JPS6362093B2 - - Google Patents
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- JPS6362093B2 JPS6362093B2 JP57104024A JP10402482A JPS6362093B2 JP S6362093 B2 JPS6362093 B2 JP S6362093B2 JP 57104024 A JP57104024 A JP 57104024A JP 10402482 A JP10402482 A JP 10402482A JP S6362093 B2 JPS6362093 B2 JP S6362093B2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
- C08F2/52—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by electric discharge, e.g. voltolisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F30/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal
- C08F30/02—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing phosphorus
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明の分野
本発明は有機樹脂と基板、特にシリコン、二酸
化シリコン、アルミニウム及び貴金属の如き基
板、との間の付着性を増すための方法に係る。 本発明の方法は、基板を重合されたオルガノホ
スフインの層で被覆することによつて、その様な
付着性の増加を達成する。 先行技術 付着促進剤の使用は当技術分野に於て周知であ
る。それらの使用については、例えば、
Adhesives Age、1972年３月、第37頁乃至第39
頁に於けるBersinによる“How to Obtain
Strong Adhesive Bonds Via Plasma
Treatment”と題する文献、IBM Technical
Disclosure Bulletin、第20巻、第12号、1978年
５月、第5233頁に於けるB.D.Washoによる
“Adhesion of Tetrafluoroethylene to
Substrate”と題する文献、及び米国特許第
4173003号の明細書等に示されている。燐を含む
化合物を付着促進剤として用いることについて
も、Journal of Macromolecular Science−
Review in Polymer Technology、第Ｄ−１巻、
1971年、第１頁乃至第50頁に於けるCassidy and
Yagerによる“Coupling Agents as Adhesion
Promotors”と題する文献に於て示されている。 それらの従来技術は、本発明の方法に於ける如
き重合法による付着の促進については何ら開示し
ていない。 本発明の要旨 本発明の方法に従つて、有機樹脂と基板との間
にプラズマ重合された不飽和のオルガノホスフイ
ンの層を挿入することにより、上記有機樹脂と基
板との間の不着性が著しく増加される。本発明の
方法に於ては、気体状の不飽和のオルガノホスフ
インが反応チエンバ内に導入され、そこで放射エ
ネルギにさらされる。この放射エネルギは、高周
波（RF）エネルギ又はマイクロ波周波数エネル
ギのいずれでもよい。この照射は、不飽和のオル
ガノホスフインのプラズマ重合を生ぜじめて、そ
の重合体の膜を基板上に付着させる。基板が上記
の重合されたオルガノホスフインの膜で被覆され
た後、上記膜上に有機樹脂が被覆される。 本発明による方法は、シリコン元素を含む基板
に特に有用である。それらの基板は、特にシリコ
ン元素、二酸化シリコン及び窒化シリコン等であ
る。本発明は又、金属の基板にも適用され得る。
それらの具体的な例としては、アルミニウムや、
ロジウムの如き貴金属が挙げられ得る。 電子的装置の製造に於ては、半導体の如き基板
を有機樹脂材料の表面安定化被膜又は絶縁被膜で
被覆することが望ましい場合が多い。その様な材
料は当技術分野に於て数多く知られている。本発
明の方法に於て特に有用なそれらの材料は、ポリ
メタクリル酸メチル、特にポリメタクリル酸メチ
ルを基材とする樹脂材料、及びHercules社製の
Ｈ樹脂（商品名）として知られている樹脂であ
る。しかしながら、従来においては、その様な被
膜と基板との間に良好な付着を得ることがしばし
ば困難であつた。 本発明の方法の実施に於ては、不飽和のオルガ
ノホスフイン材料が用いられる。その好ましい材
料はトリビニルオスフインである。他の有用な材
料には、ジビニルフエニルホスフイン、ビニルジ
フエニルホスフイン、及びビニルアルキルホスフ
イン等がある。 本発明の方法の実施に於ては、重合されたオル
ガノホスフインの付着膜は約400乃至約600Åの厚
さを有することが好ましい。ホスフイン重合体が
付着された後、最も好ましくは、Ｈ樹脂の如き樹
脂が回転被覆によつて付着される。その付着膜
は、例えば350℃でベークすることにより硬化さ
れ得る。Ｈ樹脂の膜の厚さは、一般的には１乃至
2μｍのオーダーである。本発明の方法を用いて
形成された場合には、それらの膜は反復されたテ
ストに於ても半導体基板から剥離され得なかつ
た。これは、本発明の方法を用いずに形成された
参照用試料に於ける極めて容易に剥離された膜の
場合と極めて対照的である。 上記のプラズマ重合されたホスフインをESCA
スペクトルにより分析した結果、その重合体はそ
の単量体と同一の化学量論的組成を有しそして燐
が２つの状態（恐らく、三価及び五価）で存在し
ていることが示された。 本発明の好実施例 次に示す実施例は本発明の範囲を何ら限定する
ものではなく、単に説明のために示されたもので
あつて、多くの変更が可能である。 （トリビニルホスフインのプラズマ付着） トリビニルホスフインが、65nｍの圧力を維持
する様に、排気された管状のガラス反応炉中に注
入される（該有機物が存在していない時の圧力は
略５乃至10nｍである）。上記反応炉の下手に接
続されているチエンバ（直径略25cm、高さ略15
cm）は、付着促進剤を付着される基板ウエハが保
持されるプラテン（直径略18cm）を有している。
該プラテンは毎分略８回の速度で回転する。上記
反応炉の周囲のコイルを経て結合されている
13.5MHzの高周波電力を加えることにより、グロ
ー放電が維持される。スローン（Sloan）・ゲー
ジを用いた結晶モニタにより厚さがモニタされ
る。その結晶は回転されている基板よりも約１cm
上方に配置されている。被覆は略15ワツトの電力
を加えることによつて行われる。その付着速度は
毎分略30Åである。
化シリコン、アルミニウム及び貴金属の如き基
板、との間の付着性を増すための方法に係る。 本発明の方法は、基板を重合されたオルガノホ
スフインの層で被覆することによつて、その様な
付着性の増加を達成する。 先行技術 付着促進剤の使用は当技術分野に於て周知であ
る。それらの使用については、例えば、
Adhesives Age、1972年３月、第37頁乃至第39
頁に於けるBersinによる“How to Obtain
Strong Adhesive Bonds Via Plasma
Treatment”と題する文献、IBM Technical
Disclosure Bulletin、第20巻、第12号、1978年
５月、第5233頁に於けるB.D.Washoによる
“Adhesion of Tetrafluoroethylene to
Substrate”と題する文献、及び米国特許第
4173003号の明細書等に示されている。燐を含む
化合物を付着促進剤として用いることについて
も、Journal of Macromolecular Science−
Review in Polymer Technology、第Ｄ−１巻、
1971年、第１頁乃至第50頁に於けるCassidy and
Yagerによる“Coupling Agents as Adhesion
Promotors”と題する文献に於て示されている。 それらの従来技術は、本発明の方法に於ける如
き重合法による付着の促進については何ら開示し
ていない。 本発明の要旨 本発明の方法に従つて、有機樹脂と基板との間
にプラズマ重合された不飽和のオルガノホスフイ
ンの層を挿入することにより、上記有機樹脂と基
板との間の不着性が著しく増加される。本発明の
方法に於ては、気体状の不飽和のオルガノホスフ
インが反応チエンバ内に導入され、そこで放射エ
ネルギにさらされる。この放射エネルギは、高周
波（RF）エネルギ又はマイクロ波周波数エネル
ギのいずれでもよい。この照射は、不飽和のオル
ガノホスフインのプラズマ重合を生ぜじめて、そ
の重合体の膜を基板上に付着させる。基板が上記
の重合されたオルガノホスフインの膜で被覆され
た後、上記膜上に有機樹脂が被覆される。 本発明による方法は、シリコン元素を含む基板
に特に有用である。それらの基板は、特にシリコ
ン元素、二酸化シリコン及び窒化シリコン等であ
る。本発明は又、金属の基板にも適用され得る。
それらの具体的な例としては、アルミニウムや、
ロジウムの如き貴金属が挙げられ得る。 電子的装置の製造に於ては、半導体の如き基板
を有機樹脂材料の表面安定化被膜又は絶縁被膜で
被覆することが望ましい場合が多い。その様な材
料は当技術分野に於て数多く知られている。本発
明の方法に於て特に有用なそれらの材料は、ポリ
メタクリル酸メチル、特にポリメタクリル酸メチ
ルを基材とする樹脂材料、及びHercules社製の
Ｈ樹脂（商品名）として知られている樹脂であ
る。しかしながら、従来においては、その様な被
膜と基板との間に良好な付着を得ることがしばし
ば困難であつた。 本発明の方法の実施に於ては、不飽和のオルガ
ノホスフイン材料が用いられる。その好ましい材
料はトリビニルオスフインである。他の有用な材
料には、ジビニルフエニルホスフイン、ビニルジ
フエニルホスフイン、及びビニルアルキルホスフ
イン等がある。 本発明の方法の実施に於ては、重合されたオル
ガノホスフインの付着膜は約400乃至約600Åの厚
さを有することが好ましい。ホスフイン重合体が
付着された後、最も好ましくは、Ｈ樹脂の如き樹
脂が回転被覆によつて付着される。その付着膜
は、例えば350℃でベークすることにより硬化さ
れ得る。Ｈ樹脂の膜の厚さは、一般的には１乃至
2μｍのオーダーである。本発明の方法を用いて
形成された場合には、それらの膜は反復されたテ
ストに於ても半導体基板から剥離され得なかつ
た。これは、本発明の方法を用いずに形成された
参照用試料に於ける極めて容易に剥離された膜の
場合と極めて対照的である。 上記のプラズマ重合されたホスフインをESCA
スペクトルにより分析した結果、その重合体はそ
の単量体と同一の化学量論的組成を有しそして燐
が２つの状態（恐らく、三価及び五価）で存在し
ていることが示された。 本発明の好実施例 次に示す実施例は本発明の範囲を何ら限定する
ものではなく、単に説明のために示されたもので
あつて、多くの変更が可能である。 （トリビニルホスフインのプラズマ付着） トリビニルホスフインが、65nｍの圧力を維持
する様に、排気された管状のガラス反応炉中に注
入される（該有機物が存在していない時の圧力は
略５乃至10nｍである）。上記反応炉の下手に接
続されているチエンバ（直径略25cm、高さ略15
cm）は、付着促進剤を付着される基板ウエハが保
持されるプラテン（直径略18cm）を有している。
該プラテンは毎分略８回の速度で回転する。上記
反応炉の周囲のコイルを経て結合されている
13.5MHzの高周波電力を加えることにより、グロ
ー放電が維持される。スローン（Sloan）・ゲー
ジを用いた結晶モニタにより厚さがモニタされ
る。その結晶は回転されている基板よりも約１cm
上方に配置されている。被覆は略15ワツトの電力
を加えることによつて行われる。その付着速度は
毎分略30Åである。
Claims (1)
- １ 不飽和のオルガノホスフインの蒸気を反応チ
エンバ内に導入し、基板上に重合されたオルガノ
ホスフインの膜が付着される様に上記オルガノホ
スフインの気体を放射エネルギにさらし、上記の
重合されたオルガノホスフインの膜上に有機樹脂
の被膜を付着することを含む、基板への有機樹脂
材料の付着性を増すための方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/299,273 US4371565A (en) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | Process for adhering an organic resin to a substrate by means of plasma polymerized phosphines |
| US299273 | 2002-11-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5853836A JPS5853836A (ja) | 1983-03-30 |
| JPS6362093B2 true JPS6362093B2 (ja) | 1988-12-01 |
Family
ID=23154081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57104024A Granted JPS5853836A (ja) | 1981-09-04 | 1982-06-18 | 有機樹脂材料の付着性を増すための方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4371565A (ja) |
| EP (1) | EP0073924B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5853836A (ja) |
| CA (1) | CA1184149A (ja) |
| DE (1) | DE3275632D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2555732Y2 (ja) * | 1991-12-12 | 1997-11-26 | 松下電器産業株式会社 | 洗濯機の脚装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4497890A (en) * | 1983-04-08 | 1985-02-05 | Motorola, Inc. | Process for improving adhesion of resist to gold |
| IT1191646B (it) * | 1985-12-19 | 1988-03-23 | Montedison Spa | Processo per l'adesione di poli-p.xililene a substrati e articoli ottenuti |
| EP0734400A1 (en) * | 1993-12-16 | 1996-10-02 | Ciba SC Holding AG | Process for flame-proofing organic polymeric materials |
| KR100325526B1 (ko) * | 1998-10-26 | 2002-04-17 | 윤종용 | 잉크 분사 장치의 제조 방법 |
| JP5432602B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2014-03-05 | 富士フイルム株式会社 | バリア性積層体、ガスバリアフィルム、デバイス |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3387991A (en) * | 1964-10-13 | 1968-06-11 | Rexall Drug Chemical | Glow discharge polymerization coating of polyolefin surfaces to render them receptive to adhesives, inks, and the like |
| GB1146550A (en) * | 1966-07-26 | 1969-03-26 | Standard Telephones Cables Ltd | Polymeric product preparation method |
| JPS53109703A (en) * | 1977-03-08 | 1978-09-25 | Teijin Ltd | Improved supporting plate |
| US4176003A (en) * | 1978-02-22 | 1979-11-27 | Ncr Corporation | Method for enhancing the adhesion of photoresist to polysilicon |
| US4279723A (en) * | 1978-08-18 | 1981-07-21 | The Regents Of The University Of California | Polymerization of inorganic element-containing monomers using plasma |
| US4283481A (en) * | 1978-09-11 | 1981-08-11 | Napp Systems (Usa) Inc. | Element having phosphine activated photosensitive compositions therein |
| JPS6053675B2 (ja) * | 1978-09-20 | 1985-11-27 | 富士写真フイルム株式会社 | スピンコ−テイング方法 |
-
1981
- 1981-09-04 US US06/299,273 patent/US4371565A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-06-18 JP JP57104024A patent/JPS5853836A/ja active Granted
- 1982-07-15 CA CA000407313A patent/CA1184149A/en not_active Expired
- 1982-07-30 DE DE8282106896T patent/DE3275632D1/de not_active Expired
- 1982-07-30 EP EP82106896A patent/EP0073924B1/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2555732Y2 (ja) * | 1991-12-12 | 1997-11-26 | 松下電器産業株式会社 | 洗濯機の脚装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3275632D1 (en) | 1987-04-16 |
| JPS5853836A (ja) | 1983-03-30 |
| US4371565A (en) | 1983-02-01 |
| EP0073924A3 (en) | 1984-03-28 |
| EP0073924B1 (en) | 1987-03-11 |
| EP0073924A2 (en) | 1983-03-16 |
| CA1184149A (en) | 1985-03-19 |
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