JPS5920747B2 - 蒸着膜の製造方法 - Google Patents
蒸着膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS5920747B2 JPS5920747B2 JP2661880A JP2661880A JPS5920747B2 JP S5920747 B2 JPS5920747 B2 JP S5920747B2 JP 2661880 A JP2661880 A JP 2661880A JP 2661880 A JP2661880 A JP 2661880A JP S5920747 B2 JPS5920747 B2 JP S5920747B2
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- JP
- Japan
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- mask
- vapor deposition
- deposition mask
- vapor
- deposited film
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は蒸着膜の製造方法に係り、特に半導体ウェハに
蒸着マスクを密着し、マスクに形成された孔部に相当す
る半導体ウエ・・部分に金属を蒸着させる工程に適用す
るに好適な蒸着膜の製造方法に関する。
蒸着マスクを密着し、マスクに形成された孔部に相当す
る半導体ウエ・・部分に金属を蒸着させる工程に適用す
るに好適な蒸着膜の製造方法に関する。
従来、半導体ウェハに対する選択的蒸着は第１図に示す
マスクおよび蒸着用治具を用いて行なわれていた。
マスクおよび蒸着用治具を用いて行なわれていた。
第１図において、シリコンウエ・・ ３が固定された治
具台座１の隅部には固定ピン２が設けられている。固定
ピン２の配置状態に対応するように蒸着マスク４の隅部
に孔４Ａが、形成され、蒸着工程に先立ち、蒸着マスク
４はシリコンウェハ３に密着させて締付けナット５で固
定される。蒸着マスク４には図示していないが、蒸着す
べき部位に相当する孔が形成されている。この孔はシリ
コンウエ・・ ３に所望の形状の蒸着膜（蒸着層）を得
るための形状である。このようにしてシリコンウェハ３
に適当な孔が形成された蒸着マスク４を密着した状態で
金属を蒸着し、シリコンウェハ３表面に選択的に金属を
付着させている。
具台座１の隅部には固定ピン２が設けられている。固定
ピン２の配置状態に対応するように蒸着マスク４の隅部
に孔４Ａが、形成され、蒸着工程に先立ち、蒸着マスク
４はシリコンウェハ３に密着させて締付けナット５で固
定される。蒸着マスク４には図示していないが、蒸着す
べき部位に相当する孔が形成されている。この孔はシリ
コンウエ・・ ３に所望の形状の蒸着膜（蒸着層）を得
るための形状である。このようにしてシリコンウェハ３
に適当な孔が形成された蒸着マスク４を密着した状態で
金属を蒸着し、シリコンウェハ３表面に選択的に金属を
付着させている。
しかしこのような方法において、シリコンウェハ３と蒸
着マスク４との間に空隙があると、蒸着金属がマスク４
の孔を通過した後、広がり、いわゆるまわり込み現象が
起こり、所望の形状の蒸着層を得ることができないので
不良品が発生し易いという欠点があつた。また蒸着金属
の膜厚を厚くすると、蒸着マスク４表面、特に蒸着マス
ク４に形成された孔の縁部に蒸着金属が付着するため、
蒸着作業毎に蒸着マスク４を取り換えるか、または再生
する必要があつた。本発明の目的は、上記した従来技術
の欠点をなくし、蒸着工程時の被蒸着物のまわり込み現
象を防止し、蒸着マスクの使用回数を増大させることが
できる蒸着膜の製造方法を提供することにある。
着マスク４との間に空隙があると、蒸着金属がマスク４
の孔を通過した後、広がり、いわゆるまわり込み現象が
起こり、所望の形状の蒸着層を得ることができないので
不良品が発生し易いという欠点があつた。また蒸着金属
の膜厚を厚くすると、蒸着マスク４表面、特に蒸着マス
ク４に形成された孔の縁部に蒸着金属が付着するため、
蒸着作業毎に蒸着マスク４を取り換えるか、または再生
する必要があつた。本発明の目的は、上記した従来技術
の欠点をなくし、蒸着工程時の被蒸着物のまわり込み現
象を防止し、蒸着マスクの使用回数を増大させることが
できる蒸着膜の製造方法を提供することにある。
本発明は、基体側の第１の蒸着マスクの他に、このマス
クと適当な間隔をおいて少なくとも１枚の第２の蒸着マ
スクを配置し第１、第２の蒸着マスクを介して蒸着を行
うことを特徴とし、これに） よつて上記目的を達成し
たものである。本発明において、上記第２の蒸着マスク
に形成される孔の寸法を上記第１の蒸着マスクに形成さ
れる孔の寸法よりも小さくすることによつて、特に蒸着
時における蒸着金属のまわり込み現象を顕著に防止する
ことができる。以下、添付図面に基づいて本発明を詳細
に説明する。
クと適当な間隔をおいて少なくとも１枚の第２の蒸着マ
スクを配置し第１、第２の蒸着マスクを介して蒸着を行
うことを特徴とし、これに） よつて上記目的を達成し
たものである。本発明において、上記第２の蒸着マスク
に形成される孔の寸法を上記第１の蒸着マスクに形成さ
れる孔の寸法よりも小さくすることによつて、特に蒸着
時における蒸着金属のまわり込み現象を顕著に防止する
ことができる。以下、添付図面に基づいて本発明を詳細
に説明する。
第２図は本発明方法を半導体装置の製造方法に適用する
際の蒸着マスクの組立状態を図解的に示す説明図である
。
際の蒸着マスクの組立状態を図解的に示す説明図である
。
第２図に卦いて、第１図に示す部材と同一ほたは相当部
分は第１図におけると同一符号で示してある。第２図に
示す実施例において、第１図に示す従来例と異なるのは
、蒸着マスクとしてウエハ側蒸着マスク６（第１のマス
ク）とソース側蒸着マスク７（第２のマスク）を使用し
、これらの蒸着マスクを適当な間隔をおいて配置するた
めのスペーサ８が介在されている点である。
分は第１図におけると同一符号で示してある。第２図に
示す実施例において、第１図に示す従来例と異なるのは
、蒸着マスクとしてウエハ側蒸着マスク６（第１のマス
ク）とソース側蒸着マスク７（第２のマスク）を使用し
、これらの蒸着マスクを適当な間隔をおいて配置するた
めのスペーサ８が介在されている点である。
第２図中、ウエ・・側蒸着マスク６とソース側蒸着マス
ク７には、図示されていないが、それぞれ蒸着すべき部
位に相当する孔が設けられている。
ク７には、図示されていないが、それぞれ蒸着すべき部
位に相当する孔が設けられている。
そして、ソース側蒸着マスク７に形成される孔の寸法は
ウエ・・側蒸着マスク６に形成される孔の寸法よりも小
さくしてある。マスク蒸着用治具の絹立は、シリコンウ
エ・・３に密着するウエハ側蒸着マスク６、スペーサ８
、ソース側蒸着マスク７の順に固定される。
ウエ・・側蒸着マスク６に形成される孔の寸法よりも小
さくしてある。マスク蒸着用治具の絹立は、シリコンウ
エ・・３に密着するウエハ側蒸着マスク６、スペーサ８
、ソース側蒸着マスク７の順に固定される。
このようにして組立られたマスク蒸着用治具は、従来と
同様の操作で半田の蒸着工程に供される。本実施例によ
れば、ウエ・・側蒸着マスク６の孔寸法を設計値通りと
し、ソース側蒸着マスク７の孔寸法を前記設計値より小
さくし、かつ複数枚の蒸着マスクを適当な間隔をおいて
配置し第２図に示すようにソース側蒸着マスク７はシリ
コンウエハ３の近くに位置しているため、シリコンウエ
ハ３と蒸着マスクとの間に空隙があつたとしても、それ
による半田のまわり込み現象を無くすことができた。
同様の操作で半田の蒸着工程に供される。本実施例によ
れば、ウエ・・側蒸着マスク６の孔寸法を設計値通りと
し、ソース側蒸着マスク７の孔寸法を前記設計値より小
さくし、かつ複数枚の蒸着マスクを適当な間隔をおいて
配置し第２図に示すようにソース側蒸着マスク７はシリ
コンウエハ３の近くに位置しているため、シリコンウエ
ハ３と蒸着マスクとの間に空隙があつたとしても、それ
による半田のまわり込み現象を無くすことができた。
また半田は殆んどソース側蒸着マスク７に付着し、ウエ
・・側蒸着マスク６に付着する半田量は微量であるため
、ウエ・・側蒸着マスク６を取り換え、または再生する
ことなくそのまま使用できる回数が増加した。一般にウ
エ・・側蒸着マスク６は微細加工が要求され、高価なも
のであるが、使用回数が増加することに伴い、ＪＩＳ規
格、Ｓ′Ｋ−５材のように高価ではあるが微細加工に適
した材料をマスク材として使用してもコスト的に不利な
点は生じない。本発明において、ウエハ側蒸着マスク６
は微細加工が要求されるが、ソース側蒸着マスク７は厳
密な微細加工を要求される訳でないので、蒸着後マスク
７に付着した金属を除去する作業に耐え得る材質、例え
ばモリブデン、タングステンなどを使用することができ
る。
・・側蒸着マスク６に付着する半田量は微量であるため
、ウエ・・側蒸着マスク６を取り換え、または再生する
ことなくそのまま使用できる回数が増加した。一般にウ
エ・・側蒸着マスク６は微細加工が要求され、高価なも
のであるが、使用回数が増加することに伴い、ＪＩＳ規
格、Ｓ′Ｋ−５材のように高価ではあるが微細加工に適
した材料をマスク材として使用してもコスト的に不利な
点は生じない。本発明において、ウエハ側蒸着マスク６
は微細加工が要求されるが、ソース側蒸着マスク７は厳
密な微細加工を要求される訳でないので、蒸着後マスク
７に付着した金属を除去する作業に耐え得る材質、例え
ばモリブデン、タングステンなどを使用することができ
る。
本発明方法は上述した、半導体ウエ・・への半田膜蒸着
の他、選択的な蒸着が必要とされる場合に広く応用でき
るものである。
の他、選択的な蒸着が必要とされる場合に広く応用でき
るものである。
また、第１，第２のマスクに第３，第４・・・・・・の
マスクを追加しても本発明の効果を享受できる。
マスクを追加しても本発明の効果を享受できる。
以上、本発明によれば、被蒸着物のまわり込み現象によ
る不良品の発生を防止することができ、また基体と密着
される高精度の蒸着マスクの使用頻度を増大させること
ができる。
る不良品の発生を防止することができ、また基体と密着
される高精度の蒸着マスクの使用頻度を増大させること
ができる。
第１図は従来の半導体装置の製造方法の例を示す組立説
明図、第２図は本発明の一色１を示す組立説明図である
。 １・・・・・・治具台座、３・・・・・・シリコンウエ
ハ ４・・・・・・蒸着マスク、６・・・・・・ウエ・
・側蒸着マスク、７・・・・・・ソース側蒸着マスク、
８・・・・・・スペーサ。
明図、第２図は本発明の一色１を示す組立説明図である
。 １・・・・・・治具台座、３・・・・・・シリコンウエ
ハ ４・・・・・・蒸着マスク、６・・・・・・ウエ・
・側蒸着マスク、７・・・・・・ソース側蒸着マスク、
８・・・・・・スペーサ。
Claims (1)
- １ 基板に蒸着マスクを密着し該マスクを介して上記基
体のマスクに形成された孔部に相当する部分に被蒸着物
を蒸着させる工程を有する蒸着膜の製造方法において、
少なくとも上記基体に密着し基体に所望の形状の蒸着膜
を得るための孔を有する第１のマスクと、第１のマスク
所定の間隔をおき、かつ、第１のマスクに形成される孔
の寸法より小さい寸法の孔を有する第２のマスクを配置
し、第２のマスクの第１のマスクと反対側から蒸着する
ことを特徴とする蒸着膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2661880A JPS5920747B2 (ja) | 1980-03-05 | 1980-03-05 | 蒸着膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2661880A JPS5920747B2 (ja) | 1980-03-05 | 1980-03-05 | 蒸着膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56123367A JPS56123367A (en) | 1981-09-28 |
| JPS5920747B2 true JPS5920747B2 (ja) | 1984-05-15 |
Family
ID=12198460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2661880A Expired JPS5920747B2 (ja) | 1980-03-05 | 1980-03-05 | 蒸着膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5920747B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1024215C2 (nl) * | 2003-09-03 | 2005-03-07 | Otb Group Bv | Systeem en werkwijze voor het behandelen van substraten, alsmede een gebruik van een dergelijke systeem en een transportinrichting. |
-
1980
- 1980-03-05 JP JP2661880A patent/JPS5920747B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56123367A (en) | 1981-09-28 |
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