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）の上に、誘電体層（Ｓ　１
Ａｊ２ＯＮ）／記録層（ＴｂＦｅＣ。

）／保護層（ＳＬ、Ａ４２ＯＮ）をこの順に設けた構造
の光情報記録媒体を作成した。

ペルジャー型の内部電極型プラズマ重合装置を用い、電
極板上に基板として上記の光情報記録媒体を載せ、下記
の条件でプラズマ重合を行なって、プラズマ重合膜を形
成した。

ム５Ｘヱ亘立逢上ビニルトリエトキシシラン一一一ガス流量１ｍρ／分アルゴンガス（キャリヤーガス）一一一ガス流量１００ｍｊ２／分ガス圧力　　　　−−−１、５Ｔｏｒｒ放電周波数　　
　−−−１３，５６ＭＨｚ放電電力　　　　−１００Ｗ放電時間　　　　−一−１分ガラス製ペルジャーの中に基板として上記の光情報記録
媒体を入れ、−旦１０−”　Ｔｏｒｒの真空に引いた後
、キャリヤーガスとしてアルゴンガスな導入してガス圧
力を１　、５　Ｔｏｒｒにした。その後、ビニルトリエ
トキシシランを１ｍ１２／分の割合で導入し、放電電力
１００Ｗ、放電周波数１３．５６ＭＨｚにて１分間重合
を行なった。得られたブライマーの膜厚は、１００人で
あった。

１１Ａヱエ１酸素ガス　　　　−ｍ−ガス流量５０ｍｊ２／分ガス圧
力　　　　−−−１、５Ｔｏｒｒ放電周波数　　　−−
−１３，５６ＭＨｚ放電電力　　　　−１００Ｗ放電時間　　　　−ｍ−１分か（して得られた光情報記録媒体の加速劣化試験の結果
は、第３表に示す。

［実施例８］プラズマ重合条件を下記のとおりにかえた以外は、実施
例７と同様にプラズマ重合およびプラズマ処理を行なっ
て光情報記録媒体を得た。

７５Ｘヱ里立皇五 γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン　　　
−ｍ−ガス流量０．５ｍｊ２／分テトラエトキシシラン一一一ガス流量０．５ｍＩ２／分アルゴンガス（キャリヤーガス）一一一ガス流量１００ｍｊ２／分ガス圧力　　　　−−−１、５Ｔｏｒｒ放電周波数　　
　−−−１３，５６ＭＨｚ放電電力　　　　−一−１０
０Ｗ放電時間　　　　−一−９０秒［実施例９］プラズマ重合条件を下記のとおりにかえた以外は、実施
例７と同様にプラズマ重合およびプラズマ処理を行なっ
て光情報記録媒体を得た。

ム１Ａヱ里立上上トリメチルメトキシシラン一一一ガス流量１．０ｍ℃／分窒素ガス（キャリヤーガス）一一−ガス流量Ｌｏｏｍβ／分ガス圧力　　　　−−−１、５Ｔｏｒｒ放電周波数　　
　−−−１３，５６ＭＨｚ放電電力　　　　−ｉｏｏｗ放電時間　　　　−一−９０秒［比較例５］プラズマ重合膜形成後、プラズマ処理を行なわなかった
こと以外は、実施例７と同様にして光情報記録媒体を得
、同様に評価した。

実施例７〜９および比較例５で得られた光情報記録媒体
の加速劣化試験の結果を一括して第３表に示す。

（以下余白）Ｃ実施例１０］実施例７で作成した単板仕様の光デイスク２枚を、記録
層側どうしをアクリル系接着剤で張り合せて、張り合せ
構造の光情報記録媒体を作成した。

この張り合せ構造の光情報記録媒体を使用した以外は、
実施例７と同様にプラズマ重合およびプラズマ処理を行
なって光情報記録媒体を得た。

［実施例１１］プラズマ重合を実施例８と同様にした以外は実施例１０
と同様にして光情報記録媒体を得た。

［実施例１２］プラズマ重合を実施例９と同様にした以外は実施例１０
と同様にして光情報記録媒体を得た。

［比較例６］プラズマ重合膜形成後、プラズマ処理を行なわなかった
こと以外は、実施例７と同様にして光情報記録媒体を得
た。

実施例１Ｏ〜１２および比較例６の結果を一括して第４
表に示す。

［実施例１３］ポリカーボネート樹脂からなる光デイスク基板（直径１
３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）の上に、誘電体層（ＳｉＡ
ρＯＮ）／記録層（ＴｂＦｅＣ。

）／保護層（ＳｉＡ！２．ＯＮ）をこの順に設けた構造
の光情報記録媒体を作成した。

工１Ａヱ１立逢１１．１，３．３−テトラメチルジシロキサンーーーガス
流量１ｍ２／分アルゴンガス（キャリヤーガス）一一一ガス流量１００ｍβ／分ガス圧力　　　　−−−１、５Ｔｏｒｒ放電周波数　　
　−−−１３，５６ＭＨｚ放電電力　　　　−１００Ｗ放電時間　　　　−一−１分ガラス製ペルジャーの中に基板として、上記光情報記録
媒体を入れ、−旦１０−”　Ｔｏｒｒの真空に引いた後
、キャリヤーガスとしてアルゴンガスな導入してガス圧
力を１　、５　Ｔｏｒｒにした。その後、１，１，３．
３−テトラメチルジシロキサンを１ｍｆｆ／分の割合で
導入し、放電電力１００Ｗ、放電周波数１３．５６ＭＨ
ｚにて１分間重合を行なった。得られたブライマーの膜
厚は、１００人であった。

１クツと乙肛」酸素ガス　　　　−ｍ−ガス流量５０ｍＩ２７分ガス圧
力　　　　−−−１、５Ｔｏｒｒ放電周波数　　　−−
−１３，５６ＭＨｚ放電電力　　　　−１００Ｗ放電時間　　　　−一−１分かくして得られた光情報記録媒体の加速劣化試験の結果
は、第５表に示す。

［実施例１４］プラズマ重合条件を下記のとおりにかえた以外は、実施
例１３と同様にプラズマ重合およびプラズマ処理を行な
って光情報記録媒体を得た。

１ｊ」【ヱ１イＬｋ侘１．１，３．３−テトラメチルジシロキサンー−−ガス
流量０．５ｍＪ２／分ヘキサメチルジシラザン一一一ガス流量０．５ｍ１２／分アルゴンガス（キャリヤーガス）一一一ガス流量１００ｍｇ／分ガス圧力　　　　−−−１、５Ｔｏｒｒ放電周波数　　
　−＝　１３．５６ＭＨｚ放電電力　　　　−１００Ｗ放電時間　　　　−一−９０秒［実施例１５］プラズマ重合条件を下記のとおりにかえた以外は、実施
例１３と同様にプラズマ重合およびプラズマ処理を行な
って光情報記録媒体を得た。

２５Ｘヱ１立逢１１．１，３．３−テトラメチルジシロキサンーーーガス
流量０．５ｍ（１／分ヘキサメチルジシロキサン一一一ガス流量０．５ｍβ／分窒素ガス（キャリヤーガス）一一一ガス流量１００ｍＩ２７分ガス圧力　　　　−−−１、５Ｔｏｒｒ放電周波数　　
　−−−１３，５６ＭＨｚ放電電力　　　　−１００Ｗ放電時間　　　　−一−９０秒［比較２例７］プラズマ重合膜形成後、プラズマ処理を行なわなかった
こと以外は、実施例１３と同様にして光情報記録媒体を
得た。

実施例１３〜１５および比較例７で得られた二酸化ケイ
素膜被覆光情報記録媒体の加速劣化試験の結果を一括し
て第５表に示す。

（以下余白）［実施例１６］実施例１３で作成した単板仕様の光デイスク２枚を、記
録層側どうしをアクリル系接着剤で張り合せて、張り合
せ構造の光情報記録媒体を作成した。

この張り合せ構造の光情報記録媒体を使用した以外は、
実施例１３と同様にプラズマ重合およびプラズマ処理を
行なって光情報記録媒体を得た。

［実施例１７］プラズマ重合を実施例１４と同様にした以外は実施例１
６と同様にして光情報記録媒体を得た。

［実施例１８］プラズマ重合を実施例１５と同様にした以外は実施例１
６と同様にして光情報記録媒体を得た。

［比較例８］プラズマ重合膜形成後、プラズマ処理を行なわなかった
こと以外は、実施例１６と同様にして光情報記録媒体を
得た。

実施例１６〜１８および比較例８の結果を一括して第６
表に示す。

［実施例１９］ポリカーボネート樹脂からなる光デイスク基板（直径１
３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）の上に、誘電体層（Ｓ　ｉ
ＡｇＯＮ）／記録層（Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃ。

）／保護層（ＳｉＡｎＯＮ）をこの順に設けた構造の光
情報記録媒体を作成した。

工ＩＡヱ里立皇１ビニルトリス（ｔ−ブチルパーオキシ）シランーーーガ
ス流量１ｍＪ２／分アルゴンガス（キャリヤーガス）一一一ガス流量１００ｍ１／分ガス圧力　　　　−−−１、５Ｔｏｒｒ放電周波数　　
　−−−１３，５６ＭＨｚ放電電力　　　　−１００Ｗ放電時間　　　　−１分ガラス製ペルジャーの中に基板として、上記光情報記録
媒体を入れ、−旦１０−”　Ｔｏｒｒの真空に引いた後
、キャリヤーガスとしてアルゴンガスを導入してガス圧
力を１　、５　Ｔｏｒｒにした。その後、ビニルトリス
（ｔ−ブチルパーオキシ）シランを１ｍＩ２／分の割合
で導入し、放電電力１００Ｗ、放電周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚにて１分間重合を行なった。得られたブライマーの
膜厚は、１００人であった。

７５Ｘヱ１１酸素ガス　　　　−一一ガス流量５０ｍ氾／分ガス圧力
　　　　−−−，１、５Ｔｏｒｒ放電周波数　　　−−
−１３，５６ＭＨｚ放電電力　　　　−　ｉｏｏｗ放電時間　　　　−１分か（して得られた光情報記録媒体の加速劣化試験の結果
は、第７表に示す。

［実施例２０］プラズマ重合条件を下記のとおりにかえた以外は、実施
例１９と同様にプラズマ重合およびプラズマ処理を行な
って光情報記録媒体を得た。

ヱ二ノ］」ＬＬ色豆ビニルトリス（ベンゾイルパーオキシ）シランー−−ガ
ス流量０．５ｍβ／分ビニルトリス（ラウロイルパーオキシ）シランーーーガ
ス流量０゜５ｍ２／分アルゴンガス（キャリヤーガス）一一一ガス流量１００ｍｇ／分ガス圧力　　　　−−−１、５Ｔｏｒｒ放電周波数　　
　−−−１３，５６ＭＨｚ放電電力　　　　−１００Ｗ放電時間　　　　−一−９０秒［実施例２１］プラズマ重合条件を下記のとおりにかえた以外は、実施
例１９と同様にプラズマ重合およびプラズマ処理を行な
って光情報記録媒体を得た。

ヱ１Ａヱ１立逢１ビニルトリス（ｔ−ブチルパーオキシ）シランーーーガ
ス流量０．５ｍρ／分ビニルトリス（キエメンバーオキシ）シランー−−ガス
流量０．５ｍβ／分窒素ガス（キャリヤーガス）一一一ガス流量１００ｍβ／分ガス圧力　　　　−−−１、５Ｔｏｒｒ放電周波数　　
　−〜−１３．５６ＭＨｚ放電電力　　　　−１００Ｗ放電時間　　　　−一−９０秒［比較例９］プラズマ重合膜形成後、プラズマ処理を行なわなかった
こと以外は、実施例１９と同様にして光情報記録媒体を
得た。

実施例１９〜２１および比較例９で得られた光情報記録
媒体の加速劣化試験の結果を一括して第７表に示す。

（以下余白）［実施例２２］実施例１９で作成した単板仕様の光デイスク２枚を、記
録層側どうしをアクリル系接着剤で張り合せて、張り合
せ構造の光情報記録媒体を作成した。

この張り合せ構造の光情報記録媒体を使用した以外は、
実施例１９と同様にプラズマ重合およびプラズマ処理を
行なって光情報記録媒体を得た。

［実施例２３］プラズマ重合を実施例２０と同様にした以外は実施例２
２と同様にして光情報記録媒体を得た。

〔実施例２４１プラズマ重合を実施例２１と同様にした以外は実施例２
２と同様にして光情報記録媒体を得た。

［比較例１０］プラズマ重合膜形成後、プラズマ処理を行なわなかった
こと以外は、実施例２２と同様にして光情報記録媒体を
得た。

実施例２２〜２４および比較例１０の結果を一括して第
８表に示す。

〔発明の効果〕

本発明によれば、耐湿性や耐食性が向上し、かつ吸水に
よる形状変化が極めて小さい光情報記録媒体を提供する
ことができる。したがって、広範囲の温度、湿度条件下
で長期保存が可能である。

また、単板仕様の光情報記録媒体においては、耐湿性の
向上により吸水によるソリなどの機械的特性の劣化が防
止される。さらに、プラズマ重合膜の表面層は、透明性
および表面硬度の高い二酸化ケイ素膜となっているため
、耐擦傷性に優れ、信号劣化や感度の劣化などがない。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）合成樹脂製の透明基板上に記録層、誘電体層およ
び／または保護層を設けた光情報記録媒体において、そ
の全面または透明基板表面に、有機ケイ素化合物のプラ
ズマ重合膜を形成した後、該プラズマ重合膜を酸素の存
在下でプラズマ処理して成ることを特徴とする光情報記
録媒体。
（２）光情報記録媒体が、合成樹脂製の透明基板上に記
録層、誘電体層および／または保護層を設けた２枚の光
情報記録媒体を、接着層を介して記録層側の面どうし張
り合せた構造のものである請求項１記載の光情報記録媒
体。
（３）有機ケイ素化合物が下記一般式〔 I 〕ないし〔
Ｖ〕で示される有機ケイ素化合物から選ばれる少なくと
も１種の化合物である請求項１または２記載の光情報記
録媒体。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕（ただし、式中、Ｒ＾１は炭素数１〜６の炭化水素基、
Ｒ＾２はアルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アセ
トキシ基から選ばれ、互いに同一または相異なっていて
もよく、ｎは０〜３の整数を表わす。） ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕（ただし、式中、Ｒ＾１は水素原子またはメチル基、Ｒ
＾２は炭素数１〜５の（−ＣＨ＿２−）基、Ｒ＾３はア
ルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アセトキシ基か
ら選ばれ、互いに同一または相異なっていてもよく、Ｒ
＾４は炭素数１〜６の炭化水素基であり、ｍは０〜３の
整数を表わす。） ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕（ただし、式中、Ｒ＾１は炭素数１〜６の炭化水素基、
メタクリロキシ基、エポキシ基、アミノ基、メルカプト
基、イソシアノ基、フッ素または塩素を有する有機基か
ら選ばれ、Ｒ＾２はアルコキシ基、アルコキシアルコキ
シ基、塩素原子から選ばれ、それぞれ互いに同一または
相異なっていてもよく、ｋは０〜４の整数を表わす。） ▲数式、化学式、表等があります▼〔IV〕（ただし、式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同種または異種
のアルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アセトキシ
基または塩素原子で、Ｒ＾３およびＲ＾４は置換または
非置換の一価の炭化水素基であり、Ａは二価の炭化水素
基、酸素原子または硫黄原子を含有する二価の有機基か
ら選ばれ、ｍおよびｎは１〜３の整数を表わす。） ▲数式、化学式、表等があります▼〔Ｖ〕（ただし、式中、Ｒは炭素数１〜６の炭化水素基、ビニ
ル基、メタクリロキシ基、エポキシ基、アミノ基、メル
カプト基、フッ素または塩素を含有する有機基から選ば
れ、Ｒ′はアルキル基、アシル基、アリールアルキル基
から選ばれ、それぞれ互いに同一または相異なっていて
もよく、ｎは１〜４の整数を表わす。）
（４）合成樹脂製の透明基板上に記録層、誘電体層およ
び／または保護層を設けた光情報記録媒体において、そ
の全面または透明基板表面に、有機ケイ素化合物のプラ
ズマ重合膜を形成した後、該プラズマ重合膜を酸素の存
在下でプラズマ処理することを特徴とする光情報記録媒
体の製造方法。
（５）光情報記録媒体が、合成樹脂製の透明基板上に記
録層、誘電体層および／または保護層を設けた２枚の光
情報記録媒体を、接着層を介して記録層側の面どうし張
り合せた構造のものである請求項４記載の光情報記録媒
体の製造方法。
（６）有機ケイ素化合物が下記一般式〔 I 〕ないし〔
Ｖ〕で示される有機ケイ素化合物から選ばれる少なくと
も１種の化合物である請求項４または５記載の光情報記
録媒体の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕（ただし、式中、Ｒ＾１は炭素数１〜６の炭化水素基、
Ｒ＾２はアルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アセ
トキシ基から選ばれ、互いに同一または相異なっていて
もよく、ｎは０〜３の整数を表わす。） ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕（ただし、式中、Ｒ＾１は水素原子またはメチル基、Ｒ
＾２は炭素数１〜５の（−ＣＨ＿２−）基、Ｒ＾３はア
ルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アセトキシ基か
ら選ばれ、互いに同一または相異なっていてもよく、Ｒ
＾４は炭素数１〜６の炭化水素基であり、ｍは０〜３の
整数を表わす。） ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕（ただし、式中、Ｒ＾１は炭素数１〜６の炭化水素基、
メタクリロキシ基、エポキシ基、アミノ基、メルカプト
基、イソシアノ基、フッ素または塩素を有する有機基か
ら選ばれ、Ｒ＾２はアルコキシ基、アルコキシアルコキ
シ基、塩素原子から選ばれ、それぞれ互いに同一または
相異なっていてもよく、ｋは０〜４の整数を表わす。） ▲数式、化学式、表等があります▼〔IV〕（ただし、式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同種または異種
のアルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アセトキシ
基または塩素原子で、Ｒ＾３およびＲ＾４は置換または
非置換の一価の炭化水素基であり、Ａは二価の炭化水素
基、酸素原子または硫黄原子を含有する二価の有機基か
ら選ばれ、ｍおよびｎは１〜３の整数を表わす。） ▲数式、化学式、表等があります▼〔Ｖ〕（ただし、式中、Ｒは炭素数１〜６の炭化水素基、ビニ
ル基、メタクリロキシ基、エポキシ基、アミノ基、メル
カプト基、フッ素または塩素を含有する有機基から選ば
れ、Ｒ′はアルキル基、アシル基、アリールアルキル基
から選ばれ、それぞれ互いに同一または相異なっていて
もよく、ｎは１〜４の整数を表わす。）