JPS61233366A - キヤピラリイ・カラム用基板 - Google Patents
キヤピラリイ・カラム用基板Info
- Publication number
- JPS61233366A JPS61233366A JP59265094A JP26509484A JPS61233366A JP S61233366 A JPS61233366 A JP S61233366A JP 59265094 A JP59265094 A JP 59265094A JP 26509484 A JP26509484 A JP 26509484A JP S61233366 A JPS61233366 A JP S61233366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- resist film
- groove
- capillary column
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
- G01N30/02—Column chromatography
- G01N30/60—Construction of the column
- G01N30/6095—Micromachined or nanomachined, e.g. micro- or nanosize
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、〃ス・クロマトグラフ用のキャピラリィ・カ
ラムにおけるキャピラリィ・カラム用基板に関する。
ラムにおけるキャピラリィ・カラム用基板に関する。
（従来技術とその問題点）
シリコン・ウェハーに半導体プロセスのエツチング技術
を用いて溝を形成し、その上にガラス板を密着させる従
来におけるシリコン・ウェハーキャピラリィ・カラムは
、キャピダリイ・カラム用基板のプロセス工数が多く歩
留りが悪いという問題点があった。
を用いて溝を形成し、その上にガラス板を密着させる従
来におけるシリコン・ウェハーキャピラリィ・カラムは
、キャピダリイ・カラム用基板のプロセス工数が多く歩
留りが悪いという問題点があった。
（発明の目的）
本発明は、このような問題点を解消するものであり、キ
ャピラリィ・カラム用基板のプロセス工数を減らして歩
留り率の高いキャピラリィ・カラム用基板を提供するこ
とを目的とする。
ャピラリィ・カラム用基板のプロセス工数を減らして歩
留り率の高いキャピラリィ・カラム用基板を提供するこ
とを目的とする。
（発明の概要）
本発明は、キャピラリィ・カラム用細溝を穿設したシリ
コンが蒸着法により蒸着できる板材と、該板材の平面に
シリコンを蒸着して成るキャピラリィ・カラム用基板で
あり、この基板にガラス板を密着させて〃スその他の流
体物が流入するキャピラリィ・カラムとして使用できる
キャピラリィ・カラム用基板である。
コンが蒸着法により蒸着できる板材と、該板材の平面に
シリコンを蒸着して成るキャピラリィ・カラム用基板で
あり、この基板にガラス板を密着させて〃スその他の流
体物が流入するキャピラリィ・カラムとして使用できる
キャピラリィ・カラム用基板である。
（発明の実施例）
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１図（１
）から（６）は、本発明のプロセス工数を示す図であり
、ガラス板１（以下、本発明においては少なくともシリ
コンが蒸着法、例えば真空蒸着法またはスバタリング蒸
着法により蒸着できる板材であれば材質には限定されな
いが説明の便宜上一実施例としてガラス板を用いて説明
する。）にレジス）ｌｉ２を形成しエツチング処理で溝
３を形成し、溝３にシリコン膜４を形成する状態を示す
図である。
）から（６）は、本発明のプロセス工数を示す図であり
、ガラス板１（以下、本発明においては少なくともシリ
コンが蒸着法、例えば真空蒸着法またはスバタリング蒸
着法により蒸着できる板材であれば材質には限定されな
いが説明の便宜上一実施例としてガラス板を用いて説明
する。）にレジス）ｌｉ２を形成しエツチング処理で溝
３を形成し、溝３にシリコン膜４を形成する状態を示す
図である。
ガラス板１にレジスト膜２を塗布して形成し、このレジ
スト膜２を紫外ｌｌＡＭ光及び現像によりプラス板１に
穿設するとほぼ同幅の溝２ａを形成し、ガラス板１の反
対面１ｂ及び側面１ｃにレジスト膜２ｂ（ライトワック
ス膜でもよい、）をガラス板１の反対面１ｂ及び側面１
ｃをエツチングから保護するため形成する（１１図（２
）（３）参照）。
スト膜２を紫外ｌｌＡＭ光及び現像によりプラス板１に
穿設するとほぼ同幅の溝２ａを形成し、ガラス板１の反
対面１ｂ及び側面１ｃにレジスト膜２ｂ（ライトワック
ス膜でもよい、）をガラス板１の反対面１ｂ及び側面１
ｃをエツチングから保護するため形成する（１１図（２
）（３）参照）。
レノスト膜２に形成したレジスト膜溝２ａの幅に準じて
等方性エツチング（実施例ではガラス板を用いているた
め等方性エツチングが適切であるが材質によっては異方
性エツチングでもよい、）によりガラス板１に溝３を穿
設し、ガラス板のレジスト膜２を除去する（第１図（４
）（５）参照）。
等方性エツチング（実施例ではガラス板を用いているた
め等方性エツチングが適切であるが材質によっては異方
性エツチングでもよい、）によりガラス板１に溝３を穿
設し、ガラス板のレジスト膜２を除去する（第１図（４
）（５）参照）。
ガラス板１に形成した溝３の面に対して直流二極スバタ
リング装置による標準的な動作条件（例えばが電圧〜１
０＝Ｔｏｒｒ、電圧〜１ ｋｖ）で厚さ約１μｍのシリ
コン膜４を形成してキャピラリィ・カラム用基板Ａが形
成される（第１図（６）参照）。
リング装置による標準的な動作条件（例えばが電圧〜１
０＝Ｔｏｒｒ、電圧〜１ ｋｖ）で厚さ約１μｍのシリ
コン膜４を形成してキャピラリィ・カラム用基板Ａが形
成される（第１図（６）参照）。
（発明の効果）
本発明は、以上の構成であるから、従来におけるシリコ
ン・ウェハーにエツチング処理により溝を形成する技術
よりもプロセス工数が少ないため（第２図従来例参照）
、歩留り率の高いキャピラリィ・カラム用基板を得るこ
とができる。
ン・ウェハーにエツチング処理により溝を形成する技術
よりもプロセス工数が少ないため（第２図従来例参照）
、歩留り率の高いキャピラリィ・カラム用基板を得るこ
とができる。
第１図は、本発明の工程及び構造を示す一部拡大断面図
であり、第２図は従来例を示す断面図である。
であり、第２図は従来例を示す断面図である。
Claims (1)
- キャピラリィ・カラム用細溝を穿設したシリコンが蒸着
法により蒸着できる板材と、該板材の面に形成されたシ
リコン膜とを有するキャピラリィ・カラム用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59265094A JPS61233366A (ja) | 1984-12-15 | 1984-12-15 | キヤピラリイ・カラム用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59265094A JPS61233366A (ja) | 1984-12-15 | 1984-12-15 | キヤピラリイ・カラム用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61233366A true JPS61233366A (ja) | 1986-10-17 |
Family
ID=17412516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59265094A Pending JPS61233366A (ja) | 1984-12-15 | 1984-12-15 | キヤピラリイ・カラム用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61233366A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4935040A (en) * | 1989-03-29 | 1990-06-19 | The Perkin-Elmer Corporation | Miniature devices useful for gas chromatography |
| US5087275A (en) * | 1987-09-22 | 1992-02-11 | Thomson-Csf | Electrochemical sensor having microcavities |
| US5720798A (en) * | 1996-04-30 | 1998-02-24 | Hewlett-Packard Company | Micromachined analyte trap for gas phase streams |
-
1984
- 1984-12-15 JP JP59265094A patent/JPS61233366A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5087275A (en) * | 1987-09-22 | 1992-02-11 | Thomson-Csf | Electrochemical sensor having microcavities |
| US4935040A (en) * | 1989-03-29 | 1990-06-19 | The Perkin-Elmer Corporation | Miniature devices useful for gas chromatography |
| US5720798A (en) * | 1996-04-30 | 1998-02-24 | Hewlett-Packard Company | Micromachined analyte trap for gas phase streams |
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