JPH02101617A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH02101617A JPH02101617A JP25414688A JP25414688A JPH02101617A JP H02101617 A JPH02101617 A JP H02101617A JP 25414688 A JP25414688 A JP 25414688A JP 25414688 A JP25414688 A JP 25414688A JP H02101617 A JPH02101617 A JP H02101617A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気記録装置に用いられる磁気ディスクなど
の磁気記録媒体に関する。
の磁気記録媒体に関する。
〔従来の技術）
従来より磁気ディスク装翳に使用されている磁気記録媒
体は、強磁性酸化物粒子と有機樹脂結合剤をアルミ基板
に塗布して作られる塗布型磁気記録媒体が主流であるが
、近年磁気記録の高密度化が進み、これに対応するため
めっき法やスパッタ法の薄膜形成法による金属薄膜型磁
気記録媒体が実用化され始めている。第３図はこの金属
薄膜型磁気記録媒体の層構成の一例である。図において
（１）は非磁性基板、（８）は旧−Ｐ下地硬化層、（３
）は非磁性下地層、（４）は強磁性金属１１１１ＪＩ、
（５）は炭素薄膜層である。前記のように構成された磁
気記録媒体は、たとえばコンピュータの外部記憶＠置と
してハードディスク装置などに用いられるものであり、
磁気記録媒体表面に浮動ヘッドを乗せ、高速回転−停止
を繰返し行う。
体は、強磁性酸化物粒子と有機樹脂結合剤をアルミ基板
に塗布して作られる塗布型磁気記録媒体が主流であるが
、近年磁気記録の高密度化が進み、これに対応するため
めっき法やスパッタ法の薄膜形成法による金属薄膜型磁
気記録媒体が実用化され始めている。第３図はこの金属
薄膜型磁気記録媒体の層構成の一例である。図において
（１）は非磁性基板、（８）は旧−Ｐ下地硬化層、（３
）は非磁性下地層、（４）は強磁性金属１１１１ＪＩ、
（５）は炭素薄膜層である。前記のように構成された磁
気記録媒体は、たとえばコンピュータの外部記憶＠置と
してハードディスク装置などに用いられるものであり、
磁気記録媒体表面に浮動ヘッドを乗せ、高速回転−停止
を繰返し行う。
磁気記録は、前述のような磁気記録媒体と浮動ヘッド内
の磁気ヘッドの組合せで情報の読み書きを行うが、金屑
薄膜型媒体を使用するばあい、金属磁性薄膜が高温高湿
下のような劣悪な雰囲気では腐蝕し易く、十分な耐環境
性を確保することが困難であった。そこで磁性層の腐蝕
を防ぐ目的でその表面に保護膜を形成することが検討さ
れてきた。記録・再生特性を考慮すると保；１ｕｌｌの
厚さは、０．１ｍ程度以下におさえなければならない。
の磁気ヘッドの組合せで情報の読み書きを行うが、金屑
薄膜型媒体を使用するばあい、金属磁性薄膜が高温高湿
下のような劣悪な雰囲気では腐蝕し易く、十分な耐環境
性を確保することが困難であった。そこで磁性層の腐蝕
を防ぐ目的でその表面に保護膜を形成することが検討さ
れてきた。記録・再生特性を考慮すると保；１ｕｌｌの
厚さは、０．１ｍ程度以下におさえなければならない。
しかし、このような薄膜で、かつ良好な防蝕機能を示す
保護膜は知られていない。
保護膜は知られていない。
一方、従来の下地硬化層は、めっき法によるＮ−Ｐ膜が
主流であり、Ｎｉ−ｐＨｌのピンホールなどが耐蝕性の
低下の一要因となっていた。
主流であり、Ｎｉ−ｐＨｌのピンホールなどが耐蝕性の
低下の一要因となっていた。
さらに磁気記録媒体に要求される特性としてＣ５Ｓ （
コンタクト・スタート・ストップ）時における耐久性や
走行性があげられる。これに関しては、単に保！１１１
を形成しただけでは、充分なものとは言えず、より一層
の改良が要望される。
コンタクト・スタート・ストップ）時における耐久性や
走行性があげられる。これに関しては、単に保！１１１
を形成しただけでは、充分なものとは言えず、より一層
の改良が要望される。
本発明は、前述のような課題を解決するためになされた
もので、磁気ディスクの耐蝕性及び耐Ｃ８Ｓ特性の向上
、つまり信頼性の向上を図ることを目的としている。
もので、磁気ディスクの耐蝕性及び耐Ｃ８Ｓ特性の向上
、つまり信頼性の向上を図ることを目的としている。
本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に非磁性酸化物
の下地硬化層と強磁性金属薄膜層とをこの順で形成し、
かつ、最表面に保Ｗ！膜を形成したことを特徴としてい
る。
の下地硬化層と強磁性金属薄膜層とをこの順で形成し、
かつ、最表面に保Ｗ！膜を形成したことを特徴としてい
る。
本発明における磁気記録媒体は耐蝕性が極めて高く、か
つ、耐Ｃ８Ｓ性も極めて高い。
つ、耐Ｃ８Ｓ性も極めて高い。
以下、添付図を参照して本発明について説明する。
第１図は本発明磁気記録媒体の一実施例の部分断面図で
あって、非磁性基板（１）に、非磁性酸化物の下地硬化
１ｍ（２＋、下地Ｃｒ層（３）、ＣＯ合金磁性［４１、
保護潤滑膜（５１がこの順で形成されている。
あって、非磁性基板（１）に、非磁性酸化物の下地硬化
１ｍ（２＋、下地Ｃｒ層（３）、ＣＯ合金磁性［４１、
保護潤滑膜（５１がこの順で形成されている。
非磁性基板（１）の材質は、アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金を用いるのが好ましい。
ニウム合金を用いるのが好ましい。
下地硬化層（′２ＪのＳ厚は、強度およびコス１への点
から５項〜５０μｎのあいだにあるのが好ましく、１０
、ｉｉ＋ｎ〜２０虜のあいだにあるのが特に好ましい。
から５項〜５０μｎのあいだにあるのが好ましく、１０
、ｉｉ＋ｎ〜２０虜のあいだにあるのが特に好ましい。
下地硬化層（ａを形成する非磁性酸化物は５ｉＯＣを用
いるのが好ましく 、５ｉＯＮも用いることができる。
いるのが好ましく 、５ｉＯＮも用いることができる。
下地硬化層（２）の形成は後述するイオンビーム蒸着法
によってなされる。
によってなされる。
下地Ｃｒ層（３）の膜厚は、磁気特性および記録再生特
性の点から５００人〜５０００人のあいだにあるのが好
ましく、１０００人〜２０００人のあいだにあるのが特
に好ましい。下地Ｃｒ層（３）の形成はスパッタ成膜法
など公知の手段によりなされる。
性の点から５００人〜５０００人のあいだにあるのが好
ましく、１０００人〜２０００人のあいだにあるのが特
に好ましい。下地Ｃｒ層（３）の形成はスパッタ成膜法
など公知の手段によりなされる。
ＣＯ合金磁性ｌ１ｌ（４１の膜厚は、記録・再生特性の
点から２００人〜１５００人のあいだにあるのが好まし
く、３００人〜８００人のあいだにあるのが特に好まし
い。
点から２００人〜１５００人のあいだにあるのが好まし
く、３００人〜８００人のあいだにあるのが特に好まし
い。
Ｃｏ合金磁性膜（４）はＣｏＮｉＣｒ、 ＣｏＮ１２ｒ
Ｔｉ、 ＣｏＮ１２ｒを用いるのが好ましく 、ＣｏＮ
ｉＰｔも用いることができる。
Ｔｉ、 ＣｏＮ１２ｒを用いるのが好ましく 、ＣｏＮ
ｉＰｔも用いることができる。
Ｃｏ合金磁性膜（４）の形成はスパッタ成膜、蒸着法な
どの公知の手段によりなされる。
どの公知の手段によりなされる。
保２！潤滑膜（５）の膜厚は耐Ｃ３Ｓ強度および記録再
生特性の点から２００人〜１０００人のあいだにあるの
が好ましく、４００人〜６００人のあいだにあるのが特
に好ましい。保護潤滑膜（５）はＣ，５ｉ０２などを用
いることができる。保２！！ｒＩＩ滑膜（５）の形成は
スパッタ成膜法、スピンコード法などの公知の手段によ
りなされる。
生特性の点から２００人〜１０００人のあいだにあるの
が好ましく、４００人〜６００人のあいだにあるのが特
に好ましい。保護潤滑膜（５）はＣ，５ｉ０２などを用
いることができる。保２！！ｒＩＩ滑膜（５）の形成は
スパッタ成膜法、スピンコード法などの公知の手段によ
りなされる。
次に、前記イオンビーム蒸着法について図を用いて詳細
に説明する。第２図は前記イオンビーム蒸着装置の概略
図である。図において（６）はクラスターイオンビーム
発生源であり、蒸気発生源（６１）、イオン化手段（６
２）、イオンビーム加速電極（６３）などを備えている
。前記蒸気発生１ｔｉ（６１）は、ルツボ（６１ａ）
、該ルツボ（６１ａ）に収容された蒸着物質（６１ｂ）
などを有している。（刀はガスイオンビーム発生源であ
り、たとえば窒素ガス、窒素元素を含むガスなどの反応
性ガスを噴射するガス噴射ノズル（７１）、該噴射ノズ
ル（７１）から噴射した反応性ガスを励起、解離及びイ
オン化するイオン化手段（７２）、このイオン化手段に
よって生成したガスイオンを非磁性基板（１）の方向に
加速するイオンビーム加速電極（７３）、およびガスイ
オンＩ（７］の内部をその回りの空間よりも高いガス圧
に保つ内部層（７４）などを備えている。また、前記イ
オン化手段（７２）は、電子ビーム引出電１ｉ（７２ａ
） 、電子ビーム放出フィラメント（７２ｂ）を有して
いる。
に説明する。第２図は前記イオンビーム蒸着装置の概略
図である。図において（６）はクラスターイオンビーム
発生源であり、蒸気発生源（６１）、イオン化手段（６
２）、イオンビーム加速電極（６３）などを備えている
。前記蒸気発生１ｔｉ（６１）は、ルツボ（６１ａ）
、該ルツボ（６１ａ）に収容された蒸着物質（６１ｂ）
などを有している。（刀はガスイオンビーム発生源であ
り、たとえば窒素ガス、窒素元素を含むガスなどの反応
性ガスを噴射するガス噴射ノズル（７１）、該噴射ノズ
ル（７１）から噴射した反応性ガスを励起、解離及びイ
オン化するイオン化手段（７２）、このイオン化手段に
よって生成したガスイオンを非磁性基板（１）の方向に
加速するイオンビーム加速電極（７３）、およびガスイ
オンＩ（７］の内部をその回りの空間よりも高いガス圧
に保つ内部層（７４）などを備えている。また、前記イ
オン化手段（７２）は、電子ビーム引出電１ｉ（７２ａ
） 、電子ビーム放出フィラメント（７２ｂ）を有して
いる。
そして前記クラスターイオンビーム発生ａ ［６）、ガ
スイオンビーム発生１１１（７１、および非磁性基板（
１）は、所定の真空度に保持された真空槽内（図示せず
）内に納められている。また、矢印Ａはクラスターイオ
ンビームの流れの方向、矢印Ｂはガスイオンビームの流
れの方向をそれぞれ示す。
スイオンビーム発生１１１（７１、および非磁性基板（
１）は、所定の真空度に保持された真空槽内（図示せず
）内に納められている。また、矢印Ａはクラスターイオ
ンビームの流れの方向、矢印Ｂはガスイオンビームの流
れの方向をそれぞれ示す。
次に前記のように構成されたイオンビーム蒸着装置によ
り、５ｉＯＣ１ｌからなる下地硬化層（２）を形成する
ばあいについて述べる。
り、５ｉＯＣ１ｌからなる下地硬化層（２）を形成する
ばあいについて述べる。
真空槽内が１．Ｏｘ １０−５ Ｔｏｒｒ以下の真空度
になるまで排気したのち、反応性ガスとしてのＣＯガス
をガス噴射ノズル（７１）より導入し、電子ビーム放出
フィラメント（７２ａ）からガス噴射ノズル（７１）の
下流に配設されている電子ビーム引出電極（７２ｂ）に
電子を放出して、ＣＯガスを励起、解離およびイオン化
して非常に活性化された状態とする。イオン化手段（７
２）とイオンビーム加速電極（７３）のあいだにバイア
ス電圧を印加して、イオンを引き出しさらに加速して励
起および解離した反応性ガスと共に非磁性基板（１）に
照射する一方、ルツボ（６１ａ）に充填された蒸着物質
（６１ｂ）である酸化ケイ素（Ｓｉｎ）を前記発生１１
！（６１）内に設けられたフィラメントにより加熱し、
蒸気およびクラスターとして噴出させる。この蒸気およ
びクラスターは、イオン化手段（６２）で一部イオン化
されたのち、イオンビーム加速電極（６３）によって加
速され、イオン化されていない中性の蒸気及びクラスタ
ーと共に非磁性基板（１）に運ばれ、非磁性基板（１）
近傍に存在する励起、解離およびイオンしたＣＯガスと
化学反応を起こして、非磁性基板（１）上に５ｉＯＣｉ
ｌからなる下地硬化層（２が形成される。
になるまで排気したのち、反応性ガスとしてのＣＯガス
をガス噴射ノズル（７１）より導入し、電子ビーム放出
フィラメント（７２ａ）からガス噴射ノズル（７１）の
下流に配設されている電子ビーム引出電極（７２ｂ）に
電子を放出して、ＣＯガスを励起、解離およびイオン化
して非常に活性化された状態とする。イオン化手段（７
２）とイオンビーム加速電極（７３）のあいだにバイア
ス電圧を印加して、イオンを引き出しさらに加速して励
起および解離した反応性ガスと共に非磁性基板（１）に
照射する一方、ルツボ（６１ａ）に充填された蒸着物質
（６１ｂ）である酸化ケイ素（Ｓｉｎ）を前記発生１１
！（６１）内に設けられたフィラメントにより加熱し、
蒸気およびクラスターとして噴出させる。この蒸気およ
びクラスターは、イオン化手段（６２）で一部イオン化
されたのち、イオンビーム加速電極（６３）によって加
速され、イオン化されていない中性の蒸気及びクラスタ
ーと共に非磁性基板（１）に運ばれ、非磁性基板（１）
近傍に存在する励起、解離およびイオンしたＣＯガスと
化学反応を起こして、非磁性基板（１）上に５ｉＯＣｉ
ｌからなる下地硬化層（２が形成される。
前記のようにして得られた本発明の実施例による磁気記
録媒体は、加速されたイオンを含む成膜法によるため下
地硬化１ｍ（２］の付着強度が大きく、また平滑で硬度
が高いため、耐ヘツドクラツシユ性に優れたものである
ばかりでなく、耐蝕性も良く、しかもドライプロセスで
容易に形成できるため、安価に製造することができ品質
も安定している。
録媒体は、加速されたイオンを含む成膜法によるため下
地硬化１ｍ（２］の付着強度が大きく、また平滑で硬度
が高いため、耐ヘツドクラツシユ性に優れたものである
ばかりでなく、耐蝕性も良く、しかもドライプロセスで
容易に形成できるため、安価に製造することができ品質
も安定している。
さらに、前記方法で得られた磁気記録媒体に関して、実
施例および比較例に基づき説明する。
施例および比較例に基づき説明する。
実施例および比較例
本実施例の磁気記録媒体と、下地硬化層（２）以外は、
本実施例と同様であるが下地硬化１１（２）がＮ１−Ｐ
めっき層から構成されている比較例の磁気記録媒体とか
らなる２種類の磁気ディスクを各々１０枚作成し、円板
テスターでエラーの検証を行った。その結果初期の段階
では全ての磁気ディスクからエラーは検出されなかった
。続いて、これらの磁気ディスクを温度６０℃、相対湿
度９０％に保持した恒温恒湿槽内に２０日間放置したの
ち、再度円板テスターでエラーの検証を行ったところ、
本実施例の磁気ディスクからは、全てエラーは認められ
なかったが、比較例の磁気ディスクからは１０枚中３枚
にエラーが認められた。
本実施例と同様であるが下地硬化１１（２）がＮ１−Ｐ
めっき層から構成されている比較例の磁気記録媒体とか
らなる２種類の磁気ディスクを各々１０枚作成し、円板
テスターでエラーの検証を行った。その結果初期の段階
では全ての磁気ディスクからエラーは検出されなかった
。続いて、これらの磁気ディスクを温度６０℃、相対湿
度９０％に保持した恒温恒湿槽内に２０日間放置したの
ち、再度円板テスターでエラーの検証を行ったところ、
本実施例の磁気ディスクからは、全てエラーは認められ
なかったが、比較例の磁気ディスクからは１０枚中３枚
にエラーが認められた。
引続き、これらの磁気ディスクでＣ８Ｓテスト２０００
０回を行ったところ、比較例の磁気ディスクからは１０
枚中２枚において、ディスク表面にキズが発生したが、
本実施例の磁気ディスクでは、全く異常が認められなか
った。
０回を行ったところ、比較例の磁気ディスクからは１０
枚中２枚において、ディスク表面にキズが発生したが、
本実施例の磁気ディスクでは、全く異常が認められなか
った。
（発明の効果〕
以上の説明したように本発明の磁気記録媒体は、耐蝕性
が極めて高く、かつ、耐Ｃ５Ｓ特性も極めて高いという
効果を奏する。
が極めて高く、かつ、耐Ｃ５Ｓ特性も極めて高いという
効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の部分断面図
、第２図はイオンビーム蒸着装置の概略図、第３図は従
来の磁気記録媒体の部分断面図である。 （図面の主要符号） （１）：非磁性基板 （２）：下地硬化層 （３）：非磁性下地層 （４） ： Ｃｏ合金磁性層 （５）：保護潤滑膜 （６）；クラスタービーム発生源 （７）：ガスイオンビーム発生源 ｆ８）：Ｎ１−Ｐ下地硬化層 代 理 人 大 岩 増 雄 ２３図 ２國 ｌ、事件の表示 特願昭 正 書（自発） 平成 ＄１年−’月／’）日 ６３−２５４１４６号 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 ５、 補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄６、 補正の
内容 （１）明細−６頁１８行の「真空槽内」を「真空槽」と
補正する。 （２同９頁１７行の「以上の説明したように」を「以上
に説明したように」と補正する。 以
、第２図はイオンビーム蒸着装置の概略図、第３図は従
来の磁気記録媒体の部分断面図である。 （図面の主要符号） （１）：非磁性基板 （２）：下地硬化層 （３）：非磁性下地層 （４） ： Ｃｏ合金磁性層 （５）：保護潤滑膜 （６）；クラスタービーム発生源 （７）：ガスイオンビーム発生源 ｆ８）：Ｎ１−Ｐ下地硬化層 代 理 人 大 岩 増 雄 ２３図 ２國 ｌ、事件の表示 特願昭 正 書（自発） 平成 ＄１年−’月／’）日 ６３−２５４１４６号 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 ５、 補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄６、 補正の
内容 （１）明細−６頁１８行の「真空槽内」を「真空槽」と
補正する。 （２同９頁１７行の「以上の説明したように」を「以上
に説明したように」と補正する。 以
Claims (1)
- （１）非磁性基板上に非磁性酸化物の下地硬化層と強磁
性金属薄膜層とをこの順で形成し、かつ、最表面に保護
膜を形成したことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25414688A JPH02101617A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25414688A JPH02101617A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101617A true JPH02101617A (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=17260863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25414688A Pending JPH02101617A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02101617A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5780135A (en) * | 1995-09-13 | 1998-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic disc apparatus |
| US7391142B2 (en) * | 2002-11-28 | 2008-06-24 | Stmicroelectronics S.A. | Acoustic resonator support, acoustic resonator and corresponding integrated circuit |
| US7737804B2 (en) | 2005-09-05 | 2010-06-15 | Stmicroelectronics S.A. | Support for acoustic resonator and corresponding integrated circuit |
-
1988
- 1988-10-07 JP JP25414688A patent/JPH02101617A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5780135A (en) * | 1995-09-13 | 1998-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic disc apparatus |
| US7391142B2 (en) * | 2002-11-28 | 2008-06-24 | Stmicroelectronics S.A. | Acoustic resonator support, acoustic resonator and corresponding integrated circuit |
| US7391143B2 (en) | 2002-11-28 | 2008-06-24 | Stmicroelectronics S.A. | Support and decoupling structure for an acoustic resonator, acoustic resonator and corresponding integrated circuit |
| US7737804B2 (en) | 2005-09-05 | 2010-06-15 | Stmicroelectronics S.A. | Support for acoustic resonator and corresponding integrated circuit |
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