JPH02301033A - 二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法

Info

Publication number
JPH02301033A
JPH02301033A JP1120008A JP12000889A JPH02301033A JP H02301033 A JPH02301033 A JP H02301033A JP 1120008 A JP1120008 A JP 1120008A JP 12000889 A JP12000889 A JP 12000889A JP H02301033 A JPH02301033 A JP H02301033A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical information
information recording
recording medium
silicon dioxide
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1120008A
Other languages
English (en)
Inventor
Toru Takahashi
徹 高橋
Takenobu Hatasawa
畠澤 剛信
Kazuaki Miyamoto
和明 宮本
Kenzo Yamaguchi
山口 健三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Priority to JP1120008A priority Critical patent/JPH02301033A/ja
Publication of JPH02301033A publication Critical patent/JPH02301033A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野] 本発明は、二酸化ケイ素膜を全面に被覆した光情報記録
媒体に関し、さらに詳しくは、耐湿性、耐食性、耐擦傷
性の向上した二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体とその製
造方法に関する。 〔従来の技術〕 近年、光ディスクやビデオディスクなどの多種類の光情
報記録媒体が開発され、市販されている。これらの光情
報記録媒体は、回転するディスク上にレーザー光を集光
し、ディスクからの反射光の強弱を検出する基本構成を
採用しており、ポリカーボネートやポリメチルメタクリ
レートなどの透明な合成樹脂からなる基板上に記録Mを
設けたものが代表的なものである。 ところで、記録層に用いられる記録媒体用材料として、
Te、Tiなどの金属または金属合金、Te低酸化物、
有機染料薄膜、銀塩薄膜、フォトクロミック化合物など
が広く提案され、また、使用されているが、これらはい
ずれも酸化や加水分解されやすい材料であるため、記録
層の劣化を防ぐための保護層の開発が進められている。 また、合成樹脂製の基板を用いた光情報記録媒体におい
ては、基板の吸水・膨潤によるソリが生じ、それに起因
して記録層が剥離したり、信号読み取りが不可能になっ
たり、あるいは透過水分により記録層が劣化するなどの
問題がある。そこで、これらの問題を解決して、光情報
媒体の長期信頼性をいかにして確保するかが重要な課題
となっている。 従来、保護層として、各種合成樹脂層や二酸化ケイ素な
どの透明誘電体層を記録層面上に設けることなどが提案
されている。例えば、特開昭61−39949号公報に
は、透明基板の片面に設けられた光情報記録層の表面に
シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤を
1〜2分子層設け、記録層の面上あるいは記録層および
基板の両表面にポリ塩化ビニリデン共重合物含有層を形
成することにより、防湿性や耐食性を向上させることが
提案されている。 しかしながら、記録層の表面のみをポリ塩化ビニリデン
共重合物含有層で保護した場合には、基板面側からの透
過水分を遮断することができないので、基板の吸水によ
るソリおよびそれに起因する記録層の剥離や透過水分に
よる記録層の劣化等を防ぐことはできない、この問題は
、記録層の表面を誘電体層で被覆した場合も同様である
。また、記録層の面上に反射層、あるいは誘電体層を介
して反射層を設けた構造の光情報記録媒体でも、基板側
からの吸水問題は解決されない。 一方、記録層および基板の両表面にポリ塩化ビニリデン
共重合物含有層を形成すると、光の通路となる基板表面
に耐擦傷性に劣る樹脂層が形成されることになるので、
信号劣化や感度の劣化など光情報記録媒体としての基本
的性能を著しく損なう恐れがある。しかも、このように
両表面にポリ塩化ビニリデン共重合物含有層を形成して
も、耐湿性は充分ではなく、透過水分による記録層の劣
化を完全に防ぐことはできない。 さらに、光情報記録媒体には、接着張り合せ構造やエア
ーサンドイッチ構造などの構造のものがあり、それらは
記録層を中心層とする両面張り合せ構造のため、ソリの
問題は軽減されるが、透過水分による記録層の劣化を防
ぐことはできない。 また、記録層の上面または上下面にSiOやSin、、
MgF、、AβNなどの透明誘電体材料 ことができるが、これらの透明誘電体材料は、基板とな
る合成樹脂との密着性に劣るため、基板の保護層に用い
ることは困難である。 ところで、近年、合成樹脂成形体の表面を改質するため
に、二酸化ケイ素などの酸化物の薄膜で被覆する技術が
開発され、実用化されている。従来、酸化物膜等を被覆
する方法としては、真空蒸着、スパッタ、イオンブレー
ティング、プラズマCVDなと各種の方法が知られてい
るが、これらの被膜形成法では、特別の設備を要したり
、大型成形体や複雑な形状の成形体表面に被膜を形成す
ることが困難であり、しかも合成樹脂成形体と被膜との
密着性が不充分であるという問題がある。 最近、二酸化ケイ素膜を直接合成樹脂成形体表面に被覆
するのではなく、予め合成樹脂成形体表面に付着性良好
なケイ素含有被膜を第1次被膜(ブライマー)として被
覆し、さらにその上に該第1次被膜と付着性良好な二酸
化ケイ素膜を作成する方法が提案されている(特開昭6
1−12734号公報)、この方法によれば、ブライマ
ーが硬化によってシロキサン結合を有するポリマーを形
成するため二酸化ケイ素膜とブライマーとの密着性は改
善され、従来法と比較して耐久性のよい被膜を得ること
ができる。しかも、塗布浸漬法を使用することができる
ため、大型形状あるいは複雑な形状の合成樹脂成形体に
も適用可能である。しかしながら、この方法では、ブラ
イマーと合成樹脂成形体との間に強固な化学的結合がほ
とんど形成されないため、合成樹脂成形体とブライマー
との密着性が不充分であり、したがって二酸化ケイ素膜
の合成樹脂成形体に対する密着性も充分ではない。 そこで、従来公知の二酸化ケイ素被覆法を光情報記録媒
体の保護層形成に単に適用しても、基板との密着性に優
れた被膜を形成することは困難である。
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、耐湿性、耐食性、耐擦傷性が向上し、
かつ吸水による形状変化が極めて小さい光情報記録媒体
を提供することにある。 また、本発明の目的は、基板との密着性に優れた二酸化
ゲイ素被膜を全面に有する被覆光情報記録媒体を提供す
ることにある。 本発明者らは、前記従来技術の有する問題点を克服する
ために鋭意研究した結果、合成樹脂製の透明基板上に記
録層、誘電体層および/または保護層を設けた光情報記
録媒体において、その全面または透明基板表面をプラズ
マ処理した後、光情報記録媒体の全面に二酸化ケイ素被
膜を形成することにより、基板との密着性に優れた二酸
化ケイ素被膜を形成できるとともに、全面が二酸化ケイ
素被膜で被覆されているために、耐湿性、耐食性および
耐擦傷性が顕著に向上し、かつ吸水性が極めて小さい光
情報記録媒体の得られることを見出した。 本発明は、これらの知見に基づいて完成するに至ったも
のである。 〔課題を解決するための手段〕 すなわち、本発明によれば、合成樹脂製の透明基板上に
記録層、誘電体層および/または保護層を設けた光情報
記録媒体において、その全面または透明基板表面をプラ
ズマ処理した後、光情報記録媒体の全面に二酸化ケイ素
被膜を形成して成ることを特徴とする二酸化ケイ素被覆
光情報記録媒体およびその製造方法が提供される。 以下1本発明の各構成要素について説明する。 (光情報記録媒体) 本発明で使用する光情報記録媒体は、合成樹脂製の透明
基板上に記録層、誘電体層および/または保護層を設け
た多層構造の光情報記録媒体である。 基板の材料となる合成樹脂としては、ポリカーボネート
樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂など一般に光情報記
録媒体用として用いられている透明性に優れた合成樹脂
であれば良く、特に制限されない。 記録層としては、TbFeCo、GdFe。 TbCo、DyFe%NdDyFeCo、TbFe、G
dFeB1%GdTbFeなどからなる記録膜、あるい
は相変化型記録材料や色素系記録材料からなる膜など従
来公知のものがいずれも使用可能である。 誘電体層および/または保護膜の材料としては、Sin
g 、SiNx %5iAI2ON%SiAβNなどS
L系の透明な層を形成する誘電体が好ましく使用できる
。 本発明で使用する光情報記録媒体の積層構成は、基板/
誘電体層/記録層/保護層または基板/記録層/保護層
が代表的なものである。 また、単板構成のものだけではな(、合成樹脂製の透明
基板上に記録層、誘電体層および/または保護層を設け
た2枚の光情報記録媒体を、接着層を介して記録層側の
面どうし張り合せた構造のもの、例えば、基板/誘電体
層/記録層/保護層/接着層/保護層/記録層/誘電体
N/基板などの構造のものであってもよい、このような
張り合せ構造のものは、ソリの問題が少ない。 (プラズマ処理) 本発明においては、光情報記録媒体の全面または透明基
板表面をプラズマ処理してから、二酸化ケイ素の被膜を
形成する。 プラズマ処理とは、アルゴン、窒素、空気などのガスを
用い、通常、io−’〜10Torrの低圧ガスのグロ
ー放電を行なって、合成樹脂成形体の表面に対して、物
理化学的な表面処理を加えるものである。 プラズマ処理装置としては、ペルジャー内に2つの電極
を対向配置し、これら電極間に高周波出力を印加する内
部電極型装置、ペルジャー型の外部電極型装置、または
反応器の外部から誘導結合式あるいは容量結合式に放電
を起こさせる無電極型装置などの公知の装置を用いるこ
とができる。 使用ガスとしては、酸素、窒素等があり、キャリヤーガ
スとしてアルゴン、ヘリウム等が使用できる。 プラズマ処理の条件は、用いる装置の形状と大きさ、使
用するガスの種類と流量、ガスの圧力、放電電圧、減圧
度、放電周波数、基板温度などの数多(のパラメーター
があり、当業者であれば、適宜予備実験を行なうことな
どにより、好適な条件設定を行なうことができる。プラ
ズマ発生源としては、高周波放電の他に、マイクロ波放
電、交流放電等いずれも使用できる。 本発明におけるプラズマ処理の好ましい条件は、例えば
、ペルジャー型の内部型換型プラズマ処理装置を使用す
る場合、放電電力は10〜100W、ガス流量50〜2
00mρ/分、ガス圧力0.5〜2. OTorr 、
処理時間は30秒〜2分程度とすることが望ましい。 プラズマ処理により、主として合成樹脂基板の表面およ
び表面下が変化する0合成樹脂基板をガス中でプラズマ
処理すると、ガス分子が解離またはイオン化して発生し
たラジカルやイオンが合成樹脂基板表面と反応して、該
表面に各種の官能基が生成する。酸素プラズマが存在す
る場合には、該表面にカルボキシル基や水酸基等が生成
し、窒素プラズマが存在する場合には、アミノ基等が多
く生成する。そして、プラズマ処理によって、このよう
な官能基が合成樹脂基板表面に生成することにより、二
酸化ケイ素膜との密着性が改善されるものと考えること
ができる。 (二酸化ケイ素被膜の形成) 本発明では、前記プラズマ処理をした光情報記録媒体の
面上に二酸化ケイ素膜を形成させる。 ニ  ケイ 、 の乏 二酸化ケイ素膜の形成方法としては、シランガスを用い
たCVD法、石英板をターゲットとしたスパッタリング
法、有機ケイ素化合物の有機溶媒を用いたディッピング
法、または二酸化ケイ素の過飽和状態のケイフッ化水素
酸溶液中に浸漬し、二酸化ケイ素被膜を析出させる析出
法などがある。これらの中でも、析出法は、作業が簡単
で、しかも均一な被膜を形成することができるので、特
に好ましい。 この析出法については、特開昭61−12734号公報
に詳細に開示されている公知の方法が適用できる。二酸
化ケイ素の過飽和状態のケイフッ化水素酸溶液とは、ケ
イフッ化水素酸溶液に二酸化ケイ素(シリカゲル、エア
ロジル、シリカガラス、その他二酸化ケイ素含有物など
)を溶解させた後、水または試薬(ホウ酸、塩化アルミ
ニウムなど)を添加し、二酸化ケイ素の過飽和状態とし
たものである。この処理液にプラズマ処理した光情報記
録媒体を接触させればよい、接触は、光情報記録媒体を
処理液中に浸漬するかその表面に処理液を流下させるな
どの方法があるが、均一な被膜を形成するためには浸漬
法が好ましい。 処理液中のケイフッ化水素酸の濃度は、1〜2モル/℃
が好ましく、特に2モル/I2より濃いケイフッ化水素
酸水溶液に二酸化ケイ素を飽和させた後、水で希釈して
1〜2モル/βの濃度としたものが、被膜形成速度が早
(、効率よ(被覆が行なえるので望ましい。光情報記録
媒体を処理液に浸漬中、連続的にホウ酸水溶液を添加混
合し、また、処理液を循環させ、フィルターで濾過する
ことが、均質な被膜を効率よ(得るために好ましい、二
酸化ケイ素の供給源としてシリカゲルを使用する場合に
は、孔径1.5μm以下のフィルターが、その他シリカ
ガラスなどを用いた場合には、孔径10um以下のフィ
ルターが好ましい。 また、処理液を浸漬槽に入れて、光情報記録媒体と接触
させる場合には、浸漬中の光情報記録媒体表面において
、処理液が層流となって流れるようにすることが、むら
のない均質な被膜を形成するために好ましい。 二酸化ケイ素膜の膜厚は、使用目的に応じて適宜窓める
ことができるが、通常、数100人〜数1.000人程
度で表面改質の目的を達成することができる。 〔作 用] 従来のシラン系カップリング剤などのケイ素化合物によ
るブライマー処理では、ブライマーと合成樹脂基板表面
との間に強固な化学結合は生じない、また、放射線、電
子線、コロナ放電等を使用した表面処理法では、エネル
ギーが大きい等のため、その作用が合成樹脂基板内部に
まで及び材料のバルク特性が変化したり、合成樹脂の種
類によっては表面層が劣化する恐れがある。 これに対し、低圧ガスのグロー放電を使うプラズマ処理
によれば、合成樹脂基板を変質させず、基板表面に二酸
化ケイ素膜との結合を強める各種官能基を生成させるこ
とができ、しかもグロー放電の性質から光情報記録媒体
の均一な表面処理が可能である。 また、前記したとおりプラズマ処理により、合成樹脂基
板の表面に各種の官能基が生成するが、これらの官能基
の中でもカルボキシル基や水酸基が、例えば、二酸化ケ
イ素を用いる析出法において5i(OH)、が縮重合を
行なう過程で重合反応に加わり、二酸化ケイ素膜との化
学結合が生じるものと推定される。また、官能基の中で
、アミノ基は、水素結合によって、二酸化ケイ素膜との
密着力を高めるものと思われる。 このように、本発明におけるプラズマ処理法によれば、
合成樹脂基板のプラズマ処理面に各種官能基が生成する
ため、合成樹脂基板および二酸化ケイ素膜の結合力を高
め、密着性に優れた二酸化ケイ素膜被覆光情報記録媒体
を得ることができる。 また、光情報記録媒体の記録層の上に設けたSl系の誘
電体材料からなる保護層と二酸化ケイ素膜との密着性も
良好である。 そして、本発明の光情報記録媒体は、その全面を密着性
に優れた二酸化ケイ素膜で被覆した構造であるため、耐
湿性、耐食性、耐擦傷性が向上し、かつ吸水による形状
変化が極めて小さく、耐熱性にも優れている。 〔実施例J 以下、本発明について実施例および比較例を挙げて具体
的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定され
るものではない。なお、実施例および比較例における加
速劣化試験の方法は、次のとおりである。 く加速劣化試験〉 恒温恒温機にて、65℃、95%RHの条件で、二酸化
ケイ素被覆光情報記録媒体(ディスク)を3週間保持し
た後、C/N、媒体欠陥の最大バースト長、Ill時特
性評価を行なった。 以ZΔ: 回転数1,800rpm、周波数3.7MHzで測定。 書き込みレーザーパワーは、2次高周波が最小になるよ
うにした結果、約5mWであった。測定位置は、ディス
クの最内周部、結果は100トラツク測定の平均値であ
る。 の  バースト  バイト (2・7)RLL変調方式により信号を書き込み、加速
劣化試験前後での比較を行なった。測定位置は、ディス
クの最内周部、結果は100トラック分の測定結果であ
る。 1蓋ユ上 65℃、95%RHの雰囲気下に3週間保持した後、デ
ィスクの半径方向傾きを測定した。測定位置はディスク
中心より半径方向に45mmの位置である。なお、単板
仕様ディスクについてのみ評価を行なった。 [実施例1] ポリカーボネート樹脂からなる光デイスク基板(直径1
30mm、厚さ3.2mm)の上に、誘電体層(SiA
βON)/記録層(TbFeC。 )7保護層(SLAI2ON)をこの順に設けた構造の
光情報記録媒体を作成した。 ペルジャー型の内部電極型プラズマ重合装置を用い、一
方の電極板上に上記光情報記録媒体を載せ、下記の条件
でプラズマ処理を行なった。 工1Aヱエ且条豆 酸素ガス    −m−ガス流量50m12/分アルゴ
ンガス(キャリヤーガス) 一−−ガス流量50mI2/分 ガス圧力    −一−1、5Torr放電周波数  
 −−−13,56MHz放電電力    −100W 放電時間    −1分 まず、ガラス製ペルジャーの中に光情報記録媒体を入れ
、一旦10−″Torrの真空に引いた後、処理ガスと
して酸素、キャリヤーガスとしてアルゴンガスをそれぞ
れ50mj2/分の割合で導入して、ガス圧力を1.5
 Torrに保ちながら、放電電力100W、放電周波
数13.56MHzにて1分間処理を行なった。 このよう辷してプラズマ処理して得た光情報記録媒体の
表面に、カルボキシル基や水酸基が生成していることは
、ESCAにより確認された。処理された表面層の厚み
は、表面より約50人であった・ 上記プラズマ処理を行なった光情報記録媒体の全面に、
特開昭61−12734号公報に示されているのと同様
の二酸化ケイ素被膜製造装置を用いて、二酸化ケイ素の
被膜を析出させた。 すなわち、二酸化ケイ素被膜製造装置は、外槽と内槽か
ら成る浸漬槽を有し、内槽と外槽の間には水が満しであ
る。この水は温度が35℃となるようヒーターで加熱さ
れ、かつ、温度分布均一化のため撹拌機で撹拌されてい
る。内槽は前部、中部、後部から成り各部には工業用シ
リカゲル粉末を二酸化ケイ素の供給源として、二酸化ケ
イ素を溶解、飽和させた2、0モル/Cの濃度のケイフ
ッ化水素駿水溶液を水を用いて倍に希釈した3℃の反応
液が満たしである。ここで、循環ポンプを作動させ内槽
後部の反応液を一定量ずつ放出してフィルターで濾過し
、内槽前部へ戻す処理液循環を開始した。 その後、0.5モル/βのホウ酸水溶液を連続的に内槽
後部に摘下し10時間保持した。この状態で反応液は適
度な二酸化ケイ素過飽和度を有する処理液となった。 ここでフィルターの絶対除去率を1.5μmおよび処理
液循環量を240mJ2/分(処理液全量が約312で
あるので、循環量は8%/分である)に調整した。 そして、上記処理を行なった光情報記録媒体を内槽中部
に垂直に浸漬し、前記条件(0,5モル/λのホウ酸水
溶液を0.2mI2/分で添加し、8%/分の循環を行
ない、1.5μmのフィルターで濾過する)で16時間
保持した。 この結果、約3000人の膜厚を有する二酸化ケイ素膜
で全面が被覆された光情報記録媒体を得た。 被覆光情報記録媒体の加速劣化試験の結果は、第1表に
示す。 [実施例2] プラズマ処理条件を下記のとおりにかえた以外は、実施
例1と同様にして二酸化ケイ素膜被覆光情報記録媒体を
得、同様に評価した。 工1Aヱエ旦逢1 窒素ガス    −m−ガス流量50 m’J27分酸
素ガス    −一一ガス流量50mβ/分ガス圧カ 
   −= 1 、5 Torr放電周波数   −−
−13,56MHz放電電力    −150W 放電時間    −−−30秒 なお、このようにして得られた成形体表面には、カルボ
キシル基、水酸基、アミノ基が生成していることがES
CAにより確認された。 [実施例3] プラズマ処理条件を下記のとおりにかえた以外は、実施
例1と同様にして二酸化ケイ素膜被覆光情報記録媒体を
得、同様に評価した。 工1エヱ処且ゑ豆 アルゴンガス(キャリヤーガス) −一一ガス流量30mρ/分 酵素ガス    −m−ガス流量50mj2/分窒素ガ
ス    −m−ガス流量20mI2/分ガス圧力  
  −−−1、5Torr放電周波数   −−−13
,56MHz放電電力    −100W 放電時間    −一−60秒 なお、このようにして得られた成形体表面には、カルボ
キシル基、水酸基、アミノ基が生成していることがES
CAにより確認された。 [比較例1] プラズマ処理を行なわなかった以外は、実施例1と同様
にして二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体を得た。 実施例1〜3および比較例1で得られた二酸化ケイ素膜
被覆光情報記録媒体の加速劣化試験について測定した結
果を一括して第1表に示す。 (以下余白) [実施例4] 実施例1で作成した単板仕様の光デイスク2枚を、記録
層側どうしでアクリル系接着剤により張り合せて、張り
合せ構造の光情報記録媒体を作成した。 この張り合せ構造の光情報記録媒体を用いたこと以外は
、実施例1と同様に処理して全面に二酸化ケイ素膜を被
覆した光情報記録媒体を得た。 [実施例5] プラズマ処理の条件を実施例2と同様にした以外は実施
例4と同様に処理して二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体
を得、同様に評価した。 [実施例6] プラズマ処理の条件を実施例3と同様にした以外は実施
例4と同様に処理して二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体
を得、同様に評価した。 [比較例2] プラズマ処理を行なわなかった以外は、実施例4と同様
にして二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体を得た。 ケイ素膜被覆光情報記録媒体について、機械特性を除(
加速劣化試験を行ない、その結果を一括して第2表に示
した。 第1表および第2表から明らかなように、本発明の二酸
化ケイ素膜被覆光情報記録媒体は、優れた加速劣化試験
特性を示し、耐湿性、耐食性が向上し、かつ吸水による
形状変化が極めて小さい。 また、二酸化ケイ素被膜により、耐擦傷性や耐熱性も向
上している。 (以下余白) 〔発明の効果〕 本発明によれば、光情報記録媒体の全面に密着性の優れ
た二酸化ケイ素被膜を形成することができるため、耐湿
性、耐食性、耐擦傷性が向上し、かつ吸水による形状変
化が極めて小さい光情報記録媒体を提供することができ
る。したがって、広範囲の温度、湿度条件下で長期保存
が可能である。また、単板仕様の光情報記録媒体におい
ては、耐湿性の向上により吸水によるソリなどの機械的
特性の劣化が防止される。さらに、耐擦傷性に優れてい
るため、信号劣化や感度の劣化などがない。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)合成樹脂製の透明基板上に記録層、誘電体層およ
    び/または保護層を設けた光情報記録媒体において、そ
    の全面または透明基板表面をプラズマ処理した後、光情
    報記録媒体の全面に二酸化ケイ素被膜を形成して成るこ
    とを特徴とする二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体。
  2. (2)光情報記録媒体が、合成樹脂製の透明基板上に記
    録層、誘電体層および/または保護層を設けた2枚の光
    情報記録媒体を、接着層を介して記録層側の面どうし張
    り合せた構造のものである請求項1記載の二酸化ケイ素
    被覆光情報記録媒体。
  3. (3)合成樹脂製の透明基板上に記録層、誘電体層およ
    び/または保護層を設けた光情報記録媒体において、そ
    の全面または透明基板表面をプラズマ処理した後、光情
    報記録媒体の全面に二酸化ケイ素被膜を形成することを
    特徴とする二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体の製造方法
  4. (4)光情報記録媒体媒体が、合成樹脂製の透明基板上
    に記録層、誘電体層および/または保護層を設けた2枚
    の光情報記録媒体を、接着層を介して記録層側の面どう
    し張り合せた構造のものである請求項3記載の二酸化ケ
    イ素被覆光情報記録媒体の製造方法。
  5. (5)透明基板表面をプラズマ処理した後、光情報記録
    媒体を二酸化ケイ素の過飽和状態のケイフッ化水素酸溶
    液中に浸漬し、光情報記録媒体の全面に二酸化ケイ素被
    膜を析出させる請求項3または4記載の二酸化ケイ素被
    覆光情報記録媒体の製造方法。
JP1120008A 1989-05-13 1989-05-13 二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法 Pending JPH02301033A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1120008A JPH02301033A (ja) 1989-05-13 1989-05-13 二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1120008A JPH02301033A (ja) 1989-05-13 1989-05-13 二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02301033A true JPH02301033A (ja) 1990-12-13

Family

ID=14775623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1120008A Pending JPH02301033A (ja) 1989-05-13 1989-05-13 二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02301033A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6159651A (en) * 1997-04-15 2000-12-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser ablative recording material
EP1094090A3 (en) * 1999-10-18 2001-06-27 Nippon Sheet Glass Co. Ltd. Silicon dioxide-coated polyolefin resin and process for its production

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6159651A (en) * 1997-04-15 2000-12-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser ablative recording material
EP1094090A3 (en) * 1999-10-18 2001-06-27 Nippon Sheet Glass Co. Ltd. Silicon dioxide-coated polyolefin resin and process for its production

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002192646A (ja) ガスバリアフィルム
JPH02301033A (ja) 二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法
JPH0419844A (ja) 光情報記録媒体
JPH03108136A (ja) 光情報記録媒体およびその製造方法
JPH0373434A (ja) 酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法
JPH03141048A (ja) 酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法
JPH0373435A (ja) 酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法
JPH0373433A (ja) 酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法
JPH0384751A (ja) 酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法
JPH02301032A (ja) 二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法
JPH03108137A (ja) 光情報記録媒体およびその製造方法
JPH02301030A (ja) 二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法
JPH0384750A (ja) 被覆光情報記録媒体およびその製造方法
JPH02168453A (ja) 光磁気記録媒体の製造方法
JPH02301031A (ja) 二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法
JPH0414645A (ja) 光情報記録媒体
JPH02248436A (ja) 酸化物膜被覆合成樹脂成形体およびその製造法
JPH0384042A (ja) 酸化ケイ素被覆合成樹脂成形体およびその製造法
JPH06179962A (ja) ガスバリヤー性透明電極フィルム
JPH0414642A (ja) 光情報記録媒体
JPH0432053A (ja) 光磁気記録媒体の製造方法
JP2679218B2 (ja) 光磁気記録媒体及びその製造法
JPH03223342A (ja) 酸化ケイ素被覆合成樹脂成形体およびその製造方法
JPH03141049A (ja) 酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法
JPH02156445A (ja) 光磁気記録媒体およびその製法