JPH0541961B2 - - Google Patents
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- JPH0541961B2 JPH0541961B2 JP2330201A JP33020190A JPH0541961B2 JP H0541961 B2 JPH0541961 B2 JP H0541961B2 JP 2330201 A JP2330201 A JP 2330201A JP 33020190 A JP33020190 A JP 33020190A JP H0541961 B2 JPH0541961 B2 JP H0541961B2
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Landscapes
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学式情報デイスクや光学機器等にお
ける光学反射膜およびその形成方法に関する。 〔従来の技術〕 光学式ビデオデイスクなどの光学式情報デイス
クは、たとえばアクリル樹脂やポリカーボネート
樹脂等のプラスチツクス基板の面上に情報ピツト
を形成し、その上にアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金の光学反射膜を設けてなるものである。
中でも光学式ビデオデイスクにおいては、基板用
材料として光学特性やコスト等の点からアクリル
樹脂、すなわちPMMA（ポリメチルメタクリレー
ト樹脂）を使用することが一般的であり、また光
学反射膜用材料として反射率や耐久性及びコスト
などの点から高純度のアルミニウムを用いること
が一般的となつている。 このようなPMMA基板を用いたデイスクは、
温度や湿度の変化に伴つて反り等が発生し易いの
で、２枚のデイスクを接着剤等で背中合わせに貼
り合わせることによつて変形などの発生を抑制す
るようにしている。しかし貼り合わせ時の接着剤
の塗布に際して反射膜が剥離する恐れがあり、ま
た貼り合わせたデイスクが上記のように温度や湿
度の変化に伴う繰り返し応力を受けていると反射
膜の剥離が起こる心配もある。 そこで従来は、基板に対する密着性がよい膜が
得られる真空蒸着法を用いて成膜する方法が一般
的に採用されていた。 〔発明が解決しようとする課題〕 上記のように、アルミニウム反射膜をPMMA
基板の面に成膜するにあたつて用いられている従
来の真空蒸着による方法は、バツチ式の装置とな
るために装置自体が大型となつて設備費用が嵩む
という問題や運転条件の制御が簡単でないという
問題があつた。 これに対してスパツタリングによる方法は、連
続式の装置とすることができるために装置が小型
となり、運転条件の制御が簡単であつて品質管理
が容易となる利点がある。しかしスパツタリング
法によつて形成した膜はPMMA基板との密着性
が悪いという致命的な欠点があつて、品質管理上
不利であつても基板に対する膜の密着性がよい真
空蒸着法を採用せざるを得なかつた。 そこで本発明は、装置が小型で品質管理が容易
なスパツタリング法によつて密着性のよいアルミ
ニウム反射膜を得る手段を提供することを目的と
した。 〔課題を解決するための手段〕 本発明の目的は、プラスチツクス基板上にアル
ミニウム又はアルミニウム合金と炭素含有物質と
の複合物を含んで形成されたアルミニウム又はア
ルミニウム合金膜からなる光学反射膜によつて達
成することができる。 そしてかかる本発明の光学反射膜は、プラスチ
ツクス基板の表面に対して炭素含有物質を含むア
ルゴン又は炭素含有物質とヘリウムとを含むアル
ゴンの雰囲気中でプラズマ処理を行いながらアル
ミニウム又はアルミニウム合金のスパツタリング
成膜を実施することによつて、形成することがで
きる。 本発明において用いられるプラスチツクス基板
は特に限定されるものではないが、光学式デイス
クの光学反射膜として利用するのであれば
PMMAやポリカーボネート樹脂（PC）が好まし
く、特にPMMAであるときは極めて優れた効果
が発揮される。 また本発明において用いられる光学反射膜の材
料は、アルミニウム又はアルミニウム合金であ
る。反射率の点からは高純度のアルミニウムであ
ることが好ましいが、耐食性や密着性などの改善
のためにアルミニウム合金を適宜選択して使用す
ることもできる。 このような本発明の光学反射膜は、前記のよう
なプラスチツクス基板の表面に対し、炭素含有物
質のプラズマを含むアルゴン又は炭素含有物質の
プラズマとヘリウムとを含むアルゴンの雰囲気中
でアルミニウム又はアルミニウム合金のスパツタ
リング成膜を実施することにより形成することが
できる。ここで雰囲気ガス中には他の周期律表第
０族の不活性ガス、例えばネオン、クリプトン、
キセノンなどが含まれていても差し支えない。 雰囲気ガス中に含まれる炭素含有物質として
は、炭素と水素との化合物である炭化水素類、炭
素と酸素との化合物である酸化炭素類、或いは炭
素と水素と酸素との化合物である含酸素有機化合
物類など、更にはこれらの化合物から生ずるラジ
カルなどの原子団等が用いられるが、雰囲気中に
ガス状で存在するものであることが必要であり、
たとえばメタン、エタン、二酸化炭素、メタノー
ル、エチルエーテル、アセトン等を挙げることが
できる。これらの炭素含有物質はスパツタリング
成膜装置内の雰囲気ガスを構成する不活性ガスと
ともに外部からそれぞれ単独に或いは混合ガスと
して供給されたものであつてもよい。また場合に
よつては、ガス化し難い化合物を高エネルギーに
よつて分解させる際に発生するラジカルやイオ
ン、たとえばメチレン、メチルなどの活性化原子
団であつてもよく、これらはプラスチツクス基板
の一部をプラズマで衝撃することによつて分解遊
離するものであつてもよい。 本発明におけるプラズマ処理は、たとえば10〜
10-1Pa程度の圧力の処理装置内で高電圧を印加
することによりアルゴンなどの不活性ガスを励起
し、これにより発生したガスプラズマにプラスチ
ツクス基板の表面を暴露することにより行なわれ
る。この場合、ガスプラズマのエネルギーが大き
過ぎるときは基板の表面が分解により粗化して平
滑な光学反射膜が生成しないことがあり、またガ
スプラズマのエネルギーが小さ過ぎるときは平滑
な光学反射膜が生成するものの密着性が不足する
から、プラズマの励起電圧と電流とを実際の装
置、被処理基板の材質や大きさ、雰囲気ガスの組
成などに応じて適宜調整することが望ましい。 このような本発明の方法に従つてプラスチツク
ス基板の表面上にアルミニウム又はアルミニウム
合金をスパツタリングすることにより形成された
薄膜は、雰囲気ガス中に含まれる炭素含有物質と
アルミニウム又はアルミニウム合金との複合物を
含んでいる。かかる複合物を含む薄膜はプラスチ
ツクス基板に対して良好な密着性を持つているか
ら、この薄膜をそのまま光学反射膜として利用し
てもよく、或いはこの薄膜の上に更にアルミニウ
ム又はアルミニウム合金をスパツタリングするな
どして光学反射膜を形成してもよい。 〔作用〕 本発明の方法によれば、プラスチツクス基板に
損傷を与えることなく良好な反射率を持つ光学反
射膜を高能率で形成することができる。こうして
得られた光学反射膜は、プラスチツクス基板、特
にPMMA基板に対して優れた密着性を示すもの
である。 〔実施例〕 直径120mm、厚さ1.2mmのPMMA基板(M)又はPC
基板(C)をDCスパツタ装置の中に取り付け、装置
内を一旦10-3Paまで排気したのち不活性ガスと
してアルゴンまたはアルゴンとヘリウムとをそれ
ぞれ所定の流量で供給し、また炭素含有物質とし
てメタンを所定の流量で供給しながら装置内の圧
力を1Pa程度に維持し、PMMA基板の面に高電
圧の印加によるプラズマを接触させながら印加電
力を調整してアルミニウムのスパツタリング成膜
を行ない、厚さ約600Åのアルミニウム反射膜を
形成した。 このときのアルゴン、ヘリウム及びメタンの供
給量（標準状態ガスcc／min）、印加電力（kW）
及び雰囲気内に含まれる質量Ｍ／ｅ：12，14，15
の成分を質量スペクトル分析して、その相対含有
量をそれぞれ第１表に示した。この第１表におい
て、質量Ｍ／ｅの12はＣイオンであり、質量Ｍ／
ｅの14はＮイオン又はCH2イオン、または質量
Ｍ／ｅの15はNHイオン又はCH3イオンである。
なおイオンの相対含有量は、実験番号１の質量
Ｍ／ｅが14であるイオンの含有量を基準とした値
である。
ける光学反射膜およびその形成方法に関する。 〔従来の技術〕 光学式ビデオデイスクなどの光学式情報デイス
クは、たとえばアクリル樹脂やポリカーボネート
樹脂等のプラスチツクス基板の面上に情報ピツト
を形成し、その上にアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金の光学反射膜を設けてなるものである。
中でも光学式ビデオデイスクにおいては、基板用
材料として光学特性やコスト等の点からアクリル
樹脂、すなわちPMMA（ポリメチルメタクリレー
ト樹脂）を使用することが一般的であり、また光
学反射膜用材料として反射率や耐久性及びコスト
などの点から高純度のアルミニウムを用いること
が一般的となつている。 このようなPMMA基板を用いたデイスクは、
温度や湿度の変化に伴つて反り等が発生し易いの
で、２枚のデイスクを接着剤等で背中合わせに貼
り合わせることによつて変形などの発生を抑制す
るようにしている。しかし貼り合わせ時の接着剤
の塗布に際して反射膜が剥離する恐れがあり、ま
た貼り合わせたデイスクが上記のように温度や湿
度の変化に伴う繰り返し応力を受けていると反射
膜の剥離が起こる心配もある。 そこで従来は、基板に対する密着性がよい膜が
得られる真空蒸着法を用いて成膜する方法が一般
的に採用されていた。 〔発明が解決しようとする課題〕 上記のように、アルミニウム反射膜をPMMA
基板の面に成膜するにあたつて用いられている従
来の真空蒸着による方法は、バツチ式の装置とな
るために装置自体が大型となつて設備費用が嵩む
という問題や運転条件の制御が簡単でないという
問題があつた。 これに対してスパツタリングによる方法は、連
続式の装置とすることができるために装置が小型
となり、運転条件の制御が簡単であつて品質管理
が容易となる利点がある。しかしスパツタリング
法によつて形成した膜はPMMA基板との密着性
が悪いという致命的な欠点があつて、品質管理上
不利であつても基板に対する膜の密着性がよい真
空蒸着法を採用せざるを得なかつた。 そこで本発明は、装置が小型で品質管理が容易
なスパツタリング法によつて密着性のよいアルミ
ニウム反射膜を得る手段を提供することを目的と
した。 〔課題を解決するための手段〕 本発明の目的は、プラスチツクス基板上にアル
ミニウム又はアルミニウム合金と炭素含有物質と
の複合物を含んで形成されたアルミニウム又はア
ルミニウム合金膜からなる光学反射膜によつて達
成することができる。 そしてかかる本発明の光学反射膜は、プラスチ
ツクス基板の表面に対して炭素含有物質を含むア
ルゴン又は炭素含有物質とヘリウムとを含むアル
ゴンの雰囲気中でプラズマ処理を行いながらアル
ミニウム又はアルミニウム合金のスパツタリング
成膜を実施することによつて、形成することがで
きる。 本発明において用いられるプラスチツクス基板
は特に限定されるものではないが、光学式デイス
クの光学反射膜として利用するのであれば
PMMAやポリカーボネート樹脂（PC）が好まし
く、特にPMMAであるときは極めて優れた効果
が発揮される。 また本発明において用いられる光学反射膜の材
料は、アルミニウム又はアルミニウム合金であ
る。反射率の点からは高純度のアルミニウムであ
ることが好ましいが、耐食性や密着性などの改善
のためにアルミニウム合金を適宜選択して使用す
ることもできる。 このような本発明の光学反射膜は、前記のよう
なプラスチツクス基板の表面に対し、炭素含有物
質のプラズマを含むアルゴン又は炭素含有物質の
プラズマとヘリウムとを含むアルゴンの雰囲気中
でアルミニウム又はアルミニウム合金のスパツタ
リング成膜を実施することにより形成することが
できる。ここで雰囲気ガス中には他の周期律表第
０族の不活性ガス、例えばネオン、クリプトン、
キセノンなどが含まれていても差し支えない。 雰囲気ガス中に含まれる炭素含有物質として
は、炭素と水素との化合物である炭化水素類、炭
素と酸素との化合物である酸化炭素類、或いは炭
素と水素と酸素との化合物である含酸素有機化合
物類など、更にはこれらの化合物から生ずるラジ
カルなどの原子団等が用いられるが、雰囲気中に
ガス状で存在するものであることが必要であり、
たとえばメタン、エタン、二酸化炭素、メタノー
ル、エチルエーテル、アセトン等を挙げることが
できる。これらの炭素含有物質はスパツタリング
成膜装置内の雰囲気ガスを構成する不活性ガスと
ともに外部からそれぞれ単独に或いは混合ガスと
して供給されたものであつてもよい。また場合に
よつては、ガス化し難い化合物を高エネルギーに
よつて分解させる際に発生するラジカルやイオ
ン、たとえばメチレン、メチルなどの活性化原子
団であつてもよく、これらはプラスチツクス基板
の一部をプラズマで衝撃することによつて分解遊
離するものであつてもよい。 本発明におけるプラズマ処理は、たとえば10〜
10-1Pa程度の圧力の処理装置内で高電圧を印加
することによりアルゴンなどの不活性ガスを励起
し、これにより発生したガスプラズマにプラスチ
ツクス基板の表面を暴露することにより行なわれ
る。この場合、ガスプラズマのエネルギーが大き
過ぎるときは基板の表面が分解により粗化して平
滑な光学反射膜が生成しないことがあり、またガ
スプラズマのエネルギーが小さ過ぎるときは平滑
な光学反射膜が生成するものの密着性が不足する
から、プラズマの励起電圧と電流とを実際の装
置、被処理基板の材質や大きさ、雰囲気ガスの組
成などに応じて適宜調整することが望ましい。 このような本発明の方法に従つてプラスチツク
ス基板の表面上にアルミニウム又はアルミニウム
合金をスパツタリングすることにより形成された
薄膜は、雰囲気ガス中に含まれる炭素含有物質と
アルミニウム又はアルミニウム合金との複合物を
含んでいる。かかる複合物を含む薄膜はプラスチ
ツクス基板に対して良好な密着性を持つているか
ら、この薄膜をそのまま光学反射膜として利用し
てもよく、或いはこの薄膜の上に更にアルミニウ
ム又はアルミニウム合金をスパツタリングするな
どして光学反射膜を形成してもよい。 〔作用〕 本発明の方法によれば、プラスチツクス基板に
損傷を与えることなく良好な反射率を持つ光学反
射膜を高能率で形成することができる。こうして
得られた光学反射膜は、プラスチツクス基板、特
にPMMA基板に対して優れた密着性を示すもの
である。 〔実施例〕 直径120mm、厚さ1.2mmのPMMA基板(M)又はPC
基板(C)をDCスパツタ装置の中に取り付け、装置
内を一旦10-3Paまで排気したのち不活性ガスと
してアルゴンまたはアルゴンとヘリウムとをそれ
ぞれ所定の流量で供給し、また炭素含有物質とし
てメタンを所定の流量で供給しながら装置内の圧
力を1Pa程度に維持し、PMMA基板の面に高電
圧の印加によるプラズマを接触させながら印加電
力を調整してアルミニウムのスパツタリング成膜
を行ない、厚さ約600Åのアルミニウム反射膜を
形成した。 このときのアルゴン、ヘリウム及びメタンの供
給量（標準状態ガスcc／min）、印加電力（kW）
及び雰囲気内に含まれる質量Ｍ／ｅ：12，14，15
の成分を質量スペクトル分析して、その相対含有
量をそれぞれ第１表に示した。この第１表におい
て、質量Ｍ／ｅの12はＣイオンであり、質量Ｍ／
ｅの14はＮイオン又はCH2イオン、または質量
Ｍ／ｅの15はNHイオン又はCH3イオンである。
なおイオンの相対含有量は、実験番号１の質量
Ｍ／ｅが14であるイオンの含有量を基準とした値
である。
【表】
【表】
実験 基
電力
電力
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ プラスチツクス基板上にアルミニウム又はア
ルミニウム合金と炭素含有物質との複合物を含ん
で形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金
膜からなる光学反射膜。 ２ プラスチツクスがアクリル樹脂である特許請
求の範囲第１項記載の光学反射膜。 ３ アルミニウム又はアルミニウム合金膜が、プ
ラスチツクス基板上にアルミニウム又はアルミニ
ウム合金と炭素含有物質との複合物を含んで形成
されたアルミニウム又はアルミニウム合金層と該
複合物を含まないアルミニウム又はアルミニウム
合金層との積層体である特許請求の範囲第１項又
は第２項記載の光学反射膜。 ４ プラスチツクス基板の表面に対して炭素含有
物質を含むアルゴン又は炭素含有物質とヘリウム
とを含むアルゴンの雰囲気中でプラズマ処理を行
いながらアルミニウム又はアルミニウム合金のス
パツタリング成膜を実施することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光学反射膜の形成方
法。 ５ プラスチツクスがアクリル樹脂である特許請
求の範囲第４項記載の光学反射膜の形成方法。 ６ 炭素含有物質が炭化水素化合物又は炭素酸化
物である特許請求の範囲第４項又は第５項記載の
光学反射膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2330201A JPH04204502A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 光学反射膜及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2330201A JPH04204502A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 光学反射膜及びその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04204502A JPH04204502A (ja) | 1992-07-24 |
| JPH0541961B2 true JPH0541961B2 (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18229969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2330201A Granted JPH04204502A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 光学反射膜及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04204502A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6344288B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-06-20 | 豊田合成株式会社 | 加飾製品、及び加飾製品の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221283A (en) * | 1975-08-13 | 1977-02-17 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Constituting element of works for clock parts etc. |
| JPH01180967A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-18 | Hitachi Cable Ltd | プラスチック表面への金属膜形成方法 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2330201A patent/JPH04204502A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221283A (en) * | 1975-08-13 | 1977-02-17 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Constituting element of works for clock parts etc. |
| JPH01180967A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-18 | Hitachi Cable Ltd | プラスチック表面への金属膜形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04204502A (ja) | 1992-07-24 |
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